EEPROM製品アウトライン

R1EV5801MBシリーズ　データシート

1M EEPROM (128-kword 8-bit) Ready/Busy and function R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 131072 8 EEPROM ROM MONOS CMOS 128 2.7V 5.5V 150ns (max) @ Vcc=4.5V 5.5V 250ns(max) @ Vcc=2.7V 5.5V 20mW/MHz (typ) 110µW (max)

ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし

2019. 7.18 Ibaraki Univ. Dept of Electrical & Electronic Eng. Keiichi MIYAJIMA 今後の予定 7 月 18 日メモリアーキテクチャ1 7 月 22 日メモリアーキテクチャ2 7 月 29 日まとめと 期末テストについて 8 月 5 日期末試験 メモリアーキテクチャ - メモリ装置とメモリアーキテクチャ - メモリアーキテクチャメモリ装置とは?

R1EX24256BSAS0I/R1EX24256BTAS0I　データシート

R1EX24256BSAS0I R1EX24256BTAS0I Two-wire serial interface 256k EEPROM (32-kword 8-bit) R10DS0003JJ0400 Rev.4.00 R1EX24xxx 2 EEPROM ROM MONOS CMOS 64 1.8V 5.5V 2 (I 2 C ) 400kHz 2.0μA (max) 1.0mA (max)

R1LV0416Dシリーズ　データシート

Wide Temperature Range Version 4M SRAM (256-kword 16-bit) RJJ03C0237-0100 Rev. 1.00 2007.05.24 262,144 16 4M RAM TFT 44 TSOP II 48 CSP 0.75mm 3.0V 2.7V 3.6V 55/70ns max 3µW typ V CC =3.0V 2CS 40 +85 C

R1RW0416DI シリーズ

お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

R1RW0408D シリーズ

お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学 基礎編 2010_5 [互換モード]

半導体メモリが新応用を開拓した例 集積デバイス工学半導体メモリ 2010 年 5 月 14 日東京大学大学院工学系研究科電気系工学竹内健 E-mail : takeuchi@lsi.t.u-tokyo.ac.jp http://www.lsi.t.u-tokyo.ac.jp p y jp アップル社の ipod nano 2005 年 9 月発売 フラッシュメモリの記憶容量によって価格の異なるラインアップ

HN58V256Aシリーズ/HN58V257Aシリーズ　データシート

HN58V256A HN58V257A 256k EEPROM (32-kword 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58V257A) RJJ03C0132-0600 Rev. 6.00 2007. 05. 24 HN58V256A HN58V257A 32768 8 EEPROM ROM MNOS CMOS 64 3V 2.7 5.5V 120ns (max)

HN58C256A シリーズ/HN58C257A シリーズ　データシート

HN58C256A HN58C257A 256k EEPROM (32-kword 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58C257A) RJJ03C0133-0600Z Rev. 6.00 2006. 10. 26 HN58C256A HN58C257A 32768 8 EEPROM ROM MNOS CMOS 64 5V±10% 85ns/100ns (max)

R1LV1616H-I シリーズ

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Microsoft PowerPoint - 6.memory.ppt

6 章半導体メモリ 広島大学岩田穆 1 メモリの分類 リードライトメモリ : RWM リードとライトができる ( 同程度に高速 ) リードオンリメモリ : ROM 読み出し専用メモリ, ライトできない or ライトは非常に遅い ランダムアクセスメモリ : RAM 全番地を同時間でリードライトできる SRAM (Static Random Access Memory) 高速 DRAM (Dynamic

増設メモリ (2006/11/20)

(2006/11/20) 1. 機能 型名 N8102-246 N8102-247 N8102-248 N8102-249 8GB (x2 枚 ) (x2 枚 ) (x2 枚 ) (x2 枚 ) DDR2-533 SDRAM-DIMM(Fully Buffered),ECC 駆動電圧 1.5V/1.8V 型名 N8102-250 N8102-251 N8102-252 (x2 枚 ) (x2 枚 )

DRAM SRAM SDRAM (Synchronous DRAM) DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) DRAM 4 C Wikipedia 1.8 SRAM DRAM DRAM SRAM DRAM SRAM (256M 1G bit) (32 64M bit)

2016.4.1 II ( ) 1 1.1 DRAM RAM DRAM DRAM SRAM RAM SRAM SRAM SRAM SRAM DRAM SRAM SRAM DRAM SRAM 1.2 (DRAM, Dynamic RAM) (SRAM, Static RAM) (RAM Random Access Memory ) DRAM 1 1 1 1 SRAM 4 1 2 DRAM 4 DRAM

