種別用途構造ブロック図外形 シリコン MOS 形集積回路スイッチング電源制御用 Bi-CMOS 形図 8 TO-220C-G3-B マーク MIP2N1AUK A. 絶対最大定格 (Ta=25 ±3 ) NO. 定格 備考 1 ドレイン端子電圧 D -0.3 ~ 700 2 コントロール端子電圧 C -0.3 ~ 8.0 3 4 5 出力ピーク電流 1 チャネル部接合温度保存温度 IDP Tj Tstg 1.3 +150-55 ~ +150 A 1: 最小オンパルス幅 : MIN(PW) 以内での保証とする B. 動作保証条件 NO. 定格 備考 1 動作保証温度 2 Top -40 ~ +125 2: 動作周囲温度 (Ta) 注 : 絶対最大定格は瞬時たりとも超えてはならない規格です 最大定格を超えると IC の破壊や劣化や損傷の原因となり IC 以外にも障害を与えるおそれもあります いかなる動作条件においても必ず最大定格を超えないように設計を行ってください ご使用に際しては 記載された動作範囲内でご使用ください C. 熱抵抗特性 NO. typ 値 備考 1 ジャンクション - エアー間 Rthj-a 69.0 /W 1 1cm エポキシ基板実装時 2 ジャンクション - エアー間 Rthj-a 42.7 /W 3.0 2.0cm エポキシ基板実装時 3 ジャンクション - ケース間 Rthj-c 3.0 /W Page 1 of 12
D. 電気的特性 測定条件 (Ta=25 ±3 ) コントロール機能 は設計保証, は参考値記載 No. 測定条件 ( 図 1 参照 ) 標準 最小最大 1 2 3 出力周波数 周波数ジッター偏差 周波数ジッター変調率 fosc d_fosc fm C=C(CNT)-0.4, D=5 図 3 参照 C=C(CNT)-0.4, D=5 図 3 参照 C=C(CNT)-0.4, D=5 100 90 110 khz 5.5 khz 270 Hz 4 最大デューティサイクル MAXDC C=C(CNT)-0.4, D=5 54 50 58 % 5 起動前動作電流 IC(SB)1 C=C(ON)-0.06,D=5 0.50 0.20 0.63 6 軽負荷時停止電流 IC(SB)2 C=C(CNT),D=5 0.50 0.20 0.63 7 動作電流 IC(OP) C=C(CNT)-0.2, D=5 0.60 0.20 1.00 8 起動時コントロール端子電圧 C(ON) D=5 6.10 5.60 6.60 9 停止時コントロール端子電圧 C(OFF) D=5 4.75 4.30 5.20 10 起動 / 停止ヒステリシス電圧 d_c C(ON) C(OFF) 1.35 0.95 1.75 11 12 13 コントロール端子クランプ電圧 間欠動作時間比 間欠動作周波数 C(CLP) TSW/TTIM ftim IC=3 図 4 参照 S1=OPEN 図 4 参照 S1=OPEN 6.60 8 40 6.00 7.20 % Hz 14 コントロール端子充電電流 IC(CHG)1 IC(CHG)2 C=0, D=50 C=5, D=50-4.10-5.25-2.20-3.10-2.56-1.24 15 16 17 コントロール端子電圧 コントロール端子電圧ヒステリシス ソフトスタート時間 C(CNT) d_c(cnt) Tsoft D=5 D=5 C=C(CNT)-0.1 5.90 10 4.5 5.40 2.5 6.40 6.5 m ms 18 コントロール端子電圧 / 停止電圧差 d_c2 C(CNT) - d_c(cnt) C(OFF) 1.15 0.70 1.60 設計保証 : 設計として保証しますが 出荷検査は行っていません 参考値記載 : 設計上の参考値であり 検査による全数保証はできていません Page 2 of 12
