63719AN608_JA.fm
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- きょういち かやぬま
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1 MOSFET MOSFET JessBrown SMPS MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET AN605 AN605MOSFET MOSFET DocNo71933 MOSFET MOSFET C gd _APP I g I gd C gd I gs C gd MOSFET APP _APP i g _APP 0 0V document number: Revision: 02-Dec-04 1 i gs i gs i g i gs + i gd d d C gd V GS d dv GS + C gd dv GS _APP In( _APP ( t + ( R k g _APP ke t ( _APP ( 1 e t ( t 9
2 Application Note 608 MOSFET 2 C gd 10 (V standard complex d Time ( I gd _APP I g C gd C gd d MOSFET _APP _APP ( A B 2 k A B I gs 10 (V standard complex Time ( 9 10 tcr ( k A ( CR k + ke C gd d tcr ( + k B ( CR k ke C gd d CR k d k k 2 2 Rg C gdrg Cgd 2C gd d + 2C gd 2 Rg R gd 2 2 Rgd V 1 MOSFET MOSFET 2 MOSFET BJ Baliga 1 app MOSFET BJBaligaPowerSemiconductorDevices document number: Revision: 02-Dec-04
3 Application Note 608 MOSFET 1 t 1 ( ( In _APP 1 t 1 ( ( In _APP t 4 t 6 t 5 C gd t 3 t 5 ( ( C gd t _APP 13 V F MOSFET MOSFET t 1 t 2 C gd t 3 t 4 t 5 t 6 MOSFET 6 1 Q gs Miller Q gd Q g GateChargePrinciplesandUsagePowerElectronicsEurope Issue32002Technology t 1 t 3 t 2 MOSFET t 4 ( ( C gd + In _APP V DS t 4 ( C gd t 6 ( ( C gd t 2 4 C gd C gd C ds C gd C gd C gd C ds Q gs document number: Revision: 02-Dec-04 3 Gate-Source Voltage (V Q gs 1 Q gd 2 Q g Gate Charge (nc Miller Plateau 3
4 Application Note 608 MOSFET Miller 1 C gd V GD Miller C gd C gd C gd V GD C gd Q gd Miller C gd C gd 1 t 2 Ibid MOSFET t 1 t t ir t 2 t 1 C iss g fs at t ir ( ( C iss 17 x In g fs ( _APP g fs ( _APP t vf t 3 C gd Q gdd D V FD C gd Q gd_d ( ( t vf ( V 18 DS_D _D _APP g fs t vr t 5 Q gd_d ( ( t vr ( V 19 DS_D _D g fs t if t 6 I DS at g fs t if ( ( C iss In document number: Revision: 02-Dec-04 V 10 % t don ( t 1 + t ir t r t vf t doff ( t 4 t f t vr 10 % 10 % 10 % t d(on t r 10 % t d(off t f % t
5 Application Note 608 MOSFET 1Si4892DY app W C iss C iss 0V pf g fs S APP V A Q gdd nc D V D A R DSon W V F V FD V t t ir t vf t t vr t if t don t r t doff t f t don t r t doff t f V 5AAPP 5Vapp 10W 8 9 Si4892DY t ir t vf t vr t if t ir t vf t vr t if document number: Revision: 02-Dec-04 5
6 Application Note 608 MOSFET 2 MOSFET MOSFET MOSFETPN MOSFET 1 1 MOSFET MOSFET ( _APP g fs L V L ( + C at V iss DS _app x e t ( ( C at V iss DS t t ir document number: Revision: 02-Dec tif t ir ( C at V iss DS ( _APP g fs L ( _APP ( C at V iss DS x In ( _APP t if ( C at V iss DS g fs L ( C at V iss DS x In t ir t vf t vr t if t ir t vf t vr t if MOSFET MOSFET 3
