BD9G101G Application note : パワーマネジメント
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- しょうこ いせき
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1 AEY59-D DC/DC Converter Application Information IC Product Name BD9G101G Topology Buck (Step-Down) Switching Regulator Type Non-Isolation Input Output 1 24V to 40V 3.3V, 500mA 2 20V to 30V 6.0V, 500mA 3 13V to 33V 9.0V, 500mA 4 19V to 36V 13V, 200mA 5 23V to 40V 15V, 500mA 6 35V to 42V 24V, 120mA 7 12V to 20V -8V, 400mA 8 18V to 30V -12V, 400mA 1/8
2 On time :Ton [ns] BD9G101G 回路図 1 BD9G101G U1 VIN C1 5 VCC 2 GND BST 1 LX 6 C5 L1 C2 C3 VO Enable 4 EN FB 3 D1 R2 C4 EN 端子設定 (4 ピン ) 端子状態 IC 動作 2.0V ~ VIN 通常動作 -0.3V ~ 0.8V パワーダウン 出力電圧設定 V OUT = R 1 + R [V] R 2 R 1 + R 2 V OUT 10 3 入出力電圧条件は次式を満たす必要があります V OUT = 1V to (V IN 0.7)V 設定可能な出力電圧の最小値は最小 Pulse 幅 100ns(typ) によって制限されます 例 ) Vo=3.3V 設定での最小 Pulse 幅 100ns を境界とした動作モード 通常動作入力電圧 22V 以上ではパルススキップモード Vin[V] また 設定可能な出力電圧の最大値は MaxDuty と PowerMOSFET のオン抵抗と BST-UVLO によって制限されます BST-UVLO の機能によって設定可能は出力電圧の最大値は Vin - 3V に制限されます 2/8
3 部品表 1 BD9G101G BOM Rev.001 VIN=6.0V to 42V, I O =0.5A October 14, V O=3.3V, I O=500mA (V IN=24V to 40V) 1 C1 Ceramic Capacitor 4.7µF 50V, B, ±10% GRM21BB31H475KE51 MURATA C2, C3 Ceramic Capacitor 47µF 10V, X5R, ±20% GRM21BR61A476ME15 MURATA C4 Ceramic Capacitor 0.1μF 25V, B, ±10% GRM155B31E104KA87 MURATA D1 Schottky Barrier Diode - VR=60V, Io=1A RB160L-60 ROHM 5026 ±20%, DCR=57.4mΩmax, 2.7A XFL ME Coilcraft 4040 ±20%, DCR=96.6mΩmax, 1.7A LQH44PN4R7MP0 Murata 4040 ±30%, DCR=186mΩmax, 1.6A LQH32PN4R7NNC Murata 3225 ±20%, DCR=63mΩmax, 1.65A CDRH40D28NP-4R7NC Sumida L1 Inductor 4.7µH ±20%, DCR=84mΩmax, 2.0A NRS4018T4R7MDGJV TAIYO YUDEN 4040 ±20%, DCR=210mΩmax, 1.1A VLS252012CX-4R5M TDK 2520 ±20%, DCR=126mΩmax, 1.1A 1229AS-H-4R7N=P3 (DEM3512C) TOKO 3739 ±20%, DCR=105mΩmax, 1.75A IHLP1616BZER4R7M1A VISHAY 4541 ±20%, DCR=120mΩmax, 1.7A (WE-TPC SMD) WÜRTH Resistor 1.6kΩ 0.063W, 50V, 1% MCR01MZPF1601 ROHM R2 Resistor 470Ω 0.063W, 50V, 1% MCR01MZPF4700 ROHM V O=6.0V, I O=500mA (V IN=20V to 30V) 1 C1 Ceramic Capacitor 4.7µF 50V, B, ±10% GRM32EB31H475KA87 MURATA C2 Ceramic Capacitor 22µF 25V, B, ±20% GRM32EB31E226ME15 MURATA C3 - n/a C4 Ceramic Capacitor 0.22μF 25V, B, ±10% GRM188B31E224KA87 MURATA D1 Schottky Barrier Diode - VR=60V, Io=1A RB162L-60 ROHM 5026 ±20%, DCR=150mΩmax, 1.3A LPS MR Coilcraft 4040 ±20%,DCR=186mΩmax, 0.83A LQH3NPN6R8MMR Murata 3030 ±20%,DCR=470mΩmax, 0.83A LQH2HPN6R8MGR Murata 2520 ±25%, DCR=136mΩmax, 1.52A CDRH3D23HPNP-6R8PC Sumida 3838 ±20%, DCR=117.6mΩmax, 1.6A NRS4018T6R8MDGJ TAIYO YUDEN L1 Inductor 6.8µH ±20%, DCR=192mΩmax, 0.87A NRS3015T6R8MNGH TAIYO YUDEN 3030 ±20%, DCR=156mΩmax, 1.0A VLS4012ET-6R8M TDK 4040 ±20%, DCR=106mΩmax, 1.7A 1235AS-H-6R8M=P3 (DEM4518C) TOKO 4745 ±20%, DCR=115mΩmax, 1.5A IFSC1515AHER6R8M01 VISHAY 3838 ±20%, DCR=165mΩmax, 1.3A (WE-TPC SMD) WÜRTH Resistor 2.4kΩ =2.4kΩ+120Ω MCR01MZPF2401 ROHM Resistor 120Ω 0.063W, 50V, 1% MCR01MZPF1200 ROHM R2 Resistor 360Ω 0.063W, 50V, 1% MCR01MZPF3600 ROHM /8
