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そよかに
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( やじまあやこ ) ( わきもとせつこ ) ( いちかわゆきみ ) Vol.79 No.

また,はいトレンチをしたデバイスがくされているこのエッチングプロセスをにするには, エッチングレート () をさせ, スループットをげるがあるはパワー (W ) とマスクパターンにすることがられているしかし, それらのについてプラズマのからじたはないではラングミュアプローブをいてプラズマ

エッチングレシピはガスをいたいブレークスルー 408 () ステップと, またはガスをいたメインエッチング () ステップとからるは,, エッチング, バイアス () パワー (W )とし, の W をべるために W をさせたトレンチのは ( ) をしたまた, イオンやのる

1 ( やじまあやこ ) ( わきもとせつこ ) ( いちかわゆきみ ) Vol.79 No トレンチは,( ) や ( ),,( ) のキャパシタなど, さまざまなデバイスでされているそれらのデバイスにおいて, トレンチエッチングはキープロセスであり, トレンチのさ,,などにおいてさまざまなをされるこうしたトレンチをするためにはトレンチエッチングのメカニズムをすることがであるまた,はいトレンチをしたデバイスがくされているこのエッチングプロセスをにするには, エッチングレート () をさせ, スループットをげるがあるはパワー (W ) とマスクパターンにすることがられているしかし, それらのについてプラズマのからじたはないではラングミュアプローブをいてプラズマをい, プラズマと W やパターンについてべ, それらをするためのたなモデルをつかするにおいて, サンプルは () インチシリコンウェーハをしたパターンにするトレンチマスクはをしたのパターンをべるため, パターンをえたサンプルをしたトレンチエッチングは ( ) () システムをいたエッチングレシピはガスをいたいブレークスルー 408 () ステップと, またはガスをいたメインエッチング () ステップとからるは,, エッチング, バイアス () パワー (W )とし, の W をべるために W をさせたトレンチのは ( ) をしたまた, イオンやのるいをべるために,によるをしたラングミュアプローブをしたにのをすプローブは, ウェーハののにセットしたウェーハとプラズマのシースにかかる ( V ) は, エッチングチャンバにりけられたセンサをしてしたまず, とプラズマをさせるための W のについてべるにの W をすは, (),, であるは W のにってするが, W においてはをすパワーデバイスのプロセスに, アドバンストテクノロジートレンチエッチング, のに, アドバンストテクノロジー, ウェーハプロセスのに,アドバンストテクノロジーデバイスセンターセンター,

2 このをべるため, とのがあるとえられるとイオン() をすると, これらのは W でもしておらず (), W におけるのとはならないことがかる,V はステージのをし (), イオンのバイアスにするであるが, これは W のとともにしているしたがって, バイアスのがのをもたらすことがかるそこでのするをするため, エッチングのをのようにえるここで,C,C, C,C,C,C はそれぞれ, ブロッキングコンデンサ, ステージのコーティング, マスク, シース, チャンバのシース, チャンバのコーティングであり,V はグラウンドとステージののである C,C はきなをちインピーダンスはにさいためにでき, また C,C はである,がするにつれてシースがくなるため,C,C はする W はなのでバイアスはほぼとえられ,として,のとともに C にわるはするすなわち,W のにつれて V がすることになり, W において Vol.79 No がをすのつとなるこのほかに, エッチングによるのトレンチへのが W のにつれてすこともしている W のとともにがすると, エッチングがするのにしてはであることがであるとえられ, エッチングをするもうつのとえられるは ( ウェーハにするエッチングの ) やパターンにすることがられているそこで, これらについてもプラズマのからべてみると, のことがかるにトレンチのをすのにつれてがするとして, にはのようながなされているエッチングによるラジカルのエッチングにするののによるエッチングのしかしプラズマをべてみると, のだけではなく, のようなもしていることがかるに,, におけるラングミュアプローブの IV をすは,,,W,W であるは, がするにつれてはし, イオンはしないことをしているこのこ

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3 Vol.79 No とはイオンのをしているイオンとののがするとプラズマウェーハにわるセルフバイアスがするしたがって, がするにつれてイオンのエネルギーがし, これもがするのつとえられるパターンがじでも, パターンがなるともするこれについてべるため, にすようなつのなったマスクパターンをしたそれぞれ µ µ, µ µ,ラインスペース ( µ µ) パターンであり, はすべてとしたでいたプラズマのデバイは µ であり,のにはにべてパターンははるかにである,にそれぞれマスクパターン,,におけるラングミュアプローブの IV, をすは,,,すべてじ IV をし,がじであれば, ウェーハでのプラズマのはじであり,,,にはがないことをしているのは,,, であるが,にすように, パターンのは, パターン,よりもきい, トレンチがするのにってはするしかし,のでは, トレンチのいパターン, のが,のいトレンチパターンよりもがいとなったのは,のようにすることができるウェーハのがによってわれているときはシースはであり, のようなプローブ (IV)をとしてバイアスがするがシリコンの, シリコンのがよりも() がきいとえられるので,がかけのイオンにするそして, プローブのプラズマ (V ) はのようにプラズマ, すなわちへシフトするとして, にすように, イオンをするエネルギーがする 410

4 でできるが, よりなによりするがあるプラズマ () エッチャにおいて, にする W とパターンのについてプラズマをべ, そのメカニズムをしたトレンチエッチングの Vol.79 No のようにパターンがデバイと, もをげることは,ますますになってくるはなエッチングをとして, いまだよくかっていないエッチングメカニズムのをめていくであるわりに, をうにあたり, ならびににおいてなるをいただいたのにするであるしくはいとき (,に), シースはパターンにするこのとき,がにわれたのプローブはとなり,がシリコンのはとなるパターンがデバイよりもいとき ( に), シースはマスクパターンにせず, にすようにとのをすこの, シリコンにおける V は V をとしてよりもマイナスへシフトし, イオンをするエネルギーがするとして, パターンのシリコンにわるバイアスはパターン,よりもきくなるでしたモデルは,あまりされていなかったエッチングからのがバイアスにぼすをにしたものであるにおけるパターン,,ののは,のほか. プラズマプロセス.. プラズマプロセスの. リサーチ. 411

5 * にされているおよびは, それぞれのがするまたはであるがあります

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untitled 2013 vol.86 no.4 Packaging Technology of IPMs for Hybrid Vehicles GOHARAHiromichi ARAIHirohisa MOROZUMIAkira ハイブリッドのをするインテリジェントパワーモジュール (:) は, とのからをるがあるは, このにえるため,つのインバータとコンバータをしたのハイブリッドをしたパッケージであるとはんだにより,