NJM2835 低飽和型レギュレータ 概要 NJM2835 はバイポーラプロセスを使用し 高耐圧 ローノイズ 高リップル除去比を実現した出力電流 500mAの低飽和型レギュレータです TO パッケージに搭載し 小型 2.2 Fセラミックコンデンサ対応 ノイズバイパスコンデンサ内蔵をしてい

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1 低飽和型レギュレータ 概要 はバイポーラプロセスを使用し 高耐圧 ローノイズ 高リップル除去比を実現した出力電流 maの低飽和型レギュレータです TO-22- パッケージに搭載し 小型 2.2 Fセラミックコンデンサ対応 ノイズバイパスコンデンサ内蔵をしています また 出力電圧範囲は 2.1V~.V まで幅広くラインアップしており 各種民生機器等さまざまな用途に ご使用いただけます 特長 出力電圧範囲 2.1~.V 高リップル除去比 7dB typ. (f=1khz Vo=V 品 ) ローノイズ Vno=4 Vrms typ. 2.2 Fセラミックコンデンサ対応 (Vo.1V) 出力電流 Io(max.)=mA 高精度出力電圧 Vo 1.% 低入出力間電位差.18V typ. (Io=mA 時 ) サーマルシャットダウン回路内蔵 過電流保護回路内蔵 バイポーラ構造 パッケージ TO-22- 端子配列 外形 DL V OUT GND V IN DL1 ブロック図 V IN V OUT Thermal Protection Bandgap Reference GND - 1 -

2 出力電圧ランク Device Name Vout Device Name Vout Device Name Vout DL V DL1-6.6V DL1-8 8.V DL V DL1-7.7V DL1-8 8.V DL1-2 2.V DL1-8.8V DL1-9 9.V DL V DL1-9.9V DL1-1 1.V DL1-2 2.V DL1-4 4.V DL V DL V DL V DL1-.V DL V DL V DL V DL1-4 4.V DL V DL V DL1-.V DL1-4 4.V DL1-1.1V DL V DL1-2.2V DL V DL1-.V DL V DL1-4.4V DL V DL1-.V DL1-.V 対応可能な電圧ランクは白い欄で示されます - 2 -

3 絶対最大定格 (Ta=2 C) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN +2 V 消費電力 P D 119(*1) 12(*2) mw 動作温度 Topr C 保存温度 Tstg -4 + C (*1): 基板実装時 mm(2 層 FR-4) で EIA/JEDEC 規格サイズ 且つ銅箔面積 1mm 2 (*2): 基板実装時 mm(4 層 FR-4) で EIA/JEDEC 準拠による (4 層基板内箔 : mm JEDEC 規格 JESD1- に基づき 基板にサーマルビアホールを適用 ) 電気的特性 V IN =Vo+1V, C IN =. F, Co=2.2 F(2.9V Vo V:Co=4.7 F,Vo 2.9V:Co=1 F), Ta=2 項目 記号 条 件 最小標準最大単位 出力電圧 Vo Io=mA -1.% - +1.% V Vo V 品 - 2 A 無負荷時無効電流 I Q Io=mA V<Vo 1V 品 - 2 A 1V<Vo V 品 - 2 A 出力電流 Io Vo-.V 6 - ma ラインレギュレーション Vo/ V IN V IN =Vo+1V Vo+6V(Vo 12V), V IN =Vo+1V 18V(Vo>12V), Io=mA %/V ロードレギュレーション Vo/ Io Io= ma %/ma 入出力間電位差 (*) V I-O Io=mA V リップル除去比 RR ein=2mvrms,f=1khz,io=1ma Vo=V 品 db 出力電圧温度係数 Vo/ Ta Ta= 8 C, Io=1mA - - ppm/ C 出力雑音電圧 V NO f=1hz 8kHz, Io=1mA, Vo=V 品 Vrms 入力電圧 V IN V (*): それぞれの表にて各出力電圧共通表記としているため 個別仕様書とは異なることがあります 別途仕様書にて確認の程 お願いいたします - -

