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1 単セル 2 セル用フル集積化リチウムイオン リチウムポリマー充電管理コントローラ 特徴 リニア充電管理コントローラ - パストランジスタ内蔵 - 電流センサ内蔵 - 逆流保護 高精度のプリセット電圧調整 : + 0.5% 4つの電圧調整設定オプションが可能 : - 4.1V, 4.2V MCP73861/3-8.2V, 8.4V MCP73862/4 プログラマブルな充電電流 : 最大 1.2A プログラマブルな安全充電時間 著しく劣化したセル検出用予備テスト 自動による充電終了制御 セル温度常時監視付加機能 LED 直接ドライブによる充電状態出力 LED 直接ドライブによる異常出力 自動電源オフ 温度制御 温度範囲 : -40 ~ +85 パッケージ : 16 ピン 4 x 4 QFN 16 ピン SOIC 応用例 リチウムイオン / リチウムポリマー電池充電器 電子手帳 (PDA) 携帯電話 携帯機器 クレードル充電器 ディジタルカメラ MP3 プレーヤー 概要 MCP7386X デバイスファミリは 先進的なリニア充電管理コントローラで スペースに制限があったり コストが重要な応用に適しています 高精度の定電圧 定電流レギュレータ セルの予備テスト セルの温度モニタ 安全保護タイマ 自動充電終了 内蔵電流センス 逆流防止 充電状態と異常表示 これらを組み合わせたデバイスが 16 ピン 4 x 4 QFN または 16 ピン SOIC パッケージに納められています MCP7386X は完全なフル機能の単独充電管理ソリューションを最小の外付け部品で提供します MCP73861/3 は 単セルのリチウムイオンまたはリチウムポリマー電池パック用で MCP73862/4 は 2 直列セルのリチウムイオンまたはリチウムポリマー電池パック用です MCP73861/3 は 2 つの安定化電圧 (4.1V と 4.2V) が選択でき これでコークスと黒鉛陽極の両方に使えます 入力電圧は 4.5V ~ 12V で動作します MCP73862/4 は 2 つの安定化電圧 (8.2V と 8.4V) を選択でき これでこれでコークスと黒鉛陽極の両方に使うことができます 入力電圧は 8.7V ~ 12V で動作します MCP73861/2 および MCP73863/4 の唯一の違いは 充電サイクルが完了したときの充電状態出力機能 (STAT1) だけです MCP73861/2 は一定時間出力状態となり MCP73863/4 はオフとなります 第 項 充電状態出力 (STAT1,STAT2) を参照してください MCP7386X ファミリデバイスは -40 ~ +85 の周囲温度範囲で完全に仕様化されています パッケージタイプ 16 ピン QFN V SET V DD1 V DD2 V SS STAT1 16 PROG STAT2 15 THREF THERM EN 14 MCP73861 MCP73862 MCP73863 MCP73864 V SS V BAT3 TIMER 11 V BAT2 10 V BAT1 9 V SS3 16 ピン SOIC STAT2 1 STAT1 2 V SET 3 V DD1 4 V DD2 V SS1 PROG THREF MCP73861 MCP73862 MCP73863 MCP EN V SS2 V BAT3 V BAT2 V BAT1 V SS3 TIMER THERM 2006 Microchip Technology Inc. DS21893C_JP-page 1

2 典型的な応用 1.2A リチウムイオンバッテリ充電器 5V 4.7µF 2, V DD V SET EN STAT1 STAT2 PROG V BAT3 V BAT THREF THERM TIMER V SS 12 10, kω kω 0.1 4, 9, 13 µf 4.7 µf + シングル リチウムイオンセル MCP73861/3 機能ブロック図 方向制御 V DD1 V BAT1 V DD2 V DD V BAT2 G = kΩ V REF PROG 1kΩ 11 kω 90 kω 充電電流制御アンプ + 電圧制御アンプ + EN 110 kω 10 kω V REF 充電終了コンパレータ + + V UVLO I REG /12 U VLO コンパレータ 10 kω 電源オン遅延 予備テスト制御 充電 OK 予備テスト V REF 予備テスト用コンハ レータ + 定電圧充電用コンパレータ. + V REF 600 kω (1.65 MΩ) kω 1.58 kω V BAT3 ( ) の値は MCP73862/4 デバイスを参照 kω THREF THERM 100 kω 50 kω 50 kω バイアスとリファレンス生成 + + 温度コンパレータ V UVLO V REF (1.2V) 発振器 I REG /12 充電制御充電時間状態ロジック Drv Stat 1 Drv Stat kω (8.58 kω) V SET V SS1 V SS2 V SS3 STAT1 STAT2 TIMER 充電 OK DS21893C_JP-page Microchip Technology Inc.

3 第 1 章電気的特性 絶対最大定格 V DDN V V BATN, V SET, EN, STAT1, STAT2 w.r.t. V SS ~ (V DD + 0.3)V PROG, THREF, THERM, TIMER w.r.t. V SS ~ 6V 最大接合部温度 T J... 内部制限保存温度 ~ +150 全ピンの ESD 保護 : 人体モデル (1.5 kw と 100 pf 直列 )... 4kV マシンモデル (200 pf 直列抵抗なし ) V 注意 : 左記の 最大定格 を超えるストレスを加えると デバイスに恒久的な損傷を与えることがあります この規定はストレス定格のみを規定するものであり この仕様の動作条件に記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものではありません 長時間デバイスを最大定格状態にすると デバイスの信頼性に影響を与えることがあります DC 特性 電気的仕様 : 特に指定のない限り, 全制限において V DD = [V REG (typ.) + 0.3V] ~ 12V, T A = -40 ~ +85. Typical 値は +25, V DD = [V REG (typ.) + 1.0V] において パラメータ 記号 Min Typ Max 単位 条 件 電源入力電源電圧 V DD V MCP73861/ V MCP73862/4 電源電流 I SS µa 停止中 ma 動作中 UVLO 開始スレッショルド V START V MCP73861/ V MCP73862/4 V DD Low から High UVLO 停止スレッショルド V STOP V MCP73861/ V MCP73862/4 V DD High から Low 電圧安定化 ( 定電圧モード ) 安定化出力電圧 V REG V MCP73861/3, V SET = V SS V MCP73861/3, V MCP73862/4, V SET = V SS V MCP73862/4, V DD = [V REG (typ.) + 1V], I OUT =10mA T A = -5 ~ %/V V = [V (typ.)+1v] ~ 12V 電源安定度 (ΔV BAT /V BAT ) /ΔV DD DD REG I OUT = 10 ma 負荷安定度 ΔV BAT /V BAT % I OUT = 10 ma ~ 150 ma V DD = [V REG (typ.)+1v] 電源リップル減衰率 PSRR 60 db I OUT = 10 ma, 10 Hz ~ 1kHz 42 db I OUT = 10 ma, 10 Hz ~ 10 khz 28 db I OUT = 10 ma, 10 Hz ~ 1MHz 出力逆リーク電流 I DISCHARGE µa V DD < V BAT = V REG (typ.) 電流安定化 ( 高速充電定電流モード ) 高速充電安定化電流 I REG ma PROG = OPEN ma PROG = V SS ma PROG = 1.6 kω T A = -5 ~ Microchip Technology Inc. DS21893C_JP-page 3

