重要注意事項 本書に記載された製品 および 製品の仕様につきましては 製品改善のために予告なく変更することがあります 従いまして ご使用を検討の際には 本書に掲載した情報が最新のものであることを弊社営業担当 あるいは弊社特約店営業担当にご確認ください 本書に記載された周辺回路 応用回路 ソフトウェア

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1 ASAHI Hall Effect ICs

2 重要注意事項 本書に記載された製品 および 製品の仕様につきましては 製品改善のために予告なく変更することがあります 従いまして ご使用を検討の際には 本書に掲載した情報が最新のものであることを弊社営業担当 あるいは弊社特約店営業担当にご確認ください 本書に記載された周辺回路 応用回路 ソフトウェアおよびこれらに関連する情報は 半導体製品の動作例 応用例を説明するものです お客様の機器設計において本書に記載された周辺回路 応用回路 ソフトウェアおよびこれらに関連する情報を使用される場合は お客様の責任において行ってください 本書に記載された周辺回路 応用回路 ソフトウェアおよびこれらに関連する情報の使用に起因してお客様または第三者に生じた損害に対し 弊社はその責任を負うものではありません また 当該使用に起因する 工業所有権その他の第三者の所有する権利に対する侵害につきましても同様です 本書記載製品が 外国為替および 外国貿易管理法に定める戦略物資 ( 役務を含む ) に該当する場合 輸出する際に同法に基づく輸出許可が必要です 医療機器 安全装置 航空宇宙用機器 原子力制御用機器など その装置 機器の故障や動作不良が 直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社代表取締役の書面による同意をお取りください この同意書を得ずにこうした用途に弊社製品を使用された場合 弊社は その使用から生ずる損害等の責任を一切負うものではありませんのでご了承ください お客様の転売等によりこの注意事項の存在を知らずに上記用途に弊社製品が使用され その使用から損害等が生じた場合は全てお客様にてご負担または補償して頂きますのでご了承ください

3 目次 /INDEX 一般事項 1. ホール IC の動作 P1 2. ホール IC ラインナップ P3 3. ホール IC に関する用語の説明 P4 4. ホール IC 応用例 P5 5. ホール IC ご使用上の注意事項 P9 6. ホール IC 信頼性 P11 7. セレクション P12 製品 1. AK シリーズホール IC P13 2. EM シリーズホール IC P33 3. EW シリーズホール IC P49 4. EZ シリーズホール IC P77 参考資料 ホール IC を使ったスイッチの設計 P81 このカタログは 2015 年 4 月現在のデータです 仕様等は予告なく変更することがございますのでご了承ください

4 一般事項 1. ホール IC の動作 ホールICの回路構成ホール ICは磁気センサであるホール素子とその出力信号をデジタル信号に変換する ICが1パッケージ化された素子で 入力端子 GND 端子 出力端子の 3 端子構成となっています ホールIC 内部の ホール素子の駆動方式としては 常時通電しているタイプと省エネのためパルス駆動しているタイプがあります ( ホール素子常時駆動タイプ ) 出力方式にはオープンコレクタとプルアップ抵抗付の 2タイプがあります オープンコレクタタイプのホール ICは通常は図 2のように負荷抵抗 RLを接続して使用します このタイプは通常動作温度 30~+115 となります 1 ープン レクタタイプの回路構成 2 の ( ホール素子パルス駆動タイプ ) ホール素子は図 4に示すような電流でパルス駆動されており その際の出力は図 5に示すようになります 駆動されていない時の出力はその直前の状態が保持されています なお パルス駆動の周期はホール ICのグレードごとに決まっており外部からコントロールすることは出来ません このタイプは通常動作温度 30~+85 になります 3 ホール パル 動タイプの回路構成 4 パル 動 電 (EW-6672 の例 ) 1 5 動作タイミング

5 ホールICの動作 ( 片極検知タイプ ) 磁石のS 極の磁場の強弱に対して ON/OFF の動作をします 主に磁石の位置検出に用いられます ( 両極検知タイプ ) 磁石のS 極またはN 極の磁場の強弱に対して ON/OFF の動作をします 主に磁石の位置検出に用いられます ( 磁極の向きに依存しません ) ( 交番検知タイプ ) 磁石のS 極 N 極の磁場が交互に印加される場合に対して ON/OFF の動作をします 主に回転数の検出に用いられます 2

6 一般事項 2. ホール IC ラインナップ 片極検知ーホール 動 片極検知ーホールパル 動 片極検知ー 125 動作 ホール 動 両極検知ーホールパル 動 交番検知ーホール 動 交番検知ー 125 動作 ホール 動 3

7 4 3. ホール IC に関する用語の説明

8 一般事項 4. ホール IC 応用例 ホールICの主な用途の例を紹介します なお 本資料に掲載している応用回路等は使用上の参考のために示したもので 掲載回路の使用に起因する第三者の特許権その 他の権利侵害に関して弊社では一切の責任を負いかねますのでご了承ください 検 DCB ータ ( ータ 検 ) ホール ータ ( イン ック 検 ) ル ラインド 面 2 5