4 熱特性 項目記号値単位 接合部 - 周囲雰囲気間 接合部 - ケース表面間 ja jt (*4) 4(*) 17(*4) 12(*) (*4): 基板実装時 mm(2 層 FR-4) で EIA/JEDEC 規格サイズ 且つ銅箔面積 1mm 2 (*): 基板実装時 mm(4 層 FR-4) で EIA/JEDEC 準拠による (4 層基板内箔 : mm JEDEC 規格 JESD1- に基づき 基板にサーマルビアホールを適用 ) 消費電力 - 周囲温度特性例 C/W C/W DL1 PowerDissipation (Topr=-4~+8 C,Tj= C) Power Dissipation P D (mw) on 4 layers board on 2 layers board Temperature : Ta( C) - 4 -

5 測定回路図 V IN A I IN. F V IN GND V OUT (*6) 2.2 F (ceramic) I OUT V V OUT (*6) :2.9<Vo.V version : Co=4.7 F(ceramic) Vo 2.9V version : Co=1 F(ceramic) 応用回路例 V IN. F V IN GND V OUT (*7) 2.2 F V OUT (*7):2.9<Vo.V version : Co=4.7 F Vo 2.9V version : Co=1 F 入力コンデンサ C IN について入力コンデンサ C IN は 電源インピーダンスが高い場合や V IN 又は GND 配線が長くなった場合の発振を防止する効果があります そのため 推奨値 ( 電気的特性共通条件欄に記載している容量値 ) 以上の入力コンデンサ C IN を V IN 端子 - GND 端子間にできるだけ配線が短くなるように接続してください 出力コンデンサ C O について出力コンデンサ Co はレギュレータ内蔵のエラーアンプの位相補償を行うために必要であり 容量値と ESR(Equivalent Series Resistance: 等価直列抵抗 ) が回路の安定度に影響を与えます 推奨容量値 ( 電気的特性共通条件欄に記載している容量値 ) 未満の Co を使用すると内部回路の安定度が低下し 出力ノイズの増加 レギュレータの発振等が起こる可能性がありますので 安定動作のために推奨容量値以上の Co を V OUT 端子 -GND 端子間に最短配線で接続して下さい 推奨容量値は出力電圧により異なり 低出力電圧品では大きな容量値を必要とする場合がありますので 出力電圧毎に推奨容量値をご確認ください 尚 Co は容量値が大きいほど出力ノイズとリップル成分が減少し 出力負荷変動に対する応答性も向上させることが出来ます また コンデンサ固有の特性変動量 ( 周波数特性 温度特性 DC バイアス特性 ) やバラツキを充分に考慮する必要がありますので 温度特性が良く 出力電圧に対し余裕を持った耐圧のものを推奨致します 本製品は低 ESR 品を始め 幅広い範囲の ESR のコンデンサで安定動作するよう設計されておりますが コンデンサの選定に際しては 上記特性変動等もご考慮の上 適切なコンデンサを選定してください - -

6 DC 特性 (V 品 ).2 _.V Output Voltage vs. Input Voltage 4 _.V Output Voltage vs. Output Current..1 Output Voltage : Vo(V) Io=A 2.9 Io=1mA 2.8 Io=mA Output Voltage : Vo(V) VIN=4.V _.V Ground Pin Current v.s. Output Current VIN=4.V.. _.V Dropout Voltage vs. Output Current Ground Pin Current : IGND (ma) 2 1 Dropout Voltage:dVI-O (V) Output Current : IO(mA) Output Current:Io(mA) _.V Load Regulation vs. Output Current _.V Peak Output Current vs. Input Voltage -1 Load Regulation : dvo/dio(mv) VIN=4.V Peak Output Current : IoMAX(mA)

