1 背景と目的 1.1 背景 プロセスばらつきが与える影響の増大 トランジスタ特性や配線構造が変動 LSI の動作速度が変動 タイミング検証の精度が低下 Sim OK LSI NG!! 2002 年電子情報通信学会ソサイエティ大会 JEITA, All rights reserved.

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ばらつきの計測と解析技術 7 年 月 日設計基盤開発部先端回路技術グループ中西甚吾 内容. はじめに. DMA(Device Matrix Array)-TEG. チップ間 チップ内ばらつきの比較. ばらつきの成分分離. 各ばらつき成分の解析. まとめ . はじめに 背景 スケーリングにともない さまざまなばらつきの現象が顕著化しており この先ますます設計困難化が予想される EDA ツール 回路方式

Microsoft PowerPoint - 集積回路工学(5)_ pptm

集積回路工学 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 松澤昭 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa (5MOS 論理回路の電気特性とスケーリング則 資料は松澤研のホームページ htt://c.e.titech.ac.j にあります 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa 2 インバータ回路 このようなインバータ回路をシミュレーションした 2009/0/4 集積回路工学

13 2 9

13 9 1 1.1 MOS ASIC 1.1..3.4.5.6.7 3 p 3.1 p 3. 4 MOS 4.1 MOS 4. p MOS 4.3 5 CMOS NAND NOR 5.1 5. CMOS 5.3 CMOS NAND 5.4 CMOS NOR 5.5 .1.1 伝導帯 E C 禁制帯 E g E g E v 価電子帯 図.1 半導体のエネルギー帯. 5 4 伝導帯 E C 伝導電子

インダクタンス起因ノイズのトレンドークロストークと di/dt ノイズ JEITA EDA 技術専門委員会 DMD 研究会ノイズフリーデザインタスクグループ 山縣暢英 ( ソニー ) 貝原光男 ( リコー ) 蜂屋孝太郎 (NEC) 小野信任 ( セイコーインスツルメンツ )

インダクタンス起因ノイズのトレンドークロストークと di/dt ノイズ JEITA EDA 技術専門委員会 DMD 研究会ノイズフリーデザインタスクグループ 山縣暢英 ( ソニー ) 貝原光男 ( リコー ) 蜂屋孝太郎 (NEC) 小野信任 ( セイコーインスツルメンツ ) 目次 活動目的と課題 ノイズの種類と影響 クロストークノイズのトレンド ダイナミック電源ノイズのトレンド まとめ 今後の課題

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt [互換モード]

1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

電子回路I_4.ppt

電子回路 Ⅰ 第 4 回 電子回路 Ⅰ 5 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 電界効果トランジスタ (FET) 基本構造 基本動作動作原理 静特性 電子回路 Ⅰ 5 2 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) ダイオード (2 端子素子 ) トランジスタ (3 端子素子 ) バイポーラトランジスタ (Biolar) 電界効果トランジスタ

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集積デバイス工学 (7 問題 追加課題 下のトランジスタが O する電圧範囲を求めよただし T, T - とする >6 問題 P 型 MOS トランジスタについて 正孔の実効移動度 μ.7[m/ s], ゲート長.[μm], ゲート幅 [μm] しきい値電圧 -., 単位面積あたりの酸化膜容量

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt

半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

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第 4 章 CMOS 論理回路 (1) CMOS インバータ 2008/11/18 広島大学岩田穆 1 抵抗負荷のインバータ V dd ( 正電源 ) R: 負荷抵抗 In Vin Out Vout n-mos 駆動トランジスタ グランド 2008/11/18 広島大学岩田穆 2 抵抗負荷のインバータ V gs I d Vds n-mos 駆動トランジスタ ドレイン電流 I d (n-mos) n-mosの特性

SPICE に頼らない回路設計入門 和田知久琉球大学 工学部 情報工学科教授 /10/18 琉球大学 情報工学科和田知久 1

SPICE に頼らない回路設計入門 和田知久琉球大学 工学部 情報工学科教授 wada@ie.u-ryukyu.ac.jp http://bw-www.ie.u-ryukyu.ac.jp/~wada/ 2001/10/18 琉球大学 情報工学科和田知久 1 Stanford 大学 Prof. Mark Horowitz シミュレーションを語る シミュレーションのルールはいくらか宗教的な話である 正しい

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ソフトエラー対策用 EDA ツールの開発 九州大学大学院システム情報科学研究院松永裕介 設計ツールとフローの構築 安浦チーム対象範囲 ディペンダビリティアナライザ アーキテクチャ設計 RTL 設計 論理設計 ディペンダビリティエンハンサ ディペンダビリティアナライザ ディペンダビリティエンハンサディペンダビリティアナライザ ディペンダビリティエンハンサ 評価 解析 評価指標 設計変更 評価 解析 評価指標

レベルシフト回路の作成

レベルシフト回路の解析 群馬大学工学部電気電子工学科通信処理システム工学第二研究室 96305033 黒岩伸幸 指導教官小林春夫助教授 1 ー発表内容ー 1. 研究の目的 2. レベルシフト回路の原理 3. レベルシフト回路の動作条件 4. レベルシフト回路のダイナミクスの解析 5. まとめ 2 1. 研究の目的 3 研究の目的 信号レベルを変換するレベルシフト回路の設計法を確立する このために 次の事を行う