HN58X2402SFPIAG/HN58X2404SFPIAG

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テクニカルガイド「増設メモリ」(2006/09/15)

(2006/09/15) 1. 機能 型名 N8102-246 N8102-247 N8102-248 N8102-249 8GB (x2 枚 ) (x2 枚 ) (x2 枚 ) (x2 枚 ) DDR2-533 SDRAM-DIMM(Fully Buffered),ECC 駆動電圧 1.5V/1.8V 型名 N8102-250 N8102-251 N8102-252 (x2 枚 ) (x2 枚 )

R1RP0416D シリーズ

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R1RP0416DIシリーズデータシート

Wide Temperature Version 4M High Speed SRAM (256-kword 16-bit) データシート RJJ03C0097-0201 Rev.2.01 概要 R1RP0416DI シリーズは 256k ワード 16 ビット構成の 4M ビット高速スタティック RAM です CMOS(6 トランジスタメモリセル ) プロセス技術を採用し, 高密度, 高性能, 低消費電力を実現しました

計算機ハードウエア

計算機ハードウエア 209 年度前期 第 5 回 前回の話 (SH745) (32 bit) コンピュータバスの構成 インタフェース (6 bit) I/O (Input/ Output) I/O (22 bit) (22 bit) 割り込み信号リセット信号 コンピュータバスは コンピュータ本体 () と そのコンピュータ本体とデータのやり取りをする複数の相手との間を結ぶ 共用の信号伝送路である クロック用クリスタル

Slide 1

MSP430 : 革新的な新技術 この資料は 次世代マイコン活用セミナー (2012) から FRAM 部分を抜粋したものです Ferroelectric RAM (FRAM) 1 FRAM 次世代 MCU メモリ 不揮発性 電源が切れてもデータを保持 EEPROM の代替え品として利用可能 高速書き込み / アップデート SRAM のようなパフォーマンスアクセスタイム : ~ 50ns/ バイト

cmpsys14w04_mem_hp.ppt

情報システム論 第 4 週! ハードウェアシステム! ( 主記憶装置 )! 根来 均 内容 n 単位の復習! n 記憶装置の階層構造! n 各階層での各役割! n 半導体メモリの分類とトランジスタの構造! n SRAM と DRAM の構造と種類! n メモリに関する技術他 単位の接頭語 10 18 エクサ exa- E 15 ペタ peta- P 12 テラ tera- T 9 ギガ giga-

<4D F736F F F696E74202D FEE95F18F88979D8B5A8F702E B93C782DD8EE682E890EA97705D205B8CDD8AB B83685D>

第 4 回情報処理技術講義 コンピュータ計算の基本概念 ( 論理ハードウェア ) 60 これはなんだと思いますか? 携帯電話の開発ボードだそうです 61 ソフト開発をする人でも, ハードウェア知識は必要不可欠である コンピュータの最も基本的要素は論理電子回路であるその中でも以下の3 素子が基本となる (AN, ORは組合して作れる ) NOT NAN NOR 注意 :MOS トランジスタによる実現

富士通セミコンダクター株式会社発表資料

安心 安全を実現する安全を実現する FM3 マイコン 2012 年 6 月富士通セミコンダクター株式会社マイコンソリューション事業本部五十嵐稔行 Copyright 2010 FUJITSU LIMITED 目次 FM3 ロードマップ 安心 安全への取り組み安全への取り組み 1 Copyright 2010 FUJITSU LIMITED CPUロードマップとITRON系RTOS製品 T-Kernel/μT-Kernel

スライド 1

東北大学工学部機械知能 航空工学科 2016 年度 5 セメスター クラス C3 D1 D2 D3 計算機工学 13. メモリシステム ( 教科書 8 章 ) 大学院情報科学研究科 鏡慎吾 http://www.ic.is.tohoku.ac.jp/~swk/lecture/ レジスタ選択( 復習 ) MIPS の構造 PC 命令デコーダ 次 PC 計算 mux 32x32 ビットレジスタファイル

PowerPoint プレゼンテーション

コンピュータアーキテクチャ 第 11 週 制御アーキテクチャ メモリの仕組 2013 年 12 月 4 日 金岡晃 授業計画 第 1 週 (9/25) 第 2 週 (10/2) 第 3 週 (10/9) 第 4 週 (10/16) 第 5 週 (10/23) 第 6 週 (10/30) 第 7 週 (11/6) 授業概要 2 進数表現 論理回路の復習 2 進演算 ( 数の表現 ) 演算アーキテクチャ

