用途 7 素子入 インバータ装置, サーボアンプ, 電源装置など 外形及び接続図 コレクタ電流... 1 0 0 A コレクタ エミッタ間電圧 CES... 6 0 0 最大接合温度 T jmax... 1 5 0 C フラットベース形 銅ベース板 ( めっきレス ) RoHS 指令対応 UL Recognized under UL1557, File E3285 :mm TERMINAL =0.8 SECTION A 接続図 Tolerance oherwise specified P() GUP(34) EUP(33) GP(26) EP(25) GWP(18) EWP(17) NTC TH1(10) TH2(11) Division of Dimension 0.5 o 3 ±0.2 over 3 o 6 ±0.3 over 6 o 30 ±0.5 over 30 o 120 ±0.8 Tolerance U(1) (2) W(3) B(4) over 120 o 400 ±1.2 All dimensions wih olerance of GUN(30) GP(22) GWN(14) GB(6) N() EUN(29) EP(21) EWN(13) EB(5) 2014.08 作成 1 CMH-10277 er.2.0
最大定格 ( 指定のない場合,T j=25 C) インバータ部 IGBT/FWD 定格値 CES コレクタ エミッタ間電圧 600 GES ゲート エミッタ間電圧 C-E 間短絡 ± 20 直流, T C =75 C ( 注 2, 4) 100 コレクタ電流 RM パルス, 繰返し ( 注 3) 200 P o コレクタ損失 T C =25 C ( 注 2,4) 400 W ( 注 1) 直流 ( 注 2) 100 エミッタ電流 I ( 注 1) ERM パルス, 繰返し ( 注 3) 200 ブレーキ部 IGBT/DIODE 定格値 CES コレクタ エミッタ間電圧 600 GES ゲート エミッタ間電圧 C-E 間短絡 ± 20 直流, T C =97 C ( 注 2, 4) 50 コレクタ電流 RM パルス, 繰返し ( 注 3) 100 P o コレクタ損失 T C =25 C ( 注 2,4) 280 W RRM ピーク繰返し逆電圧 600 I F 直流 ( 注 2) 50 順電流 I FRM パルス, 繰返し ( 注 3) 100 モジュール 定格値 isol 絶縁耐電圧全端子 ベース板間, 実効値, f=60 Hz, AC 1 分間 2500 T j 接合温度 - -40 ~ +150 T sg 保存温度 - -40 ~ +125 T Cmax 最大ケース温度 ( 注 4) 125 C 電気的特性 ( 指定のない場合,T j=25 C) インバータ部 IGBT/FWD ES コレクタ エミッタ間遮断電流 CE = CES, - - 1.0 ma I GES ゲート エミッタ間漏れ電流 GE = GES, C-E 間短絡 - - 0.5 μa GE(h) ゲート エミッタ間しきい値電圧 =10 ma, CE =10 5 6 7 CEsa C ies コレクタ エミッタ間飽和電圧 入力容量 =100 A, GE =15, T j =25 C - 1.7 2.1 試験回路図参照 ( 注 5) T j =125 C - 1.9 - =100 A, GE=15, チップ ( 注 5) - 1.6 - - - 13.3 C oes 出力容量 CE =10, - - 1.4 C res 帰還容量 - - 0.45 Q G ゲート電荷量 CC =300, =100 A, GE =15-270 - nc d(on) ターンオン遅延時間 - - 100 CC =300, =100 A, GE =±15, r 上昇時間 - - 100 d(off) ターンオフ遅延時間 - - 300 R G =6.2 Ω, 誘導負荷 f 下降時間 - - 600 r g 内部ゲート抵抗 1 素子あたり, T C =25 C ( 注 4) - 0 - Ω A A A A C nf ns 2014.08 作成 2 CMH-10277 er.2.0