4 部品表 1 ( つづき ) 3. VO=9.0V, IO=500mA (VIN=13V to 33V) Type Value Description 1 C1 Ceramic Capacitor 4.7µF 50V, B, ±10% GRM31CB31H475KA12 MURATA C2 Ceramic Capacitor 22µF 16V, B, ±20% GRM32EB31C226ME16 MURATA C3 - n/a C4 Ceramic Capacitor 0.22μF 25V, B, ±10% GRM188B31E224KA87 MURATA D1 Schottky Barrier Diode - VR=60V, Io=1A RB162L-60 ROHM 5026 ±20%, DCR=260mΩmax, 0.94A LPS MR Coilcraft 4040 ±20%, DCR=96mΩmax, 1.8A LQH5BPN150M38 Murata 4949 ±20%, DCR=133mΩmax, 3.6A CDMC50D38T150NP-150MC Sumida 5450 ±20%, DCR=104mΩmax, 2A NRS5040T150MMGJV TAIYO YUDEN L1 Inductor 15µH ±20%, DCR=98mΩmax, 3.1A VLS6045EX-150M TDK 6060 ±20%, DCR=142mΩmax, 1.05A #A915AY-150M=P3 (D53LC) TOKO 5050 ±20%, DCR=208mΩmax, 1.6A IHLP2020CZE50M5A VISHAY 5552 ±20%, DCR=136.2mΩmax, 1.7A (WE-SPC SMD) WÜRTH Resistor 3.3kΩ 0.063W, 50V, 1% MCR01MZPF3301 ROHM R2 Resistor 300Ω 0.063W, 50V, 1% MCR01MZPF3000 ROHM VO=13V, IO=200mA (VIN=19V to 36V) 1 C1 Ceramic Capacitor 4.7µF 50V, B, ±10% GRM32EB31H475KA87 MURATA C2 Ceramic Capacitor 22µF 25V, B, ±10% GRM32EB31E226KE15 MURATA C3 - n/a C4 Ceramic Capacitor 0.1μF 25V, B, ±10% GRM155B31E104KA87 MURATA D1 Schottky Barrier Diode - VR=60V, Io=1A RB162L-60 ROHM 5026 ±20%, DCR=150mΩmax, 1.3A LPS MR Coilcraft 4040 ±20%,DCR=186mΩmax, 0.83A LQH3NPN6R8MMR Murata 3030 ±20%,DCR=470mΩmax, 0.83A LQH2HPN6R8MGR Murata 2520 ±25%, DCR=136mΩmax, 1.52A CDRH3D23HPNP-6R8PC Sumida 3838 ±20%, DCR=117.6mΩmax, 1.6A NRS4018T6R8MDGJ TAIYO YUDEN L1 Inductor 6.8µH ±20%, DCR=192mΩmax, 0.87A NRS3015T6R8MNGH TAIYO YUDEN 3030 ±20%, DCR=156mΩmax, 1.0A VLS4012ET-6R8M TDK 4040 ±20%, DCR=106mΩmax, 1.7A 1235AS-H-6R8M=P3 (DEM4518C) TOKO 4745 ±20%, DCR=115mΩmax, 1.5A IFSC1515AHER6R8M01 VISHAY 3838 ±20%, DCR=165mΩmax, 1.3A (WE-TPC SMD) WÜRTH Resistor 3.6kΩ 0.063W, 50V, 1% MCR01MZPF3601 ROHM R2 Resistor 220Ω 0.063W, 50V, 1% MCR01MZPF2200 ROHM /8
5 部品表 1 ( つづき ) 5. VO=15V, IO=500mA (VIN=23V to 40V) 1 C1 Ceramic Capacitor 4.7µF 50V, B, ±10% GRM31CB31H475KA12 MURATA C2 Ceramic Capacitor 22µF 25V, B, ±20% GRM32EB31E226ME15 MURATA C3 - n/a C4 Ceramic Capacitor 0.1μF 25V, B, ±10% GRM155B31E104KA87 MURATA D1 Schottky Barrier Diode - VR=60V, Io=1A RB162L-60 ROHM 5026 ±20%, DCR=200mΩmax, 1.3A LPS MR Coilcraft 4040 ±20%,DCR=354mΩmax, 1.0A LQH32PB100MNC Murata 3225 ±20%, DCR=252mΩmax, 0.59A LQH3NPN100MMR Murata 3030 ±20%, DCR=672mΩmax, 0.7A LQH2HPN100MGR Murata 2520 ±20%, DCR=198mΩmax, 1.28A CDRH3D23HPNP-100MC Sumida L1 Inductor 10µH ±20%, DCR=180mΩmax, 1.3A NRS4018T100MDGJ TAIYO YUDEN 4040 ±20%, DCR=228mΩmax, 0.89A VLS4012ET-100M TDK 4040 ±20%, DCR=132mΩmax, 1.3A 1235AS-H-100M=P3 (DEM4518C) TOKO 4745 ±20%, DCR=135mΩmax, 1.3A IFSC1515AHE00M01 VISHAY 3838 ±20%, DCR=148mΩmax, 2.1A (WE-SPC SMD) WÜRTH Resistor 8.2kΩ 0.063W, 50V, 1% MCR01MZPF8201 ROHM R2 Resistor 430Ω 0.063W, 50V, 1% MCR01MZPF4300 ROHM VO=24V, IO=120mA (VIN=35V to 42V) 1 C1 Ceramic Capacitor 4.7µF 50V, B, ±10% GRM32EB31H475KA87 MURATA C2 Ceramic Capacitor 10µF 50V, B, ±10% GRM32EB31H106KA12 