CONENS 用語説明 素子の選び方 パワーモジュール モジュール製品の特長 品名のつけ方 ダイオード / 高速ダイオード / ショットキーバリアダイオード ソフトリカバリー高速ダイオード 5 高速ダイオード 5 ショットキーバリアダイオード 5 整流ダイオード 5 三相整流ダイオード DFN シリ
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- うまじ かたづ
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1 半導体製品カタログ
2 CONENS 用語説明 素子の選び方 パワーモジュール モジュール製品の特長 品名のつけ方 ダイオード / 高速ダイオード / ショットキーバリアダイオード ソフトリカバリー高速ダイオード 5 高速ダイオード 5 ショットキーバリアダイオード 5 整流ダイオード 5 三相整流ダイオード DFN シリーズ 6 三相整流ダイオード DFC/E シリーズ 6 三相整流ダイオード DF/B/C シリーズ 6 三相整流ダイオード DFL/LB シリーズ 6 三相整流ダイオード サイリスタ 6 サイリスタ 大電流サイリスタ 7 サイリスタ PK PD シリーズ 7 サイリスタ SC/SCE シリーズ 7 三相サイリスタ ( 半波 ) 7 ディスクリート ディスクリート製品の特長 8 品名のつけ方 8 トライアック リード挿入型標準品 9 リード挿入型高感度品 9 リード挿入型 j=50 品 9 表面実装型標準品 0 表面実装型高感度品 0 表面実装型 j=50 品 0 タブ端子型標準品 0 サイリスタ リード挿入型標準品 0 リード挿入型高感度品 0 表面実装型標準品 表面実装型高感度品 タブ端子型標準品 高速ダイオード ダイオード New トライアック リード挿入型標準品 リード挿入型高感度品 リード挿入型 j=50 品 外形寸法 包装仕様
3 用語説明 FRD DIODE HYRISOR RIC 記号用語記号用語記号用語記号用語 VRRM 定格ピーク繰返し逆電圧 VRRM 定格ピーク繰返し逆電圧 VDRM IF(V) 平均順電流 IF(V) 平均順電流 VRRM 定格ピーク繰返しオフ電圧定格ピーク繰返し逆電圧 VDRM I (RMS) 定格ピーク繰返しオフ電圧 IFSM 定格サージ順電流 ID 定格直流出力電流 I(V) 定格平均オン電流 IDRM オフ電流 定格実効オン電流 I t 電流二乗時間積 IFSM 定格サージ順電流 I (RMS) 定格実効オン電流 VM オン電圧 VFM 順電圧降下 I t 電流二乗時間積 ISM 定格サージオン電流 IG ゲートトリガ電流 IRRM 逆電流 VFM 順電圧降下 I t 電流二乗時間積 VG ゲートトリガ電圧 trr 逆回復時間 IRRM 逆電流 IG ゲートトリガ電流 j 定格接合部温度 j 定格接合部温度 j 定格接合部温度 VG ゲートトリガ電圧 Rth (jc) 熱抵抗 Rth (jc) 熱抵抗 IDRM オフ電流 [dv/dt] (c) Rth (jc) 転流時臨界オフ電圧上昇率 熱抵抗 IRRM 逆電流 dv/dt di/dt j Rth (jc) 臨界オフ電圧上昇率 定格臨界オン電流上昇率 定格接合部温度 熱抵抗 トライアックゲートトリガモード 端子電圧 G G G 端子電圧 G G Mode Ⅲ (QⅣ) は一部の機種を除き動作を保証しておりません
4 素子の選び方 素子の選び方 Converter Bridge P.6 DFseries V 000 DF series DD series PD SCE series PK SC series V V V V 550 P.6 P.5 P.7 P.7 Secondary Rectifier INV. LOD INV. LOD DB series 00600V 00 Fast Recovery FRS DSR FRG series 80000V 5000 Fast Recovery P.5 P.5, DK FRD DKR series BKR series 60000V 0000 Fast Recovery 50/00V 00 Schottky Barrier Diode P.5 DC FDS series 500/600V 00/50 Fast Recovery FDF series 60000V 560 Fast Recovery P.5 P.5 Phase Control C Control PWB series 00/00V 6000 K SB series V 5500 P.7 CONV. INV. LOD P.6,7 LOD BERY SS series 800/600V 500 P.7 SC PK series V 550 SBB series P V 500 P.7 G MG series LOD SCE PD series V 550 P.7 M M Load a. Load b. Load c. Load d. Control Circuit V 70 P.9,0
5 POWER MODULE モジュール製品の特長 高速ダイオード スイッチングロスの低減を追求した高速タイプに加えて低ノイズを特長とするソフトリカバリーシリーズをラインナップ 省エネ 環境の要求に効果を発揮します 高速ソフトリカバリータイプ DCシリーズ DBシリーズ 高速リカバリータイプ 種類のリカバリー速度 種類のリカバリー速度 ソフト特性 FDFシリーズ 高速ダイオードによる 単相ブリッジ接続 FRSシリーズ 素子入り大容量 00まで カバー DKRシリーズ非絶縁 コンパクトパッケージ モジュール製品品名のつけ方 DC シリーズ名 電流の定格値 電気的特性 仕様 構造 外形仕様 耐圧の定格 0. 整流用ダイオード サイリスタ サイリスタは定格耐圧 800V, 600V, 800Vをラインナップ 00V/00V ラインの整流回路に要求されるdV/dt サージなどの耐量を確保しています 三相整流用ではモジュール高さの異なるシリーズにより 他のモジュールとの接続を容易にし 実装密度の向上が実現できます DFシリーズ各種三相フルブリッジモジュールを用意 DF_/B: 標準型 DF_C: 高サージ耐量型 DF_N: 小型 SIP 形状モジュール DF_C/E: 低背型 (7mm) モジュール DF_L/LB: 端子間沿面距離を確保するリブの 有 (LB) 無 (L) を選択可能 DFシリーズ三相フルブリッジモジュールのDC 出力正極側に 突入防止用サイリスタを追加 DD KDシリーズ in ダイオード標準モジュール PK/SC PD/SCEシリーズ inサイリスタ標準モジュール RoHS 対応 本カタログ掲載の全製品が欧州 RoHS 指令に適合しています UL 規格対応 本カタログ掲載のモジュール製品は非絶縁型及び DK00を除き UL 規格を取得しています UL File No.E760
6 ダイオード / 高速ダイオード / ショットキーバリアダイオード ソフトリカバリー高速ダイオード VISO:500V(RMS) j(max):50 ショットキーバリアダイオード VISO:500V(RMS) j(max):50 VRRM V IF(V) IFSM (60Hz) I t s VFM V(5 ) IRRM m(5 ) Rthjc / W BKR00BZ50* BKR00B0* BK * 非絶縁型 Connections VRRM V BKR,BK IF(V) IFSM (60Hz) I t s VFM V(5 ) IRRM m(5 ) trr ns Rthjc / W DC DC DC00B DC50B DC00U (50 ) DK DK DSR00B DB00U (50 ) DB00U (50 ) DB00W DB00W DB00X (50 ) Connections DC DK DSR DB 高速ダイオード VISO:500V(RMS) j(max):50 VRRM V IF(V) IFSM (60Hz) I t s VFM V(5 ) IRRM m(5 ) trr ns Rthjc / W FDF5C (50 ) FDF60B FRD00C (50 ) FDS00C (50 ) FRS50B FRS00C (50 ) FRS00B FRS00C FRS00B FRS00C (50 ) FRS00E (5 ) 00(50 ) DKR00B60* DKR00B60* DKR00B60* DKR00BE(BF)60* DKR00BE(BF)60* DKR00BE(BF)60* DB00Y (50 ) * 非絶縁型 Connections FDF FDS FRS FRD,DKR DB Fig No. Fig No. Fig No 整流ダイオード VISO:500V(RMS) j(max):50 VRRM V IF(V) IFSM (60Hz) I t s VFM V(5 ) IRRM m(50 ) Rthjc / W DK DD60KB80/60 800, KD60GB KD60HB DK60KB80/60 800, DD00KB80/60 800, DD60KB80/60 800, KD60KB80/60 800, DF600* DD00KB80/60 800, DD00KB DD0KB80/60 800, DD00KB80/60 800, * 非絶縁型 Connections DD KD,DK DF Fig No