保護機能 は設計保証, は参考値記載 No. 測定条件 ( 図 1 参照 ) 標準 最小 最大 図 5 参照 DUTY=MAXDC 過電流検出参照値可変レート Reao 19 Reao=(EAO_1-EAO_2) /0.1-4.0 / 図 5 参照過電流検出参照値 EAO_MAX 20 DUTY=MAXDC 1.68 1.44 1.92 図 5 参照過電流検出レベル時 C 電圧 C_MAX 21 DUTY=MAXDC 5.80 5.40 6.20 図 2, 図 6 参照 Ton=3 μs 22 過電流保護検出 ILIMIT C=C(CNT)-0.4 0.400 0.360 0.440 A オン時ブランキング幅 ton(blk) 23 400 320 480 ns 過電流検出遅れ時間 td(ocl) 24 150 ns D=50 最小オンパルス幅 MIN(PW) 25 C=C(CNT) - d_c(cnt) 580 780 ns 過熱保護温度 3 TOTP 26 150 140 160 過熱保護温度ヒステリシス d_totp 27 70 28 ラッチリセット電圧 Creset 3: 本製品の絶対最大定格の保証保存温度範囲は Tj=150 Max. です この温度を超えての保存 使用はその後の IC の正常動作を保証できないだけでなく発煙 発火を起こす場合もあります いかなる場合もこの温度を超えての保存 使用はお避けください また 本 IC は上記の過熱検出機能を内蔵していますが この機能は本 IC の温度を 150 以下に抑えるものではありません ( 本機能につきましては出荷時 個々に実温度での検査は実施しておりません TEST 機能にて擬似的に検出回路動作の確認のみ行っております ) 設計保証 : 設計として保証しますが 出荷検査は行っていません 参考値記載 : 設計上の参考値であり 検査による全数保証はできていません 2.60 1.80 3.50 Page 3 of 12
出力 は設計保証, は参考値記載 No. 測定条件 ( 図 1 参照 ) 標準 最小 最大 29 オン抵抗 RDS(ON) ID=0.1 A 16.9 21.0 Ω 30 オフ時ドレイン端子リーク電流 IDSS D=650, C>C(CNT) 10 20 μa 31 32 33 ドレイン耐圧立ち上がり時間立下がり時間 DSS tr tf ID=100 μa, C>C(CNT) 図 7 参照 図 7 参照 50 30 700 ns ns 電源電圧 No. 測定条件 ( 図 1 参照 ) 標準 最小 最大 34 最小ドレイン電圧 D(MIN) S1=OPEN Ta=-40~125 4 50 4: 動作保証温度範囲において IPD が起動 ( 発振開始 ) するために必要なドレイン印加電圧を示します Ta=25 125 で出荷検査を行っております 設計保証 : 設計として保証しますが 出荷検査は行っていません 参考値記載 : 設計上の参考値であり 検査による全数保証はできていません Page 4 of 12
D. 電気的特性 測定条件 (Ta=125 ±5 ) コントロール機能 は設計保証, は参考値記載 No. 測定条件 ( 図 1 参照 ) 標準最小最大 35 出力周波数 fosc C=C(CNT)-0.4, D=5 102 92 112 khz 図 3 参照周波数ジッター偏差 d_fosc 36 C=C(CNT)-0.4, D=5 5.3 khz 図 3 参照周波数ジッター変調率 fm 37 C=C(CNT)-0.4, D=5 200 Hz 38 最大デューティサイクル MAXDC C=C(CNT)-0.4, D=5 54 50 58 % 39 起動前動作電流 IC(SB)1 C=C(ON)-0.06,D=5 0.48 0.18 0.63 40 軽負荷時停止電流 IC(SB)2 C=C(CNT),D=5 0.48 0.18 0.63 41 42 43 停止時コントロール端子電圧 C(OFF) D=5 44 起動 / 停止ヒステリシス電圧 d_c C(ON) C(OFF) 45 コントロール端子クランプ電圧 C(CLP) IC=3 間欠動作時間比 TSW/TTIM 図 4 参照 46 S1=OPEN 間欠動作周波数 ftim 図 4 参照 47 S1=OPEN 48 動作電流 起動時コントロール端子電圧 C(ON) D=5 コントロール端子充電電流 49 コントロール端子電圧 C(CNT) D=5 5.90 5.40 6.40 コントロール端子電圧ヒステリシス d_c(cnt) D=5 50 10 ソフトスタート時間 Tsoft C=C(CNT)-0.1 51 5.5 3.1 7.9 52 コントロール端子電圧 / 停止電圧差 IC(OP) IC(CHG)1 IC(CHG)2 d_c2 C=C(CNT)-0.2, D=5 C=0, D=50 C=5, D=50 C(CNT) - d_c(cnt) C(OFF) 設計保証 : 設計として保証しますが 出荷検査は行っていません 参考値記載 : 設計上の参考値であり 検査による全数保証はできていません 0.57 0.17 0.97 6.15 4.80 1.35 0.95 6.60 6.00 7.20 7 37-2.50-3.20-1.59-1.30-1.80-0.71 1.10 5.65 4.34 5.25 0.65 6.65 1.75 % Hz m ms 1.55 Page 5 of 12
