<IGBT モジュール > 用途 2 素子入 インバータ装置, サーボアンプ, 電源装置など 外形及び接続図 コレクタ電流 I C... A コレクタ エミッタ間電圧 CES... 7 最大接合温度 T jmax... 5 C フラットベース形 銅ベース板 RoHS 指令対応 UL Recognized under UL557, File E323585 単位 :mm Tolerance oherwise specified Division of Dimension Tolerance.5 o 3 ±.2 over 3 o 6 ±.3 over 6 o 3 ±.5 over 3 o 2 ±.8 over 2 o 4 ±.2 Tr2 Di2 接続図 Di Tr E () () 25.5 作成
最大定格 ( 指定のない場合,T j=25 C) 記号項目条件定格値単位 CES コレクタ エミッタ間電圧 G-E 間短絡 7 GES ゲート エミッタ間電圧 C-E 間短絡 ± 2 I C 直流, T C =8 C ( 注 2, 4) コレクタ電流 I CRM パルス, 繰返し ( 注 3) 2 P o コレクタ損失 T C =25 C ( 注 2,4) 96 W I E T C =25 C ( 注 2,4) エミッタ電流 I ERM パルス, 繰返し ( 注 3) 2 isol 絶縁耐電圧全端子 ベース板間, 実効値, f=6 Hz, AC 分間 35 T j 接合温度 - -4 ~ +5 T sg 保存温度 - -4 ~ +25 電気的特性 ( 指定のない場合,T j=25 C) 記号項目条件 規格値 最小標準最大 I CES コレクタ エミッタ間遮断電流 CE = CES, G-E 間短絡 - -. ma I GES ゲート エミッタ間漏れ電流 GE = GES, C-E 間短絡 - - 2. μa GE(h) ゲート エミッタ間しきい値電圧 I C = ma, CE = 5.5 7. 8.5 CEsa C ies コレクタ エミッタ間飽和電圧 入力容量 I C = A, GE =5 T j =25 C - 2.2 2.8 試験回路参照 ( 注 5) T j =25 C - 2.45 - - - 24.7 C oes 出力容量 CE =, G-E 間短絡 - - 2.8 C res 帰還容量 - -.53 Q G ゲート電荷量 CC =, I C = A, GE =5-67 - nc d(on) ターンオン遅延時間 - - 2 CC =, I C = A, GE =±5, r 上昇時間 - - 5 d(off) ターンオフ遅延時間 - - 55 R G =4.8 Ω, 誘導負荷 f 下降時間 - - 35 EC エミッタ コレクタ間電圧 I E = A, G-E 間短絡, 試験回路参照 ( 注 5) - 2.3 3. rr 逆回復時間 CC =, I E = A, GE =±5, - - 3 ns Q rr 逆回復電荷 R G=4.8 Ω, 誘導負荷 - - μc E on ターンオンスイッチング損失 CC=, I C=I E= A, - 2.3 - E off ターンオフスイッチング損失 GE=±5, R G=4.8 Ω, T j =25 C, - 3 - E rr 逆回復損失誘導負荷, パルスあたり - 33 - mj r g 内部ゲート抵抗 素子あたり, T c =25 C - - Ω 熱的特性 記号項目条件 規格値 最小標準最大 R h(j-c)q 接合 ケース間, IGBT 素子あたり ( 注 2) - -.3 K/W 熱抵抗 R h(j-c)d 接合 ケース間, FWD 素子あたり ( 注 2) - -.2 K/W R h(c- s ) 機械的特性 接触熱抵抗 ケース ヒートシンク間, /2 モジュールあたり, 熱伝導性グリース塗布 ( 注 2,6) 記号項目条件 A A C 単位 nf ns mj 単位 -.22 - K/W 規格値 最小標準最大 M 主端子 M 5 ねじ 2.5 3. 3.5 N m 締付けトルク M s 取付け M 6 ねじ 3.5 4. 4.5 N m m 質量 - - 3 - g e c ベース板平面度 X, Y 各中心線上 ( 注 7) - - + μm 単位 25.5 作成 2
