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- もりより こやぎ
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1 00 Dec. 04
2 : fo : Δfi : tr Δfi =0.35/t r I00 I /I 00 (%) t e t s= t e +t r (%) 90 0 tr Δq=l Δf/u Δq b=l/d : N : t : Δf : Δq N= Δq = Δf D = Δf t g Δqb g u g l D Δf g u t t=d/u Δq=l Δf/u 00 Dec. 04
3 f q u VCO AOD VCO AOD AOD EFL-F0 Dec
4 Type: q q q E F L M 0 Jun. 07
5 Type EFLM EFLM00ALG EFLM00Y0A EFLM35Y0B EFLM0Y05B TeO : u (m/s) 460 l (nm) 440 ~ : f (MHz) : Δf (MHz) (mm) DC 8 min. (00.08) DC 4 min. (00.5) (%) (mm) 75 min. (00.08) 80 min. (00.08) 75 min. (00.3) 50 min. (00.5) (ns) (mm) max. (00.08) 46 min. (00.3) 80 min. (00.5) (mm) (W).0 (%) 90 min. ( l=400 ~ 500 nm) 85 min. ( l=55 ~ 700 nm).5 (Duty cycle 0%) min. 9 min. 90 min. Ω 000 : min. 50 (VSWR.5 max.) EFLM00ALG EFLM00Y0A EFLM35Y0B EFLM0Y05B f (SMA) ±0. 0 -f4 (4.7).7 f.5 H7 R R (MMCX) 5.3 R. R. R (7) M33 f (SMB) f ± f (53) (SMA) f ±0. 4-M.6(ISO)4 (mm) 0 Jun. 07
6 (μm) (%) (nm) l=488 nm l=064 nm l=550 nm (ns) (μm) MHz (%) (μm) M00 Jun M00(%) q ( ) 00 l=633nm l=488 nm (%) (W) q q EFLM00 Light Intensity(%) Time (0ns/div.) 0
7 Type: TeO <0> <00> f } f f~f E F L D 00 Dec. 04
8 EFLD50 EFLD50A EFLD50C EFLD50R TeO l (nm) ~ ~ ~ 840 (Spots) 50 min. 50 min. 50 min. 60 min. (μs) : H W (mm) : u (m/s) : f (MHz) (l=55 nm) 00 (l=488 nm) 03 (l=458 nm) 08 (l=44 nm) ( 3 db) : Δf (MHz) 50 min. 50 min. 50 min. 36 min. (%) 80 min. 80 min. 70 min. 75 min. (W) Δq (deg.).7 min.. min..0 min..5 min. (%) 94 min. 9 min. 90 min. 90 min. 55 Ω 50 EFLD750 EFLD750A EFLD750C EFLD750R TeO l (nm) ~ ~ ~ 840 (Spots) 750 min. 750 min. 750 min. 540 min. (μs) : H W (mm) : u (m/s) : f (MHz) (l=55 nm) 00 (l=488 nm) 03 (l=458 nm) 08 (l=44 nm) ( 3 db) : Δf (MHz) 50 min. 50 min. 50 min. 36 min. (%) 80 min. 80 min. 70 min. 75 min. (W) Δq (deg.).7 min.. min..0 min..5 min. (%) 94 min. 9 min. 90 min. 90 min. 55 Ω Dec. 04
9 Type EFLD50 f Type EFLD Base 4.0± ±0. 0 f3 4 3 (SMA) 4-M.6(ISO) 4 0. Base 4.0± ±0.0 f3 4 3 (SMA) 4-M.6(ISO) 4 (mm) Type EFLD750 Diffraction Efficiency(%) Frequency(MHz) 00 Dec. 04
10 Type: 3 f 3 l l+δl E F L F 00 Dec. 04
11 EFLF0 EFLF00L EFLF00R EFLF00R TeO l (nm) 380 ~ ~ ~ ~ 3000 (nm) 0.4 ~.3.4 ~ ~ ~ 4 (%) 80 min. 70 min. (μs) : mm 9 max. (3 5) 6 max. (3 4) (mrad) 0.5 max. 0.3 max. : f (MHz) 40 ~ 0 50 ~ ~ ~ 39 (W) Ω 50 (mm) (H W) EFLF (SMA) 4.0± Base 3 f ± M.6(ISO) (mm) 00 Dec. 04
12 (nm) EFLF EFLF00L EFLF00R,R (nm) (MHz) (nm) (MHz) (MHz)(nm) (nm) EFLF EFLF00L (nm) (nm) EFLF00R,R EFLF Wavelength l (nm) 00 Dec. 04
13 Type: (F) (F+f) (F) TeO (f) E F L D 5 0 F S 0 Sep. 07