電気的特性 ( 続き : 指定のない場合,T j=25 C) インバータ部 IGBT/FWD EC ( 注 1) エミッタ コレクタ間電圧 =100 A,, T j =25 C - 2.0 2.8 試験回路図参照 ( 注 5) T j =125 C - 1.95 - =100 A,, チップ ( 注 5) - 1.9 - rr ( 注 1) 逆回復時間 CC =300, =100 A, GE =±15, - - 200 ns Q rr ( 注 1) 逆回復電荷 R G=6.2 Ω, 誘導負荷 - 3.6 - μc E on ターンオンスイッチング損失 CC=300, ==100 A, - 1.6 - E off ターンオフスイッチング損失 GE=±15, R G=6.2 Ω, T j =125 C, - 5.2 - E rr ( 注 1) 逆回復損失誘導負荷, 1 パルスあたり - 1.1 - mj ブレーキ部 IGBT/DIODE ES コレクタ エミッタ間遮断電流 CE = CES, - - 1.0 ma I GES ゲート エミッタ間漏れ電流 GE = GES, C-E 間短絡 - - 0.5 μa GE(h) ゲート エミッタ間しきい値電圧 =5 ma, CE =10 5 6 7 CEsa C ies コレクタ エミッタ間飽和電圧 入力容量 =50 A, GE =15, T j =25 C - 1.7 2.1 試験回路図参照 ( 注 5) T j =125 C - 1.9 - =50 A, GE=15, チップ ( 注 5) - 1.6 - - - 9.3 C oes 出力容量 CE =10, - - 1.0 C res 帰還容量 - - 0.3 Q G ゲート電荷量 CC =300, =50 A, GE =15-200 - nc I RRM 逆電流 R = RRM, - - 1.0 ma F 順電圧 I F =50 A,, T j =25 C - 2.0 2.8 試験回路図参照 ( 注 5) T j =125 C - 1.95 - I F =50 A,, チップ ( 注 5) - 1.9 - r g 内部ゲート抵抗 1 素子あたり, T C =25 C ( 注 4) - 0 - Ω NTC サーミスタ部 R 25 ゼロ負荷抵抗値 T C =25 C ( 注 4) 4.85 5.00 5.15 kω ΔR/R 抵抗値許容差 R 100 =493 Ω, T C =100 C ( 注 4) -7.3 - +7.8 % B (25/50) B 定数計算式による値 ( 注 6) - 3375 - K P 25 電力損失 T C =25 C ( 注 4) - - 10 mw 熱的特性 接合 ケース間, インバータ部 IGBT, R h(j-c)q - - 0.31 1 素子あたり ( 注 4) 熱抵抗接合 ケース間, インバータ部 FWD, R h(j-c)d - - 0.59 1 素子あたり ( 注 4) R h(j-c)q 接合 ケース間, ブレーキ部 IGBT ( 注 4) - - 0.44 熱抵抗 R h(j-c)d 接合 ケース間, ブレーキ部 DIODE ( 注 4) - - 0.85 R h(c- s ) 接触熱抵抗 ケース ヒートシンク間, 1 モジュールあたり, 熱伝導性グリース塗布 ( 注 4,7) mj nf K/W K/W - 15 - K/kW 2014.08 作成 3 CMH-10277 er.2.0
機械的特性 M 締付けトルク主端子 M 5 ねじ 2.5 3.0 3.5 N m M s 締付けトルク取付け M 5 ねじ 2.5 3.0 3.5 N m d s d a 沿面距離 空間距離 端子間 10.28 - - 端子 ベース板間 12.46 - - 端子間 9.88 - - 端子 ベース板間 10.12 - - m 質量 - - 0 - g e c ベース板平面度 X, Y 各中心線上 ( 注 8) ±0 - +100 μm 注 1. フリーホイールダイオード (FWD) の定格又は特性を示します 2. 接合温度は, 最大接合温度 (T jmax) 以下です 3. パルス幅及び繰返し率は, 素子の温度上昇が, 最大接合温度 (T jmax) を越えない値とします 4. ケース温度 (T C) 及びヒートシンク温度 (T s) の定義点は, チップ直下におけるベース板及びヒートシンクの表面です チップ中心位置は, チップ配置図のとおりです 5. パルス幅及び繰返し率は, 素子の温度上昇が無視できる値とします R 6. B ln( 25 1 1 ( 25 / 50) = )/( ) R50 T25 T50 R 25: 絶対温度 T 25 [K] におけるゼロ負荷抵抗値 ;T 25 [K]=25 [ C]+273.15=298.15 R 50: 絶対温度 T 50 [K] におけるゼロ負荷抵抗値 ;T 50 [K]=50 [ C]+273.15=323.15 7. 