7 DC 特性 (V 品 ) 2 _.V Quiescent Current v.s. Input Voltage Output is open. Quiescent Current : IQ (ua) AC 特性 (V 品 ) Output Noise Voltage : Vn(uVrms) _.V Output Noise Voltage vs. Output Current VIN=4.V LPF:8kHz Ripple Rejection Ratio : RR (db) _.V Ripple Rejection Ratio v.s. Frequency Io=1mA Io=mA VIN=4.V ein=2mvrms Io=mA k 1k 4 1k Frequency : f (Hz) Ripple Rejection : RR (db) _.V Ripple Rejection vs. Output Current f=1khz f=1khz VIN=4.V ein=2mvrms Equivalent Serise Resistance : ESR( _.V Equivalent Serise Resistance vs. Output Current VIN=4V STABLE REGION 1u 1u 1u 1m 1m 1m 7m Output Current : Io(A) - 7 -

8 温度特性 (V 品 ).4. _.V Dropout Voltage v.s. _.V Output Voltage v.s. Io=mA.. Dropout Voltage:dVI-O (V) Output Voltage Vo (V) Temperature Ta ( o C) 2 _.V Quiescent Current v.s. Temperature.1 _.V Line Regulation v.s. Io=mA Quiescent Current : IQ (ua) 2 Output is open. - 1 Line Regulation : dvo/dio (%/V) _.V Load Regulation v.s. Io=-mA 4. _.V Output Voltage v.s. Temperature Load Regulation : dvo/dio (%/ma) Output Voltage Vo (V) Io=mA Temperature Ta ( o C) - 8 -

9 温度特性 (V 品 ) 4 _.V Short Circuit Current v.s. Output is short to ground. Short Circuit Current : ISC (ma) 過渡応答特性 (V 品 ).8 _.V Load Transient Response 6.1 _.V Line Transient Response Output Voltage : Vo [V] Output Current Output Voltage VIN=4V Time : t [ s] Output Current : Io [ma] Output Voltage : Vo [V] Input Voltage Output Voltage Co=4.7mF(Ceramic) Io=mA Time : t [ s ] Input Voltage: VIN [V] - 9 -

10 DC 特性 (8.V 品 ) _8.V Output Voltage vs. Input Voltage 2 _8.V Ground Pin Current v.s. Output Current VIN=9.V Output Voltage : Vo(V) Io=A Io=1mA Ground Pin Current : IGND (ma) Io=mA Output Current : IO(mA). _8.V Dropout Voltage vs. Output Current NJM28_8.V Load Regulation vs. Output Current. - VIN=9.V Dropout Voltage:dVI-O (V) Load Regulation : dvo/dio(mv) Output Current:Io(mA) _8.V Peak Output Current vs. Input Voltage 1 _8.V Output Voltage vs. Output Current Peak Output Current : IoMAX(mA) Output Voltage : Vo(V) VIN=9.V

11 DC 特性 (8.V 品 ) 2 _8.V Quiescent Current v.s. Input Voltage Output is open. Quiescent Current : IQ (ua) AC 特性 (8.V 品 ) 2 _8.V Output Noise Voltage vs. Output Current 1 _8.V Ripple Rejection Ratio v.s. Frequency Output Noise Voltage : Vn(uVrms) 1 VIN=9.V LPF:8kHz Ripple Rejection Ratio : RR (db) Io=1mA Io=mA VIN=9.V ein=2mvrms Io=mA k 1k 4 1k Frequency : f (Hz) 1 _8.V Ripple Rejection vs. Output Current 1 _8.V Equivalent Serise Resistance vs. Output Current 9 VIN=9.V Ripple Rejection : RR (db) VIN=9.V ein=2mvrms f=1khz f=1khz Equivalent Serise Resistance : ESR( ) 1 STABLE REGION 1.1 1u 1u 1u 1m 1m 1m 7m Output Current : Io(A)