9 S N S N S S 6

10 一般事項 7

11 8

12 一般事項 5. ホール IC ご使用上の注意事項 1 耐電圧最大定格を遵守し かつ推奨動作条件でご使用ください ホール ICは極性を有しますので逆接続をしないよう 充分ご注意ください 特に直接素子に高電圧が加わらないようにご配慮ください 定格を超えた範囲でご使用された場合 素子が破壊に至ることがございます またサージ電圧 静電気に対しても 保管 取り扱い 回路実装上充分ご配慮ください さらに素子が駆動部と接触しないようにご使用ください 2リードフォーミング (EW-500 系などのリードタイプ ) ホールICのリードフォーミングをされる場合には 以下の事項にご注意ください 1) 素子モールド部に外力が加わらないようにしてください 2) リードに加える力は 図 1の保証範囲内にしてください 3) リードにねじり方向の力が加わらないようにしてください 1 ホール IC の の 度 3ハンダ付け条件以下に参考条件を記載致しますが お客様で充分ご検討 ご確認の上 ご使用ください (1) ディップ ( 素子全体を浸漬 ) ハンダディップを行う場合は 図 2に示した温度負荷以内の条件での処理をお勧めします ハンダディップ回数は 1 回でお願いします (2) 手ハンダ ( ハンダゴテ使用の場合 ) 秒間あるいは350 3 秒間以下の熱負荷で かつ 素子本体に触れないようにハンダ付けしていただく事をお勧めします 手ハンダ回数は 2 回以内でお願いします (3) リフローリフローを行う場合は 図 3に示した温度プロファイル以下の条件での処理をお勧めします リフロー回数は 2 回以内でお願いします (4) ハンダフラックスハンダフラックスはロジン系のものをお勧めします なお 有機酸系 無機酸系 水溶性のフラックスのご使用はお避けください リフ ープ フ イル eo Prole 2 ップ条件 3 リフ ー条件 9

13 4 洗浄ハンダフラックス等を洗浄される場合には次のようにしてください (1) 洗浄剤 エタノール イソプロピルアルコール (2) 温度 50 以下 (3) 超音波を使用される場合周波数 ; 45kHz 以下出力 ; 40W/l 以下 5 保管環境のご注意製品を保管される場合 直射日光を避け 出来るだけ常温の室内に保管してください ( 望ましい保管条件は 5~35 40~ 85%RHです ) 6 長期保管のご注意一般的な半導体の保管条件でも長期 (2 年以上 ) に保管した場合は リード端子のハンダ付け性が悪くなったり電気特性等が不良になる場合がありますので 長期保管した場合は ハンダ付け性や電気特性等を十分ご確認の上ご使用ください 保管が長期に及ぶ場合は 窒素雰囲気での保管をお勧めします 大気中で保管されますと 大気中の酸素により素子のリード部分 が酸化され リード端子のハンダ付け性が悪くなります 10

14 一般事項 6. ホール IC 信頼性 弊社では 定期的に信頼性試験を行いホール IC の信頼性を確保しています 定期信頼性試験項目 代表的な製品に於いて 定期的に 以下の信頼性試験項目を実施します 11

15 7. セレクション 1. 動作タイプ 片極検知 a 両極検知 b 交番検知 c 2. 感度 低感度 Bop TYP.10 d 標準感度 Bop TYP.6(5) e 高感度 Bop TYP.3 f 超高感度 Bop TYP.1.5 g 3. パッケージ 表面実装パッケージ 4 系 h 薄型表面実装パッケージ 6 系 i 小型表面実装パッケージ 1 系 j 超小型 SON パッケージ AK87 系 シングルインライン 5 系パッケージ (SIP) 薄型シングルインライン 7 系パッケージ ( 薄型 SIP) k l m 4. 電源電圧 1.85 n 3 o 5 p 12 q 24 r 12

16 モノリシック型ホール IC AK シリーズ AK8771 梱包は5,000 個 / 巻のテ-ピングとなります AK8771 は ホール素子と波形整形用 ICが一体化されている超小型ラッチタイプホール ICです パワーダウン機能により休止時の消費電流を大幅に低減できます 交番検知 電源電圧 1.6~5.5 パワーダウン機能付 超高感度 Bop:1.8 出力形式 CMOS 出力 超小型 SON パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください 概要 高感度交番動作型ホールIC パワーダウン機能により 休止時の消費電流を大幅に削減 超小型 SONパッケージ : t0.37mm, ハロゲンフリー 磁電変換特性 回路構成 C imingogic allelemen ChopperW AM chmi rigger achogic page 13