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RMLV0416E Series Datasheet

4Mbit 低消費電力 SRAM (256-kword 16-bit) R10DS0205JJ0100 Rev.1.00 概要 は 262,144 ワード 16 ビット構成の 4M ビットスタティック RAM です Advanced LPSRAM 技術を採用し 高密度 高性能 低消費電力を実現しております したがって RMLV0416E シリーズは バッテリバックアップシステムに最適です パッケージの種類は

R1LP5256E Series Datashet

256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit) R10DS0070JJ0100 Rev.1.00 概要 R1LP5256E シリーズは シリコンゲート 0.15µm CMOS プロセス技術を用いた 32,768 語 8 ビット構成を持ち 単一電源で動作する非同期式のスタティク RAM です メモリセルに TFT 技術を用い 高密度かつ低消費電力を実現したデバイスです

増設メモリ 1. 機能 型名 N N N (x1 枚 ) (x1 枚 ) (x1 枚 ) DDR2-800(PC2-6400) 動作クロック 400MHz( 差動 ) 110Ge, 110Ge-S 型名 N N N810

(2008/11/14) 増設メモリ 1. 機能 型名 N8102-303 N8102-304 N8102-305 (x1 枚 ) (x1 枚 ) (x1 枚 ) DDR2-800(PC2-6400) 動作クロック 400MHz( 差動 ) 110Ge, 110Ge-S 型名 N8102-300 N8102-301 N8102-302 (x1 枚 ) (x1 枚 ) (x1 枚 ) DDR2-800(PC2-6400)

mbed祭りMar2016_プルアップ.key

1 2 4 5 Table 16. Static characteristics (LPC1100, LPC1100L series) continued T amb = 40 C to +85 C, unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ [1] Max Unit Standard port pins, RESET

計算機ハードウエア

計算機ハードウエア 2017 年度前期 第 4 回 前回の話 コンピュータバスの構成 データバス I/O (Input/ Output) CPU メモリ アドレスバス コントロールバス コンピュータバスは コンピュータ本体 (CPU) と そのコンピュータ本体とデータのやり取りをする複数の相手との間を結ぶ 共用の信号伝送路である CPU は バス を制御して 複数のデバイス ( メモリや I/O)

RMWV3216A Series Datasheet

32Mbit 低 消 費 電 力 SRAM (2M word 16bit) R10DS0259JJ0100 Rev.1.00 概 要 RMWV3216A シリーズは 2,097,152 ワード 16 ビット 構 成 の 32M ビットスタティック RAM です Advanced LPSRAM 技 術 を 採 用 し 高 密 度 高 性 能 低 消 費 電 力 を 実 現 しております したがって RMWV3216A

処理速度1 パッケージ SSD essd(embedded-ssd) シリーズ SSD と HDD がすみ分け 連携するクラウド時代のストレージシステム デジタル化やインターネット クラウドコンピューティングなどの普及により 日々生成される情報量は加速度的に増大し 2007 年に使用可能なストレージ

1 パッケージ SSD essd (embedded-ssd) シリーズ SSD ソリューションの新たな進化ステージ 各種電子機器において HDD を代替 補完するストレージデバイスとして SSD( ソリッドステートドライブ ) の導入が急速に進んでいます SSD の性能を左右するのは搭載されるメモリコントローラ IC です TDK の新製品 1 パッケージ SSD essd シリーズ は マルチチップパッケージ技術により

増設メモリ 1. 機能 型名 N N N N N GB 16GB 3 (x2 枚 ) (x2 枚 ) (x2 枚 ) (8GBx2 枚 ) (16GBx2 枚 ) DDR3-1066(PC3-8500) 動作クロック

(2009/10/28) 増設メモリ 1. 機能 型名 N8102-356 N8102-357 N8102-358 N8102-359 N8102-360 8GB 16GB 3 (x2 枚 ) (x2 枚 ) (x2 枚 ) (8GBx2 枚 ) (16GBx2 枚 ) DDR3-1066(PC3-8500) 動作クロック 533MHz( 差動 ) 1.5V 型名 N8102-351 N8102-352

支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介

2009.3.10 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画

増設メモリ 1. 機能 型名 N N N (x1 枚 ) (x1 枚 ) (x1 枚 ) DDR3-1333(PC ) SDRAM-DIMM, Unbuffered,ECC 動作クロック 667MHz( 差動 ) 1.5V 型名 N8102