E V1 V1 800d VR V1 600d VR V1 800d VR + 2.48VF 887 V1 600d VR + 3.74VF 336 d JIS B 8630 VR V 2 E V2 V2 800d V F V2 600d V F V2 V F mm 0 1 3-1 1,800 1,600 1,400 1,200 1,000 800 600 400 200 300
Netcommunity SYSTEM X7000 IPコードレス電話機 取扱説明書
4 5 6 7 8 9 . 4 DS 0 4 5 4 4 4 5 5 6 7 8 9 0 4 5 6 7 8 9 4 5 6 4 0 4 4 4 4 5 6 7 8 9 40 4 4 4 4 44 45 4 6 7 5 46 47 4 5 6 48 49 50 5 4 5 4 5 6 5 5 6 4 54 4 5 6 7 55 5 6 4 56 4 5 6 57 4 5 6 7 58 4
.A. D.S
1999-1- .A. D.S 1996 2001 1999-2- -3- 1 p.16 17 18 19 2-4- 1-5- 1~2 1~2 2 5 1 34 2 10 3 2.6 2.85 3.05 2.9 2.9 3.16 4 7 9 9 17 9 25 10 3 10 8 10 17 10 18 10 22 11 29-6- 1 p.1-7- p.5-8- p.9 10 12 13-9- 2
89865TVS_JA.fm
VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR Transient Suppressors Application Note (TVS) Soo Man Sweetman Kim Senior Application Manager TVS Vishay General Semiconductor ITVS TVS TVS TVS 1 10 s 1000 sbellcore 1089 2
VISPO /表1-4
7 2005 1,132 5,249 362 13,666 311,809 1,359 3,723 1,669 538 3,737 17,418 39,036 75,694 5,281 1,169 161,502 7,463 11,408,436 500,000 13,263 192,052 41,391 49,706 136,232 61,102 12,402,182 11,573,898 273,042
1 2 3 4 5 6 0.4% 58.4% 41.2% 10 65 69 12.0% 9 60 64 13.4% 11 70 12.6% 8 55 59 8.6% 0.1% 1 20 24 3.1% 7 50 54 9.3% 2 25 29 6.0% 3 30 34 7.6% 6 45 49 9.7% 4 35 39 8.5% 5 40 44 9.1% 11 70 11.2% 10 65 69 11.0%
パソコン接続マニュアル P-01F 日本語
P-01F 1 2 3 4 5 1 2 +m1111 1 2 3 4 5 6 6 1 1 111 2 1 3 1 1 1 2 1 7 3 8 1 2 1 111 3 4 5 9 1 m111 m1111 c 2 3 4 5 10 1 1 111 2 1 3 1 1 1 2 1 3 1 m111 m1111 2 3 1 11 12 1 2 3 1 2 3 13 1 2 3 4 5 14 6 7 8 9
Q & A Q A p
Q & A 2004.12 1 Q1. 12 2 A1. 11 3 p.1 1.1 2 Q2. A2. < > [ ] 10 5 15 (p.138) (p.150) (p.176) (p.167 ) 3 1. 4 1.6 1.6.1 (2) (p.6) Q3. 5 1 1:1.0 12 2 1:0.6 1:1.0 1:1.0 1:0.6 1:0.6 1:0.6 1:1.0 1:0.6 ( ) 1:1.0
!!! 10 1 110 88 7 9 91 79 81 82 87 6 5 90 83 75 77 12 80 8 11 89 84 76 78 85 86 4 2 32 64 10 44 13 17 94 34 33 107 96 14 105 16 97 99 100 106 103 98 63 at 29, 66 at 58 12 16 17 25 56
FA6K3342ZL
Zener Diode installed separate type dual P-channel For passive cell balancing circuits 2.0 0.2 Unit : mm 0.13 Features Build in Gate Resistor Drain-source ON-state Resistance : RDS(on) typ. = 280 mω (VGS
FC6K3339ZL
Features Build in Gate Resistor, Gate-source Resistor and Zener Diode Drain-source ON-state Resistance : RDS(on) typ. = 200 mω (VGS = 4.5 V) AEC-Q101 qualified Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS /
431 a s a s a s d a s a 10 d s 11 f a 12 g s 13 a 14 a 15
431 a s a s a s d a sa 10ds 11fa 12gs 13a 14a 15 a s d f g h a s d 10f 11g a 12h s 13j a 14k s 15 432 433 10 11 12 13 14 15 10 11 12 13 14 15 434 10 11 12 13 14 15 10 11 12 13 14 15 10 11 12 13 14 15 435
SSM3K7002KFU_J_
MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 1. 用途 高速スイッチング用 2. 特長 (1) ESD(HBM) 2 kv レベル (2) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 1.05 Ω ( 標準 ) (@V GS = 10 V) R DS(ON) = 1.15 Ω ( 標準 ) (@V GS = 5.0 V) R DS(ON) = 1.2 Ω ( 標準 ) (@V GS = 4.5
H5N2509PF データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 4 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
SB9B03(10)/ 7MMA FTZ F Jp 2 FTZ Z F NIKKOR 3 F NIKKOR 7 FTZ F NIKKOR 1
SB9B03(10)/ 7MMA1310-03 FTZ F Jp 2 FTZ Z F NIKKOR 3 F NIKKOR 7 FTZ F NIKKOR 1 AF MF b/p/s A/M L/M/ N/t CPU AF-S G/E/D AF-P G/E AF-I D AF G/D G/E/D AF CPU CPU PC-E NIKKOR PC NIKKOR 19mm f/4e ED PC 85mm
000 001
all-round catalogue vol.2 000 001 002 003 AA0102 AA0201 AA0701 AA0801 artistic brushes AA0602 AB2701 AB2702 AB2703 AB2704 AA0301 AH3001 AH3011 AH3101 AH3201 AH3111 AB3201 AB3202 AB2601 AB2602 AB0701 artistic
2SK2796(L),2SK2796(S) データシート
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FCAB2135
Established : 205-05-9 Doc No. TT4-EA-503 Revision. FCAB2350L FCAB2350L Gate resistor installed Dual N-channel For lithium-ion secondary battery protection circuits 3.05 6 5 4 Unit: mm Features Low source-source
LM35 高精度・摂氏直読温度センサIC
Precision Centigrade Temperature Sensors Literature Number: JAJSB56 IC A IC D IC IC ( ) IC ( K) 1/4 55 150 3/4 60 A 0.1 55 150 C 40 110 ( 10 ) TO-46 C CA D TO-92 C IC CA IC 19831026 24120 11800 ds005516
FK4B0343ZL All in one N-channel MOS FET ADVANCE INFORMATION Features For passive cell balancing circuits Built-in cell discharge resistor, gate-source
All in one N-channel Features For passive cell balancing circuits Built-in cell discharge resistor, gate-source resistor and zener diode CSP( Chip Size Package ) Halogen-free / RoHS compliant ( EU RoHS
LM A High Efficiency Synchronous Switching Regulator (jp)
LM2651 LM2651 1.5A High Efficiency Synchronous Switching Regulator Literature Number: JAJS632 LM2651 1.5A 1.5A High Efficiency Switching Regulator 2651 LM Dongyan Zhou 19980610 LM2651 100:1 (1.5A 15mA)
目次 概要... 1 目次 電気的特性 静的特性 動的特性 静電容量特性 実効容量 ( エネルギー換算 ) スイッチング特性 dv/dt 耐量...
パワー MOSFET 電気的特性 概要 本資料はパワー MOSFET の電気的特性について述べたものです 1 目次 概要... 1 目次... 2 1. 電気的特性... 3 1.1. 静的特性... 3 1.2. 動的特性... 3 1.2.1. 静電容量特性... 3 1.2.2. 実効容量 ( エネルギー換算 )... 4 1.2.3. スイッチング特性... 5 1.2.4. dv/dt 耐量...
untitled
39 40 41 45 47 54 57 39 () 40 () () S22 12,262 7,108 5,154 S23 12,753 7,331 5,422 S24 14,201 8,391 5,810 S25 16,311 9,820 6,491 S26 15,415 9,035 6,380 S27 15,776 9,171 6,605 S28 17,731 10,450 7,281 S29
F9222L_Datasheet.pdf
Introduction Fuji Smart power device M-POWER2 for Multi-oscillated current resonant type power supply Summary System: The ideal and Fuji s original system It includes many functions(soft-switching,stand-by).
