【NanotechJapan Bulletin】10-9 INNOVATIONの最先端＜第4回＞
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- みさき はなだて
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1 企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 Life & Green Nanotechnology が培う新技術 < 第 4 回 > プリンテッドエレクトロニクス時代実現に向けた材料 プロセス基盤技術の開拓 NEDO プロジェクトプロジェクトリーダー東京 学教授染 隆夫 に聞く
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6 図6 ４ ３ 解像度を変えた TFT アレイによる電子ペーパー 提供 凸版印刷 株 大面積圧力センサの開発 上に形成した有機 TFT アレイ上に感圧ゴムを積層した構 造である ゲート電圧を入力した TFT のドレインに電圧 大日本印刷株式会社はプロジェクトの助成事業で大面 を印加するとゴムの抵抗に対応するドレイン電流が流れ 積圧力センサの開発の課題に取り組んでいる 印刷技術 るが ゴムに圧力が加わるとその抵抗が下がるので ド による高度フレキシブル TFT アレイ製造技術により 情 レイン電流の増加が検出される シート上の TFT を掃引 報入出力をリアルタイムで処理可能な大面積 TFT シート してゲート電圧を加えドレイン電流を測定することによ の製造技術を確立し 製作された大面積 TFT アレイ上 り シート表面の圧力分布を観測することが出来る 従 に圧力素子を実装することで 大面積圧力センサを開発 来のパッシブ型の圧力センサと異なり この TFT を用い する プロジェクト計画における平成 27 年度末の目標 たアクティブ型の圧力センサには 圧力検出の高速化 は 1mm 角あたり 1 素子の密度で形成した TFT アレイ 低消費電力化 および検出したい圧力範囲に設定変更が の特性 移動度および閾値電圧 のばらつきσ 5% で 容易になると云うメリットがある 10Hz 相当以上で連続駆動が可能なメートル級の大面積 今後の予定は 前述のプロジェクトの目標達成に向け TFT シートを試作すること さらに これを背面基板に て開発を進め 例えば足跡観測デバイスとか図 8 に示す 用いた圧力センサーシートを試作し 実用の可能性を実 ようなヘルスケアセンサデバイスなど人々の生活やヘル 証することである スケア分野で活躍する大面積圧力センサの実現の可能性 ここで圧力センサの構成と動作原理を電子ペーパーと を実証するとのことである 比較して図 7 に示す 圧力センサの場合 フィルム基板 図7 電子ペーパーの情報出力デバイス 圧力センサの情報入力デバイスとしての動作原理 提供 大日本印刷 株 NanotechJapan Bulletin Vol. 6, No. 3, 2013 企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 第 4 回 -6
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名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET
1 1. 適用 本は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET パワーモジュール BSM180D12P2C101 に直接実装できる形状で SiC-MOSFET のゲート駆動回路と DC-DC コンバータを 1 ユニット化したものです SiC-MOSFET
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半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない
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1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E
Rev
P16008 平成 29 年度実施方針 IoT 推進部 1. 件名 :( 大項目 )IoT 技術開発加速のためのオープンイノベーション推進事業 2. 根拠法国立研究開発法人新エネルギー 産業技術総合開発機構法第 15 条第 1 号ニ 第 3 号及び第 9 号 3. 背景及び目的 目標デバイス 情報処理 ネットワーク技術の高度化により デジタルデータ の利用可能性と流動性が飛躍的に向上している また
AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル
AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更
1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合(
1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合( 理事長 : 豊木則行 / 以下 LEAP と略記 ) と国立大学法人東京大学は このたび マイコン等に使われる論理集積回路の大幅な省エネ化を可能とする
電子回路I_6.ppt
電子回路 Ⅰ 第 6 回 電子回路 Ⅰ 7 講義内容. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ). 基本回路 3. 増幅回路 バイポーラトランジスタの パラメータと小信号等価回路 二端子対回路 パラメータ 小信号等価回路 FET(MOFET) の基本増幅回路と等価回路 MOFET の基本増幅回路 MOFET の小信号等価回路 電子回路 Ⅰ 7 増幅回路の入出力インピーダンス 増幅度 ( 利得 )
