Z 1 F 3 4 T 5 J 6 7 I L 8 半導体カタログ 018-3 USB Type-C TM 対応 ディスクリート半導体 スマートフォン デジタルカメラ セットトップボックス プリンタ タブレット PC USB Type-C TM ハードディスクドライブ Q W E A S D X C V R G H B N M Y U K O P 9 0 ノートパソコン 液晶ディスプレイ SEMICONDUCTOR & STORAGE PRODUCTS https://toshiba.semicon-storage.com/jp/
USB Type-C TM の電源ライン 信号ラインに適した半導体製品を提案します USB Type-C TM とは USB 端子の新しい規格です 従来のに比べて小型化されているだけではなく 電力供給もデータ通信も 1 本のケーブルで可能となっています また 上下左右対称なデザインを採用しているため 上下反転しても使用することができます USB Type-C TM の特長 1. 電源ラインに流せる電力が大きい USB パワーデリバリ (PD) 規格に対応することにより 最大 100W までの電力を供給することができます また 双方向の電源供給も可能となります. 信号ラインのデータ通信速度が速い USB3.1 規格に当たる最大 10Gbps のデータ通信が可能です 3. 複数の通信規格に対応している AV 機器や PC 機器の様々な信号規格に対応した オルタネートモード という制御規格を搭載しています そのため USB ケーブル 1 本でほとんどすべての周辺機器との接続が可能となります ホスト側もデバイス側も同一形状 上下左右対称なデザイン USB Type-C は USB Implementers Forum の登録商標です USB Type-C TM 向けディスクリート製品 当社は USB Type-C TM 周辺の電源ライン 信号ラインそれぞれに対して お客さまの使用条件に適した半導体製品を提供します USB Type-C TM 電源ライン伝送系 バッテリ VBUS TVS ダイオード パワースイッチ MOSFET ロードスイッチ IC CC PD コントローラ TVS ダイオード 信号ライン伝送系 マイクロコントローラ TX/RX TVS ダイオード バススイッチバススイッチ IC :Power Management IC PD:Power Delivery VBUS: バス電源 CC: コンフィグチャネル ( ケーブル方向検出 ) TX/RX: 信号線 本資料に掲載されている内容は 018 年 1 月時点のものです
電源ライン伝送系 電源ラインにおいては 取り扱える電力の大きさ 保護機能の有無 コストなどの条件により 3 つの構成例を提案します 電源ライン回路の 3 つの構成例 構成例 1 P チャネル MOSFET SSM6J507NU P チャネル MOSFET P チャネル MOSFET を用いた最も単純な構成です 小型パッケージと低オン抵抗特性により 汎用的なシステムを構築できます.0.0 0.65 SOT-10 (UDFN6B) 5 特長入力電圧 (Max) 出力電流 (Max) オン抵抗 (Typ.) 保護機能 5 V 10 A 19 mω (@VGS = -4.5 V) なし SSM6J507NU 構成例 ロードスイッチ IC TCK303G スマートフォンやタブレット P C など 比較的小さい電力の製品向けです MOSFET と保護機能を一体化したロードスイッチ IC を用いることにより シンプルなシステムが可能となります 1.5 1.5 WCSP9 8 ロードスイッチ IC 特長入力電圧 (Max) 出力電流 (Max) オン抵抗 (Typ.) 保護機能 8 V 3 A 73 mω (@VIN = -4.5 V) 加熱保護過電圧保護低電圧誤動作防止突入電流抑制逆電流防止 TCK303G 構成例 3 N チャネル MOSFET ドライバ IC SSM6K513NU N チャネル MOSFET Nチャネル MOSFETとそれを駆動するためのドライバ ICの組み合わせにより 大電力にも対応可能です 低オン抵抗のMOSFETで電源ラインの発熱を抑えることができ また 小型のドライバICの採用でシステムの小型化に貢献します.0.0 0.65 SOT-10 (UDFN6B) 5 SSM6K513NU 特長 1. 9 ドライバ IC TCK401G 入力電圧 (Max) 出力電流 (Max) オン抵抗 (Typ.) 保護機能 ( ドライバ IC) 8 V 15 A 6.5 mω (@VIN = 5 V) 過電圧保護低電圧誤動作防止突入電流抑制逆電流防止チャージポンプオートディスチャージ 0.4 WCSP6E TCK401G