MURATA C3 - n/a C4 Ceramic Capacitor 0.047μF 50V, B, ±10% GRM188B11H473KA61 MURATA D1 Schottky Barrier Diode - VR=60V, Io=1A RB160M-60 ROHM 3516 ±20%, DCR=200mΩmax, 1.3A LPS MR Coilcraft 4040 ±20%,DCR=354mΩmax, 1.0A LQH32PB100MNC Murata 3225 ±20%, DCR=252mΩmax, 0.59A LQH3NPN100MMR Murata 3030 ±20%, DCR=672mΩmax, 0.7A LQH2HPN100MGR Murata 2520 ±20%, DCR=198mΩmax, 1.28A CDRH3D23HPNP-100MC Sumida L1 Inductor 10µH ±20%, DCR=180mΩmax, 1.3A NRS4018T100MDGJ TAIYO YUDEN 4040 ±20%, DCR=228mΩmax, 0.89A VLS4012ET-100M TDK 4040 ±20%, DCR=132mΩmax, 1.3A 1235AS-H-100M=P3 (DEM4518C) TOKO 4745 ±20%, DCR=135mΩmax, 1.3A IFSC1515AHE00M01 VISHAY 3838 ±20%, DCR=148mΩmax, 2.1A (WE-SPC SMD) WÜRTH Resistor 22kΩ =22kΩ+1.2kΩ MCR01MZPF2202 ROHM Resistor 1.2kΩ 0.063W, 50V, 1% MCR01MZPF1201 ROHM R2 Resistor 750Ω 0.063W, 50V, 1% MCR01MZPF7500 ROHM /8
6 回路図 2 VIN C1 C2 BD9G101G U1 5 VCC BST 1 C5 L1 2 GND LX 6 4 EN FB 3 D1 C3 C4 R2 VO - 出力電圧設定 V OUT = R 1 + R [V] R 2 R 1 + R 2 V OUT 10 3 入出力電圧条件は次式を満たす必要があります V OUT = (V IN 0.7)V ~ (V IN 0.15)V (V IN 0.15) 1.0V (V IN V OUT ) 42V D2, D3: RB550SS-30 (ROHM) 正 負電源で使用する場合は D2, D3 のショットキーバリアダイオードを必ず挿入してください 挿入しない場合 電源立ち上がり時にラッチ ダウンし 片側の電源が立ち上がらない可能性があります 6/8
7 部品表 2 7. VO= -8.0V, IO=400mA (VIN=12V to 20V) 2 C1, C2 Ceramic Capacitor 4.7µF 50V, B, ±10% GRM32EB31H475KA87 MURATA C3 Ceramic Capacitor 10µF 50V, B, ±10% GRM32EB31H106KA12 MURATA C4 Ceramic Capacitor 0.1μF 25V, B, ±10% GRM155B31E104KA87 MURATA D1 Schottky Barrier Diode - VR=60V, Io=1A RB160M-60 ROHM 3516 ±20%, DCR=260mΩmax, 0.94A LPS MR Coilcraft 4040 ±20%, DCR=96mΩmax, 1.8A LQH5BPN150M38 Murata 4949 ±20%, DCR=132mΩmax, 0.95A CDRH58D18RNP-150MC Sumida 6060 ±20%, DCR=104mΩmax, 2A NRS5040T150MMGJV TAIYO YUDEN L1 Inductor 15µH ±20%, DCR=98mΩmax, 3.1A VLS6045EX-150M TDK 6060 ±20%, DCR=142mΩmax, 1.05A #A915AY-150M=P3 (D53LC) TOKO 5050 ±20%, DCR=208mΩmax, 1.6A IHLP2020CZE50M5A VISHAY 5552 ±20%, DCR=136.2mΩmax, 1.7A (WE-SPC SMD) WÜRTH Resistor 6.8kΩ =6.8kΩ+470Ω MCR01MZPF6801 ROHM Resistor 470Ω 0.063W, 50V, 1% MCR01MZPF4700 ROHM R2 Resistor 750Ω 0.063W, 50V, 1% MCR01MZPF7500 ROHM VO= -12V, IO=400mA (VIN=18V to 30V) 2 C1, C2 Ceramic Capacitor 4.7µF 50V, B, ±10% GRM32EB31H475KA87 MURATA C3 Ceramic Capacitor 10µF 50V, B, ±10% GRM32EB31H106KA12 MURATA C4 Ceramic Capacitor 0.1μF 25V, B, ±10% GRM155B31E104KA87 MURATA C5 Ceramic Capacitor 0.015μF 50V, B, ±10% GRM188B11H153KA01 MURATA D1 Schottky Barrier Diode - VR=60V, Io=1A RB162L-60 ROHM 5026 ±20%, DCR=260mΩmax, 0.94A LPS MR Coilcraft 4040 ±20%, DCR=96mΩmax, 1.8A LQH5BPN150M38 Murata 4949 ±20%, DCR=132mΩmax, 0.95A CDRH58D18RNP-150MC Sumida 6060 ±20%, DCR=104mΩmax, 2A NRS5040T150MMGJV TAIYO YUDEN L1 Inductor 15µH ±20%, DCR=98mΩmax, 3.1A VLS6045EX-150M TDK 6060 ±20%, DCR=142mΩmax, 1.05A #A915AY-150M=P3 (D53LC) TOKO 5050 ±20%, DCR=208mΩmax, 1.6A IHLP2020CZE50M5A VISHAY 5552 ±20%, DCR=136.2mΩmax, 1.7A (WE-SPC SMD) WÜRTH Resistor 7.5kΩ =7.5kΩ+150Ω MCR01MZPF7501 ROHM Resistor 150Ω 0.063W, 50V, 1% MCR01MZPF1500 ROHM R2 Resistor 510Ω 0.063W, 50V, 1% MCR01MZPF5100 ROHM /8