7 三相整流ダイオード DFN シリーズ VISO:500V(RMS) j(max):50 VRRM V ID IFSM (60Hz) I t s VFM V(5 ) IRRM m(50 ) Rthjc / W DF0N80/60 S 800, /8 0.8 DF0N80/60 F 800, / DF0N80/60 S 800, / 0.8 DF0N80/60 F 800, / Fig No. 5 三相整流ダイオード DFC/E シリーズ VISO:500V(RMS) j(max):50 VRRM V ID IFSM (60Hz) I t s VFM V(5 ) IRRM m(50 ) Rthjc / W DF75C80/60 800, DF00C80/60 800, DF50E80/60 800, DF00E80/60 800, Fig No. 6 三相整流ダイオード DF/B/C シリーズ VISO:500V(RMS) j(max):50 VRRM ID IFSM VFM IRRM Rthjc Fig V (60Hz) V(5 ) m(50 ) / W No. DF0C80/60 800, DF00/60 00, DF0C80/60 800, DF00/60 00, DF0B DF00/60 00, DF50B DF500/60 00, DF60B DF600/60 00, DF75B DF750/60 00, DF00B DF000/60 00, DF50B80/60 800, DF00B80/60 800, 三相整流ダイオード DFL / LB シリーズ VISO:500V(RMS) j(max):50 VRRM ID IFSM VFM IRRM Rthjc Fig V (60Hz) V(5 ) m(50 ) / W No. DF60L80/60 800, DF60LB80/60 800, DF75L80/60 800, DF75LB80/60 800, DF00L80/60 800, DF00LB80/60 800, Connections DF 0 三相整流ダイオード サイリスタ VISO:500V(RMS) VDRM / VRRM ID IFSM I t VFM(D) IRRM(D) RthjC(D) VM(HY) IRRM(HY) Rthjc(HY) j(max) Fig V (60Hz) s V(5 ) m(50 ) / W V(5 ) m(5 ) / W (thy) (Diode) No. DF50B80/60 800, DF75B80/60 800, DF00B80/60 800, DF50B80/60 800, DF5080/60 800, DF0080/60 800, DF50CB80/60 800, DF00CB80/60 800, Connections R G DF
8 POWER MODULE サイリスタ 大電流サイリスタ VISO:500V(RMS) dv/dt:500v/μs j(max):5 VDRM / VRRM V I(V) ISM (60Hz) I t s IG VG VM IDRM/IRRM m(5 ) V(5 ) V(5 ) m(5 ) Rthjc /W SB50080/60 800, SBB50080/60 800, SS50080/60 800, Fig No. Connections G K SB K G K SBB G SS G サイリスタ PK/PD シリーズ VISO:500V(RMS) dv/dt:500v/μs j(max):5 VDRM / VRRM V I(V) ISM (60Hz) I t s IG VG VM IDRM/IRRM m(5 ) V(5 ) V(5 ) m(5 ) Rthjc /W PK5FG80/60 800, PD5FG80/60 800, PK0FG80/60 800, PD0FG80/60 800, PK55FG80/60 800, PD55FG80/60 800, PK70FG80/60 800, PD70FG80/60 800, PK90FG80/60 800, PD90FG80/60 800, P0FG80/60 800, PD0FG80/60 800, P0FG80/60 800, PD0FG80/60 800, P60FG80/60 800, PD60FG80/60 800, PK00FG80/60 800, PD00FG80/60 800, PK50GB80/HB60 800, PD50GB80/HB60 800, Fig No. Connections G K G PK G PD サイリスタ SC/SCE シリーズ VISO:500V/000V(RMS) dv/dt:000v/μs VDRM / VRRM V I(V) ISM (60Hz) I t s IG VG VM m(5 ) V(5 ) V(5 ) IDRM/IRRM m Rthjc /W j(max) SC (0 ) SCE (0 ) SC (0 ) SCE (0 ) SC (0 ) SCE (0 ) SC (0 ) SCE (0 ) SCE0B (50 ) SC60D80/60 800, (5 ) B SCE60C (0 ) B SCE60D80/60 800, (5 ) B SC00D80/60 800, (5 ) B SCE00C (0 ) B SCE00D80/60 800, (5 ) B SC0D (5 ) B SCE0D (5 ) B Connections G K G SC SCE G Fig No. 9B 0 三相サイリスタ ( 半波 ) 非絶縁型 di/dt:50/μs,vg:v(5 ),j(max):50 VDRM / VRRM V I(V) I(RMS) ISM (60Hz) I t s dv/dt IG V/μs(50 ) m(5 ) VM IDRM/IRRM Rthjc V(5 ) m(50 ) /W PWB600/0 00, PWB800/0 00, PWB000/0 00, PWB00/0 00, PWB500/0 00, PWB000/0 00, Connections G K G K G PWB Fig No. 7
9 DISCREE ディスクリート製品の特長 豊富なパッケージラインナップ リード挿入型 7パッケージ O9, O5, O0B, O0BL, O0F, OP, OPF 表面実装型 パッケージ SO89, O5, O6 タブ端子タイプ パッケージ O トライアック Q シリ ズ j=50 保証 放熱板の縮小や省略によってセット全体のコスト低減ができます トライアック / サイリスタ高感度ゲ ト品をラインナップ RoHS 対応全製品が欧州 RoHS 指令に適合しています 低損失 V=.V 使用するウエハとマスクの最適設計により 良好な耐圧特性を保ちながら 低オン電圧を実現します トライアック 800Vまでラインナップ (m) トライアック 標準高感度ゲート Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ MGC_ 5 0 MGC_ 5 MGD_ 5 0 MGC_ 5 MGD_ 5 0 MG5C_ 0 MG8//6/0/5C_ 0 MG5/8//6/0/5D_ 0 MG0C_ 50 (m) サイリスタ標準高感度ゲート SMG0/05/08C_ 0. SMGD_ 0. SMG5/8C_ 0 SMG/6C_ 0 SMG5F_ 0. ロジック回路の出力を直接ゲートに入力して動作できます ディスクリート製品品名のつけ方 MG/SMG シリーズ その他ディスクリートシリーズ MG 8 C Q 60 F SG 6 60 Blank:O0B or O9 :SO89 H:O6(D pak) C:O5 J:OPF D:O5(D pak) L:OP F:O0F 電圧 VDRM x /0 Blank :j=5 Q :j=50 Gate Sensitivety C:Standard Gate D:Sensitive Gate 電流 represents I (RMS): トライアック represents I (V) : サイリスタ (SCR) MG トライアック SMG サイリスタ (SCR) シリーズ名 電流の定格値 電気的特性 仕様 構造 外形仕様 耐圧の定格 0. 8