電源ライン向け TVS ダイオード 電力供給用電源ラインに発生するノイズや静電気 (ESD) からデバイスを保護します 当社独自のツェナープロセスを採用することで 静電気やノイズを吸収するダイナミック抵抗 (R DYN) を大幅に低減しました 静電気耐量も 30kV を確保しており システムの信頼性向上に貢献します 静電気 IC 静電気 IC 損傷 保護 ダイナミック抵抗 : 高 ダイナミック抵抗 : 低 ダイナミック抵抗が小さいほど ESD やサージを吸収しやすくなります TVS ダイオードラインアップ 絶対最大定格 電気的特性 パッケージ 品番 対象電圧ライン VBUS 静電気耐量 ( 注 ) VESD (kv) ピークパルス電流 IPP (A) 端子間容量 CT (pf) Typ. 逆方向降伏電圧 VBR (V) Typ. ダイナミック抵抗 RDYN (Ω) Typ. 1.6 DFS6PCTC* 5 V 80 600 6.7 0.08 DFS14PCTC* 1 V ±30 50 70 13.5 0.08 0.95 SOD-963 (CSTC).5 1.5 1.7 SOD-33 (USC) 1.105 DFS3PCTC* 0 V 14 160 4.1 0.13 DFS6PFU* 5 V 80 600 6.7 0.08 DFS14PFU* 1 V ±30 50 70 13.5 0.08 DFS3PFU* 0 V 14 160 4.1 0.13 ( 注 ):IEC61000-4-( 接触放電 / 気中放電 ) *: 新製品 DFS6PCTC DFS14PCTC DFS3PCTC DFS6PFU DFS14PFU DFS3PFU パッケージ寸法図について 記載した寸法は基準寸法です 公差は含んでいません 公差については個別データシートをご参照ください 高さ寸法は 実装高さ ( 最大 ) です パッケージの本体サイズに加えて スタンドオフ高さ ( 基板面とパッケージ本体下面までの距離 ) を含んでいます
信号ライン伝送系 信号ライン向けバススイッチ IC USB Type-C TM は 逆挿しが可能であるため 挿入方向に応じて信号ラインを切り替える必要があります この機能を実現するのがバススイッチです TC7PCI31MTは チャンネルのマルチプレクサ機能を持っており 10Gbpsの高速信号に対応しています 挿入損失を抑えた設計により 劣化の少ない より高精度な信号伝送が可能となります TC7PCI31MT のマルチプレクサ機能 USB Type-C TC7PCI31MT USBコントローラ TX TX RX RX の挿入方向に応じて信号を切り替えます 4.5.5 5 TQFN0 TC7PCI31MT アイパターン ( 真ん中の開口部分 ) が開いているほど伝送特性が良好です 信号ライン向け TVS ダイオード 超小型パッケージ品やマルチビット対応品など 幅広いラインアップを提供しています マルチビット対応品は フロースルー実装が可能なため 基板レイアウト設計の合理化に貢献します マルチビットタイプパッケージのフロースルーピン配置 DFN5 (4 ビット ) 信号ライン TC7PCI31MT の 10Gbps におけるアイパターン挿入電力損失(dB) 0 5 10 15 0 5 30 0.1 端子間容量 (CT) の違いによる挿入電力損失 1 10 周波数 (GHz) CT = 5.0 pf CT = 0.1 pf CT = 0.3 pf 端子間容量が小さいほど 電力損失が小さくなります 特長品番ビット数 DFB6M4CT* 1 双方向タイプ DFB6M4SL* 1 フロースルータイプ DF5G6M4N* 4 ( 注 1):IEC61000-4-( 接触放電 / 気中放電 ) 静電気耐量 ( 注 1) ピークパルス電流 VESD (kv) IPP (A) ±0 ±0 ±0 絶対最大定格 端子間容量 CT (pf) Typ. 0. 0. 0. 逆方向降伏電圧 VBR (V) Typ. 6. 6. 6. 電気的特性 ダイナミック抵抗 RDYN (Ω) Typ. *: 新製品 0.6 1.0 0.4 0.3 0.6 0.33 1.3 0.4 0.65 0.385 0.45 SOD-88 (CST) SOD-96 (SL) DFN5 DFB6M4CT DFB6M4SL DF5G6M4N パッケージ寸法図について 記載した寸法は基準寸法です 公差は含んでいません 公差については個別データシートをご参照ください 高さ寸法は 実装高さ ( 最大 ) です パッケージの本体サイズに加えて スタンドオフ高さ ( 基板面とパッケージ本体下面までの距離 ) を含んでいます
