MIP5310MT

種別 用途 構造 シリコン MO 形集積回路 スイッチング電源制御用 CMO 形 等価回路図 7 外形 DIP7-A1-B マーク記号 / マーキンク MIP531 A. 絶対最大定格 (Ta=25 ±3 ) No. 項目記号定格単位備考 1 ドレイン電圧 VD -0.3 ~ 700 V 1: 下記パルス幅以内での 2 VIN 電圧保証とする VIN -0.3 ~ 650 V 3 VDD 電圧オン時ブランキング幅 VDD -0.3 ~ 8 V + 過電流保護遅れ時 4 VDD 電流間 IDD 30 ma 5 フィードバック電圧 VFB -0.3 ~ 8 V 6 出力ピーク電流 IDP 1.25( 1) A 7 接合温度 Tj 150 8 保存温度 Tstg -55 ~ +150 B. 推奨動作条件 No. 項目 記号 条件 単位 備考 1 接合温度 Tj -40 ~ +125

C. 電気的特性測定条件 (Ta=25 ±3 ) No. 項目記号 測定条件 ( 図 1 参照 ) 標準. 最小最大単位 コントロール機能 * 設計保証項目 ** 参考値記載項目 1 出力周波数 fosc Figure 6 VDD=VDD(ON), IFB=-20 μa,vd=ilimit condition, 100 90 110 khz 2 周波数ジッター偏差 Figure 6 VDD=VDD(ON), IFB=-20 μa,vd=ilimit condition, d_fosc 5.5 - - khz **3 周波数ジッター変調率 Figure 6 VDD=VDD(ON), IFB=-20 μa,vd=ilimit condition, fm 200 - - Hz 4 最大デューティサイクル VDD=VDD(ON), IFB=-20 μa, VD=5 V, MAX(ON) 13 9.4 16.6 μs 5 VDD 起動電圧 VD=5 V, IFB=-20 μa, VDD(ON) 5.9 5.4 6.4 V 6 VDD 停止電圧 VD=5 V, IFB=-20 μa, VDD(UV) 4.9 4.4 5.4 V 7 VDD 起動 / 停止ヒステリシス VDD(ON) VDD(UV) VDD 1.0 0.5 1.5 V 8 VDD クランプ電圧 9 VDD クランプ電圧ヒステリシス IDD=3 ma VDD(CLP) 6.2 5.6 6.8 V VDD(CLP)-VDD(ON) D_VDD(CLP) 0.3 0.05 0.7 V 10 フィードバック電流 ON OFF IFB_TB VDD=VDD(ON),VD=ILIMIT condition, -100-155 -45 μa 11 フィードバック電流ヒステリシス OFF ON IFB(HY) VDD=VDD(ON),VD=ILIMITcondition, 4 - - μa 12 FB 端子電圧 VDD=VDD(ON), IFB=-20 μa, VFB VD=ILIMIT condition, 2 1.65 2.35 V 13 軽負荷時 FB 端子電圧 VDD=VDD(ON), IFB=IFB_TB, VFB_TB VD=ILIMIT condition, 1.75 1.4 2.1 V 14 FB 端子短絡電流 VDD=VDD(ON), VFB=0 V, IFB_GND VD=ILIMIT condition, -360-500 -240 μa 15 起動前回路消費電流 VDD=VDD(ON)-0.3 V, IFB=-20 μa, IDD(B) VD=5 V, 0.22 0.16 0.28 ma 16 動作時回路消費電流 VDD=VDD(ON), IFB=-20 μa, IDD VD=ILIMIT condition, 0.38 0.24 0.52 ma 17 軽負荷時回路消費電流 VDD=VDD(ON), IFB=IFB_TB, IDD(OFF) VD=ILIMIT condition, 0.38 0.20 0.56 ma 18 VDD 充電電流 Ich1 VDD=0 V, VIN=40 V, -11-16.5-5.5 ma Ich2 VDD=5 V, VIN=40 V, -8-12 -4 ma

