ps9117A_データシート

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1 低回路電流タイプ, 高 CMR, 1 Mbps, オープン コレクタ出力 5 ピン SOP (SO-5) 高速フォトカプラ データシート R8DS139JJ Rev.1. 概 要 は, 入力側に AlGaAs 発光ダイオードを使用し, 出力側にフォトダイオードと信号処理回路を同一チップ上に構成した受光 IC を用いたアクティブ ロウ タイプの高速フォトカプラです 高耐ノイズ ( 高 CMR) に加え, 小型 薄型タイプなので, 高密度実装を必要とされる高速ロジック インタフェース回路に最適です 特 徴 パルス幅ひずみが小さい ( tphl-tplh = 35 ns MAX.) 瞬時同相除去電圧が高い (CMH, CML = 15 kv/µs MIN.) 小型パッケージ (SO-5) 伝送速度が速い (1 Mbps) 入出力間絶縁耐圧が高い (BV = 3 75 Vr.m.s.) オープン コレクタ出力 エンボス テーピング対応品 :-F3:2 5 個 / リール 鉛フリー対応品 海外安全規格 UL 認定品 :UL1577, Single protection CSA 認定品 :CAN/CSA-C22.2 No , 基礎絶縁 VDE 認定品 :DIN EN ( オプション対応いたします ) 端子接続図 (Top View) 1. アノード 2. カソード 3. グランド 4. VO 5. VCC 用 途 計測, 制御機器 PDP FA ネットワーク 真理値表 LED ON OFF 出力 L H 量産開始時期 26-9 R8DS139JJ Rev.1. Page 1 of 13

2 外形図 単位 mm ±.3 (4.4) 注 2 2.6± ±.3.1± M 注 ( )内は参考値 質量.8g Typ. 構造パラメータ 項 目 空間距離 MIN. 4.2 mm 沿面距離 MIN. 4.2 mm 絶縁物厚 MIN..2 mm R8DS139JJ Rev.1. Page 2 of 13

3 捺 印 例 メッキ仕様 Ni/Pd/Au 117A N931 1番ピン マーク Renesasの頭文字 刻印 R N 品名 製造ロット番号 注 9 31 週コード 西暦年号の末尾 規格名 注 鉛フリーを表すバー オーダ情報 品 名 オーダ名称 メッキ仕様 包装形態 鉛フリー 2 個 テーピング品を 2 個 単位 1 カット -AX -F3 -F3-AX エンボス テーピング 2 5 個/リール -V -V-AX 2 個 テーピング品を 2 個 単位 1 カット -V-F3 -V-F3-AX エンボス テーピング 2 5 個/リール (Ni/Pd/Au) 海外安全規格 申請品名注 標準品 (UL, CSA 認定品) UL, CSA, DIN EN 認定品 注 海外安全規格申請は申請品名で行ってください 絶対最大定格 特に指定のないかぎり TA = 25 C 項 目 略 号 定 格 単 位 順電流注 1 IF 3 ma 逆電圧 VR 5 V 電源電圧 VCC 7 V 出力電圧 VO 7 V 出力電流 IO 25 ma PC mw 絶縁耐圧 BV 3 75 Vr.m.s. 動作周囲温度 TA 85 C 保存温度 Tstg C 発 光 受 光 注2 許容損失 注3 注 1. TA = 25 C 以上では.3 mw/ C で減少する 2. 出力端子 VO に適用 TA = 65 C 以上では 1.5 mw/ C で減少する 3. TA = 25 C, RH = 6%, AC 電圧を 1 分間印加 入力側全電極端子一括と出力側全電極端子一括間 R8DS139JJ Rev.1. Page 3 of 13

4 推奨動作条件 項 目 略号 MIN. TYP. MAX. 単位 ロウ レベル入力電圧 VFL.8 V ハイ レベル入力電流 IFH ma 電源電圧 VCC V ファンアウト ( RL = 1 k, TTL (loads) ) N 5 プルアップ抵抗 RL 33 4 k 電気的特性 ( 特に指定のないかぎり TA = -~+85 C) 項 目 略号 条 件 MIN. 注 1 TYP. MAX. 単位 発光 順電圧 VF IF = 1 ma, TA = 25 C V 逆電流 IR VR = 3 V, TA = 25 C 1 A 端子間容量 Ct V = V, f = 1 MHz, TA = 25 C 3 pf 受光 ハイ レベル出力電流 IOH VCC = VO = 5.5 V, VF =.8 V 1 A 2 ロウ レベル出力電圧注 VOL VCC = 5.5 V, IF = 5 ma, IOL = 13 ma.2.6 V ハイ レベル供給電流 ICCH VCC = 5.5 V, IF = ma, VO = オープン 4 7 ma ロウ レベル供給電流 ICCL VCC = 5.5 V, IF = 1 ma, VO = オープン 6 1 伝達特性スレッシュホールド入力電流 (H L) IFHL VCC = 5 V, VO =.8 V, RL = 入出力間絶縁抵抗 RI-O VI-O = 1 kvdc, RH = ~6%, TA = 25 C 1 11 入出力間容量 CI-O V = V, f = 1 MHz, TA = 25 C.6 pf 伝達遅延時間 (H L) 注 3 tphl TA = 25 C 75 ns 伝達遅延時間 (L H) 注 3 tplh TA = 25 C 立ち上がり時間 tr VCC = 5 V, RL = 35, IF = 7.5 ma, 2 立ち下がり時間 tf VTHHL = VTHLH = 1.5 V 5 パルス幅ひずみ (PWD) 注 3 tphl-tplh 5 35 伝達遅延スキュー tpsk 瞬時同相除去電圧 ( 出力 :H) 注 4 瞬時同相除去電圧 ( 出力 :L) 注 4 CMH CML VCC = 5 V, RL = 35, TA = 25 C, IF = ma, VO 2 V, VCM = 1 kv VCC = 5 V, RL = 35, TA = 25 C, IF = 7.5 ma, VO.8 V, VCM = 1 kv 15 2 kv/ s R8DS139JJ Rev.1. Page 4 of 13