10 DISCREE トライアック リード挿入型 / 標準品 IG m VG V [dv/dt]c VDRM I(RMS) IDRM VM j Rthjc Fig V m V V/μs /ms Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ /W No. (j=5 )[di/dt]c O5 MGC60/80C 600, MGC60/80C 600, D MG5C60C O0B MG5C MG8C MGC60/80 600, D MG6C O0B MG0C D5 O0F MGC60F MGC60F MG5C60F MG8C60/80F 600, *D6 MGC60/80F 600, MG6C60/80F 600, MG0C60/80F 600, MG5C60/80F 600, *D6C OP MG5C60/80L 600, MG0C60/80L 600, D7 OPF MG5C60/80J 600, MG0C60/80J 600, *D8 リード挿入型 / 高感度品 *ULFileNo.E760 IG m VG V [dv/dt]c VDRM I(RMS) IDRM VM j Rthjc Fig V m V V/μs /ms Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ /W No. (j=5 )[di/dt]c O9 MGC60/80 600, **0 D O5 MGD60/80C 600, MGD60/80C 600, D MG5D60/80C 600, O0B MGD MG6D D O0B MG0D60/80 600, D5 O0F MGD60/80F 600, MGD60/80F 600, MG5D80F MG8D60/80F 600, *D6 MGD60/80F 600, MG6D60F MG0D60F MG5D60F *D6C リード挿入型 /j=50 品 *ULFileNo.E760 **Rth(ja) IG m VG V [dv/dt]c VDRM I(RMS) IDRM VM j Rthjc Fig V m V V/μs /ms Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ /W No. (j=50 )[di/dt]c O5 MG5CQ60C D O0B MG8CQ MG6CQ D O0B MG0CQ D5 O0F MGDQ60F MGCQ60F MG5CQ60F MG8CQ60F *D6 MGCQ60F MG6CQ60F MG0CQ60F MG5CQ60F *D6C OP MG5CQ60L MG0CQ60L D7 OPF MG5CQ60J MG0CQ60J *D8 *ULFileNo.E760 9
11 表面実装型 / 標準品 IG m VG V [dv/dt]c VDRM I(RMS) IDRM VM j Rthjc Fig V m V V/μs /ms Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ /W No. (j=5 )[di/dt]c O5 MGC60D (D pak) MGC60D D0 MG5C60D O6 MG5C60H (D pak) MG8C60H D MG6C60H 表面実装型 / 高感度品 IG m VG V [dv/dt]c VDRM I(RMS) IDRM VM j Rthjc Fig V m V V/μs /ms Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ /W No. (j=5 )[di/dt]c SO89 MGC **65 D9 O5 MGD60D D0 (D pak) MG5D60D **Rth(ja) 表面実装型 /j=50 品 IG m VG V [dv/dt]c VDRM I(RMS) IDRM VM j Rthjc Fig V m V V/μs /ms Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ /W No. (j=5 )[di/dt]c SO89 MGCQ **65 D9 O5 MGCQ60D (D pak) MGDQ60D D0 MG5CQ60D **Rth(ja) タブ端子型 / 標準品 IG m VG V [dv/dt]c VDRM I(RMS) IDRM VM j Rthjc Fig V m V V/μs /ms Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ /W No. (j=5 )[di/dt]c O G6C0/60 00, G5C0/60 00, *D G5C0/60 00, G0E *D5 not standard G700/60 00, D *ULFileNo.E760 サイリスタ リード挿入型 / 標準品 VDRM I(V) I(RMS) IDRM VM IG VG j Rthjc V m V m V /W O0B SMG8C SMGC SMG6C O0F SMG5C60F SMG8C60F SMGC60F SMG6C60F Fig No. D *D6 *ULFileNo.E760 リード挿入型 / 高感度品 VDRM I(V) I(RMS) IDRM VM IG VG j Rthjc Fig No. V m V m V /W O9 SMG0C **50 D SMG05C **50 O5 SMGD60C D 0 **Rth(ja)
12 DISCREE 表面実装型 / 標準品 VDRM I(V) I(RMS) IDRM VM IG VG j Rthjc Fig No. V m V m V /W O5(D pak) SMG5C60D D0 O6(D pak) SMG5C60H D 表面実装型 / 高感度品 VDRM I(V) I(RMS) IDRM VM IG VG j Rthjc Fig No. V m V m V /W SO89 SMG08C **65 D9 O5(D pak) SMGD60D D0 SMG5F60D **Rth(ja) タブ端子型 / 標準品 VDRM I(V) I(RMS) IDRM VM IG VG j Rthjc V m V m V /W O SG60/60 00, SG50/60 00, Fig No. *D *ULFileNo.E760 高速ダイオード リード挿入型 VRRM IF(V) IFSM I t VFM IRRM trr Rthjc Fig No. V (60Hz) s V(5 ) m(5 ) ns /W OP DMG60UL (50 ) D7 タブ端子型 VRRM IF(V) IFSM I t VFM IRRM trr Rthjc V (60Hz) s V(5 ) m(5 ) ns /W O FRG5B (50 ) 00.6 FRG5C (50 ) 00.6 Fig No. D ダイオード リード挿入型 VRRM IF(V) IFSM I t VFM IRRM j Rthjc V (60Hz) Fig No. s V(5 ) m(5 ) /W O0BL DMG D タブ端子型 VRRM IF(V) IFSM I t VFM IRRM Rthjc V (60Hz) Fig No. s V(5 ) m(50 ) /W O DG080/0/60 800,00, D
13 New トライアック リード挿入型 / 標準品 IG m VG V [dv/dt]c VDRM I(RMS) IDRM VM j Rthjc V m V V/μs /ms Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ /W (j=5 )[di/dt]c O0F5 MGC80F MGC80F MG5C80F MG8C80F MG0C80F MGC80F MG6C80F MG0C80F Fig No. *D6B *ULFileNo.E760 リード挿入型 / 高感度品 IG m VG V [dv/dt]c VDRM I(RMS) IDRM VM j Rthjc Fig V m V V/μs /ms Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ /W No. (j=5 )[di/dt]c O9_5 MGC60/80_5 600/ DB O0F5 MGD60F MGDQ60F MGD60F MG5D60F MG8D60F D6B MG0D60F MGD60F MG6D60F MG0D60F 開発中 リード挿入型 /j=50 品 IG m VG V [dv/dt]c VDRM I(RMS) IDRM VM j Rthjc V m V V/μs /ms Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ /W (j=50 )[di/dt]c O0F5 MGCQ60F MGCQ60F MG5CQ60F MG8CQ60F MG0CQ60F MGCQ60F MG6CQ60F MG0CQ60F Fig No. *D6B *ULFileNo.E760
14 DIMENSIONS 外形寸法 POWER MODULE unit:mm 9.0± ± ±.0 9 φ G.5 0.±.0 M6 depth ±0. 7.5±0. 6.5± M5X0.8 G K # 0B 5.±0..0±0.5 K Lot.No. JP max max 5.9±0.5 (.0) BK K G K PK K (K) () G 80±0. PD K (K) () G DD DC FDS 0max 6max max 80 KD K G G M5 φ6.5 0B DK60KB FRD 60 8 max max φ6(m5) M8 80± G KG R5.0 0B (.8.0.5) 5 DD K (K) () PK K (K) () PD G K G G 5 φ M5 80.0max 0 M6 08max 9±0.5 E C φ max 8±0.5 6max DF_C DF_C 8max max. 7 8 K.0± ±0. R. M6 9.0 NME PLE 5max NME PLE 6.0max.5max FRS K FRS E C