17 AK8771 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります c 電 電 電 電 電 DD IOUT IN IIN TSTG DD 単位 ma ma OUT PDN PDN 電 電 DD 単位 Ta 30 電 特性 a 85 g 電 IDD1 1 単位 PDN=0 電 IDD PDN=3 電 IIN 1 1 電 IH 0.7DD 電 IL 0.3 i g h 電 OH DD0.4 IOUT 0.5mA o 電 OL TPD1 TPD IOUT 0.5mA k 磁 特性 a 磁 Bop 単位 磁 Brp ス リシス Bh 3.6 磁 特性 a n 磁 Bop 単位 o 磁 ス リシス Brp Bh p 14

18 15 AK8771

19 AK c g k n o p 16

20 モノリシック型ホール IC AK シリーズ AK8772 梱包は5,000 個 / 巻のテ-ピングとなります AK8772 は ホール素子と波形整形用 ICが一体化されている超小型ラッチタイプホール ICです パワーダウン機能により休止時の消費電流を大幅に低減できます 交番検知 電源電圧 1.6~5.5 パワーダウン機能付パルス駆動 超高感度 Bop:1.8 出力形式 CMOS 出力 超小型 SON パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください 概要 高感度交番動作型ホールIC パワーダウン機能により 休止時の消費電流を大幅に削減 間欠駆動により 動作時の消費電流を削減 超小型 SONパッケージ : t0.37mm, ハロゲンフリー 17

21 AK8772 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります c DD IOUT ma IN 0.3 DD0.3 IIN ma TSTG OUT PDN PDN DD Ta g IDD1 1 PDN=0 IDD PDN=3 IIN 1 1 IH 0.7DD IL OH OL TPD1 TPD2 TPD3 TPD4 TW 0.3 DD0.4 IOUT0.5mA IOUT0.5mA ms k Bop Brp Bh n o Bop p Brp Bh

22 19 AK8772

23 AK c g k n o p 20

24 モノリシック型ホール IC AK シリーズ AK8788 梱包は5,000 個 / 巻のテ-ピングとなります AK8788は ホール素子と波形整形用 ICが一体化されている超小型スイッチタイプホール ICです ホール素子はパルス駆動されているため DD=1.85 時平均消費電流 4.5μA ときわめて低消費電力です 両極検知 電源電圧 1.6~5.5 ホール素子パルス駆動 高感度 Bop:3 出力形式 CMOS 出力 超小型 SON パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください 概要 高感度両極検知動作型ホールIC 間欠駆動による低消費電流 Typ.4.5μA( 平均 1.85 動作時 ) 超小型 SONパッケージ : t0.37mm, ハロゲンフリー 21

25 AK8788 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります b DD IOUT ma TSTG DD Ta f IDD IDD DD5.5 OH DD0.4 IOUT 0.5mA OL 0.4 IOUT 0.5mA TPD ms TPD IDD OH OL DD IOUT 0.5mA IOUT 0.5mA k TPD ms TPD BopS BopN BrpS BrpN BhS,BhN n o p BopS BopN BrpS BrpN BhS,BhN

26 23 AK8788

27 AK b f k n o p 24

28 モノリシック型ホール IC AK シリーズ AK8789 AK8789は ホール素子と波形整形用 ICが一体化されている超小型スイッチタイプホール ICです ホール素子はパルス駆動されている 梱包は 10,000 個 / 巻のテ - ピングとなります ので DD=1.85 時平均消費電流 6.5μA ときわめて低消費電力です さらに S,N 極用の 2 つの出力を有しています 両極検知 S,N 極用 2 出力 電源電圧 1.6~5.5 ホール素子パルス駆動 高感度 Bop:2.5 出力形式 CMOS 型式 S.N 極用 2 出力 超小型 SON パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください 概要 高感度両極検知 2 出力動作型ホールIC 間欠駆動による低消費電流 Typ.6.5μA( 平均 1.85 動作時 ) 超小型 SONパッケージ : t0.37mm, ハロゲンフリー 25

29 AK8789 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります a DD IOUT ma TSTG DD Ta f IDD OH DD0.4 IOUT 0.5mA OL 0.4 IOUT 0.5mA TPD ms TPD BopN BopS BrpN BrpS k BhN,BhS BopN BopS n BrpN BrpS BhN,BhS o p 26

30 27 AK8789

31 AK8789 a f k n o p 28

32 モノリシック型ホール IC AK シリーズ AK8788A 梱包は5,000 個 / 巻のテ-ピングとなります AK8788A は ホール素子と波形整形用 ICが一体化されている超小型スイッチタイプホール ICです ホール素子はパルス駆動されているため DD=1.85 時平均消費電流 4.5μA ときわめて低消費電力です 両極検知 電源電圧 1.6~5.5 ホール素子パルス駆動 高感度 Bop:3 出力形式 CMOS 出力 超小型 SON パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください 概要 高感度両極検知動作型ホールIC 間欠駆動による低消費電流 Typ.4.5μA( 平均 1.85 動作時 ) 超小型 SONパッケージ : t0.37mm, ハロゲンフリー 29

