1.1nV/√Hz の低ノイズ、低消費電力、高精度 オペアンプ、小型 DFN-8 パッケージ datasheet (Rev. A)

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1 OPA2211 OPA2211 OPA2211 µ µ µ ± ± µ µ ± ± (nv/ Hz ) k 1k (Hz) 1k

2 (1) V S =(V+) (V ) 4 V (V ).5 (V+) +.5 V ±1 ma (2) (T A ) C (T A ) C (T J ) 2 C 3 V 1 V AI OPA2211AI (1) I DFN-8 (3mm 3mm) DRG OBDQ MSOP-8 DGK OBCQ SO-8 D ATIOPA 211 DFN-8 (3mm 3mm) DRG OBHQ SO-8 PowerPAD DDA ATIOPA 2211 DFN-8 (3mm 3mm) DRG OBDQ MSOP-8 DGK OBCQ SO-8 D TI OPA TI Web 2

3 SO-8 MSOP-8 NC (1) 1 8 NC (1) NC (1) 1 8 Shutdown (3) IN 2 7 V+ IN 2 7 V+ +IN V OUT NC (1) +IN V OUT NC (1) DFN-8 (3mm 3mm) OPA2211 DFN-8 (3mm 3mm) NC (1) 1 8 Shutdown (3) OUT A 1 8 V+ IN +IN V V+ OUT NC (1) IN A +IN A V A B OUT B IN B +IN B Pad (2) Pad (2) OPA2211 SO-8 PowerPAD OUT A 1 8 V+ IN A 2 A 7 OUT B +IN A 3 B 6 IN B V 4 5 +IN B Pad (2) 3

4 S = ± ± T A = +25 C R L = 1kΩ V CM = V OUT = AI, OPA2211AI I (1) MIN TYP MAX MIN TYP MAX V OS V S = ±15V ±3 ±125 ±2 ±5 µv OPA2211 V S = ±15V ±5 ±15 µv T A = 4 C +125 C dv OS /dt µv/ C PSRR V S = ±2.25V to ±18V µv/v T A = 4 C +125 C 3 3 µv/v I B V CM =V ±6 ±175 ±5 ±125 na T A = 4 C +125 C ±2 ±2 na OPA2211 ±25 na I OS V CM =V ±25 ±1 ±2 ±75 na T A = 4 C +125 C ±15 ±15 na e n f=.1hz to 1Hz 8 8 nv PP f=1hz 2 2 nv/ Hz f=1hz nv/ Hz f=1khz nv/ Hz I n f=1hz pa/ Hz f=1khz pa/ Hz V CM V S ±5V (V ) (V+) 1.4 (V ) (V+) 1.4 V V S < ±5V (V ) + 2 (V+) 1.4 (V ) + 2 (V+) 1.4 V T A = 4 C +125 C CMRR V S ±5V, (V ) + 2V V CM (V+) 2V db V S < ±5V, (V ) + 2V V CM (V+) 2V db 2k 8 2k 8 Ω pf Ω pf A OL (V ) +.2V V O (V+).2V, R L = 1kΩ T A = 4 C +125 C A OL (V ) +.6V V O (V+).6V, R L = 6Ω A OL (V ) +.6V V O (V+).6V, I O 15mA A OL (V ) +.6V V O (V+).6V, 15mA I O 3mA OPA2211 (per channel) A OL (V ) +.6V V O (V+).6V, I O 15mA db db db db 1 db GBW G = MHz G= MHz SR V/µs.1% t S V S = ±15V, G = 1, 1V Step, C L = 1pF 4 4 ns V S = ±15V, G = 1, 1V Step, C L = 1pF 7 7 ns G= ns THD+N G = +1, f=1khz, V O =3V RMS,R L = 6 Ω % db 4