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第 2 章集積回路のデバイス MOSトランジスタダイオード抵抗容量インダクタンス配線 広島大学岩田穆 1 半導体とは? 電気を通す鉄 アルミニウムなどの金属は導体 電気を通さないガラス ゴムなどは絶縁体 電気を通したり, 通さなかったり, 条件によって, 導体と絶縁体の両方の性質を持つことのできる物質を半導体半導体の代表例はシリコン 電気伝導率 広島大学岩田穆 2 半導体技術で扱っている大きさ 間の大きさ一般的な技術現在研究しているところナノメートル

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部 電気電子工学科 12/08/'10 半導体電子工学 Ⅱ 1 全体の内容 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 6 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 11/24/'10 2 10 月 13 日 pn 接合ダイオード (1) 3 10 月 20 日 4 10 月 27 日 5 11 月 10 日 pn 接合ダイオード (2) pn 接合ダイオード (3)

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6 章半導体メモリ 広島大学岩田穆 1 メモリの分類 リードライトメモリ : RWM リードとライトができる ( 同程度に高速 ) リードオンリメモリ : ROM 読み出し専用メモリ, ライトできない or ライトは非常に遅い ランダムアクセスメモリ : RAM 全番地を同時間でリードライトできる SRAM (Static Random Access Memory) 高速 DRAM (Dynamic

MOSFET 6-2 CMOS 6-2 TTL Transistor Transistor Logic ECL Emitter Coupled Logic I2L Integrated

1 -- 7 6 2011 11 1 6-1 MOSFET 6-2 CMOS 6-2 TTL Transistor Transistor Logic ECL Emitter Coupled Logic I2L Integrated Injection Logic 6-3 CMOS CMOS NAND NOR CMOS 6-4 6-5 6-1 6-2 CMOS 6-3 6-4 6-5 c 2011 1/(33)

電子回路I_6.ppt

電子回路 Ⅰ 第 6 回 電子回路 Ⅰ 7 講義内容. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ). 基本回路 3. 増幅回路 バイポーラトランジスタの パラメータと小信号等価回路 二端子対回路 パラメータ 小信号等価回路 FET(MOFET) の基本増幅回路と等価回路 MOFET の基本増幅回路 MOFET の小信号等価回路 電子回路 Ⅰ 7 増幅回路の入出力インピーダンス 増幅度 ( 利得 )

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集積回路工学 東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻 集積回路工学 1 レイアウトの作業 トランジスタの形状と位置を決定 トランジスタ間を結ぶ配線の経路を決定 製造工程の製造精度に対し 十分な余裕を持った設計ー > デザインルール チップ面積の最小化 遅延の最小化 消費電力の最小化 仕様設計 Schematic の作成 / 修正 Simulation DRC/LVS OK? OK? LPE/Simulation

電子回路I_8.ppt

電子回路 Ⅰ 第 8 回 電子回路 Ⅰ 9 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 小信号増幅回路 (1) 結合増幅回路 電子回路 Ⅰ 9 2 増幅の原理 増幅度 ( 利得 ) 信号源 増幅回路 負荷 電源 電子回路 Ⅰ 9 3 増幅度と利得 ii io vi 増幅回路 vo 増幅度 v P o o o A v =,Ai =,Ap = = vi

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9 章 CMOS アナログ基本回路 1 デジタル情報とアナログ情報 アナログ情報 大きさ デジタル信号アナログ信号 デジタル情報 時間 情報処理システムにおけるアナログ技術 通信 ネットワークの高度化 無線通信, 高速ネットワーク, 光通信 ヒューマンインタフェース高度化 人間の視覚, 聴覚, 感性にせまる 脳型コンピュータの実現 テ シ タルコンヒ ュータと相補的な情報処理 省エネルギーなシステム

3.5 トランジスタ基本増幅回路 ベース接地基本増幅回路 C 1 C n n 2 R E p v V 2 v R E p 1 v EE 0 VCC 結合コンデンサ ベース接地基本増幅回路 V EE =0, V CC =0として交流分の回路 (C 1, C 2 により短絡 ) トランジスタ

3.4 の特性を表す諸量 入力 i 2 出力 負荷抵抗 4 端子 (2 端子対 ) 回路としての の動作量 (i) 入力インピーダンス : Z i = (ii) 電圧利得 : A v = (iii) 電流利得 : A i = (iv) 電力利得 : A p = i 2 v2 i 2 i 2 =i 2 (v) 出力インピーダンス : Z o = i 2 = 0 i 2 入力 出力 出力インピーダンスの求め方

Acrobat Distiller, Job 2

2 3 4 5 Eg φm s M f 2 qv ( q qφ ) = qφ qχ + + qφ 0 0 = 6 p p ( Ei E f ) kt = n e i Q SC = qn W A n p ( E f Ei ) kt = n e i 7 8 2 d φ( x) qn = A 2 dx ε ε 0 s φ qn s 2ε ε A ( x) = ( x W ) 2 0 E s A 2 EOX