*: 本製品は RoHS 指令 (2/65/EU) に準拠しています Resricion of he use of cerain Hazardous Subsances in elecrical and elecronic equipmen. 注. フリーホイールダイオード (FWD) の定格又は特性を示します 2. ケース温度 (T C) 及びヒートシンク温度 (T s) の定義点は, チップ直下におけるベース板及びヒートシンクの表面です チップ中心位置は, チップ配置図のとおりです 3. パルス幅及び繰返し率は, 素子の温度上昇が, 最大接合温度 (T jmax=5 C) を越えない値とします 4. 接合温度は, 最大接合温度 (T jmax=5 C) 以下です 5. パルス幅及び繰返し率は, 素子の温度上昇が無視できる値とします 6. 接触熱抵抗の標準値は, 熱伝導率 λ=.9 W/(m K) の放熱用グリースを使用したときの値です 7. ベース板 ( 取付面 ) 平面度測定箇所は, 下図のとおりです 3 mm +: 凸 -: 凹 X 3 mm 取付面 取付面 Y -: 凹 3 mm 取付面 +: 凸 推奨動作条件記号 項目 条件 規格値最小標準最大 単位 CC 電源電圧 - 端子間 - GEon ゲート ( 駆動 ) 電圧 -/- 端子間 3.5 5. 6.5 R G 外部ゲート抵抗 素子あたり 4.8-48 Ω チップ配置図 (Top view) 単位 :mm, 公差 :± mm Tr/Tr2: IGBT, Di/Di2: FWD 記号は, それぞれのチップの中心を示します 25.5 作成 3
試験回路及び試験波形 GE=5 I C I E GE=5 I C I E Tr Tr2 Di Di2 CEsa 試験回路 EC 試験回路 i E v GE ~ 9 % - GE Load + CC i C ~ 9 % i E A I E Q rr =.5 I rr rr rr + GE - GE R G vge vce i C A d(on) r d(off) f % I rr.5 I rr スイッチング特性試験回路及び試験波形 逆回復特性試験波形 I EM i E v EC I CM i C i C I CM CC v CE CC CC v CE A. I CM. CC. CC.2 I CM i i i IGBT ターンオンスイッチング損失 IGBT ターンオフスイッチング損失 FWD 逆回復損失ターンオン / ターンオフスイッチング損失及び逆回復損失試験波形 ( 積分時間説明図 ) 25.5 作成 4
特性図 出力特性 コレクタ エミッタ間飽和電圧特性 T j=25 C GE=5 2 GE=2 3 4 5 2 コレクタ電流 IC (A) 6 2 8 4 8 9 コレクタ エミッタ間飽和電圧 CEsa () 3 2 T j=25 C T j=25 C 2 4 6 8 コレクタ エミッタ間電圧 CE () 5 5 2 コレクタ電流 I C (A) コレクタ エミッタ間飽和電圧特性 フリーホイールダイオード順特性 T j=25 C G-E 間短絡 コレクタ エミッタ間飽和電圧 CEsa () 8 6 4 2 I C=2 A I C= A I C=4 A エミッタ電流 IE (A) T j=25 C T j=25 C 5 5 2 ゲート エミッタ間電圧 GE ().5.5 2 2.5 3 3.5 エミッタ コレクタ間電圧 EC () 25.5 作成 5
特性図 スイッチング時間特性 CC=, GE=±5, R G=4.8 Ω, T j=25 C, 誘導負荷 スイッチング時間特性 CC=, I C= A, GE=±5, T j=25 C, 誘導負荷 f d(off) スイッチング時間 (ns) d(on) r スイッチング時間 (ns) f d(on ) d(off) r コレクタ電流 I C (A) 外部ゲート抵抗 R G (Ω) スイッチング損失特性 CC=, GE=±5, R G=4.8 Ω, T j=25 C 誘導負荷, パルスあたり スイッチング損失特性 CC=, I C/I E= A, GE=±5, T j=25 C 誘導負荷, パルスあたり スイッチング損失 (mj) E rr E off E on 逆回復損失 (mj) スイッチング損失, 逆回復損失 (mj) E on E off E rr コレクタ電流 I C (A) エミッタ電流 I E (A) 外部ゲート抵抗 R G (Ω) 25.5 作成 6
特性図 容量特性 G-E 間短絡, T j=25 C フリーホイールダイオード逆回復特性 CC=, GE=±5, R G=4.8 Ω, T j=25 C, 誘導負荷 C ies 容量 (nf) rr (ns), I rr (A) rr I rr C oes C res.. コレクタ エミッタ間電圧 CE () エミッタ電流 I E (A) 2 ゲート容量特性 I C= A, T j=25 C 最大過渡熱インピーダンス特性 Single pulse, T C=25 C R h(j-c)q=.3 K/W, R h(j-c)d=.2 K/W ゲート エミッタ間電圧 GE () 5 5 CC= CC=8 NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE Z h(j- c).. 2 4 6 8 ゲート容量 Q G (nc)...... 時間 (S) 25.5 作成 7
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