QOBU1011_40.pdf
印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)
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9 章 CMOS アナログ基本回路 1 デジタル情報とアナログ情報 アナログ情報 大きさ デジタル信号アナログ信号 デジタル情報 時間 情報処理システムにおけるアナログ技術 通信 ネットワークの高度化 無線通信, 高速ネットワーク, 光通信 ヒューマンインタフェース高度化 人間の視覚, 聴覚, 感性にせまる 脳型コンピュータの実現 テ シ タルコンヒ ュータと相補的な情報処理 省エネルギーなシステム
フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています
各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High
<4D F736F F D2097CA8E718CF889CA F E F E2E646F63>
量子効果デバイス第 11 回 前澤宏一 トンネル効果とフラッシュメモリ デバイスサイズの縮小縮小とトンネルトンネル効果 Si-CMOS はサイズの縮小を続けることによってその性能を伸ばしてきた チャネル長や ゲート絶縁膜の厚さ ソース ドレイン領域の深さ 電源電圧をあるルール ( これをスケーリング則という ) に従って縮小することで 高速化 低消費電力化が可能となる 集積回路の誕生以来 スケーリング側にしたがって縮小されてきたデバイスサイズは
2STB240PP(AM-2S-G-005)_02
項目記号定格単位 電源 1 印加電圧電源 2 印加電圧入力電圧 (1 8) 出力電圧 ( ) 出力電流 ( ) 許容損失動作周囲温度保存周囲温度 S CC I o Io Pd Topr Tstg 24.0 7.0 0.3 S+0.3 0.3 CC+0.3 0.7 +75 45 +5 (1)S= 系項目 記号 定格 単位 電源 1(I/F 入力側 ) 電源 2(I/F 出力側 ) I/F 入力負荷抵抗
アクティブフィルタ テスト容易化設計
発振を利用したアナログフィルタの テスト 調整 群馬大学工学部電気電子工学科高橋洋介林海軍小林春夫小室貴紀高井伸和 発表内容. 研究背景と目的. 提案回路 3. 題材に利用したアクティブフィルタ 4. 提案する発振によるテスト方法 AG( 自動利得制御 ) バンドパス出力の帰還による発振 3ローパス出力の帰還による発振 4ハイパス出力の帰還による発振. 結果 6. まとめ 発表内容. 研究背景と目的.
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集積デバイス工学 (7 問題 追加課題 下のトランジスタが O する電圧範囲を求めよただし T, T - とする >6 問題 P 型 MOS トランジスタについて 正孔の実効移動度 μ.7[m/ s], ゲート長.[μm], ゲート幅 [μm] しきい値電圧 -., 単位面積あたりの酸化膜容量
モータ HILS の概要 1 はじめに モータ HILS の需要 自動車の電子化及び 電気自動車やハイブリッド車の実用化に伴い モータの使用数が増大しています 従来行われていた駆動用モータ単体のシミュレーション レシプロエンジンとモータの駆動力分配制御シミュレーションの利用に加え パワーウインドやサ
モータ HILS の概要 1 はじめに モータ HILS の需要 自動車の電子化及び 電気自動車やハイブリッド車の実用化に伴い モータの使用数が増大しています 従来行われていた駆動用モータ単体のシミュレーション レシプロエンジンとモータの駆動力分配制御シミュレーションの利用に加え パワーウインドやサンルーフなどのボディー系 電動パワーステアリングやそのアシスト機能など 高度な制御 大電流の制御などが要求されています
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第 4 章 CMOS 論理回路 (1) CMOS インバータ 2008/11/18 広島大学岩田穆 1 抵抗負荷のインバータ V dd ( 正電源 ) R: 負荷抵抗 In Vin Out Vout n-mos 駆動トランジスタ グランド 2008/11/18 広島大学岩田穆 2 抵抗負荷のインバータ V gs I d Vds n-mos 駆動トランジスタ ドレイン電流 I d (n-mos) n-mosの特性
Acrobat Distiller, Job 2
2 3 4 5 Eg φm s M f 2 qv ( q qφ ) = qφ qχ + + qφ 0 0 = 6 p p ( Ei E f ) kt = n e i Q SC = qn W A n p ( E f Ei ) kt = n e i 7 8 2 d φ( x) qn = A 2 dx ε ε 0 s φ qn s 2ε ε A ( x) = ( x W ) 2 0 E s A 2 EOX
1. 概要有機半導体は 現在 主に用いられているシリコンなどの無機半導体と比べて以下の特長があり 次世代トランジスタなどエレクトロニクス素子への応用開発研究が盛んに行われています 1 塗布法 印刷法といった簡便かつ比較的低温での作製が容易 2 薄型 3 低コスト 4 プラスティック RFID タグや
国立研究開発法人新エネルギー 産業技術総合開発機構国立大学法人東京大学新領域創成科学研究科地方独立行政法人大阪府立産業技術総合研究所トッパン フォームズ株式会社富士フイルム株式会社株式会社デンソー JNC 株式会社田中貴金属工業株式会社日本エレクトロプレイティング エンジニヤース株式会社パイクリスタル株式会社 2016.01.25 世界初 商用 IC カード規格で動く有機半導体デジタル回路を実現 物流管理やヘルスケア向け温度センサつき電子タグの商品化に前進
