NJU779 絶対最大定格 ( 指定無き場合には Ta= C) 項目 記号 定格 単位 電源電圧 V D D. V 消費電力 P D ( 注 ), 7( 注 ), 9( 注 ), ( 注 ) mw 出力尖頭電流 I O P m A 同相入力電圧範囲 V I C M V S S-. ~ V D D+.

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1 回路入り高出力入出力フルスイング CMOS オペアンプ NJU779 概要 NJU779 は高出力電流を特徴とする入出力フルスイング CMOS オペアンプです 容量性負荷に対して安定な特性を有し ma の出力電流で迅速にコンデンサを充放電できるように設計されています さらに大電流時でも低飽和出力特性が得られるため バッファ用途で用いるアプリケーションに最適です 外形 NJU779KW (ESON-W) 特徴 出力ピーク電流 入出力フルスイング特性 スルーレート 耐負荷容量安定性 動作電源電圧範囲 サーマルシャットダウン回路内蔵 カレントリミット回路内蔵 RF ノイズ耐性 外形 CMOS 構造 :ma typ. :9 V/μs typ. :V ~ V :ESON-W (.mm.mm) アプリケーション Vcom ドライバ その他高電力用途 端子配列 (Top View) A B 7 7 (Bottom View) Exposed Pad ピン配置. A OUTPUT. A -INPUT. A +INPUT. V SS. B +INPUT. B INPUT 7. B OUTPUT NJU779KW. V DD Exposed Pad について Exposed Pad は IC の V SS 端子と同電位になるように接続してください 新日本無線ではレールツーレール Rail-to-Rail をフルスイングと呼びます Ver

2 NJU779 絶対最大定格 ( 指定無き場合には Ta= C) 項目 記号 定格 単位 電源電圧 V D D. V 消費電力 P D ( 注 ), 7( 注 ), 9( 注 ), ( 注 ) mw 出力尖頭電流 I O P m A 同相入力電圧範囲 V I C M V S S-. ~ V D D+. V 差動入力電圧範囲 V I D ( 注 ) V 動作温度 T opr - ~ + C 保存温度 T s t g - ~ + C ( 注 ) 基板実装時...mm ( 層 FR-) で EIA/JEDEC 規格サイズ ( 注 ) 基板実装時...mm ( 層 FR-) で EIA/JEDEC 規格サイズ 且つ Exposed Pad 使用 ( 注 ) 基板実装時...mm ( 層 FR-) で EIA/JEDEC 規格サイズ ( 注 ) 基板実装時...mm ( 層 FR-) で EIA/JEDEC 規格サイズ 且つ Exposed Pad 使用 ( 層基板内箔 : mm JEDEC 規格 JESD- に基づき 基板にサーマルビアホールを適用 ) ( 注 ) 入力電圧は 電源電圧が V 以下の場合は電源電圧と等しくなります 推奨動作電圧 (Ta= C) 項目記号条件単位 電源電圧 V D D. ~. V 電気的特性指定無き場合には V DD =V, V SS =V,V IC =7.V,R L =kωto V DD /,Ta= C DC 特性 AC 特性 応答特性 項目記号条件最小標準最大単位 最大出力電圧 V OH R L = kω..9 - V V OH Isource = ma.. - V V OL R L = kω -.. V V OL Isink = ma -.. V 入力オフセット電圧 V IO R S = Ω - mv 入力バイアス電流 I B - - pa 入力オフセット電流 I IO - - pa 電圧利得 A V V O = V/V, R L=kΩ 9 - db 同相信号除去比 CMR V IC = V 7.V V IC = 7.V V 7 - db 電源電圧除去比 SVR V DD = V V 7 - db 同相入力電圧範囲 V ICM CMR db - V 消費電流 I DD 無信号時, R L = open ma ユニティゲイン周波数 ft C L = pf - - MHz 位相余裕 Φ M C L = pf - - deg 入力換算雑音電圧 V NI f = khz, R S = Ω - - nv/ Hz 全高調波歪率 + ノイズ THD+N G V = db, C L = pf, fin = khz, P O =.W -. - % 出力電力 P O fin=khz, C L=pF, THD % - - mw チャンネルセパレーション CS f = khz - - db 出力ピーク電流 I OP ( 注 ) - - ma スルーレート SR G V = db, C L = pf, Vin = Vpp, ( 注 7) 9 - V/μs ( 注 ) 出力ソース電流または出力シンク電流の小さいほうの値を出力ピーク電流とします ( 注 7) 正または負のスルーレートの遅いほうの値を スルーレート値とします - - Ver.--