5 注 1. TYP.値は TA = 25 C です 2. LED 入力がある場合 LED ON 時 出力側電源 VCC = 2.6 V 以下での ON/OFF 時に VOL が約 2 V に達する 場合がありますので 設計時に特性 電源 ON, OFF 時の動作 を確認のうえご使用ください 3. 伝達遅延時間測定回路 (IF = 7.5 ma) 5% 入力 VCC = 5 V パルス電流 (IF).1 F (PW = 1 s, Duty比 = 1/1) 入力 (モニタ) RL = 35 Ω CL = 15 pf VO (モニタ) 出力 47 Ω 備考 tphl 1.5 V VOL tplh CL はプローブと配線容量を含んだものです 4. 瞬時同相除去電圧測定回路 SW IF VCC = 5 V.1μF 1 kv VCM 9% 1% RL = 35 Ω VO (モニタ) V tr CL = 15 pf VO (IF = ma) VCM VO (IF = 7.5 ma) 備考 tf VOH 2V.8 V VOL CL はプローブと配線容量を含んだものです 使用上の注意 1. 本製品は高速化設計のため 静電気の影響を受けやすくなっております 取り扱いの際は人体アースなど静電気対策 を行ってください 2. VCC GND 間に.1 F のバイパス コンデンサを挿入してください また フォトカプラ コンデンサ間のリード 距離は 1 mm 以内としてください 3. 保管は高温多湿を避けてください 4. ハロゲン系溶剤などを含有する固定材 コーティング剤は使用しないでください R8DS139JJ Rev.1. Page 5 of 13

6 特性曲線 特に指定のないかぎり TA = 25 C, 参考値 最大順電流 vs. 周囲温度 受光許容損失 vs. 周囲温度 5 受光許容損失 PC (mw) 最大順電流 IF (ma) 周囲温度 TA ( C) 周囲温度 TA ( C) 順電流 vs. 順電圧 供給電流 vs. 周囲温度 ハイ レ ベル供給電流 ICCH (ma) ロ ウ レ ベル供給電流 ICCL (ma) 1 TA = 85 C 5 C 25 C C 25 C ICCL (IF = 1 ma) 6 ICCH (IF = ma) 順電圧 VF (V) 周囲温度 TA ( C) 出力電圧 vs. 順電流 ロウ レ ベル出力電圧 vs. 周囲温度.6 IF = 5. ma, VCC = 5.5 V VCC = 5. V ロ ウ レ ベル出力電圧 VOL (V) 5 出力電圧 VO (V) 順電流 IF (ma) 順電流 IF (ma).5.4 IOL = 16. ma 13. ma 1. ma 6. ma 周囲温度 TA ( C) 備考 グラフの中の値は参考値を示します R8DS139JJ Rev.1. Page 6 of 13

7 伝達遅延時間 vs. 周囲温度 スレッシュ ホールド 入力電流 vs. 周囲温度 IF = 7.5 ma, VCC = 5. V VCC = 5. V, VO =.6 V 伝達遅延時間 tphl, tplh (ns) パルス幅ひずみ tphl tplh (ns) 周囲温度 TA ( C) 周囲温度 TA ( C) パルス幅ひずみ vs. 周囲温度 伝達遅延時間 vs. 順電流 VCC = 5. V IF = 7.5 ma, VCC = 5. V 伝達遅延時間 tphl, tplh (ns) スレッシュ ホールド 入力電流 IFHL (ma) 周囲温度 TA ( C) 順電流 IF (ma) 備考 グラフの中の値は参考値を示します R8DS139JJ Rev.1. Page 7 of 13

8 テーピング仕様 ( 単位 :mm) テープ方向 5pin SOP 外形および寸法 ( テープ ) 2.±.5 4.± ±.1 7.4± MAX. 5.5±.1 12.± ±.1 3.9±.1 3.±.1 8.±.1.3±.5 外形および寸法 ( リール ) 2.±.5 2.±.5 13.±.2 R ±.8 33±2. f ±1. f 13.5± ±1. 包装数量 : 2 5 個 / リール R8DS139JJ Rev.1. Page 8 of 13

