暫定資料 東芝フォトカプラ Gals 赤外 LED + フォト IC T L P 3 5 汎用インバータ エアコン用インバータ IGBT のゲートドライブ 単位 :mm は Gals 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の受光 IC チップを組み合わせた PIN DIP のフォトカプラです 出力部はトーテムポール回路なので 吸い込み ( シンク ) はき出し ( ソース ) の両方向ドライブが出来ます この素子は IGBT およびパワー MOS FET のゲート駆動用に適しています 出力ピーク電流 : ±.6(Max) 動作温度範囲 : -4~ 供給電流 : m(max.) 電源電圧 : ~3V 入力しきい値電流 : =5m(Max.) 伝達遅延時間 (tplh/tphl) : 7ns(Max.) 瞬時コモンモード除去電圧 : kv/μs 絶縁耐圧 : 375Vrms 真理値表 入力 LED Tr Tr 出力 JEDEC EIJ 東芝質量 :.54 g C4 H ON ON OFF H L OFF OFF ON L ピン接続図 7 3 6 :N.C. : アノード 3: カソード 4:N.C. 5:GND 6:V O ( 出力 ) 7:N.C. :V CC 内部回路図 V F + - 3 (Tr) (Tr) I CC I O 6 V CC V O GND 5 注 :ピンと5ピンの間に バイパス用コンデンサ.μF をつける必要があります -9-
発光側直流逆電圧 V R 5 V 受光側電源電圧 V CC 35 V 最大定格 (Ta 5 C) 項目記号定格単位 直流順電流 m 直流順電流低減率 (@Ta 5 ) Δ/ΔTa -.54 m/ パルス順電流 ( 注 ) P 接合部温度 T j 5 C ハイレベル出力ピーク電流 ( 注 ) I OPH -.6 ローレベル出力ピーク電流 ( 注 ) I OPL.6 出力電圧 V O 35 V 接 合 部 温 度 T j 5 C 動 作 周 波 数 ( 注 3) f 5 khz 動 作 温 度 T opr -4~ C 保 存 温 度 T stg -55~5 C は ん だ 付 け 温 度 ( s) ( 注 4) T sol 6 C 絶 縁 耐 圧 (C, min, R.H. 6%) ( 注 5) BV S 375 Vrms 注 : パルス幅 μs 3pps 注 : 指数関数波形パルス幅 μs f 5kHz 注 3: 指数関数波形 I OPH -.4(.μs) I OPL +.4(.μs) Ta= 注 4: リード根元より mm以上注 5: ピン,,3,4と5,6,7,をそれぞれ一括し 電圧を印加する 注 6: 出力フォト IC は 非常に高感度のアンプを内蔵しており 発振防止用として ピン (V CC) とピン 5(GND) の間に高周波特性の良いバイパスコンデンサ.μF をピンより cm 以内の場所に取り付けてください ない場合には スピードやON/OFFの正常な動作をしない場合があります 推奨動作条件 項 目 記 号 最小 標準 最大 単位 入 力 オ ン 電 流 ( 注 7) (ON) 7.5 m 入 力 オ フ 電 圧 V F(OFF). V 電 源 電 圧 V CC 3 V 出 力 ピ ー ク 電 流 I OPH/I OPL ±. 動 作 温 度 T opr -4 注 7: 入力オン電流の立ち上がり 立ち下がりは.5μs 以下で駆動させてください -9-
電気的特性 ( 特に指定がない場合 Ta -4~ C) 項目記号 測定回路 測定条件最小標準 * 最大単位 入力順電圧 V F 5 m, Ta = 5.55.7 V 入力順電圧温度係数 V F/ Ta 5 m -. mv/ 入力逆電流 I R V R 5V, Ta = 5 入力端子間容量 C T V, f MHz,Ta = 5 45 pf 出力電流 ( 注 ) H レベル L レベル I OPH = 5V V-6=4V -. -.4 図 = 5m V-6=V -.4 -.67 I OPH I OPL = 5V V6-5=V..35 図 = m V6-5=V.4.63 I OPL 出力電圧 H レベル V OH 図 3 L レベル