新技術説明会 様式例
1 ロボットへの FPGA 導入を 容易化する コンポーネント技術 宇都宮大学大学院工学研究科情報システム科学専攻助教大川猛 2 従来技術とその問題点 FPGA(Field Programmable Gate Array) は 任意のディジタル論理回路をプログラム可能な LSI ソフトウェアでは時間がかかる画像認識処理等を ハードウェア化して 高速化 低消費電力化可能 問題点 FPGA 上の回路設計が難しい
フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2
S9066-211SB S9067-201CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2つの受光部の出力を減算し ほぼ可視光域にのみ感度をもたせています また従来品に比べ 同一照度における異なる色温度の光源に対しての出力変化を低減しています
特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて
16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます
新技術説明会 様式例
1 低侵襲性を重視し 細く長く大出力密度で伸縮する圧力駆動 マイクロマシン 立命館大学理工学部機械工学科 教授小西聡 2 低侵襲性を重視し 細く長く大出力密度で伸縮する圧力駆動 マイクロマシン 伸縮動作用マイクロマシン技術の紹介 低侵襲性が重要な内視鏡等のワイヤー駆動系への応用を想定 薄膜構造を多関節化して柔軟で細長い構造を実現 二種類の圧力駆動技術を提案 : 小型ピストン / 伸縮バルーン 高出力密度の実現
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1 Vol..3 2010 2 10 2 Vol..3 2010 2 10 3 Vol..3 2010 2 10 4 Vol..3 2010 2 10 5 Vol..3 2010 2 10 6 Vol..3 2010 2 10 7 Vol..3 2010 2 10 8 Vol..3 2010 2 10 9 Vol..3 2010 2 10 10 Vol..3 2010 2 10 11 Vol..3
2009-9-2.indd
Q No.1441 Q No.1442 Vol.33 NO.9 (2009) 30 (614) Q No.1443 Vol.33 NO.9 (2009) 31 (615) Q No.1444 Vol.33 NO.9 (2009) 32 (616) Vol.33 NO.9 (2009) 33 (617) Vol.33 NO.9 (2009) 34 (618) Q No.1445 Vol.33 NO.9
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Vol.27 1 Vol.27 2 Vol.27 3 Vol.27 4 Vol.27 5 Vol.27 6 Vol.27 7 Vol.27 8 Vol.27 9 Vol.27 10 11 Vol.27 Vol.27 12 Vol.27 13 Vol.27 14 Vol.27 15 Vol.27 16 Vol.27 17 Vol.27 2007 10 29 18 http://www.nira.or.jp/index.html
09030549_001.図書館31-1
vol.31 NO.1 2 3 5 6 10 12 8 1947-1954- 1950-1838-1904 1952-1996 1 913-1954 1981-1958- 1 902-1992 1972-1946- 1 940- 1 2 3 3 5 6 6 8 8 12 8 8 1 2 2 http://library.hokkai-s-u.ac.jp/cgi-bin/tosyokan/index.cgi
VOL a s d f g h
VOL.20013 -- 1937 101939 1940410 1940 1 VOL.20013 2030 193810 19391034 1937 a s d f g h 1995139140161 1998348 1988236 1994577578 1998 1987151 1922 2 VOL.20013 101110 3000500 70 1929 1920 1927 70 4050 30
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12 3 10 27 1 100 1/10 1/3 2012 24 27 22 23 153 8407 26 28 563 275 26 260 275 120 67 21 15 98 70 8407 7791 616 70.2 19 50 100 300 vol.195 12 10 12 22 11 23 30 0.022 22 11 23 1 9230+0.022 22 11 23 vol.194
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項目記号定格単位 電源 1 印加電圧電源 2 印加電圧入力電圧 (A1 A2) 出力電圧 ( ) 出力電流 ( ) 許容損失動作周囲温度保存周囲温度 S CC I o Io Pd Topr Tstg 24.0.0 0.3 S+0.3 0.3 CC+0.3 10 0. 20 + 4 +12 (1)S=12 系項目 記号 定格 単位 電源 1(I/F 入力側 ) 電源 2(I/F 出力側 ) I/F 入力負荷抵抗