4 DC 特性 ( つづき ) 電気的仕様 : 特に指定のない限り, 全制限において V DD = [V REG (typ.) + 0.3V] ~ 12V, T A = -40 ~ +85. Typical 値は +25, V DD = [V REG (typ.) + 1.0V] においてパラメータ記号 Min Typ Max 単位条件 予備テスト安定化電流 ( トリクル充電 定電流モード ) 予備テスト安定化電流 I PREG ma PROG = OPEN ma PROG = V SS ma PROG = 1.6 kω T A =-5 ~ +55 予備テストスレッショルド電圧 V PTH V MCP73861/3, V SET = V SS V MCP73861/3, V MCP73862/4, V SET = V SS V MCP73862/4, V BAT Low から High 充電終了充電終了電流 I TERM ma PROG = OPEN ma PROG = V SS ma PROG = 1.6 kω T A =-5 ~ +55 自動再充電再充電スレッショルド電圧 V RTH V REG mv V REG mv V REG -100 mv V MCP73861/3 V REG mv V REG mv V REG mv V MCP73862/4 V BAT High から Low サーミスタリファレンス サーミスタリファレンス出力電圧 サーミスタリファレンスソース電流 サーミスタリファレンス電源安定度 サーミスタリファレンス負荷安定度 サーミスタ用コンパレータ高温トリップスレッショルド 高温トリップポイントヒステリシス 低温トリップスレッショルド 低温トリップポイントヒステリシス V THREF V T A = 25, V DD = V REG (typ.) + 1V, I THREF = 0 ma I THREF 200 µa (ΔV THREF /V T HREF) / ΔV DD ΔV THREF /V TH REF %/V V DD = [V REG (typ.) + 1V] ~ 12V % I THREF = 0 ma ~ 0.20 ma V T V V T1HYS -50 mv V T V V T2HYS 80 mv 入力バイアス電流 I BIAS 2 μa 状態表示 STAT1, STAT2 シンク電流 I SINK ma Low 出力電圧 V OL mv I SINK = 1 ma 入力リーク電流 I LK μa I SINK = 0 ma, V STAT1,2 = 12V イネーブル入力 High 入力電圧レベル V IH 1.4 V Low 入力電圧レベル V IL 0.8 V 入力リーク電流 I LK μa V ENABLE = 12V DS21893C_JP-page Microchip Technology Inc.

5 DC 特性 ( つづき ) 電気的仕様 : 特に指定のない限り, 全制限において V DD = [V REG (typ.) + 0.3V] ~ 12V, T A = -40 ~ +85. Typical 値は +25, V DD = [V REG (typ.) + 1.0V] においてパラメータ記号 Min Typ Max 単位条件 温度シャットダウン ダイ温度 T SD 155 ダイ温度ヒステリシス T SDHYS 10 AC 特性 電気的仕様 : 特に指定がないかぎり, 全制限において V DD = [V REG (typ.) + 0.3V] ~ 12V, T A = -40 ~ +85. Typical 値は +25, V DD = [V REG (typ.) + 1.0V] において パラメータ 記号 Min Typ Max 単位 条 件 UVLO 開始遅延 t START 5 ms V DD Low から High 電流安定化 予備テストからの遷移時間 t DELAY 1 ms V BAT < V PTH ~ V BAT > V PTH 予備テストからの電流立上り時間 温度特性 t RISE 1 ms I OUT Rising to 90% of I REG 高速充電安全タイマ周期 t FAST Hours C TIMER = 0.1 µf 予備テスト安定化電流予備テスト充電安全タイマ周期 t PRECON Minutes C TIMER = 0.1 µf 充電終了経過タイマによる終了周期 t TERM Hours C TIMER = 0.1 µf 状態表示オフ状態出力 t OFF 200 µs I SINK = 1 ma ~ 0mA オン状態出力 t ON 200 µs I SINK = 0 ma ~ 1mA 電気的仕様 : 特に指定されない限り, 全制限において V DD = [V REG (typ.) + 0.3V] ~ 12V. Typical 値は +25, V DD = [V REG (typ.) + 1.0V] において パラメータ 記号 Min Typ Max 単位 条 件 温度範囲定格温度範囲 T A 動作温度範囲 T J 保存温度範囲 T A パッケージ熱抵抗熱抵抗, 16-lead, 4 mm x 4 mm QFN θ JA 37 /W 4 層 JC51-7 標準基板, 自然伝導 熱抵抗, 16-lead SOIC θ JA 74 /W 4 層 JC51-7 標準基板, 自然伝導 2006 Microchip Technology Inc. DS21893C_JP-page 5

6 第 2 章典型的な性能グラフ 注 : 以下の本項のグラフや表は 有限のサンプルの統計値に基づいていて 情報提供のためにだけのものです ここに記述された性能特性は未テストか非保証です いくつかのグラフや表では 仕様の動作範囲を超えています ( 例えば供給電源範囲外 ) 従って保証範囲外です 注 : 特に指定されない限り, V DD = [V REG (typ.) + 1V], I OUT = 10 ma かつ d T A = +25, 定電圧モード バッテリ安定化電圧 (V) 充電電流 (ma) MCP73861/3 V DD = 5.2V 電源電流 (ma) 充電電流 (ma) MCP73861/3 V DD = 5.2V 図 2-1: 充電電流 (I OUT ) に対するバッテリ安定化電圧 (V BAT ) 図 2-4: 充電電流 (I OUT ) に対する電源電流 (I SS ) バッテリ安定化電圧 (V) MCP73861/3 I OUT = 1000 ma 電源電流 (ma) MCP73861/3 I OUT = 1000 ma 電源電圧 (V) 図 2-2: 電源電圧 (V DD ) に対するバッテリ安定化電圧 (V BAT ) 電源電圧 (V) 図 2-5: 電源電圧 (V DD ) に対する電源電流 (I SS ) バッテリ安定化電圧 (V) MCP73861/3 I OUT = 10 ma 電源電流 (ma) MCP73861/3 I OUT = 10 ma 電源電圧 (V) 電源電圧 (V) 図 2-3: 電源電圧 (V DD ) に対するバッテリ安定化電圧 (V BAT ) 図 2-6: 電源電圧 (V DD ) に対する電源電流 (I SS ) DS21893C_JP-page Microchip Technology Inc.