5 S = ± ± T A = +25 C R L = 1kΩ V CM = V OUT = AI, OPA2211AI I (1) MIN TYP MAX MIN TYP MAX T A = 4 C +125 C V OUT R L = 1kΩ, A OL 114dB (V ) +.2 (V+).2 (V ) +.2 (V+).2 V R L = 6Ω, A OL 11dB (V ) +.6 (V+).6 (V ) +.6 (V+).6 V T A = 4 C +125 C I O < 15mA, A OL 11dB (V ) +.6 (V+).6 (V ) +.6 (V+).6 V I SC +3/ 45 +3/ 45 ma C LOAD pf Z O f=1mhz 5 5 Ω (2) (V+).35 (V+).35 V (V+) 3 (V+) 3 V 1 1 µa (3) 2 2 µs (3) 3 3 µs µa V S ±2.25 ±18 ±2.25 ±18 V I Q I OUT =A ma T A = 4 C +125 C (per channel) 6 6 ma T A C T A C SO-8 θ JA C/W MSOP-8 θ JA 2 2 C/W DFN-8 (3mm 3mm) (4) θ JA C/W θ JP 2 2 C/W OPA2211 SO-8 PowerPAD (4) θ JA C/W θ JP 2 2 C/W DFN-8 (3mm 3mm) (4) θ JA C/W θ JP 1 1 C/W θ 5

6 T A = +25 C V S = ± Ω 1 1 Hz) Hz) Voltage Noise Density (nv/ 1 Current Noise Density (pa/ k 1k Frequency (Hz) 1k k 1k Frequency (Hz) 1k 1 2 Total Harmonic Distortion + Noise (%) V S = ± 15V V OUT = 3VRMS Measurement BW = 8kHz G=1 R = 6Ω L G=11 R = 6Ω L G= 1 R = 5kΩ L k 1k 2k Frequency (Hz) Total Harmonic Distortion + Noise (db) Total Harmonic Distortion + Noise (%) G=11 V S = ± 15V G=1.1 R L = 6Ω 1kHz Signal Measurement BW = 8kHz Output Voltage Amplitude (V ) RMS G= Total Harmonic Distortion + Noise (db) 3 4 Total Harmonic Distortion + Noise (%) THD+N RATIO vs FREQUENCY V S = ± 15V V OUT = 3VRMS Measurement BW > 5kHz G=11 R = 6Ω L G=1 R = 6Ω L G= 1 R = 5kΩ L 1 1k 1k Frequency (Hz) 1k Total Harmonic Distortion + Noise (db) Channel Separation (db) CHANNEL SEPARATION vs FREQUENCY V S = ± 15V V IN = 3.5VRMS G=1 R = 2kΩ L R L = 5kΩ R = 6Ω L 1 1k 1k Frequency (Hz) 1k 5 6 6

7 ± Ω nV/div PSRR (db) PSRR PSRR k 1k 1k 1M 1M 1M (1s/div) Frequency (Hz) k 12 1k 1 CMRR (db) 8 6 Z ( Ω ) O k 1k 1M Frequency (Hz) 1M 1M k 1k 1k Frequency (Hz) 1M 1M 1M R = 1kΩ L Gain(dB) k Phase Gain 1k 1k 1M 1M Frequency (Hz) M Phase( ) (µv/v) Temperature ( C)

8 ± Ω Population Population Offset Voltage (µv) 13 Offset Voltage Drift(µV/ C) I B and I OS Bias Current (na) I B I B I OS V OS ( µ V) Ambient Temperature ( C) 15 2 (V )+1. (V )+1.5 (V )+2. (V+) 1.5 (V+) 1. (V+).5 V CM (V) V OS Shift (µv) I OS (na) Time (s) V S (±V)

9 ± Ω I OS (na) V S = 36V I (na) B I B +I B 4 6 Unit 1 Unit 2 Unit V CM (V) V S ( ± V) V S = 36V I B +I B Unit 1 Unit 2 4 I (na) B I (ma) Q Unit V CM (V) Temperature ( C) I (ma) Q I Shift (ma) Q V S (V) Time (s)

10 ± Ω I SC (ma) Temperature ( C) mV/div G= 1 C L = 1pF R I 64Ω C F 5.6pF R F 64Ω +18V 18V Time (.1µs/div) C L G= 1 C L = 1pF G=+1 R L = 6Ω C L = 1pF C F 5.6pF 2mV/div R I 64Ω R F 64Ω +18V 2mV/div +18V 18V R L C L 18V C L Time (.1µs/div) Time (.1µs/div) G=+1 R L = 6Ω C L = 1pF 6 5 G=+1 2mV/div +18V Overshoot (%) G= 1 G=1 18V R L C L 1 Time (.1µs/div) Capacitive Load (pf)