MOSFET HiSIM HiSIM2 1

MOSFET 2007 11 19 HiSIM HiSIM2 1 p/n Junction Shockley - - on-quasi-static - - - Y- HiSIM2 2 Wilson E f E c E g E v Bandgap: E g Fermi Level: E f HiSIM2 3 a Si 1s 2s 2p 3s 3p HiSIM2 4 Fermi-Dirac Distribution

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学５.ppt

MO プロセスフロー ( 復習 集積デバイス工学 ( の構成要素 ( 抵抗と容量 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 6 7 センター藤野毅 MO 領域 MO 領域 MO プロセスフロー ( 復習 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 i 膜 ウエルポリシリコン + 拡散 + 拡散コンタクト

CMOSアナログ/ディジタルIC設計の基礎

9 序章 CMOS アナログ回路を SPICE を使って設計しよう 本書がターゲットとしている読者は, 一つには半導体の会社でCMOS アナログ IC/LSI の設計にこれから携わろうとしている方々です. また一つには, 同じく半導体の会社で, アナログ設計者と密にコミュニケーションをとることが必要な部署, たとえばプロセス, モデリング, 品質保証, テスト, プロダクト, アプリケーションそしてマーケティングなどに携わっている人たちにも読んでいただきたいと思っています.

Microsoft PowerPoint - 4.1I-V特性.pptx

4.1 I-V 特性 MOSFET 特性とモデル 1 物理レベルの設計 第 3 章までに システム~ トランジスタレベルまでの設計の概要を学んだが 製造するためには さらに物理的パラメータ ( 寸法など ) が必要 物理的パラメータの決定には トランジスタの特性を理解する必要がある ゲート内の配線の太さ = 最小加工寸法 物理的パラメータの例 電源配線の太さ = 電源ラインに接続されるゲート数 (

Microsoft PowerPoint - 6.1動作速度BL.pptx

6.1 動作速度 遅延の原因と解析 6.1.1 寄生素子の回路への影響 2 3 回路と寄生素子 1 レイアウトに起因する寄生素子のモデル化 Vi Vo V2 R Vi Vo V2 Vi V2 Vo Rl l Rpoly Rpoly Rpoly Rpoly Rs Rs Rs Rs Rd Rd Rd Rd db db db db sb sb sb sb gs gs gs gs gd gd gd gd gb

RMS(Root Mean Square value 実効値 ) 実効値は AC の電圧と電流両方の値を規定する 最も一般的で便利な値です AC 波形の実効値はその波形から得られる パワーのレベルを示すものであり AC 信号の最も重要な属性となります 実効値の計算は AC の電流波形と それによって

入門書 最近の数多くの AC 電源アプリケーションに伴う複雑な電流 / 電圧波形のため さまざまな測定上の課題が発生しています このような問題に対処する場合 基本的な測定 使用される用語 それらの関係について理解することが重要になります このアプリケーションノートではパワー測定の基本的な考え方やパワー測定において重要な 以下の用語の明確に定義します RMS(Root Mean Square value

NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10

端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,

Microsoft Word - sp8m4-j.doc

4V 駆動タイプ Nch+Pch MOS FET 構造シリコン N チャネル / P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ 外形寸法図 (Unit : mm) SOP8 5..4.75 (8) (5) 特長 ) 新ライン採用により 従来品よりオン抵抗大幅低減 2) ゲート保護ダイオード内蔵 3) 小型面実装パッケージ (SOP8) で省スペース pin mark () (4).27 3.9 6..2.4Min.

名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET

1 1. 適用 本は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET パワーモジュール BSM180D12P2C101 に直接実装できる形状で SiC-MOSFET のゲート駆動回路と DC-DC コンバータを 1 ユニット化したものです SiC-MOSFET

600 V系スーパージャンクション パワーMOSFET TO-247-4Lパッケージのシミュレーションによる解析

[17.7 White Paper] 6 V 系スーパージャンクションパワー MOSFET TO-247-4L パッケージのシミュレーションによる解析 MOSFET チップの高速スイッチング性能をより引き出すことができる 4 ピン新パッケージ TO-247-4L 背景 耐圧が 6V 以上の High Voltage(HV) パワー半導体ではオン抵抗と耐圧のトレードオフの改善を行うためスーパージャンクション

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 09/01/21 半導体電子工学 II 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 1 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 2 10 月 8 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 3 10 月 15 日 pn 接合ダイオード (1) 4 10 月 22 日 pn 接合ダイオード (2) 5 10 月 29 日 pn 接合ダイオード

( ) : 1997

( ) 2008 2 17 : 1997 CMOS FET AD-DA All Rights Reserved (c) Yoichi OKABE 2000-present. [ HTML ] [ PDF ] [ ] [ Web ] [ ] [ HTML ] [ PDF ] 1 1 4 1.1..................................... 4 1.2..................................

Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4011BP,TC4011BF,TC4011BFT TC4011BP/TC4011BF/TC4011BFT Quad 2 Input NAND Gate は 2 入力の正論理 NAND ゲートです これらのゲートの出力は すべてインバータによるバッファが付加されているため 入出力特性が改善され 負荷容量の増加による伝達時間の変動が最小限に抑えられます

- 2 Copyright (C) 2006. All Rights Reserved.