7 典型的な性能グラフ ( つづき ) 注 : 特に指定されない限り, V DD = [V REG (typ.) + 1V], I OUT = 10 ma かつ d T A = +25, 定電圧モード 出力リーク電流 (µa) 0.45 MCP73861/ V DD = V SS +85 C C C 電源電流 (ma) MCP73861/3 I OUT = 10 ma バッテリ安定化電圧 (V) 図 2-7: バッテリ安定化電圧 (V BAT ) に対する出力リーク電流 (I DISCHARGE ) 周囲温度 ( C) 図 2-10: 周囲温度 (T A ) に対する電源電流 (I SS ) サーミスタ用リファレンス電圧 (V) MCP73861/3 I THREF = 100 µa バッテリ安定化電圧 (V) MCP73861/3 I OUT = 10 ma 電源電圧 (V) 周囲温度 ( C) 図 2-8: 電源電圧 (V DD ) に対するサーミスタ用リファレンス電圧 (V THREF ) 周囲温度 (T A ) に対するバッテリ安定化電圧 (V BAT ) サーミスタ用リファレンス電圧 (V) MCP73861/ サーミスタ用リファレンス電圧 (V) MCP73861/3 I THREF = 100 µa サーミスタバイアス電流 (µa) 周囲温度 ( C) 図 2-9: サーミスタバイアス電流 (I THREF ) に対するサーミスタ用リファレンス電圧 (V THREF ) 図 2-11: 周囲温度 (T A ) に対するサーミスタ用リファレンス電圧 (V THREF ) 2006 Microchip Technology Inc. DS21893C_JP-page 7

8 典型的な性能グラフ ( つづき ) 注 : 特に指定されない限り, V DD = [V REG (typ.) + 1V], I OUT = 10 ma かつ d T A = +25, 定電圧モード バッテリ安定化電圧 (V) MCP73862/4 V DD = 9.4V 電源電流 (ma) MCP73862/4 V DD = 9.4V 充電電流 (ma) 充電電流 (ma) 図 2-12: 充電電流 (I OUT ) に対するバッテリ安定化電圧 (V BAT ) 図 2-15: 充電電流 (I OUT ) に対する電源電流 (I SS ) バッテリ安定化電圧 (V) MCP73862/4 I OUT = 1000 ma 電源電流 (ma) MCP73862/4 I OUT = 1000 ma 電源電圧 (V) 図 2-13: 電源電圧 (V DD ) に対するバッテリ安定化電圧 (V BAT ) 電源電圧 (V) 図 2-16: 電源電圧 (V DD ) に対する電源電流 (I SS ) バッテリ安定化電圧 (V) MCP73862/4 I OUT = 10 ma 電源電圧 (V) 電源電流 (ma) MCP73862/4 I OUT = 10 ma 電源電圧 (V) 図 2-14: 電源電圧 (V DD ) に対するバッテリ安定化電圧 (V BAT ) 図 2-17: 電源電圧 (V DD ) に対する電源電流 (I SS ) DS21893C_JP-page Microchip Technology Inc.

9 典型的な性能グラフ ( つづき ) 注 : 特に指定されない限り, V DD = [V REG (typ.) + 1V], I OUT = 10 ma かつ d T A = +25, 定電圧モード 出力リーク電流 (µa) MCP73862/ V DD = V SS +85 C C C 電源電流 (ma) MCP73862/4 I OUT = 10 ma バッテリ安定化電圧 (V) 周囲温度 ( C) 図 2-18: バッテリ安定化電圧 (V BAT ) に対する出力リーク電流 (I DISCHARGE ) 図 2-21: 周囲温度 (T A ) に対する電源電流 (I SS ) サーミスタ用リファレンス電圧 (V) MCP73862/4 I THREF = 100 µa バッテリ安定化電圧 (V) MCP73862/4 I OUT = 10 ma 電源電圧 (V) 周囲温度 ( C) 図 2-19: 電源電圧 (V DD ) に対するサーミスタ用リファレンス電圧 (V THREF ) サーミスタ用リファレンス電圧 (V) MCP73862/ サーミスタバイアス電流 (µa) 図 2-20: サーミスタバイアス電流 (I THREF ) に対するサーミスタ用リファレンス電圧 (V THREF ) 図 2-22: 周囲温度 (T A ) に対するバッテリ安定化電圧 (V BAT ) サーミスタ用リファレンス電圧 (V) 周囲温度 ( C) MCP73862/4 I THREF = 100 µa 図 2-23: 周囲温度 (T A ) に対するサーミスタ用リファレンス電圧 (V THREF ) 2006 Microchip Technology Inc. DS21893C_JP-page 9

10 典型的な性能グラフ ( つづき ) 注 : 特に指定されない限り, V DD = [V REG (typ.) + 1V], I OUT = 10 ma かつ d T A = +25, 定電圧モード V DD V DD V BAT V BAT MCP73861 V DD Stepped from 5.2V to 6.2V I OUT = 10 ma C OUT = 10 µf, X7R, Ceramic MCP73861 V DD Stepped from 5.2V to 6.2V I OUT = 500 ma C OUT = 10 µf, X7R, Ceramic 図 2-24: 電源変動レスポンス 図 2-27: 電源変動レスポンス MCP73861 V DD 5.2V C OUT = 10 µf, X7R, Ceramic V BAT MCP73861 V DD 5.2V C OUT = 10 µf, X7R, Ceramic V BAT 100 ma I OUT 500 ma I OUT 10 ma 10 ma 図 2-25: 負荷変動レスポンス 図 2-28: 負荷変動レスポンス 減衰 (db) MCP73861 V DD = 5.2V V AC = 100 mvp-p I OUT = 10 ma C OUT = 10 μf, セラミック 減衰 (db) MCP73861 V DD = 5.2V V AC = 100 mvp-p I OUT = 100 ma C OUT = 10 μf, X7R, セラミック 周波数 (khz) 周波数 (khz) 図 2-26: 電源リップル除去率 図 2-29: 電源リップル除去率 DS21893C_JP-page Microchip Technology Inc.