(2009/12/08) 増設メモリ 1. 機能 型名 N8102-339 N8102-340 N8102-341 (x1 枚 ) (x1 枚 ) (x1 枚 ) DDR3-1333(PC3-10600) SDRAM-DIMM, Unbuffered,ECC 動作クロック 667MHz( 差動 ) 1.5V 型名 N8102-330 N8102-331 N8102-332 N8102-333 8GB

増設メモリ 1. 機能 型名 N8102-G342 N8102-G343 N8102-G344 1GB (1GBx1 枚 ) (x1 枚 ) (x1 枚 ) SDRAM-DIMM, Unbuffered,ECC 1.5V 型名 N N N (1GBx1

(2010/04/26) 増設メモリ 1. 機能 型名 N8102-G342 N8102-G343 N8102-G344 1GB (1GBx1 枚 ) (x1 枚 ) (x1 枚 ) SDRAM-DIMM, Unbuffered,ECC 1.5V 型名 N8102-342 N8102-343 N8102-344 (1GBx1 枚 ) (x1 枚 ) (x1 枚 ) SDRAM-DIMM, Unbuffered,ECC

増設メモリ (2010/06/17)

(2010/06/17) 1. 機能 型名 N8102-371 N8102-372 N8102-373 N8102-374 N8102-375 16GB (1GBx1 枚 ) (2GBx1 枚 ) (x1 枚 ) (x1 枚 ) (16GBx1 枚 ) 1.35V/1.5V 型名 N8102-387 N8102-388 N8102-389 N8102-390 N8102-391 2GB 16GB 32GB

増設メモリ 1. 機能 型名 N N N N GB (x1 枚 ) (x1 枚 ) (x1 枚 ) (8GBx1 枚 ) DDR3-1333(PC ) 動作クロック 667MHz( 差動 ) 1.5V 型名 N8102-3

(2010/01/22) 増設メモリ 1. 機能 型名 N8102-361 N8102-362 N8102-363 N8102-364 8GB (x1 枚 ) (x1 枚 ) (x1 枚 ) (8GBx1 枚 ) DDR3-1333(PC3-10600) 動作クロック 667MHz( 差動 ) 1.5V 型名 N8102-365 N8102-366 N8102-367 (x1 枚 ) (x1 枚 )

R1LV0816ASB データシート

R1LV0816ASB 5SI, 7SI 8Mb Advanced LPSRAM (512k word x 16bit) RJJ03C0292-0100 Rev.1.00 2009.11.30 概 要 R1LV0816ASB は シリコンゲート 0.15µm CMOS プロセス 技 術 を 用 いた 524,288 語 16 ビット 構 成 を 持 ち 単 一 電 源 で 動 作 する 非 同 期

Microsoft Word - archip.doc

131 71 71 71 7 1 71 71 71 71 71 71 7 1 71 71 71 71 71 71 7-1 71 71 71 71 71 71 7-1 71 71 7 1 71 71 71 71 71 71 71 71 71 71 71 71 71 71 7 1 71 71 71 71 71 71 7 1 71 71 71 71 71 71 71 71 71 71 71 71 71 71

HN58X2502/HN58X2504I

お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NE エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

RW1097-0A-001_V0.1_170106

INTRODUCTION RW1097 is a dot matrix LCD driver & controller LSI which is fabricated by low power CMOS technology. It can display 1line/2line/3line/4line/5line/6lines x 12 (16 x 16 dot format) with the

N12866N2P-H.PDF

16Mx64bits PC133 SDRAM SO DIMM Based on 16Mx16 SDRAM with LVTTL, 4 banks & 8K Refresh (16M x 16bit) /. / 1 A0 ~ A12 BA0, BA1 CK0, CK1 CKE0 /S0 /RAS /CAS /WE DQM0 ~ DQM7 DQ0 ~ DQ63 SA0~2 SDA SCL VCC 3.3

ADZBT1 Hardware User Manual Hardware User Manual Version 1.0 1/13 アドバンスデザインテクノロジー株式会社

Hardware User Manual Version 1.0 1/13 アドバンスデザインテクノロジー株式会社 Revision History Version Date Comment 1.0 2019/4/25 新規作成 2/13 アドバンスデザインテクノロジー株式会社 目次 1 Overview... 4 2 Block Diagram... 5 3 機能説明... 6 3.1 Power