保護機能 は設計保証, は参考値記載 No. 測定条件 ( 図 1 参照 ) 標準最小最大 図 5 参照 DUTY=MAXDC 過電流検出参照値可変レート Reao 53 Reao=(EAO_1-EAO_2) /0.1-3.8 / 過電流検出参照値 EAO_MAX 図 5 参照 54 DUTY=MAXDC 2.12 1.75 2.49 過電流検出レベル時 C 電圧 C_MAX 図 5 参照 55 DUTY=MAXDC 5.60 5.20 6.00 図 2, 図 6 参照 Ton=3 μs 56 過電流保護検出 ILIMIT C=C(CNT)-0.4 0.380 0.312 0.440 A オン時ブランキング幅 ton(blk) 57 390 310 470 ns 過電流検出遅れ時間 td(ocl) 58 170 ns D=50 最小オンパルス幅 MIN(PW) 59 C=C(CNT) - d_c(cnt) 570 770 ns 60 ラッチリセット電圧 Creset 設計保証 : 設計として保証しますが 出荷検査は行っていません 参考値記載 : 設計上の参考値であり 検査による全数保証はできていません 1.90 1.20 2.90 Page 6 of 12
出力 は設計保証, は参考値記載 No. 測定条件 ( 図 1 参照 ) 標準最小 最大 61 オン抵抗 RDS(ON) ID=0.1 A 62 オフ時ドレイン端子リーク電流 IDSS D=650, C>C(CNT) 63 ドレイン耐圧 DSS ID=100 μa, C>C(CNT) 立ち上がり時間 tr 図 7 参照 64 80 立下がり時間 tf 図 7 参照 65 35 設計保証 : 設計として保証しますが 出荷検査は行っていません 参考値記載 : 設計上の参考値であり 検査による全数保証はできていません 27.0 34.0 Ω 15 30 μa 700 ns ns Page 7 of 12
図 1: 測定回路図 本測定回路図は 過電流保護検出値の測定には使用できません 1 s1 2 1μF C=0~8 D=0~50 3 s2 端子説明 1:CONTROL 2:SOURCE 3:DRAIN 図 2: 測定回路図 本測定回路図は 過電流保護検出値の測定に使用します 1 s1 2 1μF 100μH C=0~8 D=0~50 3 51Ω s2 端子説明 1:CONTROL 2:SOURCE 3:DRAIN Page 8 of 12
図 3: d_fosc fm 測定波形 fosc d_fosc fosc=fosc 平均 1/fM 時間 図 4: TTSW,TTIM,fTIM 測定波形 TTIM ftim=1/ttim C(ON) C(CNT) C(OFF) TSW 発振 発振停止 時間 Page 9 of 12
図 5: EAO 測定 EAO EAO_MAX EAO_2 EAO_1 0 Reao=(EAO_1-EAO_2)/0.1 C_MAX C C(CNT) C(CNT)-10m C(CNT)-110m 図 6: ILIMIT 測定 ID ILIMIT 0 3μsec 時間 図 7: tr tf 測定 D tf tr 90% 10% 0 時間 Page 10 of 12
図 8: ブロック図 CONTROL 起動用定電流 DRAIN 内部電源供給 エラーアンプ 軽負荷検出間欠発振制御用 タイマー間欠動作回路 過熱保護回路 C_ クランプ ジッター付発振器 MAX DUTY CLOCK 再起動トリガ S Q ゲートドライバー パワー MOSFET R Q EAO EAO_MAX オン時ブランキングパルス発生回路 ドレイン電流検出用 SOURCE 図 9: 端子配置図 ピンNo 端子名 1 CONTROL 2 SOURCE 3 DRAIN Page 11 of 12