11 ± Ω G= 1 C L = 1pF R L = 6Ω R = Ω F G=+1 C L = 1pF R L = 6Ω 2V/div 2V/div R = 1Ω F Time (.5µ s/div) 31 Time (.5µ s/div) 32 (mv) (1V PP,C L = 1pF) Time (ns) Bit Settling ( ± 1/2 LSB = ±.75%) (mv) (1V PP,C L = 1pF) Bit Settling.2.2 ( 1/2 LSB =.75%) Time (ns) 34 (%) (mv) (1V PP,C L = 1pF) Time (ns) Bit Settling ( ± 1/2 LSB = ±.75%) (%) (mv) (1V PP,C L = 1pF) Time (ns) Bit Settling ( ± 1/2 LSB = ±.75%) (%) 11

12 ± Ω V IN G= 1 G= 1 1kΩ V 1kΩ V OUT V OUT 5V/div 1kΩ 1kΩ V OUT 5V/div V IN V IN V V OUT V IN Time (.5µ s/div) Time (.5µ s/div) C C +85 C Output V OUT (V) C +15 C C +125 C 5V/div +18V C Output 37V PP ( ± 18.5V) 18V I OUT (ma) 39.5ms/div Output Signal Shutdown Signal 5V/div 5 5V/div 5 Output Signal Shutdown Signal V S = ± 15V V S = ± 15V Time (2µ s/div) Time (2µ s/div)

13 ± Ω 2 15 Shutdown Signal Shutdown Pin Voltage (V) Output Output Voltage (V) 15 2 V S = ± 15V Time (1µ s/div) 43 13

14 µ ± ± R F Output Input R I V+ Pre-Output Driver OUT IN IN+ V

15 ± Ω Ω Ω Ω 1k Votlage Noise Spectral Density, E O 1k 1 1 R S E O OPA E O = en +(in R S) + 4kTRS 1 1 1k 1k 1k 1M Source Resistance, R S ( Ω)

16 R R 1 2 E O = 1+ R e + e R n 1 +e 2 +(ir) n 2 +e S +(i n R) S 1 1+ R 2 R 1 E O Where e S = 4kTR S 1+ R 2 = R S R 1 R S V S R e 2 1 = 4kTR 1 =R 1 R 1 e 2 = 4kTR = R2 R 2 R 1 2 E O = 1+ R 2 R + R 1 S e n + e1 +e 2 +(ir) n 2 +es RS E O Where e S = 4kTRS R 2 =R S R 1 + RS V S R e 2 1 = 4kTR1 R 1 + R =R 1 S e 2 = 4kTR2 =R2 1kHz, e n = 1.1nV/ Hz and i n = 1.7pA/ Hz 47. Ω 16

17 R 1 R 2 R Signal Gain = 1+ 2 R 1 R 3 V OUT SIG. GAIN 1 11 DIST. GAIN R 1 R 2 R Ω 1kΩ 1kΩ 1Ω 11Ω R Distortion Gain = 1+ 2 R1II R3 Generator Output Analyzer Input Audio Precision System Two (1) with PC Controller Load 48. R F +V S +V R I I D In +In Op-Amp Core ESD Current- Steering Diodes Edge-Triggered ESD Absorption Circuit Out R L V (1) IN V V S 49. (1) V IN =+V S + 5mV. 17

18 θ 18

19 19

20 Leadframe (Copper Alloy) IC (Silicon) Die Attach (Epoxy) Mold Compound (Plastic) Leadframe Die Pad Exposed at Base of the Package (Copper Alloy) (a) Cutaway View: DDA Package (SO-8) Thermal Pad Mold Compound (Plastic) Thermal Pad DRG Package (DFN-8) DDA Package (SO-8) Die (c) Bottom View T erminal Leadframe Die Attach (Epoxy) (Copper Alloy) Exposed at Base of Package (b) Cutaway View: DRG Package (DFN-8) 5. 2