いま本文ー校了データ0822.indd

CONTENTS 02 04 06 page 02 1 2 54.0% 38.0% 35.4% 24.2% 71.8% 98.8% 38.1% 23.4% 21.2% 14.5% 56.7% 1 2 10.8% 18.6% 14.5% 18.2% 37.0% 73.281.5 44.729.5 24.336.7 14.733.9 26.622.8 19.824.6 36.6% 30.9% 25.0%

増設メモリ 1. 機能 型名 N N N N GB (x1 枚 ) (x1 枚 ) (x1 枚 ) (8GBx1 枚 ) DDR3-1066(PC3-8500) SDRAM-DIMM, Registered,ECC 動作クロック 53

(2009/07/24) 増設メモリ 1. 機能 型名 N8102-330 N8102-331 N8102-332 N8102-333 8GB (x1 枚 ) (x1 枚 ) (x1 枚 ) (8GBx1 枚 ) DDR3-1066(PC3-8500) SDRAM-DIMM, Registered,ECC 動作クロック 533MHz( 差動 ) 1.5V GT120a,T120a-E,T120a-M

HA17458シリーズ　データシート

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ADC121S Bit, ksps, Diff Input, Micro Pwr Sampling ADC (jp)

ADC121S625 ADC121S625 12-Bit, 50 ksps to 200 ksps, Differential Input, Micro Power Sampling A/D Converter Literature Number: JAJSAB8 ADC121S625 12 50kSPS 200kSPS A/D ADC121S625 50kSPS 200kSPS 12 A/D 500mV

RNA52A10MM　データシート

RNAA0MM Dual CMOS system RESET IC R0DS009JJ000 (Previous code: RJJ0D0-000) Rev..00 0..9 RNAA0MM. CMOS. μa (typ) H MΩ o CMOS. ± 0 m % typ.. μa typ. CR MMPAK- 0 C ( ) RNAA0MMEL MMPAK- PLSP000JC-A MM EL (,000

LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifi(jp)

LMV851,LMV852,LMV854 LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers Literature Number: JAJSAM3 LMV851/LMV852/LMV854 8MHz CMOS EMI LMV851/LMV852/LMV854 CMOS IC 40 125 LMV851/

LMC555 CMOSタイマ

CMOS 555 CMOS (SOIC MSOP MDIP) micro SMD (8 micro SMD) LM555 2 1 LMCMOS TM CMOS 19850925 24100 ds008669 Converted to nat2000 DTD added title to the 2 avos on the first page Edited for 2001 Databook fixed

富士通セミコンダクタープレスリリース 2009/05/19

[ デバイス ] 2009 年 5 月 19 日富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 世界初!125 動作の SiP 向け低消費電力メモリを新発売 ~ メモリの耐熱性向上により 消費電力の大きな高性能デジタル家電に最適 ~ 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 ( 注 1) は DDR SDRAM インターフェースを持つメモリでは世界で初めて動作温度範囲を 125 まで拡張したコンシューマ FCRAM(

untitled

1.0 1. Display Format 8*2 Character 2. Power Supply 3.3V 3. Overall Module Size 30.0mm(W) x 19.5mm(H) x max 5.5mm(D) 4. Viewing Aera(W*H) 27.0mm(W) x 10.5mm(H) 5. Dot Size (W*H) 0.45mm(W) x 0.50mm(H) 6.

S1F77330 シリーズ USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 S1F77330 シリーズは USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用している

USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 は USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用しているため 高密度実装への対応が可能です 本 IC の入力にレベルシフト回路内蔵のため 外付けレベルシフト回路は不要です 特長 入力電圧範囲 :3.0V~3.6V

SDRAM および DRAM の メモリ システムの概要

CHAPTER 製品番号 :MEM-NPE-3MB= MEM-NPE-64MB= MEM-NPE-8MB= MEM-SD-NPE-3MB= MEM-SD-NPE-64MB= MEM-SD-NPE-8MB= MEM-SD-NSE-56MB= MEM-NPE-400-8MB= MEM-NPE-400-56MB= MEM-NPE-400-5MB= NPE-00= NPE-50= NPE-75= NPE-00=

RMLV0816BGBG Datasheet

8Mbit 低 消 費 電 力 SRAM (512k word 16bit) R10DS0229JJ0200 Rev.2.00 概 要 RMLV0816BGBG は 524,288 ワード 16 ビット 構 成 の 8M ビットスタティック RAM です Advanced LPSRAM 技 術 を 採 用 し 高 密 度 高 性 能 低 消 費 電 力 を 実 現 しております したがって RMLV0816BGBG

SH7670グループ　Hi-Speed USB 2.0 基板設計ガイドライン　アプリケーションノート

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1 124

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