V OL 図 4 =V I O= -m, =5m I O =m, V F=.V 6..5.4. V 供給電流 H レベル I CCH 図 5 V CC = ~3V = m.4. Vo Open L レベル I CCL 図 6 = m.3. m スレッショルド入力電流 L H LH V CC = 5V, V O > V.5 5 m スレッショルド入力電圧 H L V FHL V CC = 5V, V O < V. V 動 作 電 源 電 圧 V CC 3 V 入 出 力 間 容 量 C S V =, f = MHz, Ta = 5. pf 入 出 力 間 抵 抗 R S V S = 5V, Ta = 5, R.H. 6% 4 Ω (*): 標準値はすべて Ta = 5 の値です 注 :Io 印加時間 5μs パルス注 9: 本製品は低消費電力化設計のため 従来の製品群より ESD に対して敏感です 実装 応用回路上の取り扱いにおいて耐 ESD の一般的な注意がより必要です 3-9-
スイッチング特性 ( 特に指定がない場合 Ta -4~ C) 項目記号 測定回路 測定条件最小標準 * 最大単位 伝 達 遅 延 時 間 L H tplh V CC = 3V = 5m 7 H L tphl R g = 47Ω = 5 m 7 立ち上がり時間 (-9%) tr 図 7 C g = 3nF = 5m 5 立ち下がり時間 (9-%) tf = 5 m 5 オンオフ間伝達遅延時間バラツキ ハイレベル瞬時コモンモード除去電圧 ローレベル瞬時コモンモード除去電圧 PDD tphl-tplh CM H CM L 図 V CC=3V,R g = 47Ω,C g = 3nF -5 5 V CM=Vp-p Ta = 5 V CC=3V = 5m V O(MIN) = 6V = m V O(MX) =V - ns V/μs * 標準値は全て Ta=5 の値 図 I O P H 測定回路図 図 I O P L 測定回路図 V-6 I OPH I OPL V6-5 図 3 V O H 測定回路図 図 4 V O L 測定回路図 V OH V V F V OL V 図 5 I C C H 測定回路図 I CCH 図 6 I C C L 測定回路図 I CCL 4-9-
図 7 tplh,tphl,tr,tf,pdd 測定回路図 tr tf. μ F Vo Rg=47 Ω Cg=3nF Vo 9% 5% % tplh tphl 図 CM H,CM L 測定回路図 9% V SW B IF.μF V CM % tr tf 4 VCM 5 VO V O SW : =5m V 6V CM H + SW B : =m CM L CM H = CM L = V tf(μs) V tr(μs) CM H (CM L ) はローレベル ( ハイレベル ) 出力電圧を維持できる コモンモード電圧波形の最大立ち上がり ( 立ち下がり ) を ( 電圧 / 時間 ) で表したものです 5-9-
ローレベル出力電圧 V OL (V) V OL =V.9 I OL =m..7.6.5.4.3.. -4-4 6 ハイレベル出力電圧 V OH (V) 3 5 5 5 V OH =5m I OH =-m,=v -4-4 6 ローレベル供給電流 I CCL (m) 6 4 =3V I CCL -4-4 6 ハイレベル供給電流 I CCH (m) 6 4 =m =3V I CCH -4-4 6 ローレベル出力電流 I OPL ()..6.4. =5V I OPL V =V 6-5 V 6-5=V -4-4 6 ハイレベル出力電流 I OPH () - -. -.6 -.4 -. I OPH =5m =5V V =V -6 V -6=4V -4-4 6 特性グラフは全て標準値 6-9-
スレッショルド入力電流 LH (m) 5 4 3 Vo>.V =5V I FLH -4-4 6 tplh,tphl[ns] 伝達遅延時間 5 4 3 =5m,=3V Rg=47Ω,Cg=3nF tplh tphl tphl,tplh -4-4 6 特性グラフは全て標準値 7-9-
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