8 使用上の注意 (1) 本資料は評価基板での BOM であり 抵抗 コンデンサ コイルについては 小型部品の選定も可能です (2) 抵抗を小型化するときは 定格電力と耐圧の低下を考慮してください (3) セラミックコンデンサを小型化するときは 耐圧の低下を考慮してください また DC バイアス特性により容量値が減少し 希望の特性が得られないことがあります (4) セラミックコンデンサは 同じ容量値 同じ耐圧であっても 型名が違うと DC バイアス特性により容量値が減少し 希望の特性が得られないことがあります 必ず DC バイアス特性を確認してください (5) コイルを小型化するときは 直流抵抗の増加と 定格電流の低下を考慮してください 直流抵抗の増加は 電力変換効率の悪化を招きます 定格電流の低下は 大電流出力時にコイルが飽和し 効率の悪化や希望の出力電流が得られないことがあります (6) 出力が短絡する可能性がある場合は IC の最大出力電流よりも定格電流が大きいコイルを使用してください 例えば 1A 出力可能な IC で 実際には 100mA までしか使用しない場合でも定格電流が 1A よりも大きいコイルを選択します 定格電流が小さなコイルを使用すると 出力短絡時の大電流によりコイルが飽和し 出力電圧が急峻に持ち上がります IC の過電流保護機能の処理速度が追いつかず IC が破壊することがあります (7) この回路定数は弊社評価基板での値であり 実機基板では定数の調整が必要な場合があります 十分な評価を実施してください 8/8
9 ご注意 ローム製品取扱い上の注意事項 1. 本製品は一般的な電子機器 (AV 機器 OA 機器 通信機器 家電製品 アミューズメント機器等 ) への使用を意図して設計 製造されております したがいまして 極めて高度な信頼性が要求され その故障や誤動作が人の生命 身体への危険もしくは損害 又はその他の重大な損害の発生に関わるような機器又は装置 ( 医療機器 (Note 1) 輸送機器 交通機器 航空宇宙機器 原子力制御装置 燃料制御 カーアクセサリを含む車載機器 各種安全装置等 )( 以下 特定用途 という ) への本製品のご使用を検討される際は事前にローム営業窓口までご相談くださいますようお願い致します ロームの文書による事前の承諾を得ることなく 特定用途に本製品を使用したことによりお客様又は第三者に生じた損害等に関し ロームは一切その責任を負いません (Note 1) 特定用途となる医療機器分類日本 USA EU 中国 CLASSⅢ CLASSⅡb CLASSⅢ Ⅲ 類 CLASSⅣ CLASSⅢ 2. 半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります 万が一 かかる誤動作や故障が生じた場合であっても 本製品の不具合により 人の生命 身体 財産への危険又は損害が生じないように お客様の責任において次の例に示すようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します 1 保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する 2 冗長回路等を設けて単一故障では危険が生じないようにシステムとしての安全を確保する 3. 本製品は 一般的な電子機器に標準的な用途で使用されることを意図して設計 製造されており 下記に例示するような特殊環境での使用を配慮した設計はなされておりません したがいまして 下記のような特殊環境での本製品のご使用に関し ロームは一切その責任を負いません 本製品を下記のような特殊環境でご使用される際は お客様におかれまして十分に性能 信頼性等をご確認ください 1 水 油 薬液 有機溶剤等の液体中でのご使用 2 直射日光 屋外暴露 塵埃中でのご使用 3 潮風 Cl 2 H 2S NH 3 SO 2 NO 2 等の腐食性ガスの多い場所でのご使用 4 静電気や電磁波の強い環境でのご使用 5 発熱部品に近接した取付け及び当製品に近接してビニール配線等 可燃物を配置する場合 6 本製品を樹脂等で封止 コーティングしてのご使用 7 はんだ付けの後に洗浄を行わない場合 ( 無洗浄タイプのフラックスを使用された場合も 残渣の洗浄は確実に行うことをお薦め致します ) 又ははんだ付け後のフラックス洗浄に水又は水溶性洗浄剤をご使用の場合 8 本製品が結露するような場所でのご使用 4. 本製品は耐放射線設計はなされておりません 5. 本製品単体品の評価では予測できない症状 事態を確認するためにも 本製品のご使用にあたってはお客様製品に実装された状態での評価及び確認をお願い致します 6. パルス等の過渡的な負荷 ( 短時間での大きな負荷 ) が加わる場合は お客様製品に本製品を実装した状態で必ずその評価及び確認の実施をお願い致します また 定常時での負荷条件において定格電力以上の負荷を印加されますと 本製品の性能又は信頼性が損なわれるおそれがあるため必ず定格電力以下でご使用ください 7. 電力損失は周囲温度に合わせてディレーティングしてください また 密閉された環境下でご使用の場合は 必ず温度測定を行い 最高接合部温度を超えていない範囲であることをご確認ください 8. 使用温度は納入仕様書に記載の温度範囲内であることをご確認ください 9. 本資料の記載内容を逸脱して本製品をご使用されたことによって生じた不具合 故障及び事故に関し ロームは一切その責任を負いません 実装及び基板設計上の注意事項 1. ハロゲン系 ( 塩素系 臭素系等 ) の活性度の高いフラックスを使用する場合 フラックスの残渣により本製品の性能又は信頼性への影響が考えられますので 事前にお客様にてご確認ください 2. はんだ付けは 表面実装製品の場合リフロー方式 挿入実装製品の場合フロー方式を原則とさせて頂きます なお 表面実装製品をフロー方式での使用をご検討の際は別途ロームまでお問い合わせください その他 詳細な実装条件及び手はんだによる実装 基板設計上の注意事項につきましては別途 ロームの実装仕様書をご確認ください Notice-PGA-J 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Rev.003
