FL6000 フラッシュアレイストレージ概要 2014 年 1 月 1 / 11 注 ) 本ホワイトペーパーは FL6000 の OEM 供給元である Violin Memory, Inc. 刊行のホワイトペーパーを ( 株 ) 東芝が翻訳 編集したものです

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1 FL6000 フラッシュアレイストレージ概要 2014 年 1 月 1 / 11

2 FL6000 フラッシュアレイストレージ概要 1. FL6000 フラッシュアレイストレージ概要 FL6000 フラッシュアレイストレージは RAS( 信頼性 可用性 および保守性 ) に重点を置き 持続的なパフォーマンス 拡張性と共有機能を有したモデルです サーバーに直結 またはハイエンドのエンタープライズ環境での共有接続で利用可能です FL6000 フラッシュアレイストレージは 1 秒間に最大 100 万入 / 出力操作 (IOPS) の連続読み書き性能があります これは VIMM(Violin Intelligent Memory Module) の全個体にわたり並列でデータの読み書きを行うことで 高 IOPS と高いバンド幅を実現しています ノンブロッキングイレースと並列読み / 書きは VIMM を管理する最大 4 つの vraid コントローラーで制御します また 他に類のない FL6000 フラッシュアレイストレージのアーキテクチャーの特長として Violin Switched Memory interconnect(vxm) があります VXM は アレイ内のフラッシュメモリモジュールに接続されており 3U の筐体内に高密度 32TB の MLC フラッシュメモリの実装を実現しております なお 最大 64 筐体で最大 2PB のフラッシュメモリを 8 ラックに集約できる拡張性を提供します 各 VIMM は二重障害時においても システムの継続稼働を実現するために3つのポートを持っています vraid は FL6000 フラッシュアレイストレージ用に設計されており データ消失保護 可用性の最大化を実現する複数の VIMM にわたる制御を行っています さらに 全てのコンポーネントはホットスワップに対応しています 2. プラットフォームアーキテクチャー FL6000 フラッシュアレイストレージは アクティブなコンポーネントの単一障害点 (SPOF) を 無くすように開発され すべてのアクティブなコンポーネントがホットスワップ可能です FL6000 フラッシュアレイストレージのプラットフォームアーキテクチャーおよび機能の重要な 要素は以下の通りです Violin Switched Memory interconnect(vxm) は 高パフォーマンス 高拡張性 高密度 高可用性を提供 vraid コントローラーは RAID 制御 ノンブロッキングイレース 超並列読み / 書き 継続 的パフォーマンスを提供 冗長化されたゲートウェイにより アクティブ / アクティブフェールオーバーを実現 2 / 11

3 無停止状態でのファームウェアアップグレードを実現 冗長電源コントローラー (PC) モジュール ファンおよび 電源冗長化されたアレイコントローラー (AC) のスイッチング 管理サービスを提供 ネットワークインターフェースは メモリゲートウェイに PCIe 経由で接続され SAN または LAN への物理的な接続を提供 図 1 FL6000 Flash Array Storage system components 2.1. Violin Switched Memory interconnect (VXM) Violin Switched Memory interconnect(vxm) は FL6000 フラッシュアレイストレージの高パフォーマンスを実現するためのプラットフォームのコア技術です ほとんどのベンダーのフラッシュメモリは 従来の PCIe または SAS のような内部接続方式を取っておりますが VIMM は Violin Switched Memory interconnect(vxm) に組み込まれているパッシブメモリプレーンに直接接続されています ファイバーチャネル (FC) や SAS テクノロジーと異なり VXM は PCI Express(PCIe) のような 低レイテンシのメモリ アクセス用に設計されています 同時に同じインフラストラクチャ上のフラッシュメモリから読み出すことができます また VXM は 冗長化されており ホットスワップに対応しています VXM は PCIe の 4 倍のモジュール密度をサポートし モジュールごとに複数のルート / マスターに設定することができ 非常に高い可用性を達成することができます 各モジュールは 3 点接続され これにより二重障害にも耐える構造となっています ネットワーク内の任意の 2 つのモジュールは データの損失なしで取り外すことができます 従って モジュールは システムの電源切断が発生した場合 ユーザーのデータアクセスに影響を与えることなく交換することが可能です 3 / 11