2SJ529(L),2SJ529(S) データシート
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2SK1669 データシート
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2SJ181(L),2SJ181(S) データシート
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2SJ505(L),2SJ505(S) データシート
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FK4B0111
Established : 204-03-24 Doc No. TT4-EA-4955 Revision. Single N-channel For Load switching circuits 0.60 Unit: mm 4 3 Features Low Drain-source ON resistance:rds(on) typ. = 57m (VGS = 2.5 V) CSP (Chip Size
FJ4B0111
Single P-channel For Load switching circuits 0.60 4 3 Unit: mm Features Drain-source ON resistance:rds(on) typ. = 141 m ( VGS = -2.5 V ) CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)
MOSFET 6-2 CMOS 6-2 TTL Transistor Transistor Logic ECL Emitter Coupled Logic I2L Integrated
1 -- 7 6 2011 11 1 6-1 MOSFET 6-2 CMOS 6-2 TTL Transistor Transistor Logic ECL Emitter Coupled Logic I2L Integrated Injection Logic 6-3 CMOS CMOS NAND NOR CMOS 6-4 6-5 6-1 6-2 CMOS 6-3 6-4 6-5 c 2011 1/(33)
FK4B0110
Single N-channel For oad switching circuits 0.80 4 3 Unit: mm Features Low Drain-source ON resistance:rds(on) typ. = 27 m (VGS = 2.5 V) CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level compliant)
DV-AR11s
DV-AR11 DV-AR12 »»»»»»»»» »»»»» 106 107»»»»»»»» »»»»» 108 109 HDD HD DVD-RW VR DVD-R VR CD HDD VR HDD SD DVD-RW DVD-R DVD CD»»»»»» 1» 2 3 4»» 5 6 7 110 7 8» 1» 10 11 12»»» 9»»»»»»» 710» 712 13»»»»»» 111
SSM6J511NU_J_20160105
MOSFET シリコンPチャネルMOS 形 (U-MOS) SSM6J511NU SSM6J511NU 1. 用 途 パワーマネジメントスイッチ 用 2. 特 長 (1) 1.8 駆 動 です (2) オン 抵 抗 が 低 い R DS(ON) = 13.5 mω ( 最 大 ) (@ GS = -2.5 ) R DS(ON) = 10 mω ( 最 大 ) (@ GS = -4.5 ) 3. 外
MOSFET HiSIM HiSIM2 1
MOSFET 2007 11 19 HiSIM HiSIM2 1 p/n Junction Shockley - - on-quasi-static - - - Y- HiSIM2 2 Wilson E f E c E g E v Bandgap: E g Fermi Level: E f HiSIM2 3 a Si 1s 2s 2p 3s 3p HiSIM2 4 Fermi-Dirac Distribution
LM5021 AC-DC Current Mode PWM Controller (jp)
LM5021 LM5021 AC-DC Current Mode PWM Controller Literature Number: JAJSAC6 LM5021 AC-DC PWM LM5021 (PWM) LM5021 (25 A) 1 ( ENERGY STAR CECP ) Hiccup (Hiccup ) 8 LM5021 100ns 1MHz AC-DC PWM 5021 LM Steve
FC8V2215
ゲート抵抗内蔵デュアル N チャネル MOSFET リチウムイオン 2 次電池保護回路用 2.9 Unit: mm 0.3 0. 特長 低ドレイン ソース間オン抵抗 :Rds(on)typ. = 9.0 m (VGS = 4. V) ゲート抵抗内蔵 ハロゲンフリー 鉛フリー対応パッケージ (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 適合 ) 2.4 2. 形名表示記号 : 3
R6018JNX : トランジスタ
R6018JNX Nch 600V 18A Power MOSFET Datasheet l 外形図 V DSS 600V TO-220FM R DS(on) (Max.) 0.286Ω I D ±18A P D 72W l 特長 1) 逆回復時間 (trr) が小さい 2) 低オン抵抗 3) 高速なスイッチングスピード 4) 駆動回路が簡単 5) 鉛フリー対応済み RoHS 準拠 l 内部回路図
TK50P04M1_J_
MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (U-MOS-H) 1. 用途 スイッチングレギュレータ用 モータドライブ用 パワーマネジメントスイッチ用 2. 特長 (1) スイッチングスピードが速い (2) ゲート入力電荷量が小さい : Q SW = 9.4 nc ( 標準 ) (3) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 6.7 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (4) 漏れ電流が低い
SSM6J505NU_J_
MOSFET シリコン P チャネル MOS 形 (U-MOS) 1. 用途 パワーマネジメントスイッチ用 2. 特長 (1) 1.2 V 駆動です (2) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 61 mω ( 最大 ) (@V GS = -1.2 V) R DS(ON) = 30 mω ( 最大 ) (@V GS = -1.5 V) R DS(ON) = 21 mω ( 最大 ) (@V GS