9 推奨マウント パッド寸法 単位 mm pin SOP R8DS139JJ Rev.1. Page 9 of 13

10 取り扱い注意事項 1. 半田付け推奨条件 (1) 赤外線リフロによる実装時 ピーク温度 26 C 以下 ( パッケージ表面温度 ) ピーク温度の時間 1 s 以内 22 C 以上の時間 6 s 以内 プリヒート温度 12~18 C の時間 12 3 s リフロ回数 3 回以内 フラックス 塩素分の少ないロジン系フラックス ( 塩素.2 Wt % 以下を推奨 ) 赤外線リフロ推奨温度プロファイル パッケージ表面温度 T ( C) 12 C 12±3 s ( プリヒート ) 18 C ( 本加熱 ) ~1 s ~6 s 26 C MAX. 22 C 時間 ( 秒 ) (2) ウェーブ ソルダリングによる実装時 温度 26 C 以下 ( 溶融半田温度 ) 時間 1 s 以内 予備加熱 12 C 以下 ( パッケージ表面温度 ) 回数 1 回 ( モールド部浸漬可 ) フラックス 塩素分の少ないロジン系フラックス ( 塩素.2 Wt % 以下を推奨 ) (3) 手付け 最高温度( リード部温度 ) 35 C 以下 時間( デバイスの一辺あたり ) 3 s 以内 フラックス塩素分の少ないロジン系フラックス ( 塩素.2 Wt % 以下を推奨 ) (a) デバイスのリード根元より 1.5~2. mm 以上離してください (b) ケース温度は, C 以上にならないよう注意してください (4) 注意事項 フラックス洗浄についてフロン系 ハロゲン系 ( 塩素系など ) 溶剤による洗浄は避けてください 2. ノイズについての注意事項 フォトカプラの入力 - 出力間, または VCC-GND 間に立ち上がりの急峻な電圧が印加されると, 定格内であっても出力側がオン状態になることがありますので, ご確認のうえご使用願います R8DS139JJ Rev.1. Page 1 of 13

11 VDE 認定仕様 項目略号定格単位 環境試験クラス (IEC 668-1/DIN EN 668-1) /85/21 絶縁強度最大許容動作絶縁電圧試験電圧 ( 部分放電試験, 手順 a, 型式試験とランダム試験 ) Upr = 1.6 UIORM. 判定基準 : 部分放電 Pd 5 pc 試験電圧 ( 部分放電試験, 手順 b, 全数試験 ) UIORM Upr Vpeak Vpeak Upr = UIORM. 判定基準 : 部分放電 Pd 5 pc Upr Vpeak 最大許容電圧 ( 過度的電圧 ) UIOTM 6 Vpeak 汚染度 (DIN EN VDE 11 Part 1) 2 絶縁材の耐トラッキング性 (IEC 6112/DIN EN 6112 (VDE 33 Part 11)) CTI 175 材料グループ (DIN EN VDE 11 Part 1) 許容保存温度 Tstg -55~+125 C 許容動作温度 TA -~+85 C 絶縁抵抗最小値 TA = 25 C(VIO = 5 V) TA MAX. 最小 C(VIO = 5 V) 安全最大定格 ( 故障時の最大許容値 ) 温度ディレイティングカーブ参照ケース温度電流 ( 入力電流 IF, Psi = ) 電力 ( 出力ないし全損失電力 ) Tsi における絶縁抵抗 (VIO = 5 V) Ris MIN. Ris MIN. Tsi Isi Psi Ris MIN. Ⅲa C ma mw 安全最大定格 ケース温度 Total Power Dissipation Psi (mw) Input Current Isi (ma) Psi: Total Power Dissipation Isi: Input Current Package temp Tsi ( C) R8DS139JJ Rev.1. Page 11 of 13

12 手順 a) 破壊試験 型式試験とランダム試験 V U IOTM =6V U pr =1131V U IORM =77V t 3 t m t 4 t t 1 t ini t 2 t test t 1,t 2 = 1 to 1 sec t 3,t 4 = 1 sec t m(partial DISCHARGE) = 1 sec t test = 12 sec t ini = 6 sec 手順 b) 非破壊試験 全数試験 V U pr =1326V U IORM =77V t test t t 3 tm t4 t 3,t 4 =.1 sec t m(partial DISCHARGE) = 1. sec t test = 1.2 sec R8DS139JJ Rev.1. Page 12 of 13

13 注意 GaAs 製品 この製品には, ガリウムひ素 (GaAs) を使用しています GaAs の粉末や蒸気は有害ですから, 次の点にご注意ください 廃棄する際には, 次のような廃棄処理をすることを推奨します 1. ひ素含有物等の産業廃棄物の収集, 運搬, 処理の資格 を持つ処理業者に委託する 2. 一般産業廃棄物および家庭用廃棄物とは区別し, 特別管理産業廃棄物 として, 最終処分まで管理する 焼却, 破壊, 切断, 粉砕や化学的な分解を行わないでください 対象デバイスをなめたり, 口に入れたりしないでください すべての商標および登録商標は, それぞれの所有者に帰属します R8DS139JJ Rev.1. Page 13 of 13

14 OA AV (Rev ) w.renesas.com/contact/ 218 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved. Colophon 6.