21 Orderable Device Status (1) Package Type Package Drawing Pins Package Qty AID ACTIVE SOIC D 8 75 Green (RoHS & AIDG4 ACTIVE SOIC D 8 75 Green (RoHS & AIDGKR ACTIVE MSOP DGK 8 25 Green (RoHS & AIDGKRG4 ACTIVE MSOP DGK 8 25 Green (RoHS & AIDGKT ACTIVE MSOP DGK 8 25 Green (RoHS & AIDGKTG4 ACTIVE MSOP DGK 8 25 Green (RoHS & AIDR ACTIVE SOIC D 8 25 Green (RoHS & AIDRG4 ACTIVE SOIC D 8 25 Green (RoHS & AIDRGR ACTIVE SON DRG 8 1 Green (RoHS & AIDRGRG4 ACTIVE SON DRG 8 1 Green (RoHS & AIDRGT ACTIVE SON DRG 8 25 Green (RoHS & AIDRGTG4 ACTIVE SON DRG 8 25 Green (RoHS & ID ACTIVE SOIC D 8 75 Green (RoHS & IDGKR ACTIVE MSOP DGK 8 25 Green (RoHS & IDGKT ACTIVE MSOP DGK 8 25 Green (RoHS & IDR ACTIVE SOIC D 8 25 Green (RoHS & IDRGR ACTIVE SON DRG 8 1 Green (RoHS & IDRGT ACTIVE SON DRG 8 25 Green (RoHS & OPA2211AIDDA ACTIVE SO Power PAD OPA2211AIDDAR ACTIVE SO Power PAD DDA 8 75 Green (RoHS & DDA 8 25 Green (RoHS & OPA2211AIDRGR ACTIVE SON DRG 8 1 Green (RoHS & OPA2211AIDRGT ACTIVE SON DRG 8 25 Green (RoHS & Eco Plan (2) Lead/Ball Finish MSL Peak Temp (3) Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-1-26C-UNLIM Level-1-26C-UNLIM Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR 21

22 22

23 REEL DIMENSIONS TAPE DIMENSIONS K P1 Reel Diameter Cavity A B W A B K W P1 Dimension designed to accommodate the component width Dimension designed to accommodate the component length Dimension designed to accommodate the component thickness Overall width of the carrier tape Pitch between successive cavity centers Reel Width (W1) QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE Sprocket Holes Q1 Q2 Q1 Q2 Q3 Q4 Q3 Q4 User Direction of Feed Pocket Quadrants *All dimensions are nominal Device Package Type Package Drawing Pins SPQ Reel Reel Diameter Width (mm) W1 (mm) A (mm) B (mm) K (mm) P1 (mm) W (mm) Pin1 Quadrant AIDGKR MSOP DGK Q1 AIDGKT MSOP DGK Q1 AIDR SOIC D Q1 AIDRGR SON DRG Q2 AIDRGT SON DRG Q2 IDGKR MSOP DGK Q1 IDGKT MSOP DGK Q1 IDR SOIC D Q1 IDRGR SON DRG Q2 IDRGT SON DRG Q2 OPA2211AIDDAR SO Power PAD DDA Q1 OPA2211AIDRGR SON DRG Q2 OPA2211AIDRGT SON DRG Q2 23

24 *All dimensions are nominal Device Package Type Package Drawing Pins SPQ Length (mm) Width (mm) Height (mm) AIDGKR MSOP DGK AIDGKT MSOP DGK AIDR SOIC D AIDRGR SON DRG AIDRGT SON DRG IDGKR MSOP DGK IDGKT MSOP DGK IDR SOIC D IDRGR SON DRG IDRGT SON DRG OPA2211AIDDAR SO PowerPAD DDA OPA2211AIDRGR SON DRG OPA2211AIDRGT SON DRG

25 A. B. C. D. E. 25

26 A. B. C. D. 26

27 27

28 A. B. C. D. E. F. 28

29 A. B. C. D. E. 29

30 3

31 A. B. C. - - D. E. F. 31

32 A. B. C. D. E. (SBOS377G) 32

33 IMPORTANT NOTICE 21.11

34 PACKAGE MATERIALS INFORMATION 3-Aug-217 TAPE AND REEL INFORMATION *All dimensions are nominal Device Package Type Package Drawing Pins SPQ Reel Diameter (mm) Reel Width W1 (mm) A (mm) B (mm) K (mm) P1 (mm) W (mm) Pin1 Quadrant AIDGKR VSSOP DGK Q1 AIDGKT VSSOP DGK Q1 AIDR SOIC D Q1 AIDRGR SON DRG Q2 AIDRGT SON DRG Q2 IDGKR VSSOP DGK Q1 IDGKT VSSOP DGK Q1 IDR SOIC D Q1 IDRGR SON DRG Q2 IDRGT SON DRG Q2 OPA2211AIDDAR SO Power PAD DDA Q1 OPA2211AIDRGR SON DRG Q2 OPA2211AIDRGT SON DRG Q2 Pack Materials-Page 1