15 9 0±0. φ5.5±0. 8±0.5 66±0. 0±0. 0±0. ±0. ±0. 0±0. ±0. 5.5± ± ±0. 5.0±0. 5M5 depth mm 0±0. ± ± ±0. ±0. ±0. 0±0. 5M5 0±0. NME PLE.5 9± DF 5.0±0. R7.5 MX.0 Φ5.5±0. DF max () 9.5max 80 K K G K 6.5 φ6.5 K G G M5 6 0B ± φ6.5 M6 6 0B 0max () 0max NME PLE K PWB G K K K G G K PWB G K K K G G 6max 0max 9.5max K G G φ6.5 M5 0B 78max 60±0..5 G 8max 60±0. 60± K 8± 60± 8± 6φ ± K M depth8mm M8 depth5mm 6 5G G 7 8 K K SB 6 FRS DSR K G K K G 66max 7± 8 5G K SBB 5 8 0B max max 6M5 depth0mm 0 () () 6 0.0±0. M6 depth 8mm 9.0± ±0. 5.0±0. φ φ6.5 φ.0.5max (K(HY))7 (G(HY))6 DF_B 5 () () ().0±0. 6max K DKR BKR
16 DIMENSIONS 7 M depth 0.7 mm 6M6 depth 9 mm ± G R.5 R S φ ±0. ±0. 6 G R R S R G 8 0max.9 φ M ± NME PLE 6 DF_CB DF_CB R S DD 9 68± ±0. 0.0±0. 0.0±0. 0.0±0. 5M5 depthmm 0 68± ±0. 5M5 0.0±0. 0.0±0. 0.0±0. depthmm 0± ±0. 5 5±0.5 0±0. 80±0.5 φ5.6 () () () 0± ±0. 5 5±0.5 0±0. 80±0.5 φ5.6 () () () max ー 0. 5 () () DF_L 5 max max 6. ー () () DF_LB 9.5 max 80.0±0. M6 (depth mm ).0±0.6 M depth 8 mm 78 max 60±0. φ5.5 φ6.5.0±0..0±0. 8.0±0..0± ±0.6 max #0B(0.5t) 78 max.5 60±0. G 60±0. 8± M8 depth 5 mm () () (G) max 7 6 PK NME PLE 5 max PD 5 66 max 7± NME PLE 8 () SS φ.5 8.0±0. 0.±0. 5.0± SO7 φ.0±0.0 (.5) 7.0± ±0.0 (5.50).0± ± ± ± ±0..7± M (6.80) (.00) (.50) (8.0) (.0) R bottom side (0.0).00± ±0.0 (0.8) (0.50) (.0) 9.0± ± ±0.0 (:) (0.0) (0.65) (0.5) 0.50± (.80) (0.0).0±0..05 DB DF_N (0.65) (0.5) (.50) (.0) (.60)
17 5 φ.0±0.0 (6.80) (.00) (.50) (8.0) (.0) (.50) 7.0± ±0.50 (5.50) (0.0) 7.6±0.0 (0.50) bottom side DF_N.0±0.0 (.00) 9.0±0.50.0± ±0.0 (.0).00±0.0.00± ± ± ±0.5 (:) (0.0) (0.65) (0.5) (0.65) (0.5) 0.00± ± (.80) (0.0) (.50) (.0) (.60) 6 5M5 depth 7mm ± ± ± ± ±0. 0.0± φ ±0.5 R.5 5φ ±0.5 DF_C M5 depth 6mm 08.0± ±0..5 5φ.0 8 M depth 0 mm G ± R R φ ±0..0± φ6.5 R ± ±0.5 DF_C 6M6 depth 0 mm.5 R R S S ±0. 7± G R R S DF_ R DF_ R S G max φ B.0± ±.0 80±0. M6 (screwing depth:mm) 6 7 ±0. ± ±0. φ6.5±0. 5.0± ± max 80±0. M6(screwing depth:mm) ±0. ± ±0..8±0. DC SC 6(G) 7(K) SCE (G) 5() (G) 5() φ6.5 M5 (φ) 0± 5± 9.5± ±0.5 9.± (9) M5 (G) ()5 SC () (G)6 (K)7 () 69±0.5 9± (K) (G) ()5 SCE () 8±0.5 () (K) 9± 9.5±0.5.5 (8.8) DK (.9) (.9) (8.8) 6
18 DIMENSIONS φ M 9.0± ±0. φ ±0. 9.8±.0.0±.0 0.±.0 9.0± ± ±.0 5.0±0. able φ6.5 connector pin 0.6 MRKING RE ±0.5.5 SCE 5..±0. Max6.0.0± ±0.5 DKR K able SERIES SCREW HRED DKRBE /0UNC depth8.0 DKRBF M6 depth 8.0 R.0 φ6.5 (.7) 08.0± ±0. (.) 5M5 (depth:8.0) (.0) 5 5.0±.0 9.5± 80 φ ± (.0) 7.0± ± M5 () (K) DF 5.5 DF_E 寸法の詳細については仕様書にてご確認下さい 7
19 D MX (.7) (.7) DISCREE O9 φ D6B O0F φ (8.7) (.).8 (.7) D O0B D O (.) (.7) (.).8 φ (8.7) D O0BL φ fig No. D6 O0F φ (8.7) (.) (.7) D5 O0B DB O9_ (.7) (.7)
20 φ.6 DIMENSIONS D6C O0F D7 φ OP 5.9 φ D OPF D SO (.5) D0 O5(D pak) (5.) (0.9) D O6(D pak) (0.9) (7.0) (.0) MIN.0 YP.90 MIN (0.65) (0.90) (5.) (0.) 0 (6.9) ( R 0.5) (7.) D.0 MX 9. MX 0. MX () () (G) φ.± O D.0 max 9. max () (K) φ.± O 9.75± ±0.5 or 5φ.±0. 0. MX.6 MX 0.0±0..9 '.0±0. 6.5±0.5 φ (.) φ (G) MX :B50 (=6.5,'=8.5,t=0.8) :B50 (=6.5,'=8.5,t=0.8) G :B87 (=.75,'=5.7,t=0.5) 0. max.6 max 0.0± φ.0±0.(.k) 7.95±0.5 φ.±0..5± ± max,k:#50ab(=6.5, =8.5,t=0.8) 9
21 D 6 6 5±0. 6min 6min 7.5±.0.5 D5.0 MX 9. MX 0. MX () () (G) φ.± :B50 (=6.5, '=8.5, t=0.8) :B50 (=6.5, '=8.5, t=0.8) G:B87 (=.75, '=5.7, t=0.8).5.5 ±.0 ±.0 Φ.5± min.7min R max.5 9.8± ±0.5 5φ MX.6 MX 0.0±0..9 '.0±0. 6.5± φ.0 0 (.) φ.(g) MX O 寸法の詳細については仕様書にてご確認下さい 0