11 典型的な性能グラフ ( つづき ) 注 : 特に指定されない限り, V DD = [V REG (typ.) + 1V], I OUT = 10 ma かつ d T A = +25, 定電圧モード MCP73861/2/3/ MCP73861/2/3/4 R PROG = 1.6 k( 充電電流 (ma) 充電電流 (µa) OPEN 4.8k 1.6k 設定抵抗 (η ) 図 2-30: 設定抵抗 (R PROG ) に対する充電電流 (I OUT ) 周囲温度 ( C) 図 2-31: 周囲温度 (T A ) に対する充電電流 (I OUT ) 2006 Microchip Technology Inc. DS21893C_JP-page 11

12 第 3 章ピン説明ピンの概要を表 3-1 に示します 表 3-1: ピン機能一覧 QFN ピン番号 SOIC 記号機能 1 3 V SET 安定化電圧選択 2 4 V DD1 バッテリ管理入力電源 3 5 V DD2 バッテリ管理入力電源 4 6 V SS1 バッテリ管理 0V リファレンス 5 7 PROG 安定化電流設定 6 8 THREF セル温度センサー用バイアス 7 9 THERM セル温度センサー入力 8 10 TIMER タイマー設定 9 11 V SS3 バッテリ管理 0V リファレンス V BAT1 バッテリ充電制御出力 V BAT2 バッテリ充電制御出力 V BAT3 バッテリ電圧センス V SS2 バッテリ管理 0V リファレンス EN ロジックイネーブル 15 1 STAT2 異常状態出力 16 2 STAT1 充電状態出力 3.1 安定化電圧設定 (V SET ) MCP73861/3: 4.1V 出力とするには V SET を V SS に接続し 4.2V 出力にするには V DD に接続します MCP73862/4: 8.2V 出力とするには V SET を V SS に接続し 8.4V 出力にするには V DD に接続します 3.2 バッテリ管理入力電源 (V DD2, V DD1 ) 電源電圧の推奨値は [V REG (typ.) + 0.3V] から 12V です V SS へ最小 4.7 µf でバイパスして下さい 3.3 バッテリ管理 0V リファレンス (V SS1, V SS2, V SS3 ) バッテリと電源の- 極を接続します 3.4 安定化電流設定 (PROG) 予備テスト 高速充電 終了の各電流は PROG と V SS 間に接続する抵抗に比例して決まります 3.5 セル温度センサー用バイアス (THREF) THREF は セル温度を常時監視して保護するための外付けサーミスタをバイアスするためのリファレンス電圧です 3.6 セル温度センサー入力 (THERM) THERM は セル温度を常時監視して保護するための外付けサーミスタ用入力です 温度センスを行わないようにするには THREF/3 の値に接続します 3.7 タイマー設定 すべての安全タイマが C TIMER /0.1 µf に比例します 3.8 バッテリ充電制御出力 (V BAT1, V BAT2 ) バッテリの+ 極を接続します 内蔵の P チャネル MOSFET パストランジスタのドレインが接続されます バッテリが接続されていないときのループ安定度を確実にするため 最小 4.7 µf で V SS にバイパスして下さい 3.9 バッテリ電圧センス (V BAT3 ) V BAT3 は 電圧センス入力です バッテリの + 極に接続します 高精度の内蔵抵抗分圧により このピンの最終電圧が V REG になるようにします 3.10 ロジックイネーブル (EN) EN は 充電を強制終了させ 充電を初期化 異常をクリアし 自動再充電を禁止するための入力です 3.11 異常状態出力 (STAT2) STAT2 は電流制限されたオープンドレインで 充電状態を表示する LED を直接接続してドライブします あるいは プルアップ抵抗を接続して ホストマイコンとインターフェースする使い方もできます 3.12 充電状態出力 (STAT1) STAT1 は電流制限されたオープンドレインで 充電状態を表示する LED を直接接続してドライブします あるいはプルアップ抵抗を接続して ホストマイコンとインターフェースする使い方もできます DS21893C_JP-page Microchip Technology Inc.

13 第 4 章デバイス概要 MCP7386X デバイスファミリは 先進のリニア充電管理コントローラです 機能ブロック図を参照して下さい 図 4-2 は充電が開始し完了するまでと自動的に再開するアルゴリズムの動作フローを表しています 4.1 充電適性確認と予備テスト バッテリを挿入したとき あるいは外部に供給したとき MCP7386X デバイスファミリは 充電適正を確認するための安全チェックを自動的に実行します 入力電源電圧が低電圧ロックアウト (UVLO) スレッショルド以上で イネーブルピンが論理 High レベルで セル温度が上下限スレッショルド範囲内になければなりません この適正パラメータは常時監視されています 制限範囲を逸脱したら 自動的に停止するか 充電サイクルを終了させます 入力電圧が異常と判定されるには 少なくとも 1 クロック期間以上 UVLO 停止スレッショルド以下でなければなりません 適性が適当と確認されれば MCP7386X は充電サイクルを開始します 充電状態出力が充電サイクル中は Low となります ( 充電状態出力については表 5-1 を参照 ) もしバッテリ電圧が予備テストスレッショルド (V PTH ) 以下だったら MCP7386X はトリクル充電でバッテリを予備テストします 予備テスト用電流は高速充電定電流の約 10% に設定されています この予備テスト用トリクル電流で著しく劣化したセルでも安全に励起でき 初期充電中の発熱を最小にします もし バッテリ電圧が予備テストタイマが終了するまでに予備テストスレッショルドを超えなかったときには 異常を表示して充電サイクルを終了します 4.2 定電流モードー高速充電 バッテリ電圧が予備テストスレッショルドを超えて予備テストが完了したら 高速充電が開始されます 高速充電では PROG ピンに接続された外付け抵抗で決まる定電流 (I REG ) が維持されます 高速充電はバッテリ電圧が安定化電圧 (V REG ) に到達するまで継続するか 高速充電タイマが終了するまで継続します ; この場合異常が表示され充電サイクルは終了します 4.4 充電サイクル終了と自動再充電 MCP7386X は 定電圧モードの間充電電流を監視しています 充電サイクルは 充電電流が安定化電流 (I REG ) の 8% より少なくなるか 経過タイマ終了で完了とみなされます MCP7386X は バッテリ電圧が再充電スレッショルド (V RTH ) より下がり 適性パラメータがすべて良いときには新たな充電サイクルを開始します 4.5 熱制御 MCP7386X ファミリはダイ温度に基づいて充電電流を制限します 熱制御により デバイスの信頼度を維持するため充電サイクル時間を最適化します 熱制御モードに入ると タイマーが自動的にスローダウンし 充電サイクルが早めに終了しないようにします 図 4-1 に熱制御の特性を示します 最大充電電流 (ma) ダイ温度 ( C) 図 4-1: ダイ温度に対する標準最大充電電流 4.6 熱シャットダウン MCP7386X ファミリは ダイ温度が 155 を超えたら充電を中止します そしてダイ温度が約 10 まで冷えたら充電を再開します 熱シャットダウンは 熱安定化回路に異常があるときに働く第二の安全特性です 最小 最大 4.3 定電圧モード バッテリ電圧が安定化電圧 (V REG ) に到達したら 定電圧モードが始まります MCP7386X は V BAT ピンのバッテリ電圧を監視します この入力は バッテリ + 極に直接接続されています MCP7386X は定電圧を V SET の状態に基づいて選択します V SET が V SS に接続されていたら MCP73861/3 と MCP73862/4 はそれぞれ 4.1V または 8.2V を維持します V SET が V DD に接続されていたら MCP73861/3 と MCP73862/4 はそれぞれ 4.2V または 8.4V を維持します 2006 Microchip Technology Inc. DS21893C_JP-page 13