33 AK8788A 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります b DD IOUT ma TSTG DD Ta f IDD IDD DD 5.5 OH DD0.4 IOUT0.5mA OL 0.4 IOUT0.5mA TPD ms TPD IDD OH OL DD IOUT0.5mA IOUT0.5mA k TPD ms TPD BopS BopN BrpS BrpN BhS,BhN n o p BopS BopN BrpS BrpN BhS,BhN

34 31 AK8788A

35 AK8788A b f k n o p 32

36 モノリシック型ホール IC EM シリーズ EM-1011 梱包は5,000 個 / 巻のテ-ピングとなります EM-1011 はホール素子と波形整形用 ICが一体化されている超小型ラッチタイプホール ICです 交番検知 電源電圧 3.5~18 ホール素子常時駆動 高感度 Bop:3 出力形式オープンドレイン 小型表面実装パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください DD ISINK 0 12 ma OUT TSTG DD Topr Bop Brp Bh SAT OUT="L"ISINK=10mA ILEAK OUT="H" 1 A IDD OUT="H" ma =10Gauss 33

37 EM-1011 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります c f j p q

38 モノリシック型ホール IC EM シリーズ EM-1711 梱包は5,000 個 / 巻のテ-ピングとなります EM-1711 はホール素子と波形整形用 ICが一体化されている超小型ラッチタイプホール ICです パワーダウン機能により休止時の消費電流を大幅に低減できます 交番検知 電源電圧 1.6~5.5 パワーダウン機能付 超高感度 Bop:1.8 出力形式 CMOS 出力 小型表面実装パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください DD IN DD0.1 IIN TSTG ma IOUT ma DD Topr Bop Bop Brp 1.8 Brp Bh 3.6 Bh 3.6 IH 0.7DD IL 0.3 OH Io=0.5mA DD0.4 OL Io=0.5mA 0.4 IDD1 1 A IDD ma I 1 1 A TPD1 PDN 100 s TPD2 PDNActive 100 s =10Gauss 35

39 EM-1711 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります c g j n o p 36

40 モノリシック型ホール IC EM シリーズ EM-1712 梱包は5,000 個 / 巻のテ-ピングとなります EM-1712 はホール素子と波形整形用 ICが一体化されている超小型ラッチタイプホール ICです パワーダウン機能により休止時の消費電流を大幅に低減できます 交番検知 電源電圧 1.6~5.5 パワーダウン機能付パルス駆動 超高感度 Bop:1.8 出力形式 CMOS 出力 小型表面実装パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください DD IN DD0.1 IIN TSTG ma IOUT ma DD Topr TPD3 TW PDNH ms Bop TPD4 PDNH Brp Bh 3.6 IH IL OH OL Io=0.5mA Io=0.5mA 0.7DD DD Bop Brp Bh IDD1 IDD A A I TPD1 TPD2 PDN PDNActive 1 1 (36.6) 100 A s s =10Gauss 37

41 EM-1712 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります c g j n o p 38

42 モノリシック型ホール IC EM シリーズ EM-1713 梱包は5,000 個 / 巻のテ-ピングとなります EM-1713 はホール素子と波形整形用 ICが一体化されている超小型ラッチタイプホール ICです 高速間欠駆動により低消費電力動作が可能です 交番検知 電源電圧 4.0~5.5 ホール素子パルス駆動 高感度 Bop:2.5 出力形式 CMOS 出力 小型表面実装パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください DD OUT IOUT ma TSTG DD Topr OH Iout=0.5mA DD0.4 Bop OL Iout=0.5mA 0.4 Brp TPD s Bh TPD s =10Gauss IDD ma IDD2 IDD A A RE R REH

43 EM-1713 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります c f j p 40

44 モノリシック型ホール IC EM シリーズ EM-1771 梱包は5,000 個 / 巻のテ-ピングとなります EM-1771 は ホール素子と波形整形用 ICが一体化されている超小型スイッチタイプホール ICです ホール素子はパルス駆動されているため DD=1.85 時平均消費電流 4μAときわめて低消費電力です 片極検知 電源電圧 1.6~5.5 ホール素子パルス駆動 高感度 Bop:3 出力形式 CMOS 出力 小型表面実装パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください DD IOUT ma TSTG DD Topr Bop 1.4* Bop Brp * Brp Bh 0.3* * Bh Tp ms OH Io=0.5mA DD 0.4 OL Io=0.5mA 0.4 IDD 4 9 =10Gauss 41

45 42 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります a f j n o p EM-1771

46 モノリシック型ホール IC EM シリーズ EM-1781 梱包は5,000 個 / 巻のテ-ピングとなります EM-1781 は ホール素子と波形整形用 ICが一体化されている超小型スイッチタイプホール ICです ホール素子はパルス駆動されているため DD=1.85 時平均消費電流 6.5μA ときわめて低消費電力です 両極検知 電源電圧 1.6~5.5 ホール素子パルス駆動 高感度 Bop:3 出力形式 CMOS 出力 小型表面実装パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください DD IOUT ma TSTG DD Topr BopS IBopNI BrpS IBrpNI BhS IBhNI 1.4* * * 1.5* BopS IBopNI BrpS IBrpNI BhS IBhNI Tp ms OH Io=0.5mA DD 0.4 OL Io=0.5mA 0.4 IDD =10Gauss 43