4 図 2 Violin Switched Memory interconnect (VSM) VIMM アレイは 2 つの VIMM コントローラーにより 冗長性確保と帯域幅の向上を実現しています 高パフォーマンスを得るために 2 つの VIMM コントローラーを追加することも可能です この場合 最大 3 つのコントローラー障害にも対応し 障害時においても高速にデータアクセスすることができます FL6000 フラッシュアレイストレージは 完全冗長かつ 最大 64 VIMM モジュールまで接続することができます システムとの物理的な接続は 1ホストに対して 1/2/4 の PCIe 接続又はファイバーチャネル (FC) 経由の接続となり パスの冗長化を行うこともできます 2.2. vraid vraid は FL6000 フラッシュアレイストレージ固有の基本的な技術です vraid は VIMM を制御する vraid コントローラーに実装されています vraid の機能は以下のとおりです ノンブロッキングイレース 並列読み / 書き 高負荷時のレイテンシ 連続性能 帯域幅 可用性 vraid は FL6000 フラッシュアレイストレージの構築におけるベースとなる機能です フラッシュでは 書き込み時間が読み込み時間に比べ時間がかかり 消去が読み取りを中 断される場合があります vraid は RAID 機能以外に ノンブロッキングイレース をも管理しています エンドユーザにとっての ノンブロッキングイレース の利点として 低スパイクフリーのレイテ 4 / 11

5 ンシをあげることができます vraid コントローラーがどのようにフラッシュメモリを管理するかをここで紹介します まず 64 枚の VIMM があり 60 枚がデータ用で 4 枚が予備領域となります データは論理ブロックアドレス (LBA) を使用して 512 バイトから 4M バイトまでの任意のサイズのブロックとして FL6000 フラッシュアレイストレージに入ります ブロックは 4 キロバイトのブロックに分割され 複数の vraid のグループにまたがってストライプされます これは 帯域幅の増加と大きいブロックによるレイテンシの低下を防ぐために行われます それぞれの vraid グループは 5 つの VIMM(4D+1P) で構成されています 4 キロバイトのブロックは それぞれ論理ページアドレスを共有した異なる VIMM に 5 つの 1 キロバイトのページとして書かれます FL6000 フラッシュアレイストレージでは 4 つの vraid コントローラーが実装されています vraid コントローラーにより VIMM のホットスワップが可能となり 単一 VIMM の障害時の RAID グループの自動再構築が可能となっています また vraid コントローラーは MLC の性能を改善するための独自の技術も持っています 図 3 vraid uses 4+1 Parity すべての VIMM またはフラッシュメモリに障害が発生した場合 データはパリティ VIMM を使用して再構築することができます 必要に応じて VIMM の交換を行い システム内のスペア VIMM を使用して RAID を再構築することができます また フラッシュメモリのビットエラーは通常 ECC 保護を使用して修正もされます 2.3. Highly Available Memory Gateways FL6000 のフラッシュメモリゲートウェイには高可用性の 4 つの主要要素があります 5 / 11

6 最初の要素は 冗長ゲートウェイです 1 台のアレイ装置に 2 つのゲートウェイを内蔵し その 2 つのメモリ ゲートウェイがアレイ装置自体に統合されています 2 番目の要素は ホストベースのシンプルかつ高可用性の双方を実現するマルチパスソフトウェアです ひとつのゲートウェイがオフラインになった場合は すべての I/ O が自動的に残りのゲートウェイへの代替パスにルーティングされます 3 番目の要素は 冗長ゲートウェイがアクティブ / アクティブとなっていることです アクティブ / アクティブゲートウェイにより すべての VIMM への高帯域幅となっています 仮にひとつのゲートウェイがオフラインになった場合 帯域幅は縮小しますが ホストからの I / O を妨げることはありません 4 番目の要素は 中断せずにファームウェアアップグレードする機能です 1 メモリゲートウェイ #1 をオフラインにしても メモリゲートウェイ #2 は動作することが出来ます メモリゲートウェイ #1のファームウェアをアップグレードし オンラインに戻し その後 メモリゲートウェイ #2 でも同様のプロセスを繰り返します 前のファームウェアのバージョンにロールバックすることも可能です また 同じような手順でアレイコントローラーと vraid コントローラーの両方のフォームウェアをアップグレードすることが可能です 2.4. Violin Intelligent Memory Module (VIMM) VIMM は FL6000 フラッシュアレイストレージの重要なアーキテクチャー要素です VIMM は 個々のフラッシュメモリチップを含むパッケージです VIMM は Violin Switched Memory interconnect(vxm) と一緒にネットワークに接続されています VIMM には メタデータや書込みバッファ用の DRAM が少量搭載されています VIMM 上でメタデータ用に DRAM を使うことで 書き込み性能同様にオンボードデータがフラ ッシュにアクセスする速度を上げることができ 電源障害が発生した場合にもデステージ書込 みを行うための十分な容量を持っています 書込みは DRAM への書込みが完了した時点で完了とされます VIMM は VXM に 3 点接続 されており 二重障害に耐えることができます FL6000 フラッシュアレイストレージの vraid コントローラーは VIMM の隣にあり 直接 VXM ネットワークに接続されています FL モデル ( 以下 FL 6616) は 256GB SLC を搭載した 64 枚の VIMM で構成され FL モデル ( 以下 FL6232) は 512GB MLC を搭載した 64 枚の VIMM で構成されま す VIMM は フラッシュメモリの大規模なアレイのスケーラビリティを可能にするために設計さ れています VIMM のアーキテクチャーには以下のような特徴があります 持続的な書込みの性能のために統合されたガベージコレクション 1 本機能は最新ファームウェア (vmos5.6 および vmos6.3 以降 ) での提供となります 6 / 11