14 注 1: 適性パラメータは充電サイクル中は常に監視されます 詳しくは第 4.1 項 充電適正確認と予備テスト を参照 注 2: 温度制御中の充電電流は ダイの温度に基づいて比例制御されます 詳しくは第 4.5 項 熱制御 を参照 注 1 注 1 予備テストモード充電電流 = I PREG 安全タイマリセット No V BAT > V PTH Yes 注 2 No 安全タイマ終了 No Yes 異常充電電流 = 0 安全タイマリセット Yes Yes 温度 OK No STAT1 = Off STAT2 = フリッカ 安全タイマ停止充電電流 = 0 V DD < V UVLO or EN Low Yes No STAT1 = Off STAT2 = On Yes 初期化 V DD > V UVLO EN High Yes No STAT1 = Off STAT2 = Off 温度 OK Yes No STAT1 = Off STAT2 = フリッカ充電電流 = 0 V BAT > V STAT1 = On PTH STAT2 = Off Yes 定電流モード充電電流 = I REG 安全タイマリセット V BAT = V REG Yes No Safety Timer Expired Yes No 温度 OK No STAT1 = Off STAT2 = フリッカ 安全タイマ停止充電電流 = 0 定電圧モード充電電圧 = V REG I OUT < I TERM Yes 経過タイマ終了 No 温度 OK No STAT1 = フリッカ安全タイマ停止充電電流 = 0 充電終了充電電流 = 0 安全タイマリセット V DD < V UVLO V BAT < V RTH or EN Low Yes No STAT1 = Flashing (MCP73861/2) STAT1 = Off (MCP73863/4) STAT2 = Off ( 全デバイス ) 図 4-2: 動作フローアルゴリズム DS21893C_JP-page Microchip Technology Inc.

15 第 5 章詳細説明 5.1 アナログ回路 バッテリ管理入力電源 (V DD1, V DD2 ) V DD 入力は MCP7386X への入力電源です MCP7386X は V DD 入力が UVLO 電圧 (V STOP ) より下がると 自動的に省電力モードに入ります この特性は V DD が無いときにバッテリパックから流れ出るのを防ぎます PROG 入力 高速充電の安定化電流は PROG 入力から V SS へ接続したプログラミング抵抗 (R PROG ) に比例して決まります PROG 入力を V SS に接続すると 最大高速充電電流の 1.2A となります PROG 入力を未接続にすることで 最小の高速充電電流の 100 ma となります R PROG の値を使って下記式で計算できます R PROG = I REG 12 I REG 1.2 ここで : I REG = 希望する高速充電電流 (A) R PROG = 抵抗値 kω. PTC サーミスタ用 : 2 R R COLD R HOT T1 = R HOT 温度監視を禁止する場合には THERM V THREF /3 に等しい電圧を加えます タイマ設定入力 (TIMER) 入力に TIMER 入力は タイミング用コンデンサ (C TIMER ) を TIMER 入力ピンと V SS 間に接続することで 安全タイマの周期を設定します 3 種類の安全タイマがタイミングコンデンサによって設定されます 予備テスト用安全タイマ周期 : C TIMER t PRECON = Hours 0.1μF 高速充電用安全タイマ周期 : R COLD 2 R R COLD R HOT T2 = R HOT 3 R COLD ここで : R COLD と R HOT は扱う温度範囲でのサーミスタの抵抗値 予備テストのトリクル電流と充電完了電流は それぞれ I REG の約 10% と 8% となります t FAST = C TIMER 1.5Hours 0.1μF セル温度センサー用バイアス (THREF) 2.5V の電圧リファレンスが 常時セル温度監視と予備テスト用の外部サーミスタのバイアス電源として供給されます 比例方式のウィンドウコンパレートが 2 つのスレッショルドレベル V THREF /2 と V THREF /4 で行われます セル温度センサー入力 (THERM) MCP73861/2/3/4 は THERM 入力と V SS 間の電圧を上下限温度スレッショルド値と比較することで 常時温度を監視しています 正負の温度係数の NTC または PTC サーミスタと 外部電圧分圧器でこの電圧を作り出します 温度センス回路はレシオメトリック比較を行うため独自のリファレンス電圧を持っています したがって 電源入力 (V DD ) のふらつきは無視できます 温度センス回路は V DD が加えられていないときは バッテリパックから余計な放電をしないようシステムから切り離されます 図 6-1 は THERM 入力に接続する標準的な応用回路を示しています R T1 と R T2 の抵抗値は次式で計算できます NTC サーミスタ用 : 2 R R COLD R HOT T1 = R COLD R HOT 2 R R COLD R HOT T2 = R COLD 3 R HOT 経過タイマ周期 : t TERM = C TIMER 3.0Hours 0.1μF 予備テスト用タイマは適性確認後開始し 充電サイクルが高速充電つまり定電流モードに遷移したときリセットされます 高速充電タイマと経過タイマは MCP7386X が予備テストから遷移したときスタートします 高速充電タイマは 充電サイクルが定電圧モードに遷移したときリセットされます 経過タイマは センス電流が終了スレッショルドより下がらなかったとき終了し 充電を終了させます 熱制御中は タイマは充電電流に比例してスローダウンします バッテリ電圧センス (V BAT3 ) MCP7386X は V BAT3 ピンのバッテリ電圧を監視しています この入力は直接バッテリパックの + 極に接続されています バッテリ充電制御出力 (V BAT1, V BAT2 ) バッテリ充電制御出力は 内蔵 P チャネル MOSFET のドレインに接続されています MCP7386X はこの MOSFET をリニア動作範囲で制御して バッテリパックへ一定の電流と電圧を提供しています バッテリ充電制御出力は バッテリパックの + 極に接続するようにします 2006 Microchip Technology Inc. DS21893C_JP-page 15

