PS2701-1, PS2701-2, PS DS
|
|
|
- ひろと いとえ
- 4 years ago
- Views:
Transcription
1 Photocoupler SOP NEPOC PS2701-1, PS2701-2, PS GaAs LED IC BV = 3 7 Vr.m.s. SOP tr = 3 µs TYP., tf = 5 µs TYP. 1 PS E3, E4, F3, F4 UL No. E72422 (S) VDE0884 IC PS SOP PS SOP UL PS SOP PS V 4 SOP VDE0884 PS V PS V 8 SOP 16 SOP P11306JJ6V0DSJ1 6 December 2000 N CP (K) 1988
2 mm 4.5 MAX. PS TOP VIEW ± MAX ± MAX M 0.5± MAX. PS TOP VIEW ± MAX ± M MAX ± MAX. PS TOP VIEW ± ± MAX M MAX. 0.5±0.3 2
3 TA = 25 C PS PS2701-2, PS DC IF ma VR 6 V PD/ C 0.8 mw/ C PD 80 mw/ch IFP 1 A VCEO 40 V VECO 6 V IC 80 ma/ch PC/ C mw/ C PC mw/ch BV 3 7 Vr.m.s. TA 55 + C Tstg C = ms Duty = 1 % TA = 25 C, RH = 60 %, AC 1 3
4 TA = 25 C MIN. TYP. MAX. VF IF = 5 ma V IR VR = 5 V 5 ma Ct V = 0 V, f = 1 MHz 30 pf ICEO IF = 0 ma, VCE = 40 V na CTR IF = 5 ma, VCE = 5 V 300 % VCE(sat) IF = ma, IC = 2 ma 0.3 V RI-O VI-O = 1 kvdc 11 W CI-O V = 0 V, f = 1 MHz 0.4 pf tr VCC = 5 V, IC = 2 ma, RL = W 3 ms tf 5 CTR PS P L 300 M 1 VCC = µ s, Duty = 1/ IF Ω VOUT RL = Ω 4
5 TA = 25 C vs. 200 vs. PD (mw) PC (mw) 1 PS2701-2, PS mw/ C PS mw/ C TA ( C) TA ( C) vs. vs. IF (ma) TA = + C +75 C + C +25 C 0 C 25 C 55 C IC (ma) IF = 30 ma 20 ma 15 ma ma 5 ma VF (V) VCE (V) ICEO (na) vs. VCE = 40 V 24 V V TA ( C) IC (ma) vs. IF = 25 ma 20 ma ma 2 ma 1 1 ma VCE(sat) (V) 5
6 CTR 1.2,,,,,,,,,, vs., 0.2 TA = 25 C 1.0, IF = 5 ma, VCE = 5 V TA ( C) CTR (%) vs. 300 VCE = 5 V IF (ma) vs. VCC = 5 V, IC = 2 ma ton t ( µ s) t ( µ s) k 2 k IF = 5 ma, VCC = 5 V, CTR = 169 % RL (Ω) vs. toff td ts tf ts tr td GV CTR RL = 1 kω 5 Ω 300 Ω Ω f (khz) CTR IF = 1 ma, TA = 25 C IF = 5 ma, TA = 25 C IF = 20 ma, TA = 25 C IF = 20 ma, TA = 60 C k 5 k k k k RL (Ω) (Hr) 6
7 mm 2.0± ± ± ± ± ± ± ± ± ± ±0.1 PS E3 PS F3 PS E4 PS F4 1.5± ± ± ± φ 21.0± ±1 PS E3, E4: φ 178 PS F3, F4: φ 330 φ 66 φ 13.0±0.5 : PS E3, E4 900 / PS F3, F4 3 0 / MAX. 7
8 2 C 235 C 30 s Wt % T ( C) C s s 30 s 235 C 2 C ( ) 235 C 260 C s Wt % 8
9 VDE DIN VDE Vr.m.s Vr.m.s. IV III DIN IEC 68 Teil 1/ //21 UIORM 7 Vpeak a Upr 8 Vpeak Upr = 1.2 UIORM Pd 5 pc b Upr Vpeak Upr = 1.6 UIORM Pd 5 pc UTR Vpeak DIN VDE mm 5 mm DIN IEC 112/VDE 0303 part 1 CTI 175 DIN VDE 09 III a Tstg 55 1 C TA 55 C TA = 25 C VIO = 0 V Ris MIN. 12 W TA MAX. C VIO = 0 V Ris MIN. 11 W Tsi 1 C IF Psi = 0 Isi 200 ma Psi 300 mw Tsi VIO = 0 V Ris MIN. 9 W 9
10
11 11
12 GaAs NEPOC FAX (03) , 67, 68 (052) (06) , 3200, 3208, 3212 (022) (024) (043) (03) , 6111, 6112 (042) , 6167 (0263) (054) (076) (089) (03) , 6155, 6586, 1622, 1623, 6156 (029) (082) (027) (0857) (0276) (052) , 2190 (092) C00.6
PS2501-1,-2,-4,PS2501L-1,-2,-4 DS
Photocoupler PS2501-1,-2,-4,PS2501L-1,-2,-4 NEPOC PS2501-1, -2, -4, PS2501L-1, -2, -4 GaAs LED PS2501L-1, -2, -4 PS2501-1, -2, -4 PS2501-1, -2, -4, PS2501L-1, -2, -4 BV = 5 000 Vr.m.s. VCEO = 80 V tr =
PS2561D-1,PS2561DL-1,PS2561DL1-1,PS2561DL2-1 DS
Photocoupler PS2561D-1,PS2561DL-1 PS2561DL1-1,PS2561DL2-1 110 C DIP NEPOC PS2561D-1 GaAs LED PS2561DL-1 PS2561D-1 PS2561DL1-1 PS2561D-1 PS2561DL2-1 PS2561D-1 110 C BV = 5 000 Vr.m.s. VCEO = 80 V CTR =
PS2802-1,PS DS