半導体カタログ USB Type-C TM 対応ディスクリート半導体 018-3 BCJ011A 製品取り扱い上のお願い 株式会社東芝およびその子会社ならびに関係会社を以下 当社 といいます 本資料に掲載されているハードウエア ソフトウエアおよびシステムを以下 本製品 といいます 本製品に関する情報等 本資料の掲載内容は 技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります 文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます また 文書による当社の事前の承諾を得て本資料を転載複製する場合でも 記載内容に一切変更を加えたり 削除したりしないでください 当社は品質 信頼性の向上に努めていますが 半導体 ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります 本製品をご使用頂く場合は 本製品の誤作動や故障により生命 身体 財産が侵害されることのないように お客様の責任において お客様のハードウエア ソフトウエア システムに必要な安全設計を行うことをお願いします なお 設計および使用に際しては 本製品に関する最新の情報 ( 本資料 仕様書 データシート アプリケーションノート 半導体信頼性ハンドブックなど ) および本製品が使用される機器の取扱説明書 操作説明書などをご確認の上 これに従ってください また 上記資料などに記載の製品データ 図 表などに示す技術的な内容 プログラム アルゴリズムその他応用回路例などの情報を使用する場合は お客様の製品単独およびシステム全体で十分に評価し お客様の責任において適用可否を判断してください 本製品は 特別に高い品質 信頼性が要求され またはその故障や誤作動が生命 身体に危害を及ぼす恐れ 膨大な財産損害を引き起こす恐れ もしくは社会に深刻な影響を及ぼす恐れのある機器 ( 以下 特定用途 という ) に使用されることは意図されていませんし 保証もされていません 特定用途には原子力関連機器 航空 宇宙機器 医療機器 車載 輸送機器 列車 船舶機器 交通信号機器 燃焼 爆発制御機器 各種安全関連機器 昇降機器 電力機器 金融関連機器などが含まれますが 本資料に個別に記載する用途は除きます 特定用途に使用された場合には 当社は一切の責任を負いません なお 詳細は当社営業窓口までお問い合わせください 本製品を分解 解析 リバースエンジニアリング 改造 改変 翻案 複製等しないでください 本製品を 国内外の法令 規則及び命令により 製造 使用 販売を禁止されている製品に使用することはできません 本資料に掲載してある技術情報は 製品の代表的動作 応用を説明するためのもので その使用に際して当社及び第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません 別途 書面による契約またはお客様と当社が合意した仕様書がない限り 当社は 本製品および技術情報に関して 明示的にも黙示的にも一切の保証 ( 機能動作の保証 商品性の保証 特定目的への合致の保証 情報の正確性の保証 第三者の権利の非侵害保証を含むがこれに限らない ) をしておりません 本製品 または本資料に掲載されている技術情報を 大量破壊兵器の開発等の目的 軍事利用の目的 あるいはその他軍事用途の目的で使用しないでください また 輸出に際しては 外国為替及び外国貿易法 米国輸出管理規則 等 適用ある輸出関連法令を遵守し それらの定めるところにより必要な手続を行ってください 本製品の RoHS 適合性など 詳細につきましては製品個別に必ず当社営業窓口までお問い合わせください 本製品のご使用に際しては 特定の物質の含有 使用を規制する RoHS 指令等 適用ある環境関連法令を十分調査の上 かかる法令に適合するようご使用ください お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関して 当社は一切の責任を負いかねます USB Type-C TM 対応ディスクリート半導体 最新のデータシートやカタログを下記ホームページでも公開しています https://toshiba.semicon-storage.com/jp/ お問い合わせ先 018-3 018