接触熱抵抗の標準値は, 熱伝導率 λ=0.9 W/(m K) の放熱用グリースを使用したときの値です 8. ベース板 ( 取付面 ) 平面度測定箇所は, 下図のとおりです mm mm +: 凸 -: 凹 X Y 取付面 取付面 -: 凹 取付面 +: 凸 9. プリント基板をスタンドオフにねじ止めする場合は, 下記仕様のタッピンねじをご使用ください 呼び径 (φ)2.3 10 又は呼び径 (φ)2.3 12, B1 タッピンねじ ねじの長さは, プリント基板の厚み (1.6~2.0) によります 推奨動作条件 CC 電源電圧 P-N 端子間 - 300 400 GEon ゲート ( 駆動 ) 電圧 G*P-E*P1/G*N-E*N2/ 端子間 13.5 15.0 16.5 R G 外部ゲート抵抗 1 素子あたり インバータ部 6.0-62 Ω ブレーキ部 13-125 2014.08 作成 4 CMH-10277 er.2.0
チップ配置図 (Top view) :mm, 公差 :±1 mm Tr*P/Tr*N/TrBr: IGBT, Di*P/Di*N: FWD, DiBr: ブレーキ DIODE, Th: NTC サーミスタ 記号は, それぞれのチップの中心を示します 試験回路及び試験波形 *: U,, W P i E v GE ~ 90 % - GE G*P E*P * Load + CC 0 i C ~ 0 90 % i E 0 A Q rr =0.5 I rr rr rr 0 + GE - GE R G vge G*N E*N N vce i C 0 A d(on) r d(off) f 10% I rr 0.5 I rr スイッチング特性試験回路及び試験波形 逆回復特性試験波形 M i C i C M i E M v EC CC v CE CC CC v CE 0 A 0 0.1 M 0.1 CC 0 0.1 CC 0.02 M 0 i i i IGBT ターンオンスイッチング損失 IGBT ターンオフスイッチング損失 FWD 逆回復損失ターンオン / ターンオフスイッチング損失及び逆回復損失試験波形 ( 積分時間説明図 ) 2014.08 作成 5 CMH-10277 er.2.0
試験回路 GE=15 GE=15 GE=15 34 26 18 33 1 25 2 17 3 30 22 14 29 21 13 34 26 18 33 25 17 1 2 3 4 GE=15 GE=15 GE=15 GE=15 30 22 14 6 29 21 13 5 GP-EP GN-EN, GWP-EWP, GW N-EWN, GWP-EWP, GWN-EWN, GP-EP, GN-EN, GP-EP, GN-EN, GWP-EWP, GW N-EWN UP / UN IGBT P / N IGBT WP / WN IGBT Brake IGBT CEsa 試験回路 34 26 18 33 1 25 2 17 3 30 22 14 29 21 13 34 26 18 33 25 17 1 2 3 4 30 22 14 6 29 21 13 5 GP-EP GN-EN, GWP-EWP, GW N-EWN, GWP-EWP, GWN-EWN, GP-EP, GN-EN, GP-EP, GN-EN, GWP-EWP, GW N-EWN UP / UN DIODE P / N DIODE WP / WN DIODE Brake DIODE EC / F 試験回路 2014.08 作成 6 CMH-10277 er.2.0
特性図 インバータ部 2014.08 作成 7 CMH-10277 er.2.0
特性図 インバータ部 2014.08 作成 8 CMH-10277 er.2.0
特性図 ブレーキ部 NTC サーミスタ部 100 温度特性 ( 代表例 ) 10 抵抗値 R (kω) 1 0.1-50 -25 0 25 50 75 100 125 温度 T ( C) 2014.08 作成 9 CMH-10277 er.2.0
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