47 44 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります b f j n o p EM-1781

48 モノリシック型ホール IC EM シリーズ EM-1791 EM-1791 はホール素子と波形整形用 ICが一体化されている超小型スイッチタイプホール ICです ホール素子はパルス駆動されているの 梱包は 5,000 個 / 巻のテ - ピングとなります で DD=1.85 時平均消費電流 6.5μA ときわめて低消費電力です さらに S,N 極用の 2 つの出力を有しています 両極検知 S,N 極用 2 出力 電源電圧 1.6~5.5 ホール素子パルス駆動 高感度 Bop:2.5 出力形式 CMOS 形式 S,N 極用 2 出力 小型表面実装パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください DD IOUT TSTG ma DD Topr Bop1 Bop2 * *1.4 Bop1 IBop2I Brp1 IBrp2I Brp1 Brp2 1.2 * * Bh1 IBh2I 0.5 Bh1,Bh2 0.5 Tp ms OH OL IDD Io=0.2mA Io=0.2mA DD A =10Gauss Bop1,Brp1 Bop2,Brp2 45

49 EM-1791 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります a f j 46 n o p

50 モノリシック型ホール IC EM シリーズ EM-6781 梱包は3,000 個 / 巻のテ-ピングとなります EM-6781 は ホール素子と波形整形用 ICが一体化されている超小型スイッチタイプホール ICです ホール素子はパルス駆動されているため DD=1.85 時平均消費電流 6.5μA ときわめて低消費電力です 両極検知 電源電圧 1.6~5.5 ホール素子パルス駆動 高感度 Bop:3 出力形式 CMOS 出力 薄型表面実装パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください DD IOUT TSTG ma DD Topr BopS IBopNI BrpS IBrpNI BhS IBhNI 1.4* * * 1.5* BopS IBopNI BrpS IBrpNI BhS IBhNI Tp ms OH Io=0.5mA DD0.4 OL Io=0.5mA 0.4 IDD =10Gauss 47

51 48 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります b f i n o p EM-6781

52 ハイブリッド型ホール IC EW シリーズ EW-400 EW-400は InSb 高感度ホール素子と波形整形用 ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したラッチタイプホール ICです 梱包は 5,000 個 / 巻のテ - ピングリール供給となります 高感度 InSb ホール素子を用いている為 デューディー比の良い TTL レベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます 交番検知 電源電圧 4.5~18 ホール素子常時駆動 低感度 Bop:10 出力形式オープンコレクタ 表面実装パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください CC O(off) ISINK CC 0 15 ma CC TSTG CC Topr Bop CC= Brp CC= Bh CC= SAT CC=12,OUT''L'',ISINK =10mA 0.4 ILEAK CC=12,OUT''H'', OUT=12 1 A ICC CC=12,OUT''H'' 8 ma =10Gauss 49

53 EW-400 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります c d h p q 50

54 ハイブリッド型ホール IC EW シリーズ EW-403 EW-403は InSb 高感度ホール素子と波形整形用 ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したラッチタイプホール ICです 梱包は 5,000 個 / 巻のテ - ピングリール供給となります 高感度 InSb ホール素子を用いている為 デューディー比の良い TTL レベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます 交番検知 電源電圧 2.5~5.5 ホール素子常時駆動 低感度 Bop:10 出力形式オープンコレクタ 表面実装パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください CC O(off) ISINK CC 0 15 ma CC TSTG CC Topr Bop CC= Brp CC= Bh CC= SAT CC=3,OUT''L'', ISINK =10mA 0.4 ILEAK CC=3,OUT''H'',OUT=3 1 A ICC CC=3,OUT''H'' 8 ma =10Gauss 51

55 EW-403 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります c d h o p 52

56 ハイブリッド型ホール IC EW シリーズ EW-410B EW-410B は InSb 高感度ホール素子と波形整形用 ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したラッチタイプホール ICです 梱包は 5,000 個 / 巻のテ - ピングリール供給となります 高感度 InSb ホール素子を用いている為 デューディー比の良い TTL レベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます 交番検知 電源電圧 3~26.4 ホール素子常時駆動 高感度 Bop:3 出力形式オープンコレクタ 表面実装パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください CC O(off) ISINK CC 0 10 ma CC TSTG CC Topr Bop CC= Brp CC= Bh CC= SAT CC=12,OUT''L'', ISINK =10mA 0.4 ILEAK CC=12,OUT''H'',OUT=12 1 A ICC CC=12,OUT''H'' 5 6 ma =10Gauss 53