22 O9_5( テーピング ).7±.0 6.5±0.5 min ± O9( テーピング ).7±.0 6.5±0.5 min ± max ± 包装仕様 リード挿入型 unit:mm O9( ストレート端子 ) O9( フォーミング端子 ) 0±.0 0±.0 0±.0 0±.0 5 袋 ( ポリエチレン ) 00 pcs per Bag サイズ 箱 ( ボール紙 ) 500 pcs/box.85± ± ±0..0± 内装箱 ( ボール紙 ) 0Bags (,000pcs)per Inner Box 内装箱 ( ボール紙 ) Boxes (,000pcs)per Inner Box 累積ピッチ誤差.7±0. ±.0/0pitch 内装箱,000pcs/Box ( 段ボール ) 外装箱 ( 段ボール紙 ) 0 Boxes(0,000pcs)per Outer Box [ 註 ] 外装箱には 品名 数量を記入したを貼る 外装箱 ( 段ボール紙 ) 0 Boxes(0,000pcs)per Outer Box [ 註 ] 外装箱には 品名 数量を記入したを貼る 外装箱 5Packing Boxes(5,000pcs)/Box ( 段ボール ) 5 0 [ 註 ] 外箱には 品名 数量を記入したを貼る 70 O9_5( ストレート端子 ) O9_5( フォーミング端子 ) 6 6 0±.0 0±.0 0±.0 0± 袋 ( ポリエチレン ),000 pcs per Bag 袋 ( ポリエチレン ),000 pcs per Bag 8 内装箱 ( ボール紙 ) Bag(,000pcs) per Inner Box.0±0. max ± ± ± 内装箱 ( 段ボール紙 ) 6 Bags (6,000pcs) per Inner Box 86 内装箱 ( 段ボール紙 ) 6 Inner Box (6,000pcs) per Inner Box 累積ピッチ誤差.7±0. ±.0/0pitch 内装箱,000pcs per Box ( 段ボール ) 外装箱 ( 段ボール紙 ) Inner Boxes (,000pcs) per Outer Box [ 註 ] 外装箱には 品名 数量を記入したを貼る 外装箱 ( 段ボール紙 ) Inner Box (,000pcs) per Outer Box [ 註 ] 外装箱には 品名 数量を記入したを貼る 外装箱 5Packing Boxes(0,000pcs)per Box ( 段ボール ) 5 [ 註 ] 外箱には 品名 数量を記入したを貼る 0 80
23 O5 O0B/O0BL チューブ (PVC plastic) 70 pieces per ube チューブ (PVC plastic) 50 pieces per ube W0 L80 H 内装箱 ( 段ボール ) 7 ubes(5,00 pieces)per Inner box W L5 H7 内装箱 ( 段ボール ) 0 ubes(,000 pieces)per Inner box W L96 H65 6 rows levels W09 L560 H57 緩衝材 ( 段ボール ) rows 7 levels 外装箱 ( 段ボール ) 6 Inner boxes(0,0 pieces) per Outer box 外装箱 ( 段ボール ) Inner boxes(,000 pieces) per Outer box W80 L5 H5 W0 L598 H0 [ 註 ] 外装箱には 品名 数量を記入したを貼る [ 註 ] 外装箱には 品名 数量を記入したを貼る O0F( ストレート端子 ) チューブ (PVC plastic) 50 pieces per ube O0F( フォーミング端子 ) チューブ (PVC plastic) 50 pieces per ube W5 L560 H6.9 W6 L560 H 内装箱 ( 段ボール ) 0 ubes(,000 pieces) per Inner box 内装箱 ( 段ボール ) 0 ubes(500 pieces) per Inner box rows 7 levels 5 rows levels W0 L58 H5 W L58 H79 外装箱 ( 段ボール ) Inner boxes(,000 pieces) per Outer box 外装箱 ( 段ボール ) Inner boxes(,000 pieces) per Outer box W0 L598 H0 [ 註 ] 外装箱には 品名 数量を記入したを貼る W50 L598 H70 [ 註 ] 外装箱には 品名 数量を記入したを貼る
24 PCKGING SPECIFICIONS O0F5( ストレート端子 ) チューブ (PVC plastic) 50 pieces per ube O0F5( フォーミング端子 ) チューブ (PVC plastic) 50 pieces per ube W L56 H7 内装箱 ( 段ボール ) 0 ubes(,000 pieces)per Inner box W L56 H6 内装箱 ( 段ボール ) 0 ubes(500 pieces) per Inner box 緩衝材 ( 段ボール ) 5 rows levels W09 L560 H57 rows 7 levels 外装箱 ( 段ボール ) Inner boxes(,000 pieces) per Outer box W L58 H79 外装箱 ( 段ボール ) Inner boxes(,000 pieces) per Outer box W8 L575 H W50 L598 H70 [ 註 ] 外装箱には 品名 数量を記入したを貼る [ 註 ] 外装箱には 品名 数量を記入したを貼る OP/OPF チューブ (PVC plastic) 0 pieces per ube OP W8. L508 H7.6 OPF W8. L508 H8. 内装箱 ( 段ボール ) 5 ubes(50 pieces)per Inner box W5 L59 H5 rows 5 levels 外装箱 ( 段ボール ) 8 Inner boxes(,600 pieces) per Outer box W5 L50 H8 [ 註 ] 外装箱には 品名 数量を記入したを貼る
25 SO89 SMD( 表面実装型 ) SO89 リール仕様 O5 O5 リール仕様 B B C C Detail Detail See detail Dimensions are in millimeter ape Size B C W Measured at Hub mm 80 ±.0.0 ±. 0.. ±0. W 5 Reels(5,000pcs)/Box ( 段ボール ) See detail W Dimensions are in millimeter ape Size B C W 6mm SO89 テーピング仕様 SO89 (mm) 0 B0 Section.8 ±0. B0.6 ±0. カバーテープ テーピング リール,000 pcs/reel D0 B 0 P0 ( 参照注釈 ) B P K0 Dimensions are in millimeter W Section BB D0 注釈 0 ピッチの累積ピッチ誤差 ±0.mm D 97 E ±0. ±0.05 ±0.05 ±0. F 5.5 ±0. P0 D P 8 K0 F E W ±0. ±0.05 ±0.0 ±0.05 O5 テーピング仕様 Section K0 O5 (6mm) B0 カバーテープ テーピング,500 pcs/reel 0 7. ±0. B0 0.5 ±0. 6 D0 0 P D R Dimensions are in millimeter W 6.0 ±0. D 注釈 0ピッチの累積ピッチ誤差 ±0.mm D.7 ±0. E.75 ±0. P0( 参照注釈 ) F 7.5 ±0. E F Reels(5,000pcs)/Box ( 段ボール ) P0.0 ±0. P K0 W ±0. ±0.0 ±0.05 タブ端子型 O6 O O6 リール仕様 B C Detail 板紙 ( 段ボール ) See detail カバーテープ W Dimensions are in millimeter ape Size B C W 6mm Device ブリスタパック ( 塩化ビニール樹脂 ) (80 piece) 6 テーピング pcs/reel リール Reels(,600pcs)/Box ( 段ボール ) ape Condition リーダー部テープ及び終端部テープ End 側紙 ( 段ボール ) O6 テーピング仕様 P0 ( 参照注釈 ) D0 B0 K0 0 P D R Section E F W テープ引き出し方向 Direction of Feed 60mm(min)or 5enpty pockets トレーラー空部 部品装着部 段ボール 外装箱 ( 大 )( 小 ) ( 段ボール ) O6 (mm) ±0. B0 5.8 ±0. Dimensions are in millimeter W.0 ±0. D D.6 min E.75 ±0. 注釈.0 ピッチの累積ピッチ誤差 ±0.mm.0,B0 及び K0 の寸法は EI RS8 による.K0 はポケット内側底面よりポケット上面までの寸法 F.5 ±0. P0.0 ±0. P K ±0. ±0.0 ±0.05 Start 50mm(min)or 90enpty pockets リーダー空部 外箱大の場合 外箱小の場合 外貼 最大 5 段 (00 個 ) W95 L95 H85mm最大 段 (60 個 ) W95 L95 H05mm
26 ご注意 弊社は品質 信頼性の向上に努めておりますが 半導体製品は様々な要因で故障や誤動作をする場合があります 本製品を使用される場合は 人身事故 火災などによる損害が起こらないようご使用機器での 安全性を考慮した冗長設計 延焼防止設計 誤動作防止設計などの安全措置をとってください 定格を超えるご使用や注意事項を守っていないために生じたいかなる事故や損害に対し 弊社は責任を負うものではありません 本資料に掲載されている製品が 外国為替及び外国貿易法に基づき規制されている場合 輸出には同法に基づく日本国政府の輸出許可が必要です 大量破壊兵器の開発等の目的や 軍事利用等の目的で使用しないでください 製品についてご不明な点は弊社にご照会ください