12 温度特性 (8.V 品 ).4. _8.V Dropout Voltage v.s. 8.7 _8.V Output Voltage v.s. Io=mA. 8.6 Dropout Voltage:dVI-O (V) Output Voltage Vo (V) Temperature Ta ( o C).1 _8.V Line Regulation v.s. Io=mA..2 _8.V Load Regulation v.s. Io=-mA Line Regulation : dvo/dio (%/V). -. Load Regulation : dvo/dio (%/ma) _8.V Output Voltage v.s. Temperature 4 NJM28_8.V Short Circuit Current v.s. Output is short to ground. Output Voltage Vo (V) Io=mA Temperature Ta ( o C) Short Circuit Current : ISC (ma)

13 過渡応答特性 (8.V 品 ) 8.8 _8.V Load Transient Response 6.1 _8.V Line Transient Response 6 Output Voltage : Vo [V] Output Current Output Voltage VIN=9.V Time : t [ S] Output Current : Io [ma] Output Voltage : Vo [V] Input Voltage Output Voltage Io=mA Time : t [ s] Input Voltage : V IN [V] - 1 -

14 DC 特性 (V 品 ).1. _V Output Voltage vs. Input Voltage 2 _V Output Voltage vs. Output Current Io=A Output Voltage : Vo(V) Io=1mA Output Voltage : Vo(V) 1 Io=mA VIN=16V _V Ground Pin Current v.s. Output Current VIN=16.V.. _V Dropout Voltage vs. Output Current Ground Pin Current : IGND (ma) 2 1 Dropout Voltage:dVI-O (V) Output Current : IO(mA) Output Current:Io(mA) _V Load Regulation vs. Output Current _V Peak Output Current vs. Input Voltage Load Regulation : dvo/dio(mv) VIN=16.V Peak Output Current : IoMAX(mA)

15 DC 特性 (V 品 ) 2 _.V Quiescent Current v.s. Input Voltage Output is open. Quiescent Current : IQ (ua) AC 特性 (V 品 ) 2 _V Output Noise Voltage vs. Output Current 1 _V Ripple Rejection Ratio v.s. Frequency 9 Output Noise Voltage : Vn(uVrms) 1 VIN=16V LPF:8kHz Ripple Rejection Ratio : RR (db) Io=1mA Io=mA VIN=16V ein=2mvrms Io=mA k 1k 4 1k Frequency : f (Hz) 1 _V Ripple Rejection vs. Output Current 1 _V Equivalent Serise Resistance vs. Output Current 9 VIN=16V Ripple Rejection : RR (db) f=1khz f=1khz VIN=16V ein=2mvrms Equivalent Serise Resistance : ESR( ) 1 STABLE REGION 1.1 1u 1u 1u 1m 1m 1m 7m Output Current : Io(A) - -

16 温度特性 (V 品 ).4. _V Dropout Voltage v.s. _V Output Voltage v.s. Io=mA..2 Dropout Voltage:dVI-O (V) Output Voltage Vo (V) Temperature Ta ( o C) Quiescent Current : IQ (ua) _V Quiescent Current v.s. Output is open. - 1 Line Regulation : dvo/dio (%/V) _V Line Regulation v.s. Io=mA _V Load Regulation v.s. Io=-mA _V Output Voltage v.s. Temperature Load Regulation : dvo/dio (%/ma) Output Voltage Vo (V) Io=mA Temperature Ta ( o C)

17 温度特性 (V 品 ) 4 _V Short Circuit Current v.s. Output is short to ground. Short Circuit Current : ISC (ma) 過渡応答特性 (V 品 ).8 _.V Load Transient Response 6.1 _V Line Transient Response 18 Output Voltage : Vo [V] Output Current Output Voltage VIN=16V Time : t [ s] Output Current : Io [ma] Output Voltage : Vo [V] Input Voltage Output Voltage Io=mA Time : t [ s] Input Voltage : VIN [V] < 注意事項 > このデータブックの掲載内容の正確さには万全を期しておりますが 掲載内容について何らかの法的な保証を行うものではありません とくに応用回路については 製品の代表的な応用例を説明するためのものです また 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴うものではなく 第三者の権利を侵害しないことを保証するものでもありません

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