7 DRAM のメタデータとフラッシュメモリへの低レイテンシのアクセス障害回復の為にメタデータへの安全なアクセス確保とメタデータのローカル保管フラッシュメモリの健全性 ( 不良ブロックや不良ダイ ) を統合的に監視および管理最大帯域幅のための分散 ECC 訂正ホットスワップと冗長性の管理 図 4 Violin Intelligent Memory Module (VIMM) 2.5. vraid コントローラー (VCS) vraid コントローラー (VCS) は VIMM に接続される Violin Switched Memory interconnect (VXM) を制御し vraid アルゴリズムを実装しています FL6000 フラッシュアレイストレージの性能と可用性の双方を実現する為に 最大 4 つの vraid コントローラーを利用することができます 最大 3 つの vraid コントローラーに障害が発生した場合でも システムは動作を継続できます 2.6. ホットスワップ 電源およびファンは冗長化され ホットスワップに対応しています メモリプレーンは非常に高い MTBF を確保するためにパッシブ動作となっております 他の すべてのコンポーネントは アクティブ動作であり ホットスワップが可能です すべてのコントローラー 電源 ファン およびメモリ インフラストラクチャに システム管理 用のイーサネットとシリアルのインターフェースがあります 障害管理と操作を簡素化する為に 各スロットとソケットを個別に電源 ON/OFF することが できます 個々のスロットをホットスワップする前に完全に電源断できるように専用の電源コン トローラーを持たせることによって実現しています 電源コントローラーは 単一障害発生時でもストレージサービスを提供するシステムの能力 に影響を与えないように設計されています ファイバーチャネル (FC) 10GbE および InfiniBand 接続がサポートされます 7 / 11

8 通常 これらのインターフェースは Violin Intelligent Memory Module(VIMM) に障害が発生し た際も データ損失が発生しないように冗長化されたカードとスイッチに接続されるように設定 されています 3. パフォーマンスとレイテンシ FL6000 フラッシュアレイストレージは 最高のパフォーマンスとバイト単価を実現します 図 5 Consolidated Performance data FL6616 and FL6232 Flash Array Storage 3.1. IOPS 書き込み IOPS は 設定容量と VIMM の数で決まります 構成された容量の増加に伴って ガベージコレクション機能は 非効率となり すべてのフラッシュストレージシステムの性能低下につながります 図 6 に示すように FL6000 フラッシュアレイストレージは使用可能領域が 87% と 75% の時に高いパフォーマンスレベルを維持します 使用可能領域が 65% の時に最高の性能を発揮します HDD ストレージシステム ( 一般的な HDD ストレージの性能は 50 から 150 IOPS) と比較すると 100,000 IOPS を実現するには 1,000 台の HDD が必要となります FL 台の IOPS 性能は 図 6 に示すように 4 キロバイトのブロックサイズにおいては 約 10,000 台の HDD と同等となります 図 6 FL6000 Flash Array Storage IOPS Performance Profile 3.2. 帯域幅 FL6616 モデルの帯域幅は 128 キロバイトブロックを利用し 5 GB/sec と優れています FL6000 フラッシュアレイストレージはトランザクション負荷を処理するために優れた IOPS を提 8 / 11