FK4B0112
Single N-channel For Load switching circuits.0 4 3 Unit: mm Features Low Drain-source ON resistance:rds(on) typ. = 7m (VGS = 2.5 V) CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level compliant)
2019 年 7 月 1 日 該非判定結果リスト <2019 年 1 月 9 日施行政省令対応 > < 対象製品 > 一眼レフカメラ / ミラーレスカメラ ( 本体 交換レンズ テレコンバーター ) < 輸出貿易管理令 > 別表第 1 (1~15 項 ) 別表第 2 (1~45 項 ) 判定結果 :
2019 年 7 月 1 日 該非リスト < 対象製品 > 一眼レフカメラ / ミラーレスカメラ ( 本体 交換レンズ テレコンバーター ) < > 別表第 1 (1~15 項 ) 別表第 2 (1~45 項 ) : 非該当 : 非該当 < > 別表 (1~15 項 ) : 非該当 < 米国再輸出規制 > : Country Group E 向けを除き 対象外 Country Group E ( イラン
MOS FET c /(17)
1 -- 7 1 2008 9 MOS FT 1-1 1-2 1-3 1-4 c 2011 1/(17) 1 -- 7 -- 1 1--1 2008 9 1 1 1 1(a) VVS: Voltage ontrolled Voltage Source v in µ µ µ 1 µ 1 vin 1 + - v in 2 2 1 1 (a) VVS( ) (b) S( ) i in i in 2 2 1
Autodesk Fusion 360 Autodesk Fusion 360 Honda 3D Fusion 360 CAD Honda EV Autodesk Fusion 360 Honda D 3D Web Rinkak 3D 2016 Honda 3D CEATEC JAPAN
Xenoma GENKEI Autodesk Fusion 360 Autodesk Fusion 360 Honda 3D Fusion 360 CAD Honda EV Autodesk Fusion 360 Honda 2013 3D 3D Web Rinkak 3D 2016 Honda 3D CEATEC JAPAN 2016 Honda EV 2 Autodesk Fusion 360
51505agj.PDF
Type No. 2002 7 3 ******** 1.... 2 2.... 3 3.... 7 4. I/O... 9 5.... 11 6.... 12 7.... 16 8.... 16 9.... 16 10.... 17 11.... 18 CORPORATION Page 1/18 1. min. -20max. 70 min. -20max. 70 20 2 5 8 1 83.0
Products catalog
2019 2 3 ERZV D 4 ERZV D(V) CS/C1 24 ERZV D(V) 25 27 ERZE A 31 ERZE A(B) CS 46 ERZE E(F) 47 49 53 ERZE A S1 54 ERZE A SC 58 59 63 64 ERZHF 67 ERZVF 70 75 ERZVS 78 ERZC EK (Y) 80 ERZC CK 86 91 ERZA PK 94
untitled
Fuji Electric has a lineup of power MOSFETs ranging from medium to high-voltage types with features such as low power loss, low noise, and low on-resistance. The Super J-MOS Series uses superjunction technology,
M51995AP/AFP データシート
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P P P P P P P P P P P P P
P P P P P P P P P P P P P 1 (1) (2) (3) (1) (2) (3) 1 ( ( ) ( ) ( ) 2 ( 0563-00-0000 ( 090-0000-0000 ) 052-00-0000 ( ) ( ) () 1 3 0563-00-0000 3 [] g g cc [] [] 4 5 1 DV 6 7 1 DV 8 9 10 11 12 SD 13 .....
TPW5200FNH_J_
MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (U-MOS-H) 1. 用途 高効率 DC-DCコンバータ用 スイッチングレギュレータ用 2. 特長 (1) スイッチングスピードが速い (2) ゲート入力電荷量が小さい : Q SW = 8.2 nc ( 標準 ) (3) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 44 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (4) 漏れ電流が低い :
R6020PNJFRA : Transistors
R6020PNJ Nch 600V 20A Power MOSFET Datasheet loutline V DSS 600V TO-263 R DS(on) (Max.) 0.25Ω SC-83 I D ±20A LPT(S) P D 304W lfeatures 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage
TK30J25D_J_
MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (π-mos) 1. 用途 スイッチングレギュレータ用 2. 特長 (1) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 0.046 Ω ( 標準 ) (2) 漏れ電流が低い : I DSS = 10 µa ( ) (V DS = 250 V) (3) 取り扱いが簡単な, エンハンスメントタイプです : V th = 1.53.5 V (V DS = 10
, ,279 w
No.482 DEC. 200315 14 1754,406 100.0 2160,279 w 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 28.9 23.8 25.0 19.3 30.4 25.0 29.5 80.7 75.0 75.0 70.5 71.1 69.6 76.2 7 8 9 10 11 12 13 23.2 76.8 14 14 1751,189 100.0 2156,574
橡kenkyuhoukoku８.PDF