35 PACKAGE MATERIALS INFORMATION 3-Aug-217 *All dimensions are nominal Device Package Type Package Drawing Pins SPQ Length (mm) Width (mm) Height (mm) AIDGKR VSSOP DGK AIDGKT VSSOP DGK AIDR SOIC D AIDRGR SON DRG AIDRGT SON DRG IDGKR VSSOP DGK IDGKT VSSOP DGK IDR SOIC D IDRGR SON DRG IDRGT SON DRG OPA2211AIDDAR SO PowerPAD DDA OPA2211AIDRGR SON DRG OPA2211AIDRGT SON DRG Pack Materials-Page 2

36 重要なお知らせ Texas Instruments Incorporated (TI)は JESD46の最新版に従って自社の半導体製品およびサービスに訂正 拡張 改良 および その他の変更 を加える権利と JESD48の最新版に従って任意の製品またはサービスを打ち切る権利を留保します 購入者は発注を行う前に 最新の関連情報を取 得し それらの情報が最新かつ完全なものであることを確認する義務があります TIの半導体製品に関する公開済みの販売条項( TIが認定し 市場へリ リースしたパッケージ集積回路製品の販売に適用されます 他の種類のTI製品およびサービスの使用または販売については 追加条項が適用される 場合があります TIデータシートに記載されているTI情報の重要な部分の複製は その情報に一切の変更を加えることなく かつ その情報に関連するすべての保証 条件 制限 通知が付属する場合のみ許可されます このような複製文書について TIは一切の責任または義務を負いません 第三者の情報について は さらに別の制限が課される可能性があります TI製品またはサービスの再販において その製品またはサービスについてTIが規定したパラメータと 異なるか それを超える記述を付すことは不公正かつ欺瞞的な商慣習であり そのような場合 関連するTI製品またはサービスに関する明示的および 黙示的な保証のすべてが無効となります このような記述について TIは一切責任または義務を負いません 購入者 およびTI製品を組み込んだシステムを開発する他者(以下 設計者 と総称します)は 自らのアプリケーションの設計において 独自の分析 評価 判断を行う責任は設計者自身にあること および 設計者のアプリケーション(および 設計者のアプリケーションに使用されるすべてのTI製品)の 安全性 および該当するすべての規制 法 その他適用される要件の遵守を保証するすべての責任は設計者のみが負うことを理解し 同意するものと します 設計者は 自身のアプリケーションに関して (1) 危険な不具合から生じる結果を予期し (2) 不具合およびその結果を監視し また (3) 害を及 ぼす不具合の可能性を低減するため 保全策を策定および実施し かつ 適切な是正措置を講じるうえで必要な専門的知識を持つことを表明するもの とします 設計者は TI製品を含むいずれかのアプリケーションを使用または配布する前に そのアプリケーション および アプリケーションで使用され るTI製品の機能を完全にテストすることに同意するものとします TIの技術 アプリケーションまたはその他の設計に関する助言 品質特性 信頼性のデータ もしくは 他のサービスまたは情報は TI製品を組み込ん だアプリケーションを開発する設計者に役立つことを目的として提供するものです これにはリファレンス設計や 評価モジュールに関係する資料が含ま れますが これらに限られません 以下 これらを総称して TIリソース とします いかなる方法であっても TIリソースのいずれかをダウンロード アクセ ス または使用した場合 設計者(個人 または会社を代表している場合には設計者の会社)は TIリソースをここに記載された目的にのみ使用し この 注意事項の条項に従うことに同意したものとします TIによるTIリソースの提供は TI製品に対する該当の発行済み保証事項または免責事項を 拡張 またはどのような形でも変更するものではなく これら のTIリソースを提供することによって TIにはいかなる追加義務または責任も発生しません TIは 自社のTIリソースに訂正 拡張 改良 および その他 の変更を加える権利を留保します TIは 特定のTIリソース用に発行されたドキュメントで明示的に記載されている以外のテストを実行していません 