57 EW-410B 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります c f h 5.5 o p q r 54

58 ハイブリッド型ホール IC EW シリーズ EW-413 EW-413 は InSb 高感度ホール素子と波形整形用 ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したラッチタイプホール ICです 梱包は 5,000 個 / 巻のテ - ピングリール供給となります 高感度 InSb ホール素子を用いている為 デューディー比の良い TTL レベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます 交番検知 電源電圧 2.5~5.5 ホール素子常時駆動 高感度 Bop:3 出力形式オープンコレクタ 表面実装パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください CC O(off) ISINK CC 0 15 ma CC TSTG CC Topr Bop CC= Brp CC= Bh CC=3 2 6 SAT CC=3,OUT''L'', ISINK =10mA 0.4 ILEAK CC=3,OUT''H'',OUT=3 1 A ICC CC=3,OUT''H'' 8 ma =10Gauss 55

59 EW-413 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります c f h o p 56

60 ハイブリッド型ホール IC EW シリーズ EW-453 EW-453は InSb 高感度ホール素子と波形整形用 ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したスイッチタイプホール ICです 梱包は 5,000 個 / 巻のテ - ピングリール供給となります 高感度 InSb ホール素子を用いている為 デューディー比の良い TTL レベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます 片極検知 電源電圧 2.5~5.5 ホール素子常時駆動 低感度 Bop:10 出力形式オープンコレクタ 表面実装パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください CC O(off) ISINK CC 0 15 ma CC TSTG CC Topr Bop CC= Brp CC= Bh CC= SAT CC=3,OUT''L'', ISINK =10mA 0.4 ILEAK CC=3,OUT''H'',OUT=3 1 A ICC CC=3,OUT''H'' 8 ma =10Gauss 57

61 EW-453 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります a d h o p 58

62 ハイブリッド型ホール IC EW シリーズ EW-463 EW-463は InSb 高感度ホール素子と波形整形用 ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したスイッチタイプホール ICです 梱包は 5,000 個 / 巻のテ - ピングリール供給となります 高感度 InSb ホール素子を用いている為 デューディー比の良い TTL レベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます 片極検知 電源電圧 2.5~5.5 ホール素子常時駆動 高感度 Bop:3 出力形式オープンコレクタ 表面実装パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください CC O(off) ISINK CC 0 15 ma CC TSTG CC Topr Bop CC=3 3 6 Brp CC= Bh CC= SAT CC=3,OUT''L'',ISINK =10mA 0.4 ILEAK CC=3,OUT''H'',OUT=3 1 A ICC CC=3,OUT''H'' 8 ma =10Gauss 59

63 EW-463 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります a f h o p 60

64 ハイブリッド型ホール IC EW シリーズ EW-500 EW-500は InSb 高感度ホール素子と波形整形用 ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したラッチタイプホール ICです 梱包は 500 個 / 袋のバルク供給となります 高感度 InSb ホール素子を用いている為 デューディー比の良い TTL レベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます 交番検知 電源電圧 4.5~18 ホール素子常時駆動 低感度 Bop:10 出力形式オープンコレクタ SIP パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください CC O(off) ISINK CC 0 15 ma CC TSTG CC Topr Bop CC= Brp CC= Bh CC= SAT CC=12,OUT''L'', ISINK =10mA 0.4 ILEAK CC=12,OUT''H'',OUT=12 1 A ICC CC=12,OUT''H'' 8 ma =10Gauss 61

65 EW-500 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります c d l p q 62

66 ハイブリッド型ホール IC EW シリーズ EW-610B EW-610B は InSb 高感度ホール素子と波形整形用 ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したラッチタイプホール ICです 梱包は 3,000 個 / 巻のテ - ピングリール供給となります 高感度 InSb ホール素子を用いている為 デューディー比の良い TTL レベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます 交番検知 電源電圧 3~26.4 ホール素子常時駆動 高感度 Bop:3 出力形式オープンコレクタ 薄型表面実装パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください CC O(off) ISINK CC 0 10 ma CC TSTG CC Topr Bop CC= Brp CC= Bh CC= SAT CC=12,OUT''L'',ISINK =10mA 0.4 ILEAK CC=12,OUT''H'',OUT=12 1 A ICC CC=12,OUT''H'' 5 6 ma =10Gauss 63

67 EW-610B 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります c e i o p q r 64

68 ハイブリッド型ホール IC EW シリーズ EW-632 EW-632は InSb 高感度ホール素子と波形整形用 ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したラッチタイプホール ICです 梱包は 3,000 個 / 巻のテ - ピングリール供給となります 高感度 InSb ホール素子を用いている為 デューディー比の良い TTL レベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます 交番検知 電源電圧 2.2~18 ホール素子常時駆動 高感度 Bop:3 出力形式プルアップ抵抗付 薄型表面実装パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください CC O(off) ISINK CC 0 12 ma TSTG CC CC Topr Bop CC= Brp CC= Bh CC=12 6 SAT CC=12,OUT''L'' 0.4 ICC CC=12,OUT''H'' 8 ma d CC=12,OUT''H'' 20 m RL 6 14 k 1=10Gauss 65