- 2 Copyright (C) 2006. All Rights Reserved. 2-3 Copyright (C) 2006. All Rights Reserved. 70-4 Copyright (C) 2006. All Rights Reserved. ...1...3...7...8 1...9...14...16 2...18...20...21 3...22...23...23...24

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情報デバイス特論演習設計ルール 実際に集積回路の設計を体験する 想定プロセス : μm CMOS 電源電圧 : 5V 本設計ルールは P. E. Allen and D. R. Holberg, CMOS Analog Circuit Design, Second Edition, 2002, Oxford University Press 及び VDEC( 東京大学大規模集積回路教育センタ ) を参考に教育用として作成したものであり

CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C CMOS リニアイメージセンサ S 等用 C は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C と PCを接続

CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C13015-01 CMOS リニアイメージセンサ S11639-01 等用 C13015-01は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S11639-01 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C13015-01と PCを接続することにより PCからC13015-01 を制御して センサのアナログビデオ信号を 16-bitデジタル出力に変換した数値データを

高周波動作 （小信号モデル）

平成 9 年度集積回路設計技術 次世代集積回路工学特論資料 高周波動作 小信号モデル 群馬大学松田順一 概要 完全 QS モデル 等価回路の導出 容量評価 - パラメータモデル NQSNon-Qua-Sac モデル NQS モデルの導出 NQS 高周波用 等価回路 RF アプリケーションへの考察 注 以下の本を参考に 本資料を作成 Yann T Operaon an Moeln of he MOS

トランジスタ回路の解析 ( 直流電源 + 交流電源 ) 交流回路 ( 小 ) 信号 直流回路 ( バイアス計算 ) 動作点 ( 増幅度の計算 ) 直流等価回路 ダイオードモデル (pnp/npn) 交流 ( 小信号 ) 等価回路 T 形等価回路 トランジスタには直流等価回路と交流等価回路がある

トランジスタ回路の解析 ( 直流電源 + 交流電源 ) 交流回路 ( 小 ) 信号 直流回路 ( バイアス計算 ) 動作点 ( 増幅度の計算 ) 直流等価回路 ダイオードモデル (pnp/npn) 交流 ( 小信号 ) 等価回路 T 形等価回路 トランジスタには直流等価回路と交流等価回路がある 2.6 トランジスタの等価回路 2.6.1 トランジスタの直流等価回路 V I I D 1 D 2 α 0

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Shibaura Institute of Technology EDS Fair 2011 国際学会の技術トレンドを読み解く ~ 過去 現在 未来 ~ 低消費電力設計 芝浦工業大学工学部情報工学科 宇佐美公良 低消費電力技術の論文発表件数の推移 論文発表件数 20 18 16 14 12 10 8 6 4 2 0 2007 2008 2009 2010 2011 年 ASP-DAC DAC ICCAD

基本的なノイズ発生メカニズムとその対策 電源 GND バウンス CMOS デジタル回路におけるスイッチング動作に伴い 駆動 MOS トランジスタのソース / ドレインに過渡的な充放電電流 及び貫通電流が生じます これが電源 GND に流れ込む際 配線の抵抗成分 及びインダクタンス成分によって電源電圧

デジアナ混載 IC ミックスド シグナル IC 設計の留意点 2005 年 5 月初版 2010 年 10 月改訂作成 : アナロジスト社森本浩之 まえがきデジタル アナログ混載 IC の回路本来の実力を引き出すためにはアナログ回路とデジタ ル回路の不要な干渉を抑える必要があり ノウハウを要します ですが十分な理解と注意の元で設 計を行えばさほど混載を恐れる必要もありません 用語 IP: Intellectual

研修コーナー

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HA17458シリーズ　データシート

お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

パーキンソン病治療ガイドライン2002

NJM78L00 3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さ

3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さくなり, さらに雑音特性も改良されています 外形 UA EA (5V,9V,12V のみ ) 特徴 過電流保護回路内蔵

SICE東北支部研究集会資料(2014年)

計測自動制御学会東北支部第 291 回研究集会 (2014 年 10 月 23 日 ) 資料番号 291-12 断熱回路技術を用いた 低消費デジタル PWM 制御回路の設計 Design of low-power digital PWM circuit with adiabatic dynamic CMOS logic 鈴木暖 ( 山形大学 ), 阿部啄也 ( 山形大学 ), 澤田直樹 ( 山形大学

光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE

外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LED 駆動回路 および信号処理回路などが集積化されています 外部に赤外 LEDを接続することによって 外乱光の影響の少ない光同期検出型のフォトリフレクタやフォトインタラプタが簡単に構成できます 独自の回路設計により 外乱光許容照度が10000

MTM13227

シリコン N チャネル MOSFET スイッチング回路用 Unit: mm 特長 低ドレイン ソース間オン抵抗 :RDS(on) typ. = 85 mω (VGS = 4. V) 低電圧駆動 : 2.5 V 駆動 ハロゲンフリー 鉛フリー対応パッケージ (EU RoHS / UL-94 V- / MSL:Level 適合 ) 形名表示記号 : ET 包装仕様 エンボスタイプ ( 熱圧着方式 ) :

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STRJ WS: March 9, 2006, 0.35µm 0.8µm 0.3µm STRJ WS: March 9, 2006, 2 0.35µm Lot-to-Lot, Wafer-to-Wafer, Die-to-Die(D2D) D2D 0.8µm (WID: Within Die) D2D vs. WID 0.3µm D2Dvs. WID STRJ WS: March 9, 2006,