10 応用回路 外付け回路等に関する注意事項 1. 本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず 過渡特性も含め外付け部品及び本製品のバラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください 2. 本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は 本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので 実際に使用する機器での動作を保証するものではありません したがいまして お客様の機器の設計において 回路やその定数及びこれらに関連する情報を使用する場合には 外部諸条件を考慮し お客様の判断と責任において行ってください これらの使用に起因しお客様又は第三者に生じた損害に関し ロームは一切その責任を負いません 静電気に対する注意事項本製品は静電気に対して敏感な製品であり 静電放電等により破壊することがあります 取り扱い時や工程での実装時 保管時において静電気対策を実施のうえ 絶対最大定格以上の過電圧等が印加されないようにご使用ください 特に乾燥環境下では静電気が発生しやすくなるため 十分な静電対策を実施ください ( 人体及び設備のアース 帯電物からの隔離 イオナイザの設置 摩擦防止 温湿度管理 はんだごてのこて先のアース等 ) 保管 運搬上の注意事項 1. 本製品を下記の環境又は条件で保管されますと性能劣化やはんだ付け性等の性能に影響を与えるおそれがありますのでこのような環境及び条件での保管は避けてください 1 潮風 Cl 2 H 2S NH 3 SO 2 NO 2 等の腐食性ガスの多い場所での保管 2 推奨温度 湿度以外での保管 3 直射日光や結露する場所での保管 4 強い静電気が発生している場所での保管 2. ロームの推奨保管条件下におきましても 推奨保管期限を経過した製品は はんだ付け性に影響を与える可能性があります 推奨保管期限を経過した製品は はんだ付け性を確認したうえでご使用頂くことを推奨します 3. 本製品の運搬 保管の際は梱包箱を正しい向き ( 梱包箱に表示されている天面方向 ) で取り扱いください 天面方向が遵守されずに梱包箱を落下させた場合 製品端子に過度なストレスが印加され 端子曲がり等の不具合が発生する危険があります 4. 防湿梱包を開封した後は 規定時間内にご使用ください 規定時間を経過した場合はベーク処置を行ったうえでご使用ください 製品ラベルに関する注意事項本製品に貼付されている製品ラベルに 2 次元バーコードが印字されていますが 2 次元バーコードはロームの社内管理のみを目的としたものです 製品廃棄上の注意事項本製品を廃棄する際は 専門の産業廃棄物処理業者にて 適切な処置をしてください 外国為替及び外国貿易法に関する注意事項本製品は外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物等に該当するおそれがありますので輸出する場合には ロームにお問い合わせください 知的財産権に関する注意事項 1. 本資料に記載された本製品に関する応用回路例 情報及び諸データは あくまでも一例を示すものであり これらに関する第三者の知的財産権及びその他の権利について権利侵害がないことを保証するものではありません 2. ロームは 本製品とその他の外部素子 外部回路あるいは外部装置等 ( ソフトウェア含む ) との組み合わせに起因して生じた紛争に関して 何ら義務を負うものではありません 3. ロームは 本製品又は本資料に記載された情報について ロームもしくは第三者が所有又は管理している知的財産権その他の権利の実施又は利用を 明示的にも黙示的にも お客様に許諾するものではありません ただし 本製品を通常の用法にて使用される限りにおいて ロームが所有又は管理する知的財産権を利用されることを妨げません その他の注意事項 1. 本資料の全部又は一部をロームの文書による事前の承諾を得ることなく転載又は複製することを固くお断り致します 2. 本製品をロームの文書による事前の承諾を得ることなく 分解 改造 改変 複製等しないでください 3. 本製品又は本資料に記載された技術情報を 大量破壊兵器の開発等の目的 軍事利用 あるいはその他軍事用途目的で使用しないでください 4. 本資料に記載されている社名及び製品名等の固有名詞は ローム ローム関係会社もしくは第三者の商標又は登録商標です Notice-PGA-J 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Rev.003
11 Datasheet 一般的な注意事項 1. 本製品をご使用になる前に 本資料をよく読み その内容を十分に理解されるようお願い致します 本資料に記載される注意事項に反して本製品をご使用されたことによって生じた不具合 故障及び事故に関し ロームは一切その責任を負いませんのでご注意願います 2. 本資料に記載の内容は 本資料発行時点のものであり 予告なく変更することがあります 本製品のご購入及びご使用に際しては 事前にローム営業窓口で最新の情報をご確認ください 3. ロームは本資料に記載されている情報は誤りがないことを保証するものではありません 万が一 本資料に記載された情報の誤りによりお客様又は第三者に損害が生じた場合においても ロームは一切その責任を負いません Notice WE 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Rev.001
BD00KA5W_Application Information : パワーマネジメント
Linear Regulator Application Information IC Product Name Topology P LDO Linear Regulator Type Voltage source Input Output 1 2.3V to 5.5V 1.0V, 500mA *1 2 2.3V to 5.5V 1.2V, 500mA *1 3 2.3V to 5.5V 1.8V,
BD9328EFJ-LB_Application Information : パワーマネジメント
DC/DC Converter Application Information IC Product Name BD9328EFJ-LB Topology Buck (Step-Down) Switching Regulator Type Non-Isolation Input Output 1 4.2V to 18V 1.0V, 2.0A 2 4.2V to 18V 1.2V, 2.0A 3 4.2V
BA9743AFV, BA9744FV, BA9741F, BA9741FS : パワーマネジメント
BA9743AFV, BA9744FV, BA9741F/FS No.13028JCT10 1/16 2013.03 - Rev. C 2/16 2013.03 -Rev. C 3/16 2013.03 -Rev. C 4/16 2013.03 -Rev. C 5/16 2013.03 -Rev. C 6/16 2013.03 -Rev. C BA9743AFV, BA9744FV, BA9741F/FS