Photocoupler SSOP NEPOC PS2802-1, PS2802-4 GaAs LED IC BV = 2 500 Vr.m.s. 4, 16 SSOP 1.27 mm CTR = 2 000% TYP. @ IF = 1 ma, VCE = 2 V PS2802-1-F3, F4, PS2802-4-F3, F4 PS2802-1, -4 UL File No. E72422 BSI
PS8501,PS8501L1,PS8501L2,PS8501L3 DS
Photocoupler PS8501,PS8501L1,PS8501L2,PS8501L3 1 Mbps 8 mm 8 DIP NEPOC PS8501, PS8501L1, PS8501L2, PS8501L3 GaAlAs PN 8 DIP PS8501L1 PS8501 PS8501L2 PS8501 PS8501L3 PS8501 8 mm MIN. PS8501L1, PS8501L2
DS
FUJITSU SEMICONDUCTOR DATA SHEET DS4 272 1 ASSP (AC / DC ) BIPOLAR, IC,, 2 ma, 5 V SOP 16 1 AC/DC Copyright 1986-211 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved 211.5 (TOP VIEW) IN1 1 16 IN2 IN1
uPC2711TB,uPC2712TB DS
5 VIC Bipolar Analog Integrated Circuits µpc2711tb, µpc2712tbbsic 20122915 µpc2711tb, µpc2712tb µpc2711t, µpc2712t NESAT TM ft = 20 GHz IC fu = 2.9 GHz TYP.µPC2711TB fu = 2.6 GHz TYP.µPC2712TB GP = 13
ps9117A_データシート
低回路電流タイプ, 高 CMR, 1 Mbps, オープン コレクタ出力 5 ピン SOP (SO-5) 高速フォトカプラ データシート R8DS139JJ Rev.1. 概 要 は, 入力側に AlGaAs 発光ダイオードを使用し, 出力側にフォトダイオードと信号処理回路を同一チップ上に構成した受光 IC を用いたアクティブ ロウ タイプの高速フォトカプラです 高耐ノイズ ( 高 CMR) に加え,
sm1ck.eps
DATA SHEET DS0 0 ASSP, IC,,,,, (VS =. V.%) (VCC = 0. V ) (VR =. V.%) ( ) DIP, SIP, SOP, (DIP-P-M0) (SIP-P-M0) (FPT-P-M0) (FRONT VIEW) (TOP VIEW) C T C T V S V REF V CC V CC V REF V S (DIP-P-M0) (FPT-P-M0)
MB (FRONT VIEW) (TOP VIEW) VSA VSB / RESIN VSC VSA OUTC VSB /RESIN GND GND OUTC (DIP-P-M0) (FPT-P-M0) VSC (SIP-P-M0) VSA VSB / RESIN 00 kω 0 kω + + Co
DATA SHEET DS0 00 ASSP BIPOLAR MB MB IC V (VSA =. V ±. ) (VSB =. V ±. ) (+ V ) ( = 0. V ) ( ) (ICC = 0. ma = V) DIP, SIP, SOIP, (DIP-P-M0) (SIP-P-M0) (FPT-P-M0) MB (FRONT VIEW) (TOP VIEW) VSA VSB / RESIN
uPC2745TB,uPC2746TB DS
Bipolar Analog Integrated Circuits 3 VIC µpc2745tb, µpc2746tb IC3 V1.8 V NESAT TM ft = 20 GHz IC VCC = 2.73.3 V VCC = 1.83.3 V µpc2745tbfu = 2.7 GHz TYP. @3 db µpc2746tbfu = 1.5 GHz TYP. @3 db µpc2745tbisl
pc123xnnsz_j
PC2XNNSZF PC2XNNSZF = UL577 2 fi le No. E68 PC2 BSI BS-EN665 fi le No. 787 BS-EN695 fi le No. 79 PC2 SEMKO EN665 EN695 PC2 DEMKO EN665 EN695 PC2 NEMKO EN665 EN695 PC2 FIMKO EN665 EN695 PC2 CSAfile No.CA952
Microsoft PowerPoint - TLP184,185_TLP290,291 比較表 ppt
TLP180/181 vs. TLP184/185 TLP280/281/284/285 vs. TLP290/291 比較表 フォトカプラ新 PKG SO6 内部構造 受光 IC( 出力 ) 2011 年 12 月東芝ディスクリートテクノロジー株式会社ディスクリート営業技術推進部 発光タ イオート ( 入力 ) Copyright 2011, Toshiba Corporation. 1 TLP180/181
pc725v0nszxf_j
PC725NSZXF PC725NSZXF PC725NSZXF PC725 DE file PC725 Date Jun. 3. 25 SHARP Corporation PC725NSZXF 2 6 5 2 3 4 Anode Cathode NC Emitter 3 4 5 Collector 6 Base PC725NSZXF PC725YSZXF.6 ±.2.2 ±.3 SHARP "S"
uPC1251, 358 DS
Bipolar Analog Integrated Circuit µ PC5,58 µ PC5, 58 GND C 5 µ ATYP. GND µ PC5 µ PC58 DC µ PC45, 4 mvtyp. 5 natyp. TYP. DIP, SOP 9 SIP µ PC5C 8 DIP7.6 mm µ PC5C (5) DC µ PC5G 8 SOP5.7 mm5 µ PC5G (5) DC
uPC2709T DS
Bipolar Analog Integrated Circuit 5 VIC BS/CS1 stific NESAT TM ft = 20 GHz IC fu = 2.3 GHz TYP.3 db POsat= 11.5 dbmf = 1 GHz, VCC = 5.0 V0.5 V GP = 23 db TYP.f = 1 GHz 50 Ω BS/CS1 stif BS/CS1 stif -E3
uPC2745TB,uPC2746TB DS
Bipolar Analog Integrated Circuits 3 V IC µpc275tb, µpc27tb IC3 V V NESAT ft = 2 GHz IC VCC = 2.73.3 V VCC = 3.3 V µpc275tbfu = 2.7 GHz TYP. @3 db µpc27tbfu = 1.5 GHz TYP. @3 db µpc275tbisl = 38 db TYP.