3 NJU779 アプリケーション情報 パッケージパワーと消費電力 出力電力 IC は IC 自身の消費電力 ( 内部損失 ) によって発熱し ジャンクション温度 Tj が許容値を超えると破壊します この許容値は許容 損失 PD(= 消費電力の最大定格 ) と呼ばれています 図 に NJU779 の P D の周囲温度 Ta 依存性を示します この図の特性は 次の 点から得ることができます 点目は における P D で 絶対最大定格の消費電力に相当します もう 点はこれ以上の発熱を許 容できない つまり許容損失 W の点です この点は IC の保存温度範囲 Tstg の上限を最大のジャンクション温度 Tjmax とするこ とで求めることができます これら 点を結び 以下を と同じ P D とすることで図 の特性を得ることができます なお これら の 点間の P D は次式で表されます 許容損失 P D Tj max Ta ja [W] (Ta= ~Ta=Tjmax) ここで θja は熱抵抗であり パッケージ材料 ( 樹脂 フレーム等 ) に依存します 次に IC 自身の消費電力を導きます IC の消費電力は 次式で表されます 消費電力 =( 電源電圧 V DD ) ( 消費電流 I DD )-( 出力電力 Po) この消費電力が P D をこえない条件で NJU779 を使用してください 安定した動作を維持するためにも 許容損失 P D に注意し 余裕のある熱設計することをお勧めいたします P D [mw] 層基板 Expose Pad 有り サーマルビア有り mw 層基板 Expose Pad 無し サーマルビア無し 9mW 層基板 Expose Pad 有りサーマルビア無し 7mW 層基板 Expose Pad 無しサーマルビア無し mw Ta [ ] - 最大動作温度最大保存温度 図 NJU779 の許容損失 P D の周囲温度特性 Ver

4 NJU779 特性例 消費電流対電源電圧特性 R L=OPEN 消費電流対周囲温度特性 R L =OPEN 消費電流 [ma] Ta= Ta=- 消費電流 [ma] V DD =V V DD =V Ta= V DD =V 電源電圧 [V] 入力オフセット電圧対電源電圧特性 R L=OPEN 入力オフセット電圧対周囲温度特性 R L=OPEN - - Ta= Ta=- Ta= - - V DD =V V DD =V V DD =V 電源電圧 [V] 電源電圧変動除去比対周囲温度特性 R L=OPEN 電源電圧除去比対周波数特性 VDD=V, Gv=dB, Ta= 9 V DD Vpp 振動 電源電圧変動除去比 [db] 電源電圧除去比 [db] 7 V SS Vpp 振動 k k k - - Ver.--

5 NJU779 入力オフセット電圧対出力電圧特性 VDD=V, VSS=V, RL=kΩ 入力オフセット電圧対出力電圧特性 VDD=V, VSS=V, RL=kΩ - - Ta= Ta= Ta=- - - Ta= Ta= Ta= 電圧利得対周囲温度特性 RL=kΩ V DD =V 電圧利得 [db] V DD =V 入力オフセット電圧対同相入力電圧特性 VDD=V, VSS=V 入力オフセット電圧対同相入力電圧特性 VDD=V, VSS=V - - Ta= Ta= Ta=- - - Ta= Ta=- Ta= 同相入力電圧 [V] - 同相入力電圧 [V] Ver

6 NJU779 同相入力信号除去比対周囲温度特性 V D D=V, VSS=V 同相入力信号除去比対周囲温度特性 VDD=V, VSS=V 9 Vcm=~7.V 9 Vcm=~V 同相入力信号除去比 [db] 7 Vcm=7.~V 同相入力信号除去比 [db] 7 Vcm=~V 同相入力信号除去比対周波数特性 Vcm=Vpp, Gv=dB, Ta= V DD =V 同相入力信号除去比 [db] 7 V DD =V k k k.e+ 入力バイアス電流対周囲温度特性 VDD=V.E+ 入力バイアス電流対周囲温度特性 VDD=V.E+.E+ 入力バイアス電流 [pa].e+.e+.e+ INP INM 入力バイアス電流 [pa].e+.e+.e+ INP INM.E+.E+.E E Ver.--