UDZVTE-177.5B : ツェナーダイオード
UDZV7.5B ツェナーダイオード P D 200 mw 外形図 Data sheet 特長高信頼性 小型モールド 内部回路図 用途 包装仕様 定電圧制御用 包装形態 Embossed Tape リールサイズ (mm) 180 テープ幅 (mm) 8 構造基本発注単位 ( 個 ) 3000 シリコンエピタキシャルプレーナ型 テーピングコード TE-17 標印 H2 絶対最大定格 (T a = 25
TFZVTR30B: ダイオード
TFZV30B ツェナーダイオード P D 500 mw 外形図 Data sheet 特長高信頼性 小型モールド 内部回路図 用途 包装仕様 定電圧制御用 包装形態 Embossed Tape リールサイズ (mm) 180 テープ幅 (mm) 8 構造基本発注単位 ( 個 ) 3000 シリコンエピタキシャルプレーナ型 テーピングコード TR 標印 BS 絶対最大定格 (T a = 25 ) Parameter
KDZTR6.8B : ダイオード
KDZ6.8B ツェナーダイオード Data sheet 外形図 P D 1000 mw PMDU SOD-123 SC-109B 特長高信頼性 小型パワーモールド 内部回路図 用途 包装仕様 定電圧制御用 包装形態 Embossed Tape リールサイズ (mm) 180 テープ幅 (mm) 8 構造基本発注単位 ( 個 ) 3000 シリコンエピタキシャルプレーナ型 テーピングコード TR 標印
KDZVTFTR5.6B : ツェナーダイオード
KDZVTF5.6B ツェナーダイオード (AEC-Q101 準拠 ) Data sheet P D 1000 mw 外形図 特長高信頼性 小型パワーモールド 内部回路図 用途 包装仕様 定電圧制御用 包装形態 Embossed Tape リールサイズ (mm) 180 テープ幅 (mm) 8 構造包装数量 ( 個 ) 3000 シリコンエピタキシャルプレーナ型 テーピングコード TR 標印 MB
2SCR372PT100Q : トランジスタ
2SCR372P ミドルパワードライバ (120V/700mA) Datasheet l 特長 項目 V CEO 低 V CE(sat) である 規定値 120V I C 0.7A V CE(sat) =300mV(Max.) (I C /I B =500mA/50mA) l 用途 低周波増幅 l 包装仕様 形名パッケージパッケージサイズテーピングコード 2SCR372P SOT-89 (MPT3)
SST4403 : トランジスタ
SST4403 PNP 中電力増幅 ( スイッチング用 ) Datasheet 項目 規定値 l 外形図 SOT-23 V CEO -40V I C -600mA SST3 l 特長 l 内部回路図 1)BV CEO =-40V(Min.) ; at I C =-1mA 2)SST4401 とコンプリである l 用途 小信号低周波増幅 l 包装仕様 形名 パッケージパッケージサイズ テーピングコード
2SAR586JFRGTLL : PNP -5.0A -80V Power Transistor
2SAR586J FRG PNP -5.0A -80V パワートランジスタ Datasheet 項目 規定値 l 外形図 TO-263AB V CEO -80V I C -5A LPTL l 特長 1) パワードライバに最適 2) コンプリメンタリ :2SCR586J FRG 3) V CE(sat) が低い V CE(sat) =-320mV(Max.).(I C /I B =-2A/-100mA)
RR1LAM4S : ダイオード
整流ダイオード RRLAM4S シリーズ 外形寸法図 (Unit : mm) 推奨ランドパターン (Unit : mm) Standard Rectifier 2.50±0.20 0.7± 0.0 0.05 2.0 ().4 用途 一般整流用 3.70±0.20 4.70±0.4 PMDTM 4.4 特長 (2) 回路図 カソード ) 低 V F.50±0.20 0.95±0.0 2) 高電流耐量
MCRシリーズ:抵抗器
角型チップ抵抗器 MCR シリーズ 特長 1) 超小型 42 サイズから6432 サイズまで フルラインアップ 2) 信頼性の高いメタルグレーズ系厚膜抵抗体を使用 3) 国際認証規格 ISO91/ISO/TS 16949 品名 (mm) サイズ (inch) 包装仕様記号 包装仕様 基本発注数量 (pcs) 車載対応 (AEC-Q2) MCR4 42 15 QLP 紙テープ (2mm ヒ ッチ )
RYM002N05 : トランジスタ
RYM002N05 Nch 50V 200mA Small Signal MOSFET Datasheet l 外形図 V DSS 50V SOT-723 R DS(on) (Max.) 2.2Ω SC-105AA I D ±200mA VMT3 P D 150mW l 特長 1) 高速スイッチングスピード 2) 小型パッケージ (VMT3) 3) 超低電圧駆動 (0.9V 駆動 ) l 内部回路図
uPC1093 DS
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
R8008ANJFRGTL : トランジスタ
R8008ANJ FRG Nch 800V 8A Power MOSFET Datasheet l 外形図 V DSS 800V TO-263S R DS(on) (Max.) 1.03Ω SC-83 I D ±8A LPT(S) P D 195W l 特長 l 内部回路図 1) 低オン抵抗 2) 高速スイッチングスピード 3) 駆動回路が簡単 4) 鉛フリー対応済み RoHS 準拠 5) AEC-Q101
BP35A7仕様書
BP35A7 仕様書 Version 1.3.0 1/15 注意事項 1 本仕様書に記載されている内容は本仕様書発行時点のものであり 予告なく変更することがあります 2 本仕様書に記載されている情報は 正確を期するために慎重に作成したものですが 誤りがないことを保証するものではありません 万一 本仕様書に記載されている情報の誤りに起因する損害がお客様に生じた場合におきましても 当社は 一切その責任を負いません
Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4011BP,TC4011BF,TC4011BFT TC4011BP/TC4011BF/TC4011BFT Quad 2 Input NAND Gate は 2 入力の正論理 NAND ゲートです これらのゲートの出力は すべてインバータによるバッファが付加されているため 入出力特性が改善され 負荷容量の増加による伝達時間の変動が最小限に抑えられます