uPA2000 Series DS
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 21 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
Distributeur : JBG-METAFIX
CL-7IR-X (.x.5x.mm) Lead-free RS-4 (.65x7.5x.75mm) Lead-free PR- (.5x.375x.6 mm) Lead-free P.7 P.4 P.35 CL-9IRS-X (x.8x.8mm) Lead-free RS-47 (3.x4.5x.mm) Lead-free CPT-3 (3.xx.mm) Lead-free P.8 P.6 P.37
The DatasheetArchive - Datasheet Search Engine
Bipolar Analog Integrated Circuit 3 IC 3 5 V, 8 V, 12 V, 15 V, 18 V, 24 V 6 1 A Marking Side TO-22 MP-45G 4 MIN. µpc1435 5 V µpc1435 3 SIP TO-22 MP-45G 1 2 3 1 INPUT 2 GND 3 OUTPUT µ PC1435HF TO-22 MP-45G
ELCODIS.COM - ELECTRONIC COMPONENTS DISTRIBUTOR
Bipolar Analog Integrated Circuit 3 IC 3 5 V, 8 V, 12 V, 15 V, 18 V, 24 V 6 1 A Marking Side TO-22 MP-45G 4 MIN. µpc1435 5 V µpc1435 3 SIP TO-22 MP-45G 1 2 3 1 INPUT 2 GND 3 OUTPUT µ PC1435HF TO-22 MP-45G
M51132L/FP データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 4 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
pc817xj0000f_j
PC87XJF PC87XJF PC87XJF PC87XJF PC87 Date Jun.. 5 SHRP Corporation PC87XJF node Cathode Emitter Collector PC87XJF PC87XIJF node mark. ±..6 ±. Rank mark Factory identification mark Date code PC87.58 ±.5
51505agj.PDF
Type No. 2002 7 3 ******** 1.... 2 2.... 3 3.... 7 4. I/O... 9 5.... 11 6.... 12 7.... 16 8.... 16 9.... 16 10.... 17 11.... 18 CORPORATION Page 1/18 1. min. -20max. 70 min. -20max. 70 20 2 5 8 1 83.0
untitled
COPAL ELECTRONICS 32 (DP) DP INC 2 3 3 RH RL RWB 32 C S U/D INC U/D CS 2 2 DP7114 32 SOIC CMOS 2.5 V - 6.0 V / 10 kω 50 kω 100 kω TSSOP MSOP /BFR INC / U/D RH RoHS GND RWB RL CS VCC 2017 6 15 1 : R = 2
1516-機器センサ_J.indb
機器用センサ Grid-EYE Grid-EYE Grid-EYE Grid-EYE Grid-EYE 着座検知 扉開閉 洗濯機の水位検知 電子レンジ PS-A 微圧タイプ 水位検知 Grid-EYE 温度計測 位置検知 熱 軸GF 赤外線アレイセンサ Grid-EYE 設計 仕様について予告なく変更する場合があります ご購入及びご使用前に当社の技術仕様書などをお求め願い それらに基づいて購入及び使用していただきますようお願いします
M51995AP/AFP データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 21 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
パワーサプライ テクニカルガイド
0120-919-066 http://www.fa.omron.co.jp / 1864 1667 OAFA IC IC 2 40200kHz 12 DC OUT AC IN 1 ULCSAVDE CE 0120-919-066 http://www.fa.omron.co.jp % / 1865 / 1871 1866 1866 V.ADJ p-p 1866 1866 1867 1867 90
496 CE EC CE CE EC (European Community) Communauté Européenne ( ) EC EU EMC EC : 2006/95/EG 2004/108/EC EMC 2006/42/EG AC 50 V 1000 V DC 75 V 1500 V E
4 495 CE EC 496 IEC/EN 497 IEC/EN 498 503 504 5 515 516 517 524 525 526 526 526 UL 518 UL 519 522 528 538 Ex e II 4 Ex i 540 542 496 CE EC CE CE EC (European Community) Communauté Européenne ( ) EC EU
DC 1030V10% 35mA ON/ON NPNPNP 100mA30V1V100mA 50mA30V1V50mA 500 s 50 s70 s 500 s LED LED / 40ms/ 5,000lx20,000lx 2060 C2050 C 4070 C 3585%RH 20M DC 50
6 CP-PC-2118 UL/CE 800mm / 50 s DIN10mm / DC 1030V NPN 1 PNP 2 NPN 1 PNP / 2 NPN 1 PNP 2 NPN 1 PNP 2 UL, DC 1030V10% 35mA ON/ON NPNPNP 100mA30V1V100mA 50mA30V1V50mA 500 s 50 s70 s 500 s LED LED / 40ms/
フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2
S9066-211SB S9067-201CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2つの受光部の出力を減算し ほぼ可視光域にのみ感度をもたせています また従来品に比べ 同一照度における異なる色温度の光源に対しての出力変化を低減しています
* 2
* 2 3 H2400 2 2 3 4 5 5 (at +25 ) H2400-00-0 H2400-0-0 H2400-20-0 420 3(X) (Y) 2-50 26 5 50 80 200 8.0 0.2 80 62 30 5 60 70.6 5 2. 4 0.3 3.2 8.0.3 2 6 3.5 5 +5 +50-20 +50 630 nm mm µa µa 300 µa/lm 400
Microsoft Word - Łñ“’‘‚.doc
5 4 3 2 1 19921996 1 0 19921996 19972001 20022006 20072001 20122016 20172021 20222026 20272031 20322036 20372041 20422046 20472051 20000 8000 4000 4000 2000 10 10 20 30 40 50 60 70 20 30 40 50 60 70 ,
PIN S 5 K 0 K 1 K 2 K 3 K 4 V DD V 0 V 1 V 2 V SS OSC SEG 32 SEG 31 SEG 30 SEG 29 SEG 28 SEG 27 SEG 26 SEG 25 SEG 24 SEG 23 SEG 22 SEG 21 SEG 20 SEG 1
1/3 1/4 LCD NJU6535 LCD 1/3 1/4 LCD key(scan 6 Scan 5) CPU 3 4 42 41 1/3 126 1/4 164 LED NJU6535FH1 LCD 42 126 164 30 Scan 6 Scan 5 1/2, 1/3 LED 4 (,,, CS) (8 ) 4.5 ~ 5.5V 5.5V QFP64-H1 CMOS ( :P) -1-
橡51553abj.PDF
Type No. 2002 10 3 ******** ACI 1.... 2 2.... 3 3.... 12 4. I/O... 14 5.... 17 6.... 18 7.... 22 8.... 22 9.... 22 10.... 23 11.... 24 CORPORATION Page 1/24 1. min. -20max. 70 min. -30max. 85 128 (W) 64
NJU3555 NJU
1/16 LCD NJU6573 NJU6573 16 100 LCD 16 100 1/16 1600 LCD NJU6573 LCD CMOS 16 100 1/5 2MHz Max. CR, 16 V DD = 2.4V3.6V P-Sub LQFP144 20.0mm x 20.0mm t=1.7mm(max) 0.50mm pitch - 1 - NJU3555 NJU6573-2 - NJU3555
µµ InGaAs/GaAs PIN InGaAs PbS/PbSe InSb InAs/InSb MCT (HgCdTe)
1001 µµ 1.... 2 2.... 7 3.... 9 4. InGaAs/GaAs PIN... 10 5. InGaAs... 17 6. PbS/PbSe... 18 7. InSb... 22 8. InAs/InSb... 23 9. MCT (HgCdTe)... 25 10.... 28 11.... 29 12. (Si)... 30 13.... 33 14.... 37
ZNR ( ) 8/20 µs 8/20 µs (A) (V) ACrms (V) C (V) max.(v) Ip (A) /0 µs 2 ms ERZV ERZV
ZNR ( ) ZNR V E R Z V φ φ φ φ φ φ V φ E R Z V A E H φ φ φ φ φ V 00 Sep. 20 ZNR ( ) ERZV05 @ 8/20 µs (J) @ 8/20 µs (A) (V) ACrms (V) C (V) max.(v) Ip (A) /0 µs 2 ms 40 0.6 0.4 2 25 ERZV07 36 2.5. 0.9 0
NJW4124 IC ( ) NJW4124 AC-DC 1cell/2cell IC / 1 NJW4124M / Bi-CMOS NJW4124M : DMP20 P-CHG 1 20 Q-CHG NFB 2 19 CS1 TX-SW 3 18 CS2 GND 4 17 VS PC 5 16 V
IC ( ) AC-DC 1cell/2cell IC / 1 M / Bi-CMOS M : DMP20 P-CHG 1 20 Q-CHG NFB 2 19 CS1 TX-SW 3 18 CS2 GND 4 17 VS PC 5 16 VREF ADP 6 15 V + 7 14 TDET 8 13 TH C1 9 12 TL C2 10 11 CHG-SW M - 1 - (Ta=25 C) V
M5291P/FP データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2 年 4 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
51553aej.PDF
2005 9 8 ******** ACI ACI Type No. 1.... 2 2.... 3 3.... 12 4. I/O... 14 5.... 17 6.... 18 7.... 22 8.... 22 9.... 22 10.... 23 11.... 24 F-51553GNBJ-LW-AEN (AE) No.2005-0146 OPTREX CORPORATION Page 1/24
262014 3 1 1 6 3 2 198810 2/ 198810 2 1 3 4 http://www.pref.hiroshima.lg.jp/site/monjokan/ 1... 1... 1... 2... 2... 4... 5... 9... 9... 10... 10... 10... 10... 13 2... 13 3... 15... 15... 15... 16 4...
AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん
特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください
HA178L00 シリーズ
HA178L00 100mA 3 RJJ03D0004-0100Z (Previous: ADJ-204-051A) Rev.1.00 2003.04.11 HA178L00 3 IC IC 150mA () 800mW ±8% A ±5% HA178L00P HA178L00PA HA178L00 HA178L00A HA178L00UA Rev.1.00, 2003.04.11, page 1
バイポーラパワートランジスタ
0- SEMONDUCTOR & STORAGE PRODUCTS http://www.semicon.toshiba.co.jp/ Bipolar Power Transistor CONTENTS 7 7 8 9 0 7 7 8 8 9 9 0 0 O 0.... 7 SA08 SA0 TPC0 0/() 0 0 0 SC7 SC78 TPC0 TPCP SC7 (P) SA0 SA09 SA0
uPC2933A, 2905A DS
Bipolar Analog Integrated Circuits μ PC933A, 95A μ PC933A95APNPIO = 1 A.7 V TYP. IC μ PCxxA3.3V 1. A VDIF =.7 V TYP.IO = 1 A Marking Side μ PC933AHF, μ PC95AHFTO- MP-5G μ PC933AHB, μ PC95AHBSC-6MP-3 μ
untitled
88 25 11 6 6 59/61/116 JIS C 9335-1201X IEC 60335-1 5 1 a) IEC b) 6.1 0 0I 0 150 V c) 7.3 IEC () 50 Hz 60 Hz IEC d) I 7.12 I 0I I 0I I 0I 1 e) 0I 7.12.5 0I f) 7.16 g) 8.1.1 IEC IEC JIS h) PTC 10.1 PTC
RNA52A10MM データシート
RNAA0MM Dual CMOS system RESET IC R0DS009JJ000 (Previous code: RJJ0D0-000) Rev..00 0..9 RNAA0MM. CMOS. μa (typ) H MΩ o CMOS. ± 0 m % typ.. μa typ. CR MMPAK- 0 C ( ) RNAA0MMEL MMPAK- PLSP000JC-A MM EL (,000
2010 CA Z-EN
www.eaon.com/moellerproducs 2011 Moeller is Eaon リレー DILET, 電子式タイマ ETR, 測定リレー および監視リレー EMR 電子式タイマのレンジは 3種類の異なった構造から構成され 様々なアプリケーション に適しています 測定および監視リレーは 液体や電流 相 抵抗あるいは電圧を監視します 電子式タイマ DILET 幅 45 mm の コ ン
64 3 g=9.85 m/s 2 g=9.791 m/s 2 36, km ( ) 1 () 2 () m/s : : a) b) kg/m kg/m k
63 3 Section 3.1 g 3.1 3.1: : 64 3 g=9.85 m/s 2 g=9.791 m/s 2 36, km ( ) 1 () 2 () 3 9.8 m/s 2 3.2 3.2: : a) b) 5 15 4 1 1. 1 3 14. 1 3 kg/m 3 2 3.3 1 3 5.8 1 3 kg/m 3 3 2.65 1 3 kg/m 3 4 6 m 3.1. 65 5
RM0002-J01 Real Time Clock Module RTC-4543SA/SB RTC-4543SA RTC-4543SB Q Q
RM0002-J01 Real Time Clock Module RTC-4543SA/SB RTC-4543SA RTC-4543SB Q41454351000200 Q41454361000200 本マニュアルのご使用につきましては 次の点にご留意願います 1) 本カタログの内容については 予告なく変更することがあります 量産設計の際は最新情報をご確認ください 2) 本カタログの一部 または全部を弊社に無断で転載
c 2009 i
I 2009 c 2009 i 0 1 0.0................................... 1 0.1.............................. 3 0.2.............................. 5 1 7 1.1................................. 7 1.2..............................
untitled
JTR0329-005 LDO () CMOS IC USP-3 SSOT-24 0.9V4.0V 0.1V (CL) ESR () DSC / Camcorders : 200mA(300mA Limit : TYP.) (VOUT=3.0VVIN=4.0V ) : 200mV@IOUT=100mA (VOUT=3.0V ) : 1.5V ~ 6.0V : 0.9 ~ 4.0V (0.1V ) :
0 s T (s) /CR () v 2 /v v 2 v = T (jω) = + jωcr (2) = + (ωcr) 2 ω v R=Ω C=F (b) db db( ) v 2 20 log 0 [db] (3) v R v C v 2 (a) ω (b) : v o v o =
![0 s T (s) /CR () v 2 /v v 2 v = T (jω) = + jωcr (2) = + (ωcr) 2 ω v R=Ω C=F (b) db db( ) v 2 20 log 0 [db] (3) v R v C v 2 (a) ω (b) : v o v o =](/thumbs/91/105491855.jpg "0 s T (s) /CR () v 2 /v v 2 v = T (jω) = + jωcr (2) = + (ωcr) 2 ω v R=Ω C=F (b) db db( ) v 2 20 log 0 [db] (3) v R v C v 2 (a) ω (b) : v o v o =")
RC LC RC 5 2 RC 2 2. /sc sl ( ) s = jω j j ω [rad/s] : C L R sc sl R 2.2 T (s) ( T (s) = = /CR ) + scr s + /CR () 0 s T (s) /CR () v 2 /v v 2 v = T (jω) = + jωcr (2) = + (ωcr) 2 ω v R=Ω C=F (b) db db(
RH5RH 1A/ 2B/ 3B
1A/2B/3B 1A/2B/3B 1A/2B/3BCMOSPWMDC/DCIC 1APWMLx Lx 3DC/DC PWM ICPWMVFMDC/DC TYP. 15µA31A TYP. 2µA PWMDC/DC 2B/3B1AEXT ON 1mA 3B MAX..5µA... 1A... TYP. 15µA31A 1mA... MAX..9V... 2.5... TYP. 85... TYP.