14 EFLD50FS EFLD50FSY4 TeO : u (m/s) l (nm) ~ 550 : f (MHz) ~ 00 (%) (mm) 85 min. (0.) 65 min. (0.0) (mm).5.5 (W) 0.5 (%) 94 min. 90 min. Ω 50 (VSWR.5 max.) 50 (VSWR.5 max.) mrad. max. Type EFLD50FS Type EFLD50FSY4 f3.5 (SMB) 9 (SMB) f3.5 f f f3.5 (mm) 0 Sep. 07
15 Type: EFLC00P5W (MHz) 00 (db) (ns) 30 max. 0 max. 0 ~ + V (W)(50 Ω ) 0.9±0. +4 VDC 700 ma max. Type EFLC00P5W -f ±0.5 OUTPUT +4V INPUT (mm) 00 Dec. 04
* 2
* 2 3 H2400 2 2 3 4 5 5 (at +25 ) H2400-00-0 H2400-0-0 H2400-20-0 420 3(X) (Y) 2-50 26 5 50 80 200 8.0 0.2 80 62 30 5 60 70.6 5 2. 4 0.3 3.2 8.0.3 2 6 3.5 5 +5 +50-20 +50 630 nm mm µa µa 300 µa/lm 400
More information2 1,384,000 2,000,000 1,296,211 1,793,925 38,000 54,500 27,804 43,187 41,000 60,000 31,776 49,017 8,781 18,663 25,000 35,300 3 4 5 6 1,296,211 1,793,925 27,804 43,187 1,275,648 1,753,306 29,387 43,025
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30 31 gh gw 32 33 1406 1421 640 0 (mm) (mm) MAX1513 MIN349 MIN280 MAX900 gh gw 34 gh gh gw gw gh gh gw gw gh gh gw gw 35 175 176 177 178 179 180 181 195 196 197 198 202 203 2 1 L L L2 L2 L2 L 2 2 1 L L
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63 3 Section 3.1 g 3.1 3.1: : 64 3 g=9.85 m/s 2 g=9.791 m/s 2 36, km ( ) 1 () 2 () 3 9.8 m/s 2 3.2 3.2: : a) b) 5 15 4 1 1. 1 3 14. 1 3 kg/m 3 2 3.3 1 3 5.8 1 3 kg/m 3 3 2.65 1 3 kg/m 3 4 6 m 3.1. 65 5
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119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 1100 1200 1300 1400 1500 1600 1700 1800 1900 2000 2100 1032MHz 1489MHz 1895MHz 2150MHz 142 143 144 145 146 147
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CW QCL HHL QCL TO-8 TEC * 1 (DC) * 3 TEC -8 A +8 A -1.9 A +1.9 A 24 V 24 V 8 A * 2 2.6 A * 2 NTC, 2 RTD 3 (Pt100) * 5 (W H D) -50 C +125 C / -50 C +150 C 0.01 C PID * 4 RS-232C, RS-424 0 C +40 C * 6-5
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5. 5.1,,, 5.2 5.2.1,, ( 5.1), 5.2.2,,,,,,,,,, 5.2.3, 5.2 L1, L2, L3 31, 22, 13,,, L1, L3, L2, 0 5.2.4,,, ( 5.3),,, N 3 L 2 S L 1 L 3 5.1: 5.2: 1 D C 1 0 0 A C 2 2 0 j X E 0 5.3: 5.5: f,, (),,,,, 1, 5.2.6
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23.9 + + ø ø ø ø ø ø ø ø ø ++ + ++ + + + ± FH 28 D - 5 (25) S B -.5 SH (5) 2 3 4 5 6 7 8 9 2 6 7 3 8 4 9 5 ** ** ** ** ** ** ** ** ** ** ** ** ** CL586-86-4-** CL586-868-3-** CL586-823-5-** CL586-835-4-**
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お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
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レーザダイオード 電子デバイスカンパニー 販売事業部 レーザ販売 4 東京都台東区上野東京ビルF L 767 FAX 769 本書に掲載された内容は 製品改善及び技術改良により予告無しに変更する場合がございます 従いまして ご使用の際には 仕様書 にてご確認下さい フォトニクス事業部 664 鳥取県鳥取市立川町丁目番地 L 77 FAX 76 URL http://www.sanyophotonics.com
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