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1 00 Dec. 04

2 : fo : Δfi : tr Δfi =0.35/t r I00 I /I 00 (%) t e t s= t e +t r (%) 90 0 tr Δq=l Δf/u Δq b=l/d : N : t : Δf : Δq N= Δq = Δf D = Δf t g Δqb g u g l D Δf g u t t=d/u Δq=l Δf/u 00 Dec. 04

3 f q u VCO AOD VCO AOD AOD EFL-F0 Dec

4 Type: q q q E F L M 0 Jun. 07

5 Type EFLM EFLM00ALG EFLM00Y0A EFLM35Y0B EFLM0Y05B TeO : u (m/s) 460 l (nm) 440 ~ : f (MHz) : Δf (MHz) (mm) DC 8 min. (00.08) DC 4 min. (00.5) (%) (mm) 75 min. (00.08) 80 min. (00.08) 75 min. (00.3) 50 min. (00.5) (ns) (mm) max. (00.08) 46 min. (00.3) 80 min. (00.5) (mm) (W).0 (%) 90 min. ( l=400 ~ 500 nm) 85 min. ( l=55 ~ 700 nm).5 (Duty cycle 0%) min. 9 min. 90 min. Ω 000 : min. 50 (VSWR.5 max.) EFLM00ALG EFLM00Y0A EFLM35Y0B EFLM0Y05B f (SMA) ±0. 0 -f4 (4.7).7 f.5 H7 R R (MMCX) 5.3 R. R. R (7) M33 f (SMB) f ± f (53) (SMA) f ±0. 4-M.6(ISO)4 (mm) 0 Jun. 07

6 (μm) (%) (nm) l=488 nm l=064 nm l=550 nm (ns) (μm) MHz (%) (μm) M00 Jun M00(%) q ( ) 00 l=633nm l=488 nm (%) (W) q q EFLM00 Light Intensity(%) Time (0ns/div.) 0

7 Type: TeO <0> <00> f } f f~f E F L D 00 Dec. 04

8 EFLD50 EFLD50A EFLD50C EFLD50R TeO l (nm) ~ ~ ~ 840 (Spots) 50 min. 50 min. 50 min. 60 min. (μs) : H W (mm) : u (m/s) : f (MHz) (l=55 nm) 00 (l=488 nm) 03 (l=458 nm) 08 (l=44 nm) ( 3 db) : Δf (MHz) 50 min. 50 min. 50 min. 36 min. (%) 80 min. 80 min. 70 min. 75 min. (W) Δq (deg.).7 min.. min..0 min..5 min. (%) 94 min. 9 min. 90 min. 90 min. 55 Ω 50 EFLD750 EFLD750A EFLD750C EFLD750R TeO l (nm) ~ ~ ~ 840 (Spots) 750 min. 750 min. 750 min. 540 min. (μs) : H W (mm) : u (m/s) : f (MHz) (l=55 nm) 00 (l=488 nm) 03 (l=458 nm) 08 (l=44 nm) ( 3 db) : Δf (MHz) 50 min. 50 min. 50 min. 36 min. (%) 80 min. 80 min. 70 min. 75 min. (W) Δq (deg.).7 min.. min..0 min..5 min. (%) 94 min. 9 min. 90 min. 90 min. 55 Ω Dec. 04

9 Type EFLD50 f Type EFLD Base 4.0± ±0. 0 f3 4 3 (SMA) 4-M.6(ISO) 4 0. Base 4.0± ±0.0 f3 4 3 (SMA) 4-M.6(ISO) 4 (mm) Type EFLD750 Diffraction Efficiency(%) Frequency(MHz) 00 Dec. 04

10 Type: 3 f 3 l l+δl E F L F 00 Dec. 04

11 EFLF0 EFLF00L EFLF00R EFLF00R TeO l (nm) 380 ~ ~ ~ ~ 3000 (nm) 0.4 ~.3.4 ~ ~ ~ 4 (%) 80 min. 70 min. (μs) : mm 9 max. (3 5) 6 max. (3 4) (mrad) 0.5 max. 0.3 max. : f (MHz) 40 ~ 0 50 ~ ~ ~ 39 (W) Ω 50 (mm) (H W) EFLF (SMA) 4.0± Base 3 f ± M.6(ISO) (mm) 00 Dec. 04

12 (nm) EFLF EFLF00L EFLF00R,R (nm) (MHz) (nm) (MHz) (MHz)(nm) (nm) EFLF EFLF00L (nm) (nm) EFLF00R,R EFLF Wavelength l (nm) 00 Dec. 04

13 Type: (F) (F+f) (F) TeO (f) E F L D 5 0 F S 0 Sep. 07

14 EFLD50FS EFLD50FSY4 TeO : u (m/s) l (nm) ~ 550 : f (MHz) ~ 00 (%) (mm) 85 min. (0.) 65 min. (0.0) (mm).5.5 (W) 0.5 (%) 94 min. 90 min. Ω 50 (VSWR.5 max.) 50 (VSWR.5 max.) mrad. max. Type EFLD50FS Type EFLD50FSY4 f3.5 (SMB) 9 (SMB) f3.5 f f f3.5 (mm) 0 Sep. 07

15 Type: EFLC00P5W (MHz) 00 (db) (ns) 30 max. 0 max. 0 ~ + V (W)(50 Ω ) 0.9±0. +4 VDC 700 ma max. Type EFLC00P5W -f ±0.5 OUTPUT +4V INPUT (mm) 00 Dec. 04

* 2

* 2 * 2 3 H2400 2 2 3 4 5 5 (at +25 ) H2400-00-0 H2400-0-0 H2400-20-0 420 3(X) (Y) 2-50 26 5 50 80 200 8.0 0.2 80 62 30 5 60 70.6 5 2. 4 0.3 3.2 8.0.3 2 6 3.5 5 +5 +50-20 +50 630 nm mm µa µa 300 µa/lm 400

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