p ss_kpic1094j03.indd
DC~1 Mbps 光リンク用送受信フォト IC は 光ファイバ通信用トランシーバ (FOT) として プラスチック光ファイバ (POF)1 本で半 2 重通信が可能な送受信フォト ICです POFを用いた光ファイバ通信は ノイズの影響を受けない 高いセキュリティをもつ 軽量といった特長があります は送信部と受信部の光軸が同一なため 1 本のPOFで光信号の送信 受信が可能です POF 通信に最適な500
uPC29M33A, 29M05A DS
Bipolar Analog Integrated Circuits μ PC9M33A, 9M5A μ PC9M33A9M5APNPIO =.5 A.5 V TYP. IC μ PCMxxA3.3V.5 A VDIF =.5 V TYP.I O =.5 A Marking Side μ PC9M33AHF, μ PC9M5AHFTO- MP-5G μ PC9M33AHB, μ PC9M5AHBSC-6MP-3
S1F77330 シリーズ USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 S1F77330 シリーズは USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用している
USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 は USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用しているため 高密度実装への対応が可能です 本 IC の入力にレベルシフト回路内蔵のため 外付けレベルシフト回路は不要です 特長 入力電圧範囲 :3.0V~3.6V
Z LOW U1272A U1272A 2 k 1 U1272AVFD LPF U12701 khz LPFVFD 2 VFD Smart U1272A30 Smart 30 300 k 1000 mv DC 2
Agilent U1270 Data Sheet Z LOW *2 Smart *2 Qik-V *1 IP 54 30,000 AC DC *2 CAT III 1000 V CAT IV 600 V IR-USB PC *1 U1271A *2 U1272A DMM U1270 DMM U1270DMM Z LOW Smart AC DCQik-V U1270 DMM IP 54 Z LOW U1272A
M51953A,B/M51954A,B データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2 年 4 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
pc3sd21_j
PCSDNTZ PCSDNTZ PCSDNTZ UL77file No. E680 SD CSAfile No. CA9SD VDE DIN EN6077- -file No. 000889SD UL9V - 0 ( ) PCSFYVZ ( ) Sheet No.: D-A0760FJP Date Mar.. 00 SHARP Corporation Anode 6 Cathode NC Anode/Cathode
Microsoft Word - sp8m4-j.doc
4V 駆動タイプ Nch+Pch MOS FET 構造シリコン N チャネル / P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ 外形寸法図 (Unit : mm) SOP8 5..4.75 (8) (5) 特長 ) 新ライン採用により 従来品よりオン抵抗大幅低減 2) ゲート保護ダイオード内蔵 3) 小型面実装パッケージ (SOP8) で省スペース pin mark () (4).27 3.9 6..2.4Min.
pc910l0nsz_j
PC90L0NSZ0F PC90L0NSZ0F µ µ µ PC90L PC90L Date Sep.. 00 SHARP Corporation 7 NC Anode Cathode NC 7 GND V O (Open collector) V E (Enable) V CC H H L L H H H L H L L H L: (0) H: () PC90L0NSZ0F PC90L0YSZ0F
NJW4108 IC ( ) NJW4108 1cell/2cell IC NJW4108V / Bi-CMOS NJW4108V : SSOP20 P-CHG 1 20 Q-CHG NFB 2 19 CS1 CNT 3 18 CS2 GND 4 17 VS NC 5 16 VREF F-CHG 6
IC ( ) 1cell/2cell IC V / Bi-CMOS V : SSOP20 P-CHG 1 20 Q-CHG NFB 2 19 CS1 CNT 3 18 CS2 GND 4 17 VS NC 5 16 VREF F-CHG 6 15 V + 7 14 TDET 8 13 TH C1 9 12 TL C2 10 11 V - 1 - (Ta=25 C) V + +15 V C1 V C1
i
14 i ii iii iv v vi 14 13 86 13 12 28 14 16 14 15 31 (1) 13 12 28 20 (2) (3) 2 (4) (5) 14 14 50 48 3 11 11 22 14 15 10 14 20 21 20 (1) 14 (2) 14 4 (3) (4) (5) 12 12 (6) 14 15 5 6 7 8 9 10 7
E V1 V1 800d VR V1 600d VR V1 800d VR + 2.48VF 887 V1 600d VR + 3.74VF 336 d JIS B 8630 VR V 2 E V2 V2 800d V F V2 600d V F V2 V F mm 0 1 3-1 1,800 1,600 1,400 1,200 1,000 800 600 400 200 300
W.2 W.4 - W.6 - W.8 CE W.10 W.12 W.14 W.18 ATEX- W.24 ATEX W.26 ATEX W.27 ATEX W.28 W W.1
.2.4 -.6 -.8 CE.10.12.14.18 ATEX-.24 ATEX.26 ATEX.27 ATEX.28.1 - IDC IDC IDC TOP TOP TOP.2 d TOP TOP 2.3 PE PE PE PE PE PEN 1 PE / (IEC 60947-7-2) PE 12mm 2 PE PEN 10mm 2 PE 0.2 120mm 2 AG 24/250kcmil
HA1631S01/02/03/04シリーズ データシート
H1631S1/2/3/4 CMOS (/ ) R3DS85JJ5 Rev.5. 215.7.1 H1631S1/2/3/4 CMOS IC 1.8V H1631S1/2 H1631S3/4 CMPK-5 SOP-8 1/8 H1631S1/3 : I DDtyp = 5μ () H1631S2/4 : I DDtyp = 5μ () : V DD = 1.8 5.5V : V IOmax = 5mV
高速度スイッチングダイオード