Microsoft PowerPoint _DT_Power calculation method_Rev_0_0_J.pptx

Fuji Power MOSFE 電力計算方法 Design ool Cher. 概要 MOSFE を使用する上で許容される損失を超えていないか確認する必要があります しかし MOSFE の損失は電力計などによる測定ができないため オシロスコープなどによりドレイン ソース間電圧 ドレイン電流 D 波形から計算しなくてはなりません 本資料では MOSFE の損失計算方法を提示します また付属として損失計算補助ツールの使用方法も併せて提示します

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DC~1 Mbps 光リンク用送受信フォト IC は 光ファイバ通信用トランシーバ (FOT) として プラスチック光ファイバ (POF)1 本で半 2 重通信が可能な送受信フォト ICです POFを用いた光ファイバ通信は ノイズの影響を受けない 高いセキュリティをもつ 軽量といった特長があります は送信部と受信部の光軸が同一なため 1 本のPOFで光信号の送信 受信が可能です POF 通信に最適な500

統合的高信頼化設計のためのモデル化と検出 訂正 回復技術 研究代表者安浦寛人九州大学大学院システム情報科学研究院 DVLSI 領域会議 (2011/7/2) DVLSI 安浦チーム 1 研究の目標 さまざまな種類のエラー ( 製造故障 ソフトエラー タイミングエラー 設計誤り 不完全な仕様に基づく誤

統合的高信頼化設計のためのモデル化と検出 訂正 回復技術 研究代表者安浦寛人九州大学大学院システム情報科学研究院 研究の目標 さまざまな種類のエラー ( 製造故障 ソフトエラー タイミングエラー 設計誤り 不完全な仕様に基づく誤り 悪意のある攻撃など ) に対して 統一的な視点からディジタルLSIシステムのディペンダビリティを確保するための設計技術の確立を目指す ディペンダビリティの解析と対策回路の合成を行うEA

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パワーインダクタ および高誘電率系チップ積層セラミックコンデンサの動的モデルについて 1 v1.01 2015/6 24 August 2015 パワーインダクタの動的モデルについて 2 24 August 2015 24 August 2015 動的モデルの必要性 Q. なぜ動的モデルが必要なのか? A. 静的モデルでは リアルタイムに変化するインダクタンスを反映したシミュレーション結果が得られないから

(3) E-I 特性の傾きが出力コンダクタンス である 添え字 は utput( 出力 ) を意味する (4) E-BE 特性の傾きが電圧帰還率 r である 添え字 r は rrs( 逆 ) を表す 定数の値は, トランジスタの種類によって異なるばかりでなく, 同一のトランジスタでも,I, E, 周

トランジスタ増幅回路設計入門 pyrgt y Km Ksaka 005..06. 等価回路についてトランジスタの動作は図 のように非線形なので, その動作を簡単な数式で表すことができない しかし, アナログ信号を扱う回路では, 特性グラフのの直線部分に動作点を置くので線形のパラメータにより, その動作を簡単な数式 ( 一次式 ) で表すことができる 図. パラメータトランジスタの各静特性の直線部分の傾きを数値として特性を表したものが

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( 第 8 回 ) 鹿間信介摂南大学理工学部電気電子工学科 論理記号 5. 論理機能記号と論理記号 5.. 論理機能記号 5..2 論理記号 5..4 ダイオードによるゲート回路 5..3 論理回路の結線と論理ゲートの入出力特性 (DTL & TTL) 演習 頻度 中間試験結果 35 3 25 2 5 5 最小 3 最大 (6 名 ) 平均 74. 6 以上 86 人 (76%) 6 未満 27 人

PowerPoint プレゼンテーション

平成 17 年度前期大学院 情報デバイス工学特論 第 9 回 中里和郎 基本 CMOS アナログ回路 (2) 今回の講義内容は 谷口研二 :LS 設計者のための CMOS アナログ回路入門 CQ 出版 2005 の第 6 章ー 9 章 (pp. 99-158) の内容に従っている 講義では谷口先生のプレゼンテーション資料も使用 ソース接地増幅回路の入力許容範囲 V B M 2 M 1 M 2 V in

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概要 ELM7HH は低ドロップアウト正電圧 (LDO) レギュレータで 固定出力電圧型 (ELM7HH-xx) と可変出力型 (ELM7HH) があります この IC は 過電流保護回路とサーマルシャットダウンを内蔵し 負荷電流が.0A 時のドロップアウト電圧は.V です 出力電圧は固定出力電圧型が.V.8V.5V.V 可変出力電圧型が.5V ~ 4.6V となります 特長 出力電圧 ( 固定 )

絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度

3 端子正定電圧電源 概要 NJM7800 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ ICです 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形 TO-220F, TO-252 NJM7800FA

NJM78M00 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78M00 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄

3 端子正定電圧電源 概要 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄広くご利用頂けます 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (500mA max.)