使用上の注意 1 CONTROL-SOURCE 間には 必ず端子のすぐ近くに (0.1 μf 以上の ) セラミックコンデンサを接続して下さい 使用上の注意 2 以下のような条件では破損し 場合によっては破裂 発煙の可能性があります 以下の使用は避けていただくとともに 安全規格上の認定試験において 対策が必要になる場合には 入力段へのヒューズ追加や CONTROL-SOURCE 間へのツェナーダイオード追加などの対策を講じてください 具体的な対策については個別に相談させていただくことも可能ですが 最終的にはお客様側にてご判断をお願いいたします (1) DRAIN 端子と CONTROL 端子をショートする (2) DRAIN 端子と SOURCE 端子をショートする Page 12 of 12
本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 (1) 本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は 当該国における法令 特に安全保障輸出管理に関する法令を遵守してください (2) 本書に記載の技術情報は 製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり それをもってパナソニック株式会社または他社の知的財産権もしくはその他の権利の許諾を意味するものではありません したがって 上記技術情報のご使用に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合 当社はその責任を負うものではありません (3) 本書に記載の製品は 一般用途 ( 事務機器 通信機器 計測機器 家電製品など ) もしくは 本書に個別に記載されている用途に使用されることを意図しております 特別な品質 信頼性が要求され その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり 人体に危害を及ぼす恐れのある用途 - 特定用途 ( 車載機器 航空 宇宙用 輸送機器 交通信号機器 燃焼機器 医療機器 安全装置など ) でのご使用を想定される場合は事前に当社営業窓口までご相談の上 使用条件等に関して別途 文書での取り交わしをお願いします 文書での取り交わしなく使用されたことにより発生した損害などについては 当社は一切の責任を負いません (4) 本書に記載の製品および製品仕様は 改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承ください したがって 最終的な設計 ご購入 ご使用に際しましては 事前に最新の書または仕様書をお求め願い ご確認ください (5) 設計に際しては 絶対最大定格 動作保証条件 ( 動作電源電圧 動作環境等 ) の範囲内でご使用いただきますようお願いいたします 特に絶対最大定格に対しては 電源投入および遮断時 各種モード切替時などの過渡状態においても 超えることのないように十分なご検討をお願いいたします 保証値を超えてご使用された場合 その後に発生した機器の故障 欠陥については当社として責任を負いません また 保証値内のご使用であっても 半導体製品について通常予測される故障発生率 故障モードをご考慮の上 当社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故 火災事故 社会的な損害などを生じさせない冗長設計 延焼対策設計 誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じていただきますようお願いいたします (6) 製品取扱い時 実装時およびお客様の工程内における外的要因 (ESD EOS 熱的ストレス 機械的ストレス ) による故障や特性変動を防止するために 使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください 分解後や実装基板から取外し後に再実装された製品に対する品質保証は致しません また 防湿包装を必要とする製品は 保存期間 開封後の放置時間など 個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた条件を守ってご使用ください (7) 本書に記載の製品を他社へ許可なく転売され 万が一転売先から何らかの請求を受けた場合 お客様においてその対応をご負担いただきますことをご了承ください (8) 本書の一部または全部を当社の文書による承諾なしに 転載または複製することを堅くお断りいたします No.010618