は簡単な構成で FM ステレオ送信を実現できる IC です ステレオコンポジット信号を作るステレオ変調器及び FM 信号を空中へ輻射するための FM トランスミッタで構成されています ステレオ変調器は 3kHz 発振器より MAIN SUB 及びパイロット信号からなるコンポジット信号を発生します FM トランスミッタは FM 帯のキャリアを発振させコンポジット信号によって FM 変調をかけ FM 波を空中に輻射します
untitled
: SOU1AP2011003 2011/12/25 & Copyright 2010, Toshiba Corporation. : SOU1AP2011003 1. 2.CMOS 3.CMOS 4.CMOS 5.CMOS 6. 2 : SOU1AP2011003 3 : SOU1AP2011003 NAND,OR,, IC 1A 1 1B 2 14 13 V CC 4B 1Y 2A 2B 3 4
HD74HCT564, HD74HCT574
ご注意 安全設計に関するお願い 1. 弊社は品質 信頼性の向上に努めておりますが 半導体製品は故障が発生したり 誤動作する場合があります 弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として 人身事故 火災事故 社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した冗長設計 延焼対策設計 誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください 本資料ご利用に際しての留意事項 1. 本資料は お客様が用途に応じた適切なルネサステクノロジ製品をご購入いただくための参考資料であり
R1EV5801MBシリーズ データシート
1M EEPROM (128-kword 8-bit) Ready/Busy and function R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 131072 8 EEPROM ROM MONOS CMOS 128 2.7V 5.5V 150ns (max) @ Vcc=4.5V 5.5V 250ns(max) @ Vcc=2.7V 5.5V 20mW/MHz (typ) 110µW (max)
ma_sk_3302_jp
1 4 1.1............... 4 1. CE.............................. 4 1.3................. 4 1.4........................ 4 4 3 5 3.1........................... 5 3.1.1............................. 5 3.1...........................
アプリケーションガイド LED照明編 : アプリケーション
A G 009 st APPLICATION GUIDE www.rohm.co.jp (mm) BW949 7.0 7.0.3 0. 0.D 3 3 4 48 37.7 3.97 SSOP-B4 VCSP0L HTSSOP-B4 HTSSOP-A44 WSOF SSOP-A SSOP-A3 VQFN0 HSON8 HVSOF TO- HRP TOS-3 TO-0FM0.0 9.0 4.mm TO-0FN0.0
TLP291(SE
東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ 電源 プログラマブルコントローラ ハイブリッド IC 単位 :mm は フォトトランジスタと GaAs 赤外発光ダイオードを光結合させた SO4 パッケージの高耐ノイズ 高絶縁型のフォトカプラです は高い絶縁耐圧 (3750 Vrms) と広い動作温度範囲 (Ta = -55 ~110 C) に対応していますので 小型スイッチング電源や ハイブリッド
uPC2933A,2905A データシート
RDS9JJ4 Rev.4. μpc9a, 95APNPIO = A.7 V TYP. IC μpc4xxa. V. A VDIF =.7 V TYP.IO = A Marking Side μpc9ahf, μpc95ahfto- MP-45G μpc9ahb, μpc95ahbsc-64mp- 4 INPUT GND OUTPUT INPUT GND OUTPUT 4GND μpc9at, μpc95atsc-6mp-z
Short Form Catalog
CONTENTS P.68 P.69 リニアフォトトランジスタ出力 P.69 デジタルフォトトランジスタ出力 P.70 P.70 4 P.70 P.7 P.7 P.74 P.75 品 名 パッケージ 出力形式 特性ギャップ幅 (mm) スリット幅 (mm) ネジ止め位置決めPIN 備考 PI-05. 0. PI-08. 0. 超小型 ( 低背.8mm) 面実装 PI-09. 横スリット PI-06.0
QCL_Accse_J.pdf
CW QCL HHL QCL TO-8 TEC * 1 (DC) * 3 TEC -8 A +8 A -1.9 A +1.9 A 24 V 24 V 8 A * 2 2.6 A * 2 NTC, 2 RTD 3 (Pt100) * 5 (W H D) -50 C +125 C / -50 C +150 C 0.01 C PID * 4 RS-232C, RS-424 0 C +40 C * 6-5
R3111x NO.JA R3111x CMOS IC IC Nch CMOS 2 Rx5VL TO-92 SOT-89 SOT-23-3 SOT-23-5 SC-82AB SON TYP. 0.8µA (VDD=1.5V) 0.7V 10.0V (Topt=2
NO.JA-71-6112 CMOS IC IC Nch CMOS 2 Rx5VL TO-92 SOT-89 SOT-23-3 SOT-23-5 SC-82AB SON1612-6 6 TYP..8µA (=1.5V).7V 1.V ().9V 6.V.1V ±2.% TYP. ±1ppm/ C Nch CMOS 2 6 TO-92 SOT-89 SOT-23-3 SOT-23-5 SC-82AB
s2s3_j
S2S3 S2S3 S2S4 S2S3 S2S3 S2S3 S2S3 ( ) ( ) PC3SGYIZ Date Mar. 3. 2004 SHARP Corporation S2S3 2 4 3 2 3 4 Anode Cathode Anode/Cathode Cathode/Anode 3.6 ±0.3 3.6 ±0.3 2.54 ±0.25 2.54 ±0.25 SHARP mark "S"
HN58V256Aシリーズ/HN58V257Aシリーズ データシート
HN58V256A HN58V257A 256k EEPROM (32-kword 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58V257A) RJJ03C0132-0600 Rev. 6.00 2007. 05. 24 HN58V256A HN58V257A 32768 8 EEPROM ROM MNOS CMOS 64 3V 2.7 5.5V 120ns (max)
R2A20134EVB-TINW アプリケーションノート R2A20134評価ボード