7 NJU779 最大出力電圧対出力シンク電流 VDD=V, Vss=V, Vin+=V, Vin-=V 最大出力電圧対出力シンク電流 VDD=V, Vss=V, Vin+=V, Vin-=V.... Ta= Ta= 最大... Ta= Ta=- 最大. Ta= Ta=-... 出力シンク電流 [ma] 出力シンク電流 [ma] 最大出力電圧対出力ソース電流 VDD=V, Vss=-V, Vin+=V, Vin-=-V 最大出力電圧対出力ソース電流 VDD=V, Vss=-V, Vin+=V, Vin-=-V... 最大.... Ta=- Ta= Ta= 最大. Ta=- Ta= Ta=... 出力ソース電流 [ma] 出力ソース電流 [ma]. 最大飽和電圧対周囲温度特性 Isink=mA 最大飽和電圧対周囲温度特性 Isource=mA 出力飽和電圧 [V]..... V DD =V V DD =V 出力飽和電圧 [VDD-V] V DD =V V DD =V Ver

8 NJU779 最大出力電圧対負荷抵抗特性例 ( 周囲温度 ) V DD =V, Gv=open, R L to 7.V 最大出力電圧対負荷抵抗特性例 ( 周囲温度 ) V DD =V, Gv=open, R L to V 最大.. - 最大 k k k 負荷抵抗 [Ω] k k k 負荷抵抗 [Ω] 最大出力電圧対負荷抵抗特性例 ( 周囲温度 ) V DD =V, Gv=open, R L to 7.V 最大出力電圧対負荷抵抗特性例 ( 周囲温度 ) V DD =V, Gv=open, R L to V.. 最大.. - 最大.. - k k k 負荷抵抗 [Ω] k k k 負荷抵抗 [Ω] 入力オフセット電圧対出力電流 V DD=V, Ta= 入力オフセット電圧対出力電流 V DD=V, Ta= Isink - - Isource - - Isink Isource 出力電流 [ma] - 7 出力電流 [ma] - - Ver.--

9 NJU779 開ループ電圧利得対周波数特性 V+/V-=±7.V, Gv=dB, Vin=-dBm, RL=kΩ, Ta= CL=pF CL=nF 開ループ電圧利得対周波数特性 V+/V-=±V, Gv=dB, Vin=-dBm, RL=kΩ, Ta= CL=pF CL=nF CL=pF CL=uF CL=pF CL=uF 9 9 電圧利得 [db] - - 位相 [deg] 電圧利得 [db] - - 位相 [deg] k k k M M M - - k k k M M M 利得余裕対負荷容量特性 V+/V-=±7.V, RL=kΩ, Vin=-dBm, Gv=dB, Ta= 利得余裕対負荷容量特性 V+/V-=±V, RL=kΩ, Vin=-dBm, Gv=dB, Ta= Ta= Ta=- Ta= 利得余裕 [db] Ta= Ta=- 利得余裕 [db] Ta= p p n n n u u u 負荷容量 [F] - p p n n n u u u 負荷容量 [F] 7 位相余裕対負荷容量特性 V+/V-=±7.V, RL=kΩ, Vin=-dBm, Gv=dB, Ta= 7 位相余裕対負荷容量特性 V+/V-=±V, RL=kΩ, Vin=-dBm, Gv=dB, Ta= Ta= Ta= 位相余裕 [deg] Ta=- Ta= 位相余裕 [deg] Ta=- Ta= - p p n n n u u u 負荷容量 [F] - p p n n n u u u 負荷容量 [F] Ver

10 NJU779 利得余裕対負荷容量特性 V+/V-=±7.V, RL=kΩ, Vin=-dBm, Gv=dB 利得余裕対負荷容量特性 V+/V-=±V, RL=kΩ, Vin=-dBm, Gv=dB 利得余裕 [db] CL=pF CL=nF 利得余裕 [db] CL=pF CL=nF 位相余裕対負荷容量特性 V+/V-=±7.V, RL=kΩ, Vin=-dBm, Gv=dB 9 位相余裕対負荷容量特性 V+/V-=±V, RL=kΩ, Vin=-dBm, Gv=dB 7 CL=pF 7 CL=pF 位相余裕 [deg] CL=uF 位相余裕 [deg] CL=nF CL=uF CL=nF ユニティゲイン周波数対負荷容量特性 V+/V-=±7.V, RL=kΩ, Vin=-dBm, Gv=dB 7 ユニティゲイン周波数対負荷容量特性 V+/V-=±V, RL=kΩ, Vin=-dBm, Gv=dB ユニティゲイン周波数 [MHz] CL=pF CL=nF CL=uF ユニティゲイン周波数 [MHz] CL=nF CL=pF CL=uF Ver.--