27 URL: 本社 支店 営業所 営業本部 500 大阪市東淀川区西淡路 56 EL: FX: 東京支店 0005 東京都台東区東上野 8 新御徒町 KMビル 8F EL:08700 FX:0870 中部営業所 6000 名古屋市東区泉 0 名古屋パナソニックビル 6F (08 年 月開設 ) EL: FX: 九州営業所 800 福岡市博多区博多駅東 59 KS. 駅東ビル F EL: FX:09796 ヘルシンキ支店 ( フィンランド ) tomitie 5, Helsinki, 0070, Finland EL: ソウル支店 ( 韓国 ) #706, 6, Samseongro 96gil, Gangnamgu Seoul 0668 Korea EL:85580 FX:8558 台北支店 ( 台湾 ) 6th, FL No.0 Sec., Nanking EastRd., aipei,0 aiwan,r.o.c. EL: FX: 工場 滋賀工場 500 滋賀県守山市勝部町 5 EL: FX: 岡山工場 708 岡山県勝田郡奈義町柿 7 EL:08686 FX: 関係会社 SNREX CORPORION( アメリカ ) 50 Seaview Boulevard Port Washington, NY 05068, U.S.. EL:5665 FX: 三社電機 ( 広東 ) 有限公司 ( 中国 ) Construction Road 6# South, Sanzhou Industry Zone, Longzhou Road, Lunjiao own, Shunde District, Foshan City, Guangdong Province, 5808 P.R.China EL: FX: 三社電機 ( 上海 ) 有限公司 ( 中国 ) Room 0, Jiefang Daily Group Building, NO.00 Hankou Road, Huangpu District, Shanghai, 0000, P.R.China EL: FX: SNREX LIMIED( 香港 ) 9, in On Industrial Building, Cheung Sha Wan Road, Kowloon, Hong Kong EL:8570 FX: SNREX SI PCIFIC PE. LD.( シンガポール ) 5 agore Lane, #0 Singapore G Building, Singapore78760 EL: FX: 株式会社三社ソリューションサービス 500 大阪市東淀川区淡路 EL: FX: サービス拠点大阪 東京 名古屋 福岡株式会社三社電機イースタン 90 長野県茅野市豊平 55 EL: FX:0667 SanRexは 株式会社三社電機製作所の商標または登録商標です その他 本誌に掲載の商品の名称は それぞれ各社が商標として使用している場合があります 本カタログの内容は予告なく変更する場合があります 08 年 月 66S7950J(K)80K(RI)9
CONTENTS 用語説明 素子の選び方 パワーモジュール モジュール製品の特長 品名のつけ方 ダイオード / 高速ダイオード / ショットキーバリアダイオード サイリスタ ディスクリート ディスクリート製品の特長 品名のつけ方 トライアック サイリスタ 10
91 半導体製品カタログ CONTENTS 用語説明 素子の選び方 パワーモジュール モジュール製品の特長 品名のつけ方 ダイオード / 高速ダイオード / ショットキーバリアダイオード サイリスタ ディスクリート ディスクリート製品の特長 品名のつけ方 トライアック 150 10 10 150 10 10 サイリスタ 10 10 11 11 11 高速ダイオード 11 ダイオード 11 外形寸法
All Products Power Supply & Power Semiconductor
All Products Power Supply & Power Semiconductor Po Information Technology Enviroment Power Semiconductor Power Module Wafer & Chip Discrete All Products Power Supply & Power Semiconductor Inverter Technology
TRS3E65F_J_
SiC ショットキバリアダイオード 1. 用途 力率改善回路用 太陽光インバータ用 無停電電源用 DC-DCコンバータ用 2. 特長 (1) 2 世代チップデザイン (2) 大電流サージ耐量 : I FSM = 27 A ( 最大 ) (3) 接合容量が小さい : C j = 12 pf ( 標準 ) (4) リーク電流が小さい : I R = 0.2 µa ( 標準 ) 3. 外観と内部回路構成図
Microsoft PowerPoint - TLP184,185_TLP290,291 比較表 ppt
TLP180/181 vs. TLP184/185 TLP280/281/284/285 vs. TLP290/291 比較表 フォトカプラ新 PKG SO6 内部構造 受光 IC( 出力 ) 2011 年 12 月東芝ディスクリートテクノロジー株式会社ディスクリート営業技術推進部 発光タ イオート ( 入力 ) Copyright 2011, Toshiba Corporation. 1 TLP180/181
Microsoft Word - サイリスタ設計
サイリスタのゲート回路設計 サイリスタはパワエレ関係の最初に出てくる素子ですが その駆動用ゲート回路に関する文献が少なく 学 生が使いこなせないでいる ゲート回路の設計例 ( ノイズ対策済み ) をここに記しておく 基本的にサイリス タのゲート信号は電流で ON させるものです 1. ノイズ対策済みゲート回路基本回路の説明 図 1 ノイズ対策済みゲート回路基本回路 1.1 パルストランス パルストランスは
Microsoft Word - TA79L05_06_08_09_10_12_15_18_20_24F_J_P11_070219_.doc
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA79L05F,TA79L06F,TA79L08F,TA79L09F,TA79L10F, TA79L12F,TA79L15F,TA79L18F,TA79L20F,TA79L24F 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 三端子負出力固定定電圧電源 特長 TTL C 2 MOS の電源に最適です 外付け部品は不要です
TTB1067B_J_
バイポーラトランジスタシリコン PNP エピタキシャル形 ( ダーリントン接続 ) 1. 用途 マイクロモータドライブ用 ハンマードライブ用 スイッチング用 電力増幅用 2. 特長 (1) 直流電流増幅率が高い : h FE = 2000 ( 最小 ) (V CE = -2 V, I C = -1 A) (2) コレクタエミッタ間飽和電圧が低い :V CE(sat) = -1.5 V ( 最大 )
フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています
各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High
uPC1093 DS
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
TC74HC00AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC00AP,TC74HC00AF Quad 2-Input NAND Gate TC74HC00A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 入力 NAND ゲートです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 内部回路はバッファ付きの 3 段構成であり 高い雑音余裕度と安定な出力が得られます
CC-E 絶縁型 DC-DC コンバータ オンボードパワーモジュール 特長 実装面積を従来製品に比べ約半分に小型化 タンタルコンデンサおよびアルミ電解コンデンサレス 全てのシリーズにリモート ON/OFF 機能内蔵 出力電圧は ±3% の高精度 (10W 以下単一出力 ) 5 面を金属シールドした低
型 DC-DC コンバータ オンボードパワーモジュール 特長 実装面積を従来製品に比べ約半分に小型化 タンタルコンデンサおよびアルミ電解コンデンサレス 全てのシリーズに 機能内蔵 出力電圧は ±% の高精度 (10W 以下単一出力 ) 面を金属シールドした低ノイズ設計 樹脂充填しない軽量設計 DIP 挿入と SMD 装着 SIP 縦型挿入 (W 製品 ) の実装 に対応 UL090-1 CSA C.
TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信
東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信号伝達 単位 : mm TLP521 シリーズは GaAs 赤外 LED とシリコンフォトトランジスタを組 み合わせた高密度実装タイプのフォトカプラです TLP521 1 DIP 4 ピン 1 回路 TLP521
TC4093BP/BF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4093BP, TC4093BF TC4093BP/TC4093BF Quad 2-Input NAND Schmitt Triggers は 全入力端子にシュミットトリガ機能をもった 4 回路の 2 入力 NAND ゲートです すなわち 入力波形の立ち上がり時と立ち下がり時に回路しきい値電圧が異なる ( P N ) のため 通常の NAND
RD2.0S~RD150S DS
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
TA78L05,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA78L05F,TA78L06F,TA78L07F,TA78L08F,TA78L09F,TA78L10F, TA78L12F,TA78L15F,TA78L18F,TA78L20F,TA78L24F 5, 6, 7, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 3 端子正出力固定定電圧電源 特長 TTL, CMOS の電源に最適です
TC74HC14AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC14AP,TC74HC14AF Hex Schmitt Inverter TC74HC14A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS シュミットトリガインバータです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます ピン接続 機能は TC74HCU04 と同じですが すべての入力は約
2STB240PP(AM-2S-G-005)_02
項目記号定格単位 電源 1 印加電圧電源 2 印加電圧入力電圧 (1 8) 出力電圧 ( ) 出力電流 ( ) 許容損失動作周囲温度保存周囲温度 S CC I o Io Pd Topr Tstg 24.0 7.0 0.3 S+0.3 0.3 CC+0.3 0.7 +75 45 +5 (1)S= 系項目 記号 定格 単位 電源 1(I/F 入力側 ) 電源 2(I/F 出力側 ) I/F 入力負荷抵抗
TA78L005,006,007,075,008,009,10,12,132,15,18,20,24AP
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA78L005AP,TA78L006AP,TA78L007AP,TA78L075AP,TA78L008AP, TA78L009AP,TA78L010AP,TA78L012AP,TA78L132AP,TA78L015AP, TA78L018AP,TA78L020AP,TA78L024AP 5, 6, 7, 7.5, 8, 9, 10, 12, 13.2,
特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて
16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます
2SK2313
東芝電界効果トランジスタシリコン N チャネル MOS 形 (L 2 π MOSⅤ) リレー駆動 DC DC コンバータ用 モータドライブ用 単位 : mm 4V 駆動です オン抵抗が低い : R DS (ON) = 8mΩ ( 標準 ) 順方向伝達アドミタンスが高い : Y fs = 60S ( 標準 ) 漏れ電流が低い : I DSS = 100μA ( 最大 ) (V DS = 60V) 取り扱いが簡単な
NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10
端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,
Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4011BP,TC4011BF,TC4011BFT TC4011BP/TC4011BF/TC4011BFT Quad 2 Input NAND Gate は 2 入力の正論理 NAND ゲートです これらのゲートの出力は すべてインバータによるバッファが付加されているため 入出力特性が改善され 負荷容量の増加による伝達時間の変動が最小限に抑えられます
名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET
1 1. 適用 本は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET パワーモジュール BSM180D12P2C101 に直接実装できる形状で SiC-MOSFET のゲート駆動回路と DC-DC コンバータを 1 ユニット化したものです SiC-MOSFET
TA7805,057,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA7805F,TA78057F,TA7806F,TA7807F,TA7808F,TA7809F, TA7810F,TA7812F,TA7815F,TA7818F,TA7820F,TA7824F 5 V, 5.7 V, 6 V, 7 V, 8 V, 9 V, 10 V, 12 V, 18 V, 20 V, 24 V 三端子正出力固定レギュレータ 特長
CR02AM-8 データシート <TO-92>
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん
特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください
TA78M05,06,08,09,10,12,15,18,20,24F
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA78M05F,TA78M06F,TA78M08F,TA78M09F,TA78M10F TA78M12F,TA78M15F,TA78M18F,TA78M20F,TA78M24F 5 V, 6 V, 8 V, 9 V, 10 V, 12 V, 15 V, 18 V, 20 V, 24 V 0.5A 三端子正出力固定レギュレータ 特長 TTL CMOS
Microsoft Word - TC4538BP_BF_J_2002_040917_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC438BP,TC438BF TC438BP/TC438BF Dual Precision Retriggerable/Resettable Monostable Multivibrator は リトリガ動作 リセット動作の可能な単安定マルチバイブレータでトリガは A B 2 つの入力により立ち上がり および立ち下がりのどちらでも行うこともできます
MOSFET dv/dt 影響について Application Note MOSFET dv/dt 影響について 概要 MOSFET のドレイン - ソース間の dv / dt が大きいことが問題を引き起こすことがあります この現象の発生要因とその対策について説明します Tosh
概要 MOSFET のドレイン - ソース間の dv / d が大きいことが問題を引き起こすことがあります この現象の発生要因とその対策について説明します 1 目次 概要... 1 目次... 2 1. MOSFET の dv/d とは... 3 1.1. dv/d 発生のタイミング... 3 1.1.1. スイッチング過渡期の dv/d... 3 1.1.2. ダイオード逆回復動作時の dv/d...