R2A20134EVB-TINW R19AN0027JJ0100 Rev.1.00 1. R2A20134EVB-TINW LED LED LED R2A20134SP / / THD/ / (IEC61000-3-2 C) R2A20134SP 2. No. 1 AC85 264V ( 47 63Hz) 2 18W (max.) 3 DC55V (typ.) 4 330mA (typ.) 5 85%
Microsoft Word - AK2300-MS0997-J-00_ doc
AK2300 A-Law -law14bitpcm(16bit ) A/D D/A A-law/μ-law GST VFTN VR AMPT AAF SMF A/D CODEC Core D/A PCM I/F DIF0 DIF1 MUTEN DX DR FS BCLK VREF BGREF Internal Main Clock PLLC VDD VSS LVDD Power Down AK2300
HN58C256A シリーズ/HN58C257A シリーズ データシート
HN58C256A HN58C257A 256k EEPROM (32-kword 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58C257A) RJJ03C0133-0600Z Rev. 6.00 2006. 10. 26 HN58C256A HN58C257A 32768 8 EEPROM ROM MNOS CMOS 64 5V±10% 85ns/100ns (max)
ELECTRONIC COMPONENTS & DEVICES
CM DN/DR CF CT CX CD CA CU CM 21 W5R 15 1 A T CM DN/DR CF CT CX CD CA CU R5.5pF 1R 1pF 11 1pF 13 1pF 15 1µF JIS 3 63 5 15 15 168 F12 122 F13 1632 21 212 316 3216 32 3225 42 452 43 4532 52 572 55 575 E
untitled
ON/OFF 3mA.µF.V.V DSC/DVC U. V.V (.Vstep) 7dB typ. (f=khz Vo=3V ) Vno=µVrms typ..µf (Vo.V) Io(max.)=3mA Vo±.%.V typ. (Io=mA ) ON/OFF SOT-89-3 U. CONTROL. GND 3. N.C.. V OUT. V IN V IN V OUT Control Bandgap
表1票4.qx4
iii iv v 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 22 23 10 11 24 25 26 27 10 56 28 11 29 30 12 13 14 15 16 17 18 19 2010 2111 22 23 2412 2513 14 31 17 32 18 33 19 34 20 35 21 36 24 37 25 38 2614
LM837 Low Noise Quad Operational Amplifier (jp)
Low Noise Quad Operational Amplifier Literature Number: JAJSBB7 600 Low Noise Quad Operational Amplifier 2000 8 Converted to nat2000 DTD ds009047tl/h/9047 33020 19860602 10 V/ s ( ); 8 V/ s ( ) 25 MHz
J60335-1(3 ) 250 480 IEC 60065 IEC 60601 IEC 60745 IEC 60950 IEC 61029 2.1 2.2.1 2.2.2 2.2.3 2.2.4 2.2.5 2.2.6-1- J60335-1(3 ) 2.2.7 2.2.8 2.2.9 2.3.1 2.3.2 2.3.3 2.3.4 2.3.5 2.3.6 2.3.7 2.4.1 2.4.2 2.4.3
あらゆる情報検出から赤外線データ通信まで 幅広い用途に使える 超小型 & 高感度 光センサー Ultra-compact, high-sensitivity optical sensors for various app ranging from information detection to i
あらゆる情報検出から赤外線データ通信まで 幅広い用途に使える 超小型 & 高感度 光センサー Ultra-compact, high-sensitivity optical sensors for various app ranging from information detection to infrared data communicati lications on CITISENSOR( 当社商標
Microsoft PowerPoint - b3312x.ppt
Round Shape Type 特長 パッケージ φ3 2 色発光丸型タイプ 乳白色拡散樹脂 製品の特長 外形 φ3 丸型タイプ 温度範囲仕様保存温度 : -30 ~100 動作温度 : -30 ~85 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ドミナント波長 Green Yellow Green Red : 558nm (BG) : 567nm (PG) : 572nm (PY) : 624nm
AD5302/AD5312/AD5322: 2.5 ～ 5.5 V 電源、230 μA 消費電流、デュアル、レール to レール電圧出力の 8 ／ 10 ／ 12 ビット D/A コンバータ
2.5 5.5V 23µA to8/1/12 D/A AD532 18DAC 2 A 1LSB INL B.5LSB INL AD5312 11DAC 2 A 4LSB INL B 2LSB INL AD5322 112DAC 2 A 16LSB INL B 8LSB INL 1MSOP 3µA@5V 2nA@5V 5nA@3V 2.5 5.5V V REF V LDAC DAC to 1MSOP
AN5637
IC SECAM IC SECAM IC 1 SECAM Unit : mm 19.2±0.3 16 9 1 8 (0.71) 0.5±0.1 Seating plane 2.54 1.22±0.25 DIP016-P-0300D 6.2±0.3 5.20±0.25 1.10±0.25 3.05±0.25 7.62±0.25 3 to 15 0.30 +0.10 ) (DIP016- P-0300M)
AN8934FA
BS +QPSK IC BS QPSK IC 4.5MHz L.P.F. 5.7MHz B.P.F. C/N 2 (75Ω ) 1 (75Ω ) PCM IC MN88831 1 (18.432MHz) BS 37 48 (14.25) 1 12.00±0.20 10.00±0.20 36 25 0.65 12 0.30 +0.10 0.05 Seating plane 24 13 (1.425)
HA17458シリーズ データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)