69 EW-632 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります c f i o p q 66

70 ハイブリッド型ホール IC EW シリーズ EW-650B EW-650B は InSb 高感度ホール素子と波形整形用 ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したスイッチタイプホール ICです 梱包は 3,000 個 / 巻のテ - ピングリール供給となります 高感度 InSb ホール素子を用いている為 デューディー比の良い TTL レベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます 片極検知 電源電圧 3~26.4 ホール素子常時駆動 標準感度 Bop:6 出力形式オープンコレクタ 薄型表面実装パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください CC O(off) ISINK CC 0 10 ma CC TSTG CC Topr Bop CC= Brp CC= Bh CC= SAT CC=12,OUT''L'', ISINK =10mA 0.4 ILEAK CC=12,OUT''H'',OUT=12 1 A ICC CC=12,OUT''H'' 5 6 ma =10Gauss 67

71 EW-650B 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります a e i o p q r 68

72 ハイブリッド型ホール IC EW シリーズ EW-6672 EW-6672 は InSb 高感度ホール素子と波形整形用 ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したスイッチタイプホール ICです 梱包は 3,000 個 / 巻のテ - ピングとなります ホール素子はパルス駆動されているため DD=3 時平均消費電流 5μA ときわめて低消費電力です 片極検知 電源電圧 2.4~3.3 ホール素子パルス駆動 超高感度 Bop:1.5 出力形式 CMOS 出力 薄型表面実装パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください DD I ma TSTG CC Topr Bop Bop 1.0* Brp Brp * Bh Bh 0.1* * Tp ms OH Io=1.0mA DD 0.4 OL IDD Io=1.0mA =10Gauss 69

73 EW-6672 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります a g i o 70

74 ハイブリッド型ホール IC EW シリーズ EW-710B EW-710B は InSb 高感度ホール素子と波形整形用 ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したラッチタイプホール ICです 梱包は 500 個 / 袋のバルク供給となります 高感度 InSb ホール素子を用いている為 デューディー比の良い TTL レベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます 交番検知 電源電圧 3~26.4 ホール素子常時駆動 高感度 Bop:3 出力形式オープンコレクタ 薄型 SIP パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください CC O(off) ISINK CC 0 10 ma CC TSTG CC Topr Bop CC= Brp CC= Bh CC= SAT CC=12,OUT''L'', ISINK =10mA 0.4 ILEAK CC=12,OUT''H'',OUT=12 1 A ICC CC=12,OUT''H'' 5 6 ma =10Gauss 71

75 EW-710B 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります 30 c f m o p q r 72

76 ハイブリッド型ホール IC EW シリーズ EW-732 EW-732は InSb 高感度ホール素子と波形整形用 ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したラッチタイプホール ICです 梱包は 500 個 / 袋のバルク供給となります 高感度 InSb ホール素子を用いている為 デューディー比の良い TTL レベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます 交番検知 電源電圧 2.2~18 ホール素子常時駆動 高感度 Bop:3 出力形式プルアップ抵抗付 薄型 SIP パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください CC O(off) ISINK CC 0 12 ma TSTG CC Topr Bop CC= Brp CC= Bh CC=12 6 SAT CC=12,OUT''L'' 0.4 ICC CC=12,OUT''H'' 8 ma d CC=12,OUT''H'' 20 m RL 6 14 k 1=10Gauss 73

77 EW-732 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります c f m o p q 74

78 ハイブリッド型ホール IC EW シリーズ EW-750B EW-750B は InSb 高感度ホール素子と波形整形用 ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したスイッチタイプホール ICです 梱包は 500 個 / 袋のバルク供給となります 高感度 InSb ホール素子を用いている為 デューディー比の良い TTL レベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます 片極検知 電源電圧 3~26.4 ホール素子常時駆動 標準感度 Bop:6 出力形式オープンコレクタ 薄型 SIP パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください CC O(off) ISINK CC 0 10 ma TSTG CC Topr Bop CC= Brp CC= Bh CC= SAT CC=12,OUT''L'',ISINK =10mA 0.4 ILEAK CC=12,OUT''H'',OUT=12 1 A ICC CC=12,OUT''H'' 5 6 ma =10Gauss 75

79 EW-750B 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります a e m o p q r 76

80 ハイブリッド型ホール IC EZ シリーズ EZ-410 EZ-410 は InAs 高感度ホール素子と波形整形用 ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したラッチタイプホール ICです 梱包は 5,000 個 / 巻のテ - ピングリール供給となります InAs ホール素子を用いている為 デューディー比の良い TTL レベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます 交番検知 電源電圧 3.8~24 ホール素子常時駆動 標準感度 Bop:5 出力形式オープンコレクタ 表面実装パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください CC O(off) ISINK CC 0 10 ma TSTG CC Topr ILEAK OUT=''H'' 1 ILEAK OUT=''H'' 10 SAT OUT=''L'', IOUT =10mA 0.4 SAT OUT=''L'' 0.8 ICC OUT=''H'' 5 9 ICC OUT=''H''