設計者は 個別のTIリソースを そのTIリソースに記載されているTI製品を搭載したアプリケーションの開発に関連する目的でのみ 使用 複製 および 改変することが認められています 明示または黙示を問わず 禁反言の法理その他どのような理由でも 他のTIの知的所有権に対するその他のライセ ンスは与えられず ITまたはいかなる第三者のテクノロジまたは知的所有権についても いかなるライセンスも与えるものではありません これには TI 製品またはサービスが使用される組み合わせ 機械 またはプロセスに関連する特許権 著作権 回路配置利用権 その他の知的所有権が含まれま すが これらに限られません 第三者の製品やサービスに関する またはそれらを参照する情報は そのような製品またはサービスを利用するライセンス を構成するものではなく それらに対する保証または推奨を意味するものでもありません TIリソースを使用するため 第三者の特許または他の知的所 有権に基づく第三者からのライセンス もしくは TIの特許または他の知的所有権に基づくTIからのライセンスが必要な場合があります TIのリソースは それに含まれるあらゆる欠陥も含めて 現状のまま 提供されます TIは TIリソースまたはその使用に関して 明示か黙示かにかかわ らず 他のいかなる保証または表明も行いません これには 正確性または完全性 権原 続発性の障害に関する保証 ならびに 商品性 特定目的 への適合性 および 第三者の知的所有権の非侵害に対する黙示の保証が含まれますが これらに限られません TIは 設計者への弁護または補償 を行う義務はなく 行わないものとします これには 任意の製品の組み合わせに関する または それらに基づく侵害の請求も含まれますが これらに 限られず また その事実についてTIリソースまたはその他の場所に記載されているか否かを問わないものとします いかなる場合も TIリソースまたは その使用に関連して またはそれらにより発生した 実際 直接的 特別 付随的 間接的 懲罰的 偶発的 または 結果的な損害について そのよう な損害の可能性についてTIが知らされていたか否かにかかわらず TIは責任を負わないものとします TIが特定の業界標準(例えば ISO/TS 16949およびISO 26262を含む )の要求に適合していることを明示的に指定した個々の本製品でない限り TI は 業界標準の要求事項を満たしていなかったことについて いかなる責任も負いません TIが製品について 機能的安全性の促進 または業界の機能的安全性基準の遵守を特に推進している場合 そのような製品は お客様が該当の機能 的安全性基準および要件を満たすアプリケーションを自ら設計および製作するために役立てることを意図したものです アプリケーションにこれらの製 品を使用することのみで アプリケーションの安全性が確立されるものではありません 設計者は 自らのアプリケーションについて 該当する安全性関 連の要件および基準の遵守を保証する必要があります 設計者は 安全でないことが致命的となる医療機器にTI製品を使用してはいけません 但し 両当事者の権限のある役員間で かかる使用について具体的に規定した特別な契約が締結された場合はその限りではありません 安全でないことが 致命的となる医療機器とは かかる機器の不具合が重大な身体的障害又は死亡を引き起こすものを指し 生命維持装置 ペースメーカー 除細動器 心臓マッサージ機 神経刺激装置および移植医療機器を含みます かかる機器には米国の食品医薬品局(FDA)がクラスIIIに指定するもの また 米国 外で同等に分類されているものを含みますがこれらに限られません TIは 特定の本製品が特別な品質(Q1 軍需対応グレード品 機能強化製品を例とする )を満たしていることを明示的に指定することがあります 設 計者は 自らのアプリケーションに適した品質が確保された本製品を選択するために必要な専門的知識を持ち かつ 本製品の選択は設計者の責任 で行うことに同意するものとします 設計者は かかる選択に関連して 法規制で要求される事項を遵守する責任を単独で負うものとします 設計者は 自らがこのお知らせの条項および条件に従わなかったために発生した いかなる損害 コスト 損失 責任からも TIおよびその代表者を完 全に免責するものとします IMPORTANT NOTICE Copyright 218, Texas Instruments Incorporated 日本語版 日本テキサス インスツルメンツ株式会社

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