α α α α α α

α α α α α α 映像情報メディア学会誌 Vol. 71, No. 10 2017 図 1 レーザビーム方式 図 3 PLAS の断面構造 図 3 に PLAS の断面構造を示す PLAS はゲート電極上の チャネル部の部分的な領域のみをフォトマスクとエッチン グなしに結晶化することが可能である 従来のラインビー ム装置はゲート電極上 テーパー上 ガラス上などの表面 の結晶性制御の課題がある

TO: Katie Magee

アプリケーション ノート AN-1053 ip1201 または ip1202 を搭載した回路の電源起動法 David Jauregui, International Rectifier 目次項 1 はじめに...2 2 電源起動法...2 2.1 シーケンシャルな立ち上げ...3 2.2 比例関係を保った立ち上げ...3 2.3 同時立ち上げ...4 3 結論...6 多くの高性能な DSP( デジタル

日本内科学会雑誌第102巻第4号

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M8FP 8-UNIT ma DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY 概要 M8FP は PNP トランジスタと NPN トランジスタで構成された 8 回路のコレクタ電流シンク形のダーリントントランジスタアレイであり 微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回路です ピン接続図 ( 上面図 ) NC IN IN NC 9 O 8 O IN O 特長 高耐圧 (BCEO ) 大電流駆動

スライド 1

第 47 回集積回路技術リテラシー研究会 2017/10/2 トリガ回路を用いた 積分型時間デジタイザ回路 佐々木優斗 小澤祐喜 小林春夫 群馬大学理工学部電子情報理工学科小林研究室学部 4 年佐々木優斗 t14304053@gunma-u.ac.jp @ 東京工業大学すずかけ台キャンパス Kobayashi Lab. Gunma University アウトライン 2/36 研究背景 従来の時間デジタイザ回路

【NanotechJapan Bulletin】10-9　INNOVATIONの最先端＜第4回＞

企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 Life & Green Nanotechnology が培う新技術 < 第 4 回 > プリンテッドエレクトロニクス時代実現に向けた材料 プロセス基盤技術の開拓 NEDO プロジェクトプロジェクトリーダー東京 学教授染 隆夫 に聞く 図6 ４ ３ 解像度を変えた TFT アレイによる電子ペーパー 提供 凸版印刷 株 大面積圧力センサの開発

リスク分析・シミュレーション

はじめての Crystal Ball 操作マニュアル編 株式会社構造計画研究所 164-0012 東京都中野区中央 4-5-3 TEL:03-5342-1090 Copyright 2012 KOZO KEIKAKU ENGINEERING Inc. All Rights Reserved. はじめに 本マニュアルは 初めて Crystal Ball を操作する方向けに作成された入門マニュアルです

CMOS RF 回路（アーキテクチャ）とサンプリング回路の研究

CMOS RF 回路 ( アーキテクチャ ) と サンプリング回路の研究 群馬大学工学部電気電子工学科通信処理システム工学第二研究室 974516 滝上征弥 指導教官小林春夫教授 発表内容 1.CMOS RF 回路 (a) 復調部アーキテクチャ (b) VCO 回路 ( 発振器 ) 2. サンプリング回路 (a) オシロスコープ トリガ回路 (b) CMOS コンパレータ回路 目的 無線通信システムの

LOS Detection Comparison in Optical Receiver

Design Note: HFDN-34.0 Rev. 1; 04/08 MAX3991 を使用した 10Gbps 光レシーバでの正確なロスオブシグナル (LOS) 検出 AAILABLE MAX3991 を使用した 10Gbps 光レシーバでの正確なロスオブシグナル (LOS) 検出 1 はじめに ロスオブシグナル (LOS) のモニタは 10Gbps XFP 光モジュールでシステムのディジタル診断を行う場合に必要となります

アナログ回路 I 参考資料 版 LTspice を用いたアナログ回路 I の再現 第 2 回目の内容 電通大 先進理工 坂本克好 [ 目的と内容について ] この文章の目的は 電気通信大学 先進理工学科におけるアナログ回路 I の第二回目の実験内容について LTspice を用

アナログ回路 I 参考資料 2014.04.27 版 LTspice を用いたアナログ回路 I の再現 第 2 回目の内容 電通大 先進理工 坂本克好 [ 目的と内容について ] この文章の目的は 電気通信大学 先進理工学科におけるアナログ回路 I の第二回目の実験内容について LTspice を用いて再現することである 従って LTspice の使用方法などの詳細は 各自で調査する必要があります

New Drive The Next The FRENIC-Ace is the inverter that produces excellent cost-performance; maintains high performance through optimal design. In this

New Drive The Next The FRENIC-Ace is the inverter that produces excellent cost-performance; maintains high performance through optimal design. In this way, it can be applied to various machines and devices.

untitled

MOSFET 17 1 MOSFET.1 MOS.1.1 MOS.1. MOS.1.3 MOS 4.1.4 8.1.5 9. MOSFET..1 1.. 13..3 18..4 18..5 0..6 1.3 MOSFET.3.1.3. Poon & Yau 3.3.3 LDD MOSFET 5 3.1 3.1.1 6 3.1. 6 3. p MOSFET 3..1 8 3.. 31 3..3 36

Probit , Mixed logit

Probit, Mixed logit 2016/5/16 スタートアップゼミ #5 B4 後藤祥孝 1 0. 目次 Probit モデルについて 1. モデル概要 2. 定式化と理解 3. 推定 Mixed logit モデルについて 4. モデル概要 5. 定式化と理解 6. 推定 2 1.Probit 概要 プロビットモデルとは. 効用関数の誤差項に多変量正規分布を仮定したもの. 誤差項には様々な要因が存在するため,