S1F77330 シリーズ USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 S1F77330 シリーズは USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用している
USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 は USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用しているため 高密度実装への対応が可能です 本 IC の入力にレベルシフト回路内蔵のため 外付けレベルシフト回路は不要です 特長 入力電圧範囲 :3.0V~3.6V
2SC458, 2SC2308 データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com) 年
2STB240AA(AM-2S-H-006)_01
項目記号定格単位 電源 1 印加電圧電源 2 印加電圧入力電圧 (A1 A2) 出力電圧 ( ) 出力電流 ( ) 許容損失動作周囲温度保存周囲温度 S CC I o Io Pd Topr Tstg 24.0.0 0.3 S+0.3 0.3 CC+0.3 10 0. 20 + 4 +12 (1)S=12 系項目 記号 定格 単位 電源 1(I/F 入力側 ) 電源 2(I/F 出力側 ) I/F 入力負荷抵抗
フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2
S9066-211SB S9067-201CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2つの受光部の出力を減算し ほぼ可視光域にのみ感度をもたせています また従来品に比べ 同一照度における異なる色温度の光源に対しての出力変化を低減しています
電線対電線 / 電線対基板用コネクタ DK-2000 Series 安全規格 UL CUL TUV 概要 DK シリーズコネクタは 産業機器の信号用として開発された製品です 電線対電線 電線対基板の接続に対応した 多様な品種を揃えております 又 結線は圧着方式 ( 基板取付タイプは はんだ DIP)
電線対電線 / 電線対基板用コネクタ 安全規格 UL CUL TUV 概要 DK シリーズコネクタは 産業機器の信号用として開発された製品です 電線対電線 電線対基板の接続に対応した 多様な品種を揃えております 又 結線は圧着方式 ( 基板取付タイプは はんだ DIP) となっており 容易に結線することが出来ます コネクタの嵌合は カチッというハウジングのロック音にて確認出来ます 用途 F 機器 (
2SC1213, 2SC1213A データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
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東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4069UBP,TC4069UBF,TC4069UBFT TC4069UBP/TC4069UBF/TC4069UBFT Hex Inverter は 6 回路のインバータです 内部回路はシンプルな 1 段ゲート構成のため 本来のインバータの他に CR 発振回路 / 水晶発振回路 / リニアアンプ等の応用に適しています 1 段ゲート構成のため
CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C10808 シリーズ 蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 C10808 シリーズは 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です セン
蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 は 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です センサの駆動に必要な各種タイミング信号を供給し センサからのアナログビデオ信号 を低ノイズで信号処理します 2 種類の外部制御信号 ( スタート クロック ) と 2 種類の電源 (±15 )
Microsoft Word - TC4013BP_BF_J_P9_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4013BP,TC4013BF TC4013BP/TC4013BF Dual D-Type Flip Flop は 2 回路の独立な D タイプ フリップフロップです DATA 入力に加えられた入力レベルはクロックパルスの立ち上がりで Q および Q 出力に伝送されます SET 入力を H RESET 入力を L にすると Q 出力は H Q
TK50P04M1_J_
MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (U-MOS-H) 1. 用途 スイッチングレギュレータ用 モータドライブ用 パワーマネジメントスイッチ用 2. 特長 (1) スイッチングスピードが速い (2) ゲート入力電荷量が小さい : Q SW = 9.4 nc ( 標準 ) (3) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 6.7 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (4) 漏れ電流が低い
TA7805,057,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA7805F, TA78057F, TA7806F, TA7807F, TA7808F, TA7809F TA7810F, TA7812F, TA7815F, TA7818F, TA7820F, TA7824F 5 V, 5.7 V, 6 V, 7 V, 8 V, 9 V, 10 V, 12 V, 18 V, 20 V, 24 V 1A 三端子正出力固定レギュレータ
抵抗器
抵抗器パッシブデバイス 抵抗器 CONTENTS P. 2 RASMI SMR00303015 P. 3 MCR04022012 P. 4 MCR32166432 P. 5 MNR1005232164 P. 6 8MNR1608532165 P. 7 SR ESR P. 8 P. 8 /TR P. 9 KTR P. 10 MCR UCR P. 11 /TR P. 12 P. 13 PMR /PM PSR
2SC460, 2SC461 データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com) 年
TC74HC4017AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC4017AP,TC74HC4017AF Decade Counter/Divider TC74HC4017A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 10 進ジョンソンカウンタです CMOS の特長である低い消費電力で 等価な LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます CK あるいは CE 入力に印加されたカウントパルスの数により
Microsoft Word - TC4017BP_BF_J_P10_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4017BP,TC4017BF TC4017BP/TC4017BF Decade Counter/Divider は ステージの D タイプ フリップフロップより成る 進ジョンソンカウンタで 出力を 進数に変換するためのデコーダを内蔵しています CLOCK あるいは CLOCK INHIBIT 入力に印加されたカウントパルスの数により Q0~Q9
第5世代 IGBTモジュール stdタイプ CM100DY-34A
用途 2 素子入 インバータ装置, サーボアンプ, 電源装置など 外形及び接続図 コレクタ電流 I C... A コレクタ エミッタ間電圧 CES... 7 最大接合温度 T jmax... 5 C フラットベース形 銅ベース板 RoHS 指令対応 UL Recognized under UL557, File E323585 単位 :mm Tolerance oherwise
Microsoft Word - NJM7800_DSWJ.doc
3 端子正定電圧電源 概要 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形, FA 1. IN 2. GND 3. OUT DL1A 1.
Microsoft Word - AK8133_MS0930_J_05.doc
AK8133 Multi Clock Generator for Audio AK8133 は 高性能オーディオ用 PLL クロックジェネレータ IC です 27MHz 水晶振動子または外部からの 27MHz 入力から複数のオーディオ用クロックを同時に生成します 出力周波数は端子設定により選択できますので各種オーディオシステムに適用することができます AK8133 は出力周波数近傍のスプリアスを大幅に軽減していますので水晶発振器を用いた場合と同等の
TLP250
東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光チップを組み合せた 8PIN DIP のフォトカプラです は IGBT およびパワー MOS FET のゲート駆動用に適しています 入力しきい値電流 :
TPC8107
TPC87 東芝電界効果トランジスタシリコン P チャネル MOS 形 (U-MOSIII) TPC87 リチウムイオン 2 次電池用 ノートブック PC 用 携帯電子機器用 単位 : mm 小型 薄型で実装面積が小さい スイッチングスピードが速い オン抵抗が低い : R DS (ON) = 5.5 mω ( 標準 ) 順方向伝達アドミタンスが高い : Y fs = 3 S ( 標準 ) 漏れ電流が低い
電気的特性 (Ta=25 C) 項目 記号 条件 Min. Typ. Max. 単位 読み出し周波数 * 3 fop khz ラインレート * Hz 変換ゲイン Gc ゲイン =2-5 - e-/adu トリガ出力電圧 Highレベル Vdd V -
CCD イメージセンサ S11850-1106, S11511 シリーズ用 は 当社製 CCDイメージセンサ S11850-1106, S11511 シリーズ用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて とPCを接続することにより PCからの制御でセンサのアナログビデオ信号をデジタル出力に変換し PCに取り込むことができます は センサを駆動するセンサ基板 センサ基板の駆動と
CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C CMOS リニアイメージセンサ S 等用 C は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C と PCを接続
CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C13015-01 CMOS リニアイメージセンサ S11639-01 等用 C13015-01は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S11639-01 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C13015-01と PCを接続することにより PCからC13015-01 を制御して センサのアナログビデオ信号を 16-bitデジタル出力に変換した数値データを