9 供するだけでなく 高帯域幅によりデータウェアハウスなどの他の用途においても効率的にデ ータを移動する機能を提供します 3.3. レイテンシ FL6000 フラッシュアレイストレージのアーキテクチャーは MLC フラッシュを利用して業界で 最も低いレイテンシを提供するために最適化されています 図 7 FL6000 Flash Array Storage Latency vs. IOPS Performance Profile 低レイテンシによりシステム性能を高速化することができます これは サーバーと CPU 使用率の大幅な増加につながり ソフトウェアライセンスの統合を実現することが可能です SSD と比較して FL6000 フラッシュアレイストレージのアーキテクチャーの大きな利点は vraid によって提供されるノンブロッキングイレースです これは フラッシュメモリデバイスにおける読み込みの割合が低いときに これらのイレースレイテンシは非常に顕著となります 4. 信頼性 可用性 保守性 (RAS) システムの可用性は 多くのアプリケーションにとって重要です FL6000 フラッシュアレイストレージは モジュールの交換を最小限におさえるように障害処理を自動化するように設計されています FL6000 フラッシュアレイストレージは 多種多様の障害管理技術を組合せてシステムの高可用性を実現します 主要な特徴は 次のとおりです 単一障害点なし (SPOF) 冗長 RAID コントローラーを搭載したインテグレーテッド RAID すべてのモジュールの冗長性 フラッシュメモリコンポーネントの Fail-in-Place ホットスワップ可能なモジュール 4.1. プラットフォームのメカニカル 9 / 11

10 FL6000 フラッシュアレイストレージは エンタープライズなシステムでの RAS 要件を満たすように設計されています VIMM コントローラーとファンは 筐体上部から稼働状態で保守することができます シャーシは 背面ケーブルマネジメントアーム付のスライドレールにマウントされています どちらの蓋もシステムの停止なしに取り外すことができます VIMM とファンには 故障ユニットを示すための LED があり LED を使用してモジュールの交換を行うことができます 独立するファンは横 3 つ 2 列に配置されています それぞれが独立して交換することができ 多重障害でもシステムダウンしない可能性もあります ファンの障害または空気の閉塞が原因で問題が発生した場合 システムの温度センサーが自動的にシステムをシャットダウンします 図 8 FL6000 Flash Array Storage Mechanicals 電源は背面から稼働状態でも保守できます これらは 電源の障害を管理する能力と AC 電源装置で 冗長化されています VIMM コントローラー アレイコントローラー パワーコントローラー メモリ ゲートウェイおよびネットワーク インターフェースは すべての冗長ペアとしてプロビジョニングすることができます 故障したユニットが交換されるまで 任意の単一の障害が自動的に処理されます 4.2. フラッシュのエラー処理 FL6000 フラッシュアレイストレージは ECC と RAID データ保護による高レベルを提供し RAID5 HDD のストレージシステムと比べて桁違いに大きい平均データ消失時間 (MTTDL) を実現します フラッシュメモリにも ビットエラー 不良ブロック ビット線とダイ障害など 多くの障害モードがあります エラーは データ エージングや隣接ブロックの読み書きによって 引き起こされます FL6000 フラッシュアレイストレージのアーキテクチャーは ECC データ スクラビングと vraid の組み合わせによって これらの問題に対処します 4.3. Fail-in-Place 10 / 11

11 フラッシュデバイスは 経年劣化や使用 ( 例えば 消去 ) により障害が発生します FL6000 フラッシュアレイストレージは 以下のような Fail-in-place ストラテジーにより これらの障害を管理しております サービスイベントを最小限に抑える RAID の再構築を最小限に抑える データの損失率を最小限に抑える システムの可用性を最大化する Fail-in-place ストラテジーにより FL6000 フラッシュアレイストレージは稼働を継続できなくな るほど多くの VIMM を失わずに 5 年以上動作します これは RAID 機能による各モジュール と複数のスペアモジュール上の予備のフラッシュデバイスによって達成されています お問い合わせ先 株式会社東芝クラウド & ソリューション社 Toshiba Total Storage Platform 商品情報ホームページ 資料の内容はお断りなしに変更することがありますのでご了承ください 本資料に記載されている製品 数値および表現は平成 26 年 1 月 15 日現在のものです 11 / 11

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