No. 項目記号 保護機能 * 設計保証項目 ** 参考値記載項目 測定条件 ( 図 1 参照 ) 標準最小. 最大. 単位 19 過電流保護検出 Figure 4 ton=30 % duty cycle, ILIMIT VDD=VDD(ON),VFB=3 V, VD=adjust, 0.35 0.315 0.385 A **20 過電流検出時オフ時間 VDD=VDD(ON), VFB=3 V, Tdet(OC) VD=adjusted, 1 - - μs **21 軽負荷時ドレイン電流 Figure 4 ton=30 % duty cycle, VDD=VDD(ON),IFB=IFB_TB+5 μa, VD=adjust, ID(OFF) 140 - - ma 22 過負荷時 FB 端子充電電流 VDD=VDD(ON), VFB=3 V, VD=ILIMIT IFBch condition, -8-11 -5 μa 23 FB 端子過負荷保護電圧 VDD=VDD(ON), VD=ILIMIT condition, VFB(OLP) 4.3 3.7 4.8 V 24 VFB 端子過負荷保護電圧ヒステリシス VFB(OLP)-VFB VFB 2.3 1.45 3.15 V 25 OLP 時 VDD 発振周期 Figure 3 VDD=VDD(ON) VDD(UV), OLP_CNT VD=ILIMIT condition, FB=Open, 8 - *26 オン時ブランキング幅 ton(blk) 330 260 400 ns *27 過電流保護遅れ時間 td(ocl) 100 65 135 ns 28 VDD ラッチ停止電流 ON OFF IDD(OV) IFB=-20 μa, VD=5 V, 14 9 21 ma *29 過熱保護温度 TOTP 140 130 150 過熱保護温度ヒステリシス TOTP 70 - - 30 ラッチリセット電圧 VDDreset 2.4 1.5 3.3 V

No. 項目記号 測定条件 ( 図 1 参照 ) 標準最小最大. 単位 高電圧入力 * 設計保証項目 ** 参考値記載項目 31 オフ時 VIN 端子リーク電流 32 VIN 耐圧 33 最小 VIN 電圧 出力 * 設計保証項目 ** 参考値記載項目 VIN=600 V, IDD=IDD(OV) IIN(LEAK) 10-20 μa IIN=100 μa, IDD=IDD(OV) BVVIN - 650 - V IFB=-20 μa, VD=5 V, VIN(MIN) - 50 - V 34 オン抵抗 VDD=VDD(ON), IFB=-20μA, RD(ON) ID=100 ma, 16-22 Ω 35 オフ時ドレイン端子リーク電流 IDD=IDD(OV), IFB=-20μA, VD=650 V, ID 2-20 μa 36 ドレイン耐圧 IDD=IDD(OV), IFB=-20μA, VD ID=100μA, - 700 - V **37 立ち上がり時間 Figure 5 VDD=VDD(ON), IFB=-20μ tr A, VD=5 V, 50 - - ns **38 立ち下がり時間 Figure 5 VDD=VDD(ON), IFB=-20μ tf A, VD=5 V, 50 - - ns 図 1: 測定回路図 L Rd D VDD FB 22kΩ VD NC VIN VFB VDD VIN 0.1μF 1 μ F

図 2:ID と IFB の関係 ID ILIMIT IFB_TB(HY) ID(OFF) IFB IFB_TB 図 3: 過負荷保護時動作波形 VFB VFB(OLP) VDD 1 2 3 4 5 6 7 8 VDD(ON) VDD(UV) Drain current ID

図 4:ILIMIT, ID(OFF) 測定 ID Duty30% time 図 5:tr, tf 測定 tf tr VD 90% 10% 0 time 図 6:d_fosc, fm 測定 frequency fosc 1/fM d_fosc time