11 NJU779 パルス応答特性 (Rise) V+/V-=±7.V, Ta=, RL=kΩ パルス応答特性 (Rise) V+/V-=±V, Ta=, RL=kΩ Vin Vin C L =nf C L =uf 入力電圧 [V] C L =nf C L =uf 入力電圧 [V] C L =pf - 時間 [us] C L =pf - 時間 [us] - - パルス応答特性 (Fall) V+/V-=±7.V, Ta=, RL=kΩ パルス応答特性 (Fall) V+/V-=±V, Ta=, RL=kΩ Vin Vin C L =nf C L =uf 入力電圧 [V] C L =nf C L =uf 入力電圧 [V] - - C L =pf - 時間 [us] C L =pf - 時間 [us] - - スルーレート対周囲温度特性 V+/V-=±7.V, Vin=Vpp, RL=kΩ, CL=pF スルーレート対周囲温度特性 V+/V-=±V, Vin=Vpp, RL=kΩ, CL=pF Fall スルーレート [V/us] 9 Rise スルーレート [V/us] 9 Rise Fall Ver

12 NJU779 ボルテージフォロアピーク特性 V+ /V-=±7.V, Gv=dB, Vin=-dBm, RL=kΩ, Ta= ボルテージフォロアピーク特性 V+/V-=±V, Gv=dB, Vin=-dBm, RL=kΩ, Ta= CL=nF CL=uF CL=nF CL=uF 電圧利得 [db] - CL=pF CL=pF 電圧利得 [db] - CL=pF CL=pF k k k M M M - k k k M M M 消費電流対周囲温度特性 RL=OPEN 消費電流 [ma] 9 7 V DD =V V DD =V 7 9 チャンネルセパレーション対周波数特性 Gv=dB, Ta= 入寮換算雑音電圧対周波数特性 Rs=Ω, Rf=kΩ, Ta= チャンネルセパレーション [db] V DD =V V DD =V 入力換算雑音電圧 [nv/ Hz] V DD =V V DD =V 9 k k k k k - - Ver.--

13 NJU779 出力ピーク電流特性 VD D=V, Gv=dB, Vin=7.V(DC), Ta= 出力ピーク電流特性 VDD=V, Gv=dB, Vin=V(DC), Ta= 出力電圧 C L =nf C L =nf C L =nf - 9 出力電圧 C L =nf C L =nf C L =nf 出力電流 [ma] 出力電流 C L =nf C L =nf C L =nf 出力電流 [ma] 出力電流 C L =nf C L =nf C L =nf 時間 [μ 秒 ] 時間 [μ 秒 ] - 出力ピーク電流特性 VDD=V, Gv=dB, Vin=7.V(DC), Ta= 出力ピーク電流特性 VDD=V, Gv=dB, Vin=V(DC), Ta= 出力電流 [ma] - - 出力電流 C L =nf C L =nf C L =nf 出力電流 [ma] - 出力電流 C L =nf C L =nf C L =nf 出力電圧 C L =nf C L =nf C L =nf 出力電圧 C L =nf C L =nf C L =nf 時間 [μ 秒 ] - - 時間 [μ 秒 ] 過電流保護回路動作 RL=Ω, Gv=OPEN, Ta= 過電流保護回路動作 RL=Ω, Gv=OPEN, Ta= V DD =V 出力ソース電流 [ma] V DD =V 出力シンク電流 [ma] V DD =V V DD =V R L =Ω R L =Ω - 時間 [msec] - 時間 [msec] Ver

14 NJU779 全高調波歪率対出力電力特性 VDD=V, Gv=dB, RL=kΩ, CL=pF, Ta= 全高調波歪率対出力電力特性 VDD=V, Gv=dB, RL=kΩ, CL=pF, Ta= 全高調波歪率 + ノイズ [%].. f=khz f=khz f=hz 全高調波歪率 + ノイズ [%].. f=khz f=khz f=hz..... 出力電力 [mw]..... 出力電力 [mw].. 消費電力対出力電力特性 RL=Ω, Ta=, f=khz, ステレオ V DD =V THD=% THD=%.9. 消費電力対出力電力特性 RL=Ω, Ta=, f=khz, BTL THD=% 消費電力 [W]..... V DD =9V V DD =V 消費電力 [W] V DD =9V V DD =V THD=% V DD =V. V DD =V. V DD =V.... 出力電力 [W/ch]... 出力電力 [W] < 注意事項 > このデータブックの掲載内容の正確さには万全を期しておりますが 掲載内容について何らかの法的な保証を行うものではありません とくに応用回路については 製品の代表的な応用例を説明するためのものです また 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴うものではなく 第三者の権利を侵害しないことを保証するものでもありません - - Ver.--