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FREE LOCK FREE LOCK 3000 Series 5 75 SJ SV J VF VP4 S0700 VQ VQ4 VQ5 VQC VQC4 VQZ SQ VFS VFR VQ7 LOCK FREE LOCK FREE LOCK FREE LOCK FREE LOCK FREE LOCK FREE F P PG PH SS5Z3 60 F U P D 1 05 1 2 U D B M
LMC7101/101Q Tiny Low Pwr Op Amp w/Rail-to-Rail Input and Output (jp)
,Q /Q Tiny Low Power Operational Amplifier with Rail-to-Rail Input and Output Literature Number: JAJS809 CMOS SOT23-5 CMOS LMC6482/6484 PHS (PDA) PCMCIA 5-Pin SOT23 CMOS 19940216 33020 23900 11800 2006
B-261
B-261 Dw Dw Dw Lw Lw Dw Lw Dw Dw Lw Dw B-262 B-263 dd Cr DwZ C r C Z Dd D Dw ZK D K Dw K Z K Z K Dw Z r C d D Dw D Z D Dw Dw d DDwr Z Z C DW Dw Lw Dw Lw 1.5 2 5.8 F1.5 5.8 A1.5 5.8.8 6.8 F1.5 6.8 A1.5
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(a) 4 1. A v = / 2. A i = / 3. A p = A v A i = ( )/( ) 4. Z i = / 5. Z o = /( ) = 0 2 1
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Ayumi's Lab Updated
Ayumi's Lab. 00 5 Updated 003 6 3 4 4 8 5 9 6 0 6..................................... 0 6......................................... 00 Professor 4 LP S/N NF CR Rec. out 0 kω Line out 47 kω 3 NF 667- AU7
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1999 No.1 10 150 ( ) 3 1 P.02 P.03 q w P.03 2 P.08 P.10 P.11 TOPICS P.16 P.15 P.16 P.14 P.15 a g ggg a a a a a a a a a a a g g a a a a 268,000 199,000 227,000 209,000 a ggg gg g j g jj g a a s s g g gj
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2000 No.2 1 150 ( ) P.02 1 2 P.04 P.06 P.07 P.09 P.10 P.11 P.08 P.16 P.12 P.15 P.13 P.14 P.15 02 aa a a a aa a g g dg gd d d a a 237,000 239,000 238,000 254,000 388,000 392,000 394,000 399,000 aa a g gdd
TPCP8406_J_
MOSFET シリコン P/N チャネル MOS 形 (U-MOS/U-MOS-H) 1. 用途 携帯電話用 モータドライブ用 2. 特長 (1) オン抵抗が低い PチャネルR DS(ON) = 33 mω ( 標準 ) (V GS = -10 V) NチャネルR DS(ON) = 24 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (2) 漏れ電流が低い Pチャネル I DSS = -10 µa
R2A20134EVB-TINW アプリケーションノート R2A20134評価ボード
R2A20134EVB-TINW R19AN0027JJ0100 Rev.1.00 1. R2A20134EVB-TINW LED LED LED R2A20134SP / / THD/ / (IEC61000-3-2 C) R2A20134SP 2. No. 1 AC85 264V ( 47 63Hz) 2 18W (max.) 3 DC55V (typ.) 4 330mA (typ.) 5 85%
) 2008 8 21 22 21 10:00 12:00 e iπ 1. i ). e π. T @ MacTutor History of Mathematics archive www-history.mcs.standrews.ac.uk/history/ FAQ kawaguch))math.sci.osaka-u.ac.jp 2008 8 21 Part 1 e πi = 1 e = 2.71828...
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C O N T E N T S 1 5 6 11 1 2 3 4 92 17.1 577 20 104 *YM-26 *YM-55C *YM-60C *YM-70C *SF-1 *SF-1V *SF-60 *SF-50WN *Y-D *Y-DL *NF-900S *YM-55CY 1927 2 1956 31 9,800 205 3-2265-6 025-256-2111 5-2 8 03-3249-9251
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Application Note 1194 Failsafe Biasing of LVDS Interfaces (jp)
Application Note 1194 Failsafe Biasing of LVDS Interfaces Literature Number: JAJA274 LVDS LVDS 3 2 LVDS High Low 1. LVDS 2. LVDS (V CC 0V ) 3. LVDS ( ) 1. LVDS ( ) 2. LVDS 1. LVDS 2. LVDS High Low LVDS
LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifi(jp)
LMV851,LMV852,LMV854 LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers Literature Number: JAJSAM3 LMV851/LMV852/LMV854 8MHz CMOS EMI LMV851/LMV852/LMV854 CMOS IC 40 125 LMV851/