81 EZ-410 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 当製品にはガリウムヒ素 (GaAs) が使用されています 取り扱い及び廃棄に注意してください c Bop Bop Brp Brp Bh Bh e h p q 78

82 ハイブリッド型ホール IC EZ シリーズ EZ-471 EZ-471 は InAs 高感度ホール素子と波形整形用 ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したスイッチタイプホール ICです 梱包は 5,000 個 / 巻のテ - ピングリール供給となります InAs ホール素子を用いている為 デューディー比の良い TTL レベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます 片極検知 電源電圧 2~24 ホール素子 常時駆動 超低感度 Bop:26 出力形式 オープンコレクタ 表面実装 パッケージ 注意 : 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の 重要注意事項 を良くお読みください CC O(off) ISINK CC 0 10 ma CC TSTG CC Topr ILEAK OUT=''H'' 10 Bop SAT OUT=''L'', IOUT =10mA 0.8 Brp ICC OUT=''H'' 3 6 Bh

83 EZ-471 製品はある確率で故障する可能性があります 医療機器 自動車 航空宇宙機器 原子力制御用機器等 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず 生命 身体 財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は 必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください 当製品にはガリウムヒ素 (GaAs) が使用されています 取り扱い及び廃棄に注意してください a h o p q 80

84 参考資料 ホール IC を使ったスイッチの設計 永久磁石について永久磁石の種類 材料別永久磁石には様々な材料がありますが 大別すると 合金系 フェライト系 希土類サマリウム コバルト (Sm-Co) 系 希土類ネオジム (Nd-Fe-B) 系に分類できます 合金磁石は 鉄 ニッケルにコバルト チタン等を加えた複数金属よりなる合金で MK 磁石やアルニコ磁石などがありますが 最近はフェライト系磁石等に取って代わられ用途は限られてきています フェライト系磁石にはバリウムフェライト磁石 ストロンチウムフェライト磁石があります 酸化鉄を主成分としており 安価で生産性が高いことから 現在最も大量に生産されています セラミック磁石と呼ばれることもあります 1970 年代になると より強力な希土類サマリウム コバルト (Sm-Co) 磁石 1980 年代には希土類ネオジム (Nd-Fe-B) 磁石が登場しました 材料が高価なことからフェライト系磁石に比べ高価ですが ともに大変高性能な磁石であるため 近年急激に数量が拡大しています ネオジム磁石は 高い残留磁束密度を持ち サマリウム コバルト磁石は良好な温度特性を持っています 主な磁石の特徴を下表に示します 磁石の詳細な情報については磁石メーカのホームページや専門書をご覧ください 製造法別 < 焼結磁石 > 原料となる磁性体粉末をプレス成形し 高熱で焼き固めたもの フェライト磁石やサマリウム コバルト磁石 ネオジム磁石などがあります 円柱や直方体など標準的な形状に向いています <ボンド磁石 > 磁性体粉末をゴムやプラスチックなどのベース材に混ぜて プレス 押し出しなどで成形したもの 特殊な形状に向いていますが 焼結磁石に比べると体積当たりの磁性体粉末の量が少ない分 磁力も弱くなります <その他 > 鋳造法や鍛造法もあり合金磁石の製造に適用されます 異方性 等方性異方性 等方性は磁化容易軸の配向性を表します ボンド磁石等で 磁性体粉末をそのままプラスチックなどのベース材に混ぜて成形すると 磁化容易軸 ( 材料の結晶組織において磁化しやすい方向 ) がばらばらになっています このような磁石を等方性磁石と言います 等方性磁石では どの方向へも同じように着磁できます 一方 成形の過程において磁性体粉末の磁化容易軸を一定方向に揃えたものを異方性磁石と言います 異方性磁石は磁化容易軸方向に着磁することでより強力な磁石を製造することができます 磁化容易軸を揃える方法としては 成形の際に磁界を利用する方法や機械的に圧力を加える方法などがあります 磁束密度の変化永久磁石も温度変化や経時変化により磁力が弱くなることがあり これを減磁と言います 特に (2) の不可逆変化は磁力が復帰しないので注意が必要です <(1) 可逆変化 > 温度を変化させた場合 材質固有の温度係数に従い磁気特性が変化し 温度を元に戻すと磁気特性も戻る変化を言います <(2) 不可逆変化 > 温度を変化させた場合 材質固有の減磁特性に従い磁気特性が変化し 温度を元に戻しても磁気特性が戻らず減磁してしまう変化を言います フェライト磁石では低温域に ネオジム磁石では高温域に不可逆変化領域を持つものがあります 不可逆変化領域は材質だけでなく形状で決まるパーミアンス係数にも依存します 詳細は磁石メーカにