シート / Datasheet FZ400R33KL2C_B5

Transcription

1 IGBT- インバータ /IGBT,Inverter 最大定格 /MaximumRatedalues コレクタ エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage 連続 DC コレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent ゲート エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage Tvj = -25 C TC = 8 C, Tvj max = 5 C TC = 25 C, Tvj max = 5 C / CES IC nom IC tp = ms ICRM A A A GES +/-2 電気的特性 /Characteristicalues min. typ. max. コレクタ エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage ゲート エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage ゲート電荷量 Gatecharge 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor 入力容量 Inputcapacitance 帰還容量 Reversetransfercapacitance コレクタ エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent ゲート エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent ターンオン遅れ時間 ( 誘導負荷 ) Turn-ondelaytime,inductiveload IC = A, GE = 5 IC = A, GE = 5 CE sat 3, 3,7 3,65 4,45 IC = 4, ma, CE = GE, GEth 4,2 5, 6, GE = , CE = QG 7,5 µc RGint,3 Ω f = MHz,, CE = 25, GE = Cies 48, nf f = MHz,, CE = 25, GE = Cres 2,7 nf CE = 3, GE =, ICES 5, ma CE =, GE = 2, IGES na IC = A, CE = GE = ±5 RGon = 3 Ω, CGE = nf td on,, ターンオン上昇時間 ( 誘導負荷 ) Risetime,inductiveload IC = A, CE = GE = ±5 RGon = 3 Ω, CGE = nf tr,4,4 ターンオフ遅れ時間 ( 誘導負荷 ) Turn-offdelaytime,inductiveload IC = A, CE = GE = ±5 RGoff = 3 Ω, CGE = nf td off 3,7 3,9 ターンオフ下降時間 ( 誘導負荷 ) Falltime,inductiveload IC = A, CE = GE = ±5 RGoff = 3 Ω, CGE = nf tf,25,35 ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = A, CE =, LS = 6 nh GE = ±5, di/dt = A/ RGon = 6,2 Ω, CGE = nf Eon 9 ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse IC = A, CE =, LS = 6 nh GE = ±5 RGoff = 3 Ω, CGE = nf Eoff 44 短絡電流 SCdata ジャンクション ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase ケース ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions GE 5, CC = 2 CEmax = CES -LsCE di/dt tp, ISC A IGBT 部 ( 素子当り )/perigbt RthJC 25,5 K/kW IGBT 部 ( 素子当り )/perigbt λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH 24, K/kW Tvj op C Datasheet 2.

2 Diode インバータ /Diode,Inverter 最大定格 /MaximumRatedalues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage 連続 DC 電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent 電流二乗時間積 I²t-value 最大損失 Maximumpowerdissipation 最小ターンオン時間 Minimumturn-ontime Tvj = -25 C RRM 3 3 IF A tp = ms IFRM A R =, tp = ms, I²t 72, ka²s PRQM kw ton min, 電気的特性 /Characteristicalues min. typ. max. 順電圧 Forwardvoltage ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = A, GE = IF = A, GE = IF = A, - dif/dt = A/ (Tvj=25 C) R = GE = -5 F IRM 2,6 2,55 67 t.b.d. A A 逆回復電荷量 Recoveredcharge IF = A, - dif/dt = A/ (Tvj=25 C) R = GE = -5 Qr µc µc 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IF = A, - dif/dt = A/ (Tvj=25 C) R = GE = -5 Erec 25 ジャンクション ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode( 素子当り )/perdiode RthJC 5, K/kW ケース ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions /Diode( 素子当り )/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH 48, K/kW Tvj op C Datasheet 2 2.

3 モジュール /Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage 部分放電電圧 Partialdischargeextinctionvoltage DC スタビリティ DCstability ベースプレート材質 Materialofmodulebaseplate 内部絶縁 Internalisolation 沿面距離 Creepagedistance 空間距離 Clearance 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex ケース ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink 内部インダクタンス Strayinductancemodule パワーターミナル チップ間抵抗 Moduleleadresistance,terminals-chip 保存温度 Storagetemperature 取り付けネジ締め付けトルク Mountingtorqueformodulmounting 主端子ネジ締め付けトルク Terminalconnectiontorque 質量 Weight RMS, f = 5 Hz, t = s ISOL,4 k RMS, f = 5 Hz, QPD typ pc ISOL 5, k, fit CE D 25 基礎絶縁 ( クラス,IEC64) basicinsulation(class,iec64) 連絡方法 - ヒートシンク /terminaltoheatsink 連絡方法 - 連絡方法 /terminaltoterminal 連絡方法 - ヒートシンク /terminaltoheatsink 連絡方法 - 連絡方法 /terminaltoterminal / モジュール /permodule λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) AlSiC AlN 64, 56, 4, 26, CTI > min. typ. max. mm mm RthCH 6, K/kW LsCE 25 nh TC=25 C,/ スイッチ /perswitch RCC'+EE',37 mω 取り付けネジ M6 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote 取り付けネジ M8 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote Tstg C M 4,25 5,75 Nm M 8, - Nm G g Datasheet 3 2.