相続支払い対策ポイント

150423HC相続資産圧縮対策のポイント

NJW V 単相 DC ブラシレスモータドライバ 概要 NJW4320 は 24Vファンモータ用の単相 DCブラシレスモータドライバICです PWMソフトスイッチング方式を採用し 高効率でモータ駆動時の静音化が実現できます ロック保護回路 過電流検出回路 サーマルシャットダウン (TSD

2V 単相 DC ブラシレスモータドライバ 概要 は 2Vファンモータ用の単相 DCブラシレスモータドライバICです PWMソフトスイッチング方式を採用し 高効率でモータ駆動時の静音化が実現できます ロック保護回路 過電流検出回路 サーマルシャットダウン (TSD) 回路を内蔵し 安全性を高めています 回転数コントロールは 外部からの PWM 入力信号に対応しています 外形 V 特長 電源電圧範囲

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

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弱反転領域の電荷

平成 6 年度集積回路設計技術 次世代集積回路工学特論資料 微細化による特性への影響 松田順一 本資料は 以下の本をベースに作られている Yanni ivii, Operaion an Moeing of he MOS ranior Secon Eiion,McGraw-Hi, New York, 999. 概要 チャネル長変調 短チャネルデバイス 短チャネル効果 電荷配分 ドレイン ~ ソース電圧の効果

NJU72501 チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 NJU72501はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3V 入力から 18Vppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更すること

チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3 入力から 18ppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更することができます また シャットダウン機能を備えており 入力信号を検出し無信号入力時には内部回路を停止することでバッテリーの長寿命化に貢献します

暫定資料 東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC TLP250 TLP250 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm TLP250 は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光

暫定資料 東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光チップを組み合せた 8PIN DIP のフォトカプラです は IGBT およびパワー MOS FET のゲート駆動用に適しています 入力しきい値電流

Microsoft Word - N-TM307取扱説明書.doc

Page 1 of 12 2CHGATEANDDELAYGENERATORTYPE2 N-TM307 取扱説明書 初版発行 2015 年 10 月 05 日 最新改定 2015 年 10 月 05 日 バージョン 1.00 株式会社 テクノランドコーポレーション 190-1212 東京都西多摩郡瑞穂町殿ヶ谷 902-1 電話 :042-557-7760 FAX:042-557-7727 E-mail:info@tcnland.co.jp

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MATLAB/Simulink を使用したモータ制御アプリのモデルベース開発事例 ルネサスエレクトロニクス株式会社 第二ソリューション事業本部産業第一事業部家電ソリューション部 Rev. 1.00 2014 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved. IAAS-AA-14-0202-1 目次 1. はじめに 1.1 モデルベース開発とは?

第 5 章復調回路 古橋武 5.1 組み立て 5.2 理論 ダイオードの特性と復調波形 バイアス回路と復調波形 復調回路 (II) 5.3 倍電圧検波回路 倍電圧検波回路 (I) バイアス回路付き倍電圧検波回路 本稿の Web ページ ht

第 章復調回路 古橋武.1 組み立て.2 理論.2.1 ダイオードの特性と復調波形.2.2 バイアス回路と復調波形.2.3 復調回路 (II).3 倍電圧検波回路.3.1 倍電圧検波回路 (I).3.2 バイアス回路付き倍電圧検波回路 本稿の Web ページ http://mybook-pub-site.sakura.ne.jp/radio_note/index.html 1 C 4 C 4 C 6

健康保険組合のあゆみ_top

(1912) (1951) 2,00024,000 (1954) (1958) (1962) (1965) (1968) (1969) (1971) (1972) (1973) (1974) (1976) (1978) (1980) (1982) (1983) (1984) (1985) (1987) (1988) (1989) (1990) (1991) (1992) (1994) (1995)

FC8V2215

ゲート抵抗内蔵デュアル N チャネル MOSFET リチウムイオン 2 次電池保護回路用 2.9 Unit: mm 0.3 0. 特長 低ドレイン ソース間オン抵抗 :Rds(on)typ. = 9.0 m (VGS = 4. V) ゲート抵抗内蔵 ハロゲンフリー 鉛フリー対応パッケージ (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 適合 ) 2.4 2. 形名表示記号 : 3

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フィードバック ~ 様々な電子回路の性質 ~ 実験 (1) 目的実験 (1) では 非反転増幅器の増幅率や位相差が 回路を構成する抵抗値や入力信号の周波数によってどのように変わるのかを調べる 実験方法 図 1 のような自由振動回路を組み オペアンプの + 入力端子を接地したときの出力電圧 が 0 となるように半固定抵抗器を調整する ( ゼロ点調整のため ) 図 1 非反転増幅器 2010 年度版物理工学実験法

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パワーエレクトロニクス 第三回パワー半導体デバイス 平成 30 年 4 月 25 日 授業の予定 シラバスより パワーエレクトロニクス緒論 パワーエレクトロニクスにおける基礎理論 パワー半導体デバイス (2 回 ) 整流回路 (2 回 ) 整流回路の交流側特性と他励式インバータ 交流電力制御とサイクロコンバータ 直流チョッパ DC-DC コンバータと共振形コンバータ 自励式インバータ (2 回 )