図 7: ブロック図 VIN DRAIN VDD VDD Regulator IDD(OV) VDD(ON)/VDD(UV) VFB(OLP) Timer Intermittent Restart Trigger R R VDD(UV) OLP OTP Power MOFET Gate driver Comparator for Light Load Detection R MAXON MAXON Current Detection Resistor FB IFBch OLP Clock with Jitter Feedback Delay Leading Edge Blanking DRAIN Current Detection OURCE 図 8: 端子配置図 1 8 2 7 3 4 5 Pin No. Terminal Name 1 VIN 2 NC 3 FB 4 VDD 5 DRAIN 6-7 OURCE 8 OURCE

使用上の注意 1 VDD 端子 -OURCE 間には 1μF 以上のセラミックコンデンサを使用してください 使用上の注意 2 以下のような条件では破損し 場合によっては破裂 発煙の可能性があります 以下の使用は避けていただくとともに 安全規格上の認定試験において 対策が必要となる場合には 入力段へのヒューズ追加や制御端子 -GND 間へのツェナーダイオード追加などの対策を講じてください 具体的な対策については個別に相談させていただくことも可能ですが 最終的にはお客様側にてご判断をお願いいたします (1) DRAIN 端子と VIN 端子を逆にして 電源基板へ実装する (2) DRAIN 端子と VIN 端子をショートする (3) DRAIN 端子と FB 端子をショートする (4) DRAIN 端子と VDD 端子をショートする (5) VIN 端子と FB 端子をショートする (6) VIN 端子と VDD 端子をショートする

本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 (1) 本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は 当該国における法令 特に安全保障輸出管理に関する法令を遵守してください (2) 本書に記載の技術情報は 製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり それをもってパナソニック株式会社または他社の知的財産権もしくはその他の権利の許諾を意味するものではありません したがって 上記技術情報のご使用に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合 当社はその責任を負うものではありません (3) 本書に記載の製品は 一般用途 ( 事務機器 通信機器 計測機器 家電製品など ) もしくは 本書に個別に記載されている用途に使用されることを意図しております 特別な品質 信頼性が要求され その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり 人体に危害を及ぼす恐れのある用途 - 特定用途 ( 車載機器 航空 宇宙用 輸送機器 交通信号機器 燃焼機器 医療機器 安全装置など ) でのご使用を想定される場合は事前に当社営業窓口までご相談の上 使用条件等に関して別途 文書での取り交わしをお願いします 文書での取り交わしなく使用されたことにより発生した損害などについては 当社は一切の責任を負いません (4) 本書に記載の製品および製品仕様は 改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承ください したがって 最終的な設計 ご購入 ご使用に際しましては 事前に最新の製品規格書または仕様書をお求め願い ご確認ください (5) 設計に際しては 絶対最大定格 動作保証条件 ( 動作電源電圧 動作環境等 ) の範囲内でご使用いただきますようお願いいたします 特に絶対最大定格に対しては 電源投入および遮断時 各種モード切替時などの過渡状態においても 超えることのないように十分なご検討をお願いいたします 保証値を超えてご使用された場合 その後に発生した機器の故障 欠陥については当社として責任を負いません また 保証値内のご使用であっても 半導体製品について通常予測される故障発生率 故障モードをご考慮の上 当社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故 火災事故 社会的な損害などを生じさせない冗長設計 延焼対策設計 誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じていただきますようお願いいたします (6) 製品取扱い時 実装時およびお客様の工程内における外的要因 (ED EO 熱的ストレス 機械的ストレス ) による故障や特性変動を防止するために 使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください 分解後や実装基板から取外し後に再実装された製品に対する品質保証は致しません また 防湿包装を必要とする製品は 保存期間 開封後の放置時間など 個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた条件を守ってご使用ください (7) 本書に記載の製品を他社へ許可なく転売され 万が一転売先から何らかの請求を受けた場合 お客様においてその対応をご負担いただきますことをご了承ください (8) 本書の一部または全部を当社の文書による承諾なしに 転載または複製することを堅くお断りいたします No.010618