RD2.0S~RD150S DS
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
2SC1213, 2SC1213A データシート
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東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4069UBP,TC4069UBF,TC4069UBFT TC4069UBP/TC4069UBF/TC4069UBFT Hex Inverter は 6 回路のインバータです 内部回路はシンプルな 1 段ゲート構成のため 本来のインバータの他に CR 発振回路 / 水晶発振回路 / リニアアンプ等の応用に適しています 1 段ゲート構成のため
TC4093BP/BF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4093BP, TC4093BF TC4093BP/TC4093BF Quad 2-Input NAND Schmitt Triggers は 全入力端子にシュミットトリガ機能をもった 4 回路の 2 入力 NAND ゲートです すなわち 入力波形の立ち上がり時と立ち下がり時に回路しきい値電圧が異なる ( P N ) のため 通常の NAND
Microsoft Word - TC4013BP_BF_J_P9_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4013BP,TC4013BF TC4013BP/TC4013BF Dual D-Type Flip Flop は 2 回路の独立な D タイプ フリップフロップです DATA 入力に加えられた入力レベルはクロックパルスの立ち上がりで Q および Q 出力に伝送されます SET 入力を H RESET 入力を L にすると Q 出力は H Q
絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度
3 端子正定電圧電源 概要 NJM7800 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ ICです 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形 TO-220F, TO-252 NJM7800FA
2SC458, 2SC2308 データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com) 年
Microsoft Word - TC4538BP_BF_J_2002_040917_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC438BP,TC438BF TC438BP/TC438BF Dual Precision Retriggerable/Resettable Monostable Multivibrator は リトリガ動作 リセット動作の可能な単安定マルチバイブレータでトリガは A B 2 つの入力により立ち上がり および立ち下がりのどちらでも行うこともできます
Microsoft Word - TA79L05_06_08_09_10_12_15_18_20_24F_J_P11_070219_.doc
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA79L05F,TA79L06F,TA79L08F,TA79L09F,TA79L10F, TA79L12F,TA79L15F,TA79L18F,TA79L20F,TA79L24F 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 三端子負出力固定定電圧電源 特長 TTL C 2 MOS の電源に最適です 外付け部品は不要です
Microsoft Word - TC4017BP_BF_J_P10_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4017BP,TC4017BF TC4017BP/TC4017BF Decade Counter/Divider は ステージの D タイプ フリップフロップより成る 進ジョンソンカウンタで 出力を 進数に変換するためのデコーダを内蔵しています CLOCK あるいは CLOCK INHIBIT 入力に印加されたカウントパルスの数により Q0~Q9
TC74HC00AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC00AP,TC74HC00AF Quad 2-Input NAND Gate TC74HC00A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 入力 NAND ゲートです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 内部回路はバッファ付きの 3 段構成であり 高い雑音余裕度と安定な出力が得られます
TTB1067B_J_
バイポーラトランジスタシリコン PNP エピタキシャル形 ( ダーリントン接続 ) 1. 用途 マイクロモータドライブ用 ハンマードライブ用 スイッチング用 電力増幅用 2. 特長 (1) 直流電流増幅率が高い : h FE = 2000 ( 最小 ) (V CE = -2 V, I C = -1 A) (2) コレクタエミッタ間飽和電圧が低い :V CE(sat) = -1.5 V ( 最大 )
2SC460, 2SC461 データシート
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NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10
端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,
NJM78M00 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78M00 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄
3 端子正定電圧電源 概要 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄広くご利用頂けます 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (500mA max.)