Jan/25/2019 errata_c17m11_10 S1C17 マニュアル正誤表 項目 リセット保持時間 対象マニュアル発行 No. 項目ページ S1C17M10 テクニカルマニュアル システムリセットコントローラ (SRC) 特性 19-3 S1C17M20/M

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8-UNIT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE 概要 は PNP トランジスタと NPN トランジスタで構成された 8 回路の出力ソース形ダーリントントランジスタアレイであり 微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回路です ピン接続図 ( 上面図 ) NC IN NC 9 O IN 8 O 特長 高耐圧 (BCEO ) 大電流駆動 (IO(max)=

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第 1 回シミュレータとモデル第 3 回伝送線路シミュレータの検証 1. シミュレーション結果の検証電卓で計算をするとき みなさんは その結果を確認しますか? またどのような確認をするでしょう たとえば 108 x 39 = 5215 となった場合 5215 をそのまま答えとして書きますか? 多分 何らかの検算をして 答えはおかしいと思うでしょう もう一度 計算をしなおすか 暗算で大体の答えの予想を付けておいて

回路シミュレーションに必要な電子部品の SPICE モデル 回路シミュレータでシミュレーションを行うためには 使用する部品に対応した SPICE モデル が必要です SPICE モデルは 回路のシミュレーションを行うために必要な電子部品の振る舞い が記述されており いわば 回路シミュレーション用の部

当社 SPICE モデルを用いたいたシミュレーションシミュレーション例 この資料は 当社 日本ケミコン ( 株 ) がご提供する SPICE モデルのシミュレーション例をご紹介しています この資料は OrCAD Capture 6.( 日本語化 ) に基づいて作成しています 当社 SPICE モデルの取り扱いに関するご注意 当社 SPICE モデルは OrCAD Capture/PSpice 及び

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基礎電気理論 4 回目 月 8 日 ( 月 ) 共振回路, 電力教科書 4 ページから 4 ページ 期末試験の日程, 教室 試験日 : 月 4 日 ( 月 ) 時限 教室 :B-4 試験範囲 : 教科書 4ページまでの予定 http://ir.cs.yamanashi.ac.jp/~ysuzuki/kisodenki/ 特別試験 ( 予定 ) 月 5 日 ( 水 ) 学習日 月 6 日 ( 木 )

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概要 ELM73xxxxxxAは 遅延機能付きの CMOS 電圧検出器 ICであり 遅延時間は外付けコンデンサで調整可能です また 非常に低い消費電流 (Tpy.26nA) で動作します ELM73xxxBxxAシリーズはマニュアルリセット機能付きタイプで いつでも手動でリセットすることができます 出力スタイルは N-chオープンドレイン出力と CMOS 出力の 2つがあります 電源電圧 ddは検出電圧以下に低下したとき

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マスク説明書 (CAST-T3 マスク ) 1. マスク概要 2. 各素子の詳細 内容 頁番号 マスク仕様 (1)(2) (03)-(04) ショット レイアウト (1)(2) (05)-(06) パッドブロック (07) コンタクトパッドとその周辺 (08) 測定 PADの構造 (09) SUBPADの構造 (10) スクライブラインの構造 (11) ウェハアライメントマーク (12)-(13)

TC74HC00AP/AF

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC00AP,TC74HC00AF Quad 2-Input NAND Gate TC74HC00A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 入力 NAND ゲートです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 内部回路はバッファ付きの 3 段構成であり 高い雑音余裕度と安定な出力が得られます

Microsoft Word - DA2007_BoostedWL-SRAM_ver1c.doc

ワード線昇圧を用いた低消費電力メモリ設計方式 飯島正章, 瀬戸カヨコ, 沼昌宏, 多田章, 一法師隆志 神戸大学, ( 株 ) ルネサステクノロジ 概要近年のシステム LSI に搭載されるメモリとして代表的な SRAM は, プロセスの微細化による性能向上, 省電力化の実現が困難となっている これは, 製造ばらつきの影響や, 電源電圧低下により SRAM の安定したデータ書き込み / 読み出し動作が困難となるためである

IBIS

IBISBuilder IBISIndicator R1.2 リリースノート Dec. 2009 IBISBuilder IBISIndicator 1 IBISBuilder IBISIndicator は サイバネットシステム株式会社の登録商標です その他 本書に記載の会社名 商品名は当該各社に帰属する商標または登録商標です 発行者 : サイバネットシステム株式会社 東京本社 : 101-0022

MPPC 用電源 C 高精度温度補償機能を内蔵した MPPC 用バイアス電源 C は MPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を駆動するために最適化された高電圧電源です 最大で90 Vを出力することができます 温度変化を伴う環境においても M

MPPC 用電源 C1104-0 高精度温度補償機能を内蔵した MPPC 用バイアス電源 C1104-0は MPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を駆動するために最適化された高電圧電源です 最大で90 Vを出力することができます 温度変化を伴う環境においても MPPCを常に最適動作させるために温度補償機能を内蔵しています ( アナログ温度センサの外付けが必要 ) また