4 出力特性 IGBT- インバータ (Typical) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) GE=5 出力特性 IGBT- インバータ (Typical) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) Tvj=25 C GE = 2 GE = 5 GE = 2 GE = GE = 9 GE = 8,,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, 5,5 6, 6,5 7, CE [],,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, 5,5 6, 6,5 7, CE [] 伝達特性 IGBT- インバータ (Typical) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(GE) CE=2 スイッチング損失 IGBT- インバータ (Typical) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) GE=±5,RGon=6.2Ω,RGoff=3Ω,CE=,CGE=nF 2 Eon, Eoff, 2 2 E [] GE [] Datasheet 4 2.

5 スイッチング損失 IGBT- インバータ (Typical) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) GE=±5,IC=A,CE=,CGE=nF 過渡熱インピーダンス IGBT- インバータ transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJC=f(t) 3 Eon, Eoff, ZthJC : IGBT E [] ZthJC [K/kW] RG [Ω] i: ri[k/kw]: τi[s]:,475,3 2 6,375, 3,53,3 4 6,2,,,, t [s] 逆バイアス安全動作領域 IGBT- インバータ (RBSOA)) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbsoa) IC=f(CE) GE=±5,RGoff=3Ω,Tvj=25 C,CGE=nF 順電圧特性 Diode インバータ (typical) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(F) IC, Modul IC, Chip IF [A] 2 3 CE [],,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, F [] Datasheet 5 2.

6 スイッチング損失 Diode インバータ (Typical) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=6.2Ω,CE= スイッチング損失 Diode インバータ (Typical) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=A,CE= Erec, Erec, E [] E [] IF [A] RG [Ω] 過渡熱インピーダンス Diode インバータ transientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t) 安全動作領域 Diode インバータ (SOA) safeoperationareadiode,inverter(soa) IR=f(R) Tvj=25 C ZthJC : Diode IR, Modul ZthJC [K/kW] IR [A] i: ri[k/kw]: τi[s]: 22,95,3 2 2,75, 3 3,6,3 4 2,24,,,, t [s] 2 3 R [] Datasheet 6 2.

7 回路図 /Circuitdiagram パッケージ概要 /Packageoutlines Datasheet 7 2.

8 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. Edition Publishedby InfineonTechnologiesAG 8726München,Germany 28InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? 重要事項 本文書に記載された情報は いかなる場合も 条件または特性の保証とみなされるものではありません ( 品質の保証 ) 本文に記された一切の事例 手引き もしくは一般的価値 および / または本製品の用途に関する一切の情報に関し インフィニオンテクノロジーズ ( 以下 インフィニオン ) はここに 第三者の知的所有権の不侵害の保証を含むがこれに限らず あらゆる種類の一切の保証および責任を否定いたします さらに 本文書に記載された一切の情報は お客様の用途におけるお客様の製品およびインフィニオン製品の一切の使用に関し 本文書に記載された義務ならびに一切の関連する法的要件 規範 および基準をお客様が遵守することを条件としています 本文書に含まれるデータは 技術的訓練を受けた従業員のみを対象としています 本製品の対象用途への適合性 およびこれら用途に関連して本文書に記載された製品情報の完全性についての評価は お客様の技術部門の責任にて実施してください 本製品 技術 納品条件 および価格についての詳しい情報は インフィニオンの最寄りの営業所までお問い合わせください ( 警告事項 技術的要件に伴い 製品には危険物質が含まれる可能性があります 当該種別の詳細については インフィニオンの最寄りの営業所までお問い合わせください インフィニオンの正式代表者が署名した書面を通じ インフィニオンによる明示の承認が存在する場合を除き インフィニオンの製品は 当該製品の障害またはその使用に関する一切の結果が 合理的に人的傷害を招く恐れのある一切の用途に使用することはできないこと予めご了承ください IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics ( Beschaffenheitsgarantie ).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,infineontechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer sproductsandanyuseoftheproductofinfineontechnologies incustomer sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice( WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestinfineontechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.