NJM78L00 3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さ
3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さくなり, さらに雑音特性も改良されています 外形 UA EA (5V,9V,12V のみ ) 特徴 過電流保護回路内蔵
CR02AM-8 データシート <TO-92>
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
TC74HC14AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC14AP,TC74HC14AF Hex Schmitt Inverter TC74HC14A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS シュミットトリガインバータです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます ピン接続 機能は TC74HCU04 と同じですが すべての入力は約
USER'S GUIDE
スイッチングレギュレータシリーズ 絶縁型フライバック DC/DC コンバータ BD7F200EFJLB 評価ボード (24V 15V, 0.15A 4ch) 評価ボードは 絶縁型フライバック DC/DC コンバータ IC の BD7F200EFJLB を使用して 24V の入力から 15V の 電圧 4ch を出力します 出力電流は最大 0.15A を供給します 性能仕様 これは代表値であり 特性を保証するものではありません
TRS3E65F_J_
SiC ショットキバリアダイオード 1. 用途 力率改善回路用 太陽光インバータ用 無停電電源用 DC-DCコンバータ用 2. 特長 (1) 2 世代チップデザイン (2) 大電流サージ耐量 : I FSM = 27 A ( 最大 ) (3) 接合容量が小さい : C j = 12 pf ( 標準 ) (4) リーク電流が小さい : I R = 0.2 µa ( 標準 ) 3. 外観と内部回路構成図
TA78L05,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA78L05F,TA78L06F,TA78L07F,TA78L08F,TA78L09F,TA78L10F, TA78L12F,TA78L15F,TA78L18F,TA78L20F,TA78L24F 5, 6, 7, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 3 端子正出力固定定電圧電源 特長 TTL, CMOS の電源に最適です
BHxxM0A シリーズ : パワーマネジメント
ポータブル用 CMOS LDO レギュレータシリーズ 300mA 大電流 CMOS LDO レギュレータ 概要 BHxxM0A シリーズは 300mA 出力の高性能 CMOS LDO です 回路電流 65uA と低消費でありながらノイズ特性に優れ ロジック IC 用電源 RF 用電源 カメラモジュール用電源など様々な用途のアプリケーションに適しています 特長 ±1%(
TA78L005,006,007,075,008,009,10,12,132,15,18,20,24AP
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA78L005AP,TA78L006AP,TA78L007AP,TA78L075AP,TA78L008AP, TA78L009AP,TA78L010AP,TA78L012AP,TA78L132AP,TA78L015AP, TA78L018AP,TA78L020AP,TA78L024AP 5, 6, 7, 7.5, 8, 9, 10, 12, 13.2,
電気工事用オートブレーカ・漏電遮断器 D,DGシリーズ
DISTRIBUTION D,DG D103D / 100 W K DG103D / 100-30MA W K D33D D53D D63D D103D 4,220 5,650 8,110 14,600 23,000 D123D 24,200 D153D 35,500 D203D D253D 43,000 D403D 89,200 D603D D32D D52D D62D D102D 210,000
Microsoft PowerPoint - m54583fp_j.ppt
M8FP 8-UNIT ma DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY 概要 M8FP は PNP トランジスタと NPN トランジスタで構成された 8 回路のコレクタ電流シンク形のダーリントントランジスタアレイであり 微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回路です ピン接続図 ( 上面図 ) NC IN IN NC 9 O 8 O IN O 特長 高耐圧 (BCEO ) 大電流駆動
NJM 端子負定電圧電源 概要 NJM7900 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を 1 チップ上に集積した負出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 用途はテレビ, ステレオ等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電
3 端子負定電圧電源 概要 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を 1 チップ上に集積した負出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 用途はテレビ, ステレオ等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄広くご利用頂けます 外形 FA 1. COMMON 2. IN 3. OUT 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵
BUxxTD3WG シリーズ : パワーマネジメント
ポータブル機器用 CMOS LDO レギュレータシリーズ汎用型パッケージ Full CMOS LDO レギュレータ BUxxTD3WG シリーズ 概要 BUxxTD3WG シリーズは 汎用型パッケージ SSOP5(2.9mm 2.8mm 1.25mm) に搭載した 2mA 出力の高性能 FULLCMOS レギュレータです 回路電流 35uA と低消費でありながらノイズ特性 負荷応答特性に優れ ロジック