16 5.2 ディジタル回路 充電状態出力 (STAT1,STAT2) 2 つの状態出力が 充電状態の情報を提供します 電流制限されたオープンドレイン出力により 外部 LED を光らせることができます オプションで プルアップ抵抗を付ければホストコントローラと通信する出力とすることができます 表 5-1 は充電サイクル中の状態出力の状態をまとめて表したものです 表 5-1: 状態出力 ( 注 充電サイクル状態 STAT1 STAT2 適正確認中 Off Off 予備テスト中 On Off 定電流高速充電 On Off 中 定電圧 On Off 充電完了 フリッカ (1 Hz, 50% デューティ ) (MCP73861/2) オフ (MCP73863/4) オフ ( 全デバイス ) 異常 オフ オン 熱異常 オフ フリッカ (1 Hz, 50% デューティ ) 禁止 スリープ Off Off モード 入力電圧未接続 Off Off 注 : オフ状態 : オープンドレインはハイインピーダンス オン状態 : オープンドレインは標準で 7mAのシン クが可能 フリッカ : オフとオンを繰り返す フリッカ周期 (1 Hz) は 0.1 µf のタイマ用コンデンサ (C TIMER ) に基づいています 周期はタイマコンデンサの値に基づいて変わります 異常状態中は STAT1 状態出力がオフで STAT2 状態出力がオンとなります 異常状態から復旧させるには いったん入力電圧をとりはずし再接続するか イネーブル入力 (EN) を論理 Low にしてから論理 High にする必要があります THERM 入力の電圧が設定枠から外れると 充電サイクルは開始されないか中止となります 充電サイクルは終了せず 自動的に再開されます THERM 入力が有効で他のすべてのパラメータが良ければ充電サイクルが再開されます 異常な THERM 状態の間は STAT1 状態出力はオフ STAT2 状態出力はフリッカとなります V SET 入力 V SET 入力は MCP7386X の出力電圧を選択します V SET が V SS に接続されると MCP73861/3 と MCP73862/4 の出力はそれぞれ 4.1V または 8.2V となります V SET が V DD に接続されると MCP73861/3 と MCP73862/4 の出力はそれぞれ 4.2V または 8.4V となります ロジックイネーブル (EN) ロジックイネーブル入力ピン (EN) は 充電サイクル中にいつでも充電を終了させるために使え これで充電サイクルを初期化または再充電サイクルに初期化したのと同じになります EN ピンを論理 High とするか 入力に接続すると デバイスをイネーブルにします 論理 Low の入力によりデバイスをディスエーブルとして充電サイクルを終了します ディスエーブルにされると デバイスの電源電流は標準で 0.17 µa まで減少します DS21893C_JP-page Microchip Technology Inc.

17 第 6 章応用例 MCP7386X はホストコントローラと結合するか 単独でも使えるように設計されています MCP7386X は定電流のあと定電圧で充電するというリチウムイオ ンかリチウムポリマーセルに適した充電アルゴリズムを提供します 図 6-1 が標準的な単体動作の回路を示していて 図 6-2 と 6-3 が付随する充電特性を示しています 非安定化 AC アダプタ STAT1 16 V SET 1 V DD1 2 V DD2 3 V SS1 4 PROG R PROG STAT2 15 MCP THREF THERM EN V SS V 12 BAT3 11 V BAT2 10 V BAT1 9 V SS3 TIMER C TIMER + 単一 リチウムイオンセル R T1 R T2 図 6-1: 標準的な応用回路 予備テストモード 定電流モード 定電圧モード 安定化電圧 (V REG ) 安定化電流 (I REG ) 遷移スレッショルト (V PTH ) 充電電圧 予備テスト電流 (I PREG ) 終了電流 (I TERM ) 図 6-2: 標準的な充電特性 予備テスト安全タイマ 高速充電安全タイマ 経過タイマ終了タイマ 充電電流 2006 Microchip Technology Inc. DS21893C_JP-page 17

18 予備テストモード 定電流モード 定電圧モード 安定化電圧 (V REG ) 安定化電流 (I REG ) 遷移スレッショルト (V PTH ) 充電電圧 予備テスト電流 (I PREG ) 終了電流 (I TERM ) 充電電流 予備テスト安全タイマ 図 6-3: 標準的な熱制御中の充電特性 高速充電安全タイマ 経過タイマ終了タイマ 6.1 応用回路設計 リニア方式の充電は効率が悪いので 最も重要な要素は熱設計とコストです これらは入力電圧と出力電流 バッテリ充電器と冷却空気との熱抵抗などの直接関数となっています デバイスが予備テストから定電流モードに遷移したときが最悪の場合です この状態の間 バッテリ充電器が最大電力を消費します 充電器に対し 充電電流と コストと 必要な温度のトレードオフをしなければなりません 部品選定 図 6-1 に示された部品の設定は 充電システムの集積度と信頼性を決める重要要素です 以下の検討が部品選定に当たって参考になります 熱検討 バッテリ充電器の最悪電力消費は 入力電圧最大で デバイスが予備テストから定電流モードに遷移したときです この場合の電力消費は : PowerDissipation = ( V V ) I DDMAX PTHMIN REGMAX ここで : V DDMAX = 最大入力電圧 I REGMAX = 最大高速充電電流 V PTHMIN = 最小遷移スレッショルド電圧 電流設定抵抗 (R PROG ) リチウムイオンセルに好ましい高速充電電流は 1C レートで 絶対最大電流は 2C レートです 例えば 500 mah のバッテリパックの好ましい充電電流は 500 ma です このレートで充電すれば 最短の充電サイクルとなり バッテリパックの性能劣化や寿命を縮めることはありません 1200 ma が MCP7386X が供給できる最大充電電流です この状態にするには PROG 入力を V SS に接続します DS21893C_JP-page Microchip Technology Inc.

19 5V, ±10% 入力電源のときの電力消費は : PowerDissipation = ( 5.5V 2.7V) 575mA = 1.61W バッテリ充電器が 1oz. 銅箔の 1in 2 パッドに実装されたとすると 接合部温度上昇はおよそ 60 となります これから熱制御モードに入る最大動作周囲温度は 50 ということになります 外部コンデンサ MCP7386X はバッテリ負荷の有無にかかわらず安定です 定電圧モードのときさらに良い AC 安定度とするため 最小 4.7 µf のコンデンサで V BAT ピンを V SS にバイパスすることを推奨します このコンデンサはバッテリ負荷が無いときの補償を行います さらにバッテリとの相互接続により高周波でインダクタンスが現れます これらの要素は 定電圧モードのときの制御フィードバックループに含まれます したがって バイパスコンデンサが バッテリパックのインダクタ要素を補償するのに必要です ほとんどの場合 コンデンサの等価シリーズ抵抗値 (ESR) とは関係なく 良質な出力フィルタコンデンサが使われます 実際のコンデンサの値は ( そして連動する ESR は ) 出力負荷電流に依存します 1A までの出力電流のときの安定化用としては 4.7 µf のセラミック タンタル アルミ電解コンデンサで 出力コンデンサとして十分です 6.2 PCB レイアウト問題 最高の電圧安定度とするには バッテリパックをデバイスの V BAT と V SS ピンのできるだけ近くに置いて下さい これで PCB パターンを通過する大電流による電圧降下を最小にします PCB で放熱器を使うときのレイアウトでは 放熱器のパッドにたくさんのバイアを追加して PCB のバックプレーンとの熱結合をよくして 最大接合部温度を低くするようにします 逆流防止 MCP7386X は 異常や入力短絡 または逆極性入力に対する保護を提供します 保護が無いと 異常や入力短絡でバッテリパックから内蔵パストランジスタのボディダイオードを通して放電してしまいます イネーブルインターフェース 単体構成では イネーブルピンは一般的に入力電圧に接続します MCP7386X は V DD 入力電圧が UVLO 電圧 (V STOP ) 以下に低下したら 自動的に省電力モードに入り バッテリ漏れ電流が標準で 0.23 µa まで減少します 充電状態インターフェース 2 つの状態出力が充電状態情報を提供します 電流制限されたオープンドレイン出力で外付け LED を光らせることができます 充電サイクル中の状態出力の状態については表 5-1 を参照してください 2006 Microchip Technology Inc. DS21893C_JP-page 19

20 第 7 章パッケージ情報 7.1 パッケージマーキング情報 16 リード QFN* 例 : XXXXXXXX XXXXXXXX YYWW NNN I/ML リード SOIC (150 mil) 例 : XXXXXXXXXXXXX XXXXXXXXXXXXX YYWWNNN MCP73861 I/SL^^3 e 凡例 : XX...X カスタマ仕様情報 Y 年コード ( カレンダ年の下位 1 桁目 ) YY 年コード ( カレンダ年の下位 2 桁目 ) WW 週コード (1 月 1 日を週 01 とする ) NNN 英数字のトレース用コード e3 錫メッキ (Sn) に関する鉛フリー JEDEC 区別コード * 本パッケージは鉛フリーです 鉛フリー JEDEC 区別 ( e3) はパッケージの外観から見えるようにしています 注意 : マイクロチップのパーツ番号全体が 1 行で入らないときは 次の行にはみ出ます このためカスタマ仕様情報用の文字数が制限されます DS21893C_JP-page Microchip Technology Inc.

21 16-Lead Plastic Quad Flat No-Lead Package (ML) 4x4x0.9 mm Body (QFN) Saw Singulated D 露出メタルパッド ( 注 2) D2 e E E2 2 1 b n 上面図 オプションインデックス領域 ( 注 1) 底面図 L A A3 ピン数 ピッチ 全高 接点厚 全幅 全長 接点幅 接点長 A1 スタンドオフ 露出パッド幅 露出パッド長 * 制御パラメータ 寸法限界 単位 n e A A1 A3 E E2 D D2 b L インチ NOM.026 BSC.008 REF 注 : 1. 1ピンのインデックス特徴マークは変わることがありますが ハッチングの範囲内に置かれます 2. 露出パッドはダイの取り付けパドルサイズによる変わることがあります BSC: 基本寸法 公差なしで示されているのは理論的に正確な値 ASME Y14.5M 参照 REF: 参考寸法 通常公差なしで情報提供用のみ ASME Y14.5M 参照 JEDEC 準拠 : M0-220 Drawing No. C MIN MAX MIN ミリメータ * NOM BSC REF MAX Revised Microchip Technology Inc. DS21893C_JP-page 21

22 16-Lead Plastic Small Outline (SL) Narrow 150 mil Body (SOIC) E E1 p D 2 B n 1 α 45 h c A A2 β φ L A1 単位 インチ * ミリメータ 寸法限界 MIN NOM MAX MIN NOM MAX ピン数 n ピッチ p 全高 A モールドパッケージ厚 A スタンドオフ A 全幅 E モールドパッケージ幅 E 全長 D 面取り長 h 足長 L 足角 φ リード厚 c リード幅 B モールド抜き角頂部 α モールド抜き角底部 β * 制御パラメータ 有意特性 Notes: D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません モールドのはみ出しや突出部は側面から.010 (0.254mm) 以上はない JEDEC 準拠 : MS-012 Drawing No. C DS21893C_JP-page Microchip Technology Inc.

23 付録 A: 改版履歴 レビジョン C (2005 年 8 月 ) 下記が修正リスト : 1. MCP73863 と MCP73864 デバイスをデータシート全体に追加 2. 付録 A: 改版履歴追加 3. QFN と SOIC パッケージ図追加 レビジョン B (2004 年 12 月 ) SOIC パッケージをデータシート全体に追加 レビジョン A (2004 年 6 月 ) 初版発行 2006 Microchip Technology Inc. DS21893C_JP-page 23

24 ノート : DS21893C_JP-page Microchip Technology Inc.

25 製品識別システム 注文や資料請求 または価格や納期などの照会は工場もしくは後述のセールスオフィスへお問い合わせください PART NO. X XX デバイス 温度範囲 パッケージ デバイス MCP73861: Single-Cell Charge Controller with Temperature Monitor MCP73861T: Single-Cell Charge Controller with Temperature Monitor, Tape and Reel MCP73862: Dual Series Cells Charge Controller with Temperature Monitor MCP73862T: Dual Series Cells Charge Controller with Temperature Monitor, Tape and Reel MCP73863: Single-cell Charge Controller with Temperature Monitor MCP73863T: Single-Cell Charge Controller with Temperature Monitor, Tape and Reel MCP73864: Dual Series Cells Charge Controller with Temperature Monitor MCP73864T: Dual Series Cells Charge Controller with Temperature Monitor, Tape and Reel Examples: a) MCP73861-I/ML: Single-Cell Controller 16LD-QFN パッケージ. b) MCP73861T-I/ML: テープでリール, Single-Cell Controller 16LD-QFN パッケージ. c) MCP73861-I/SL: Single-Cell Controller 16LD-SOIC パッケージ. d) MCP73861T-I/SL: テープでリール, Single-Cell Controller 16LD-SOIC パッケージ. a) MCP73862-I/ML: Dual-Cell Controller 16LD-QFN パッケージ. b) MCP73862T-I/ML: テープでリール, Dual-Cell Controller 16LD-QFN パッケージ c) MCP73862-I/SL: Dual-Cell Controller 16LD-SOIC パッケージ. d) MCP73862T-I/SL: テープでリール, Dual-Cell Controller 16LD-SOIC パッケージ 温度範囲 I = -40 C ~ +85 C ( 工業用 ) パッケージ ML = Plastic Quad Flat No Lead, 4x4 mm Body (QFN), 16-lead SL = Plastic Small Outline, 150 mm Body (SOIC), 16-lead a) MCP73863-I/ML: Single-Cell Controller 16LD-QFN パッケージ. b) MCP73863T-I/ML: テープでリール, Single-Cell Controller 16LD-QFN パッケージ. c) MCP73863-I/SL: Single-Cell Controller 16LD-SOIC パッケージ. d) MCP73863T-I/SL: テープでリール, Single-Cell Controller 16LD-SOIC パッケージ. a) MCP73864-I/ML: Dual-Cell Controller 16LD-QFN パッケージ. b) MCP73864T-I/ML: テープでリール, Dual-Cell Controller 16LD-QFN パッケージ. c) MCP73864-I/SL: Dual-Cell Controller 16LD-SOIC パッケージ. d) MCP73864T-I/SL: テープでリール, Dual-Cell Controller 16LD-SOIC パッケージ Microchip Technology Inc. DS21893C_JP-page 25

26 ノート : DS21893C_JP-page Microchip Technology Inc.

27 マイクロチップデバイスのコード保護機能に関する以下の点に留意下さい マイクロチップの製品は各製品独自のマイクロチップデーターシートにある仕様を満たしています 各製品ファミリーは 通常の状態で所定の方法で利用いただければ市場にある類似製品の中で最も安全なファミリーの一つとマイクロチップは信じております 不正かつ非合法な方法を使ったコード保護機能の侵害があります 弊社の理解ではこうした手法は マイクロチップデーターシートにある動作仕様書以外の方法でマイクロチップ製品を使用することになります こうした手法を使用した人は ほとんどの場合 知的財産権の侵害となります マイクロチップはコードの統合性に関心をお持ちの顧客とは協働させていただきます マイクロチップまたは他のセミコンダクターメーカーがコードの安全性を保証したものではありません コード保護は製品保護が 破られない ということを保証するものではありません コード保護は常に進化します マイクロチップは 当社製品のコード保護機能を継続的に改善することをお約束いたします マクロチップのコード保護機能を破ることは デジタル ミレニアム著作権法に違反します こうした行為によるソフトウェアーや著作権に関わる作品への不正アクセスがあった場合 同法に基づき賠償請求する権利があります 本書に書かれているデバイスアプリケーション等に関する内容は 参考情報に過ぎません ご利用のアプリケーションが仕様を満たしているかどうかについては お客様の責任において確認をお願いします これらの情報の正確さ またはこれの情報の使用に関し マイクロチップテクノロジーインクはいかなる表明と保証を行うものではなく また 一切の責任を負うものではありません マイクロチップの明示的な書面による承認なしに 生命維持装置あるいは生命安全用途にマイクロチップの製品を使用することはすべて購入者のリスクとし また購入者はこれによって起きたあらゆる損害 クレーム 訴訟 費用に関して マイクロチップは擁護され 免責され 損害をうけないことに同意するものとします 知的財産権に基づくライセンスを暗示的に与えたものではありません 商標マイクロチップの名称とロゴ マイクロチップのロゴ Accuron dspic KEELOQ microid MPLAB PIC PICmicro PICSTART PRO MATE PowerSmart rfpic SmartShunt は米国及び他の国々のにおいて マイクロチップテクノロジーインクの登録商標です AmpLab FilterLab Migratable Memory MXDEV MXLAB SEEVAL SmartSensor The Embedded Control Solutions Company は 米国においてマイクロチップテクノロジーインクの登録商標です Analog-for-the-Digital Age Application Maestro CodeGuard dspicdem dspicdem.net dspicworks ECAN ECONOMONITOR FanSense FlexROM fuzzylab In-Circuit Serial Programming ICSP ICEPIC Linear Active Thermistor Mindi MiWi MPASM MPLIB MPLINK PICkit PICDEM PICDEM.net PICLAB PICtail PowerCal Powerlnfo PowerMate PowerTool REAL ICE, rflab rfpicdem Select Mode Smart Serial SmartTel Total Endurance UNI/O WiperLock 及び ZENA は 米国及び他の国々のにおいて マイクロチップテクノロジーインクの登録商標とです SQTP は米国においてマイクロチップテクノロジーインクのサービスマークです 本書に記載された上記以外の商標は それぞれの会社の財産です 著作権 2006 年マイクロチップテクノロジーインク 米国で印刷 無断複写 転載を禁じます 再生紙を使用 マイクロチップは 2002 年に ISO/TS 認証を受けました 本社 アリゾナ州チャンドラーとテンペとカリフォルニア州オレゴンとマウンテンビューにあるデザイン及びウエハー施設に対するものです 弊社の品質システムプロセスと手続きは PICmicro 8-bit MCUs KEELOQ コードホッピングデバイス シリアル EEPROMs マイクロペリフェラル 非揮発性メモリーとアナログ製品を対象としています 更に 開発システムの設計及び製造に関するマイクロチップの品質システムは 2000 年に ISO9001 の認証を受けています 2006 Microchip Technology Inc. DS21893C_JP-page 27

28 全世界の販売及びサービス拠点 AMERICAS Corporate Office 2355 West Chandler Blvd. Chandler, AZ Tel: Fax: Technical Support: Web Address: Atlanta Alpharetta, GA Tel: Fax: Boston Westborough, MA Tel: Fax: Chicago Itasca, IL Tel: Fax: Dallas Addison, TX Tel: Fax: Detroit Farmington Hills, MI Tel: Fax: Kokomo Kokomo, IN Tel: Fax: Los Angeles Mission Viejo, CA Tel: Fax: Santa Clara Santa Clara, CA Tel: Fax: Toronto Mississauga, Ontario, Canada Tel: Fax: ASIA/PACIFIC Asia Pacific Office Suites , 37th Floor Tower 6, The Gateway Habour City, Kowloon Hong Kong Tel: Fax: Australia - Sydney Tel: Fax: China - Beijing Tel: Fax: China - Chengdu Tel: Fax: China - Fuzhou Tel: Fax: China - Hong Kong SAR Tel: Fax: China - Qingdao Tel: Fax: China - Shanghai Tel: Fax: China - Shenyang Tel: Fax: China - Shenzhen Tel: Fax: China - Shunde Tel: Fax: China - Wuhan Tel: Fax: China - Xian Tel: Fax: ASIA/PACIFIC India - Bangalore Tel: Fax: India - New Delhi Tel: Fax: India - Pune Tel: Fax: Japan - Yokohama Tel: Fax: Korea - Gumi Tel: Fax: Korea - Seoul Tel: Fax: or Malaysia - Penang Tel: Fax: Philippines - Manila Tel: Fax: Singapore Tel: Fax: Taiwan - Hsin Chu Tel: Fax: Taiwan - Kaohsiung Tel: Fax: Taiwan - Taipei Tel: Fax: Thailand - Bangkok Tel: Fax: EUROPE Austria - Wels Tel: Fax: Denmark - Copenhagen Tel: Fax: France - Paris Tel: Fax: Germany - Munich Tel: Fax: Italy - Milan Tel: Fax: Netherlands - Drunen Tel: Fax: Spain - Madrid Tel: Fax: UK - Wokingham Tel: Fax: /19/06 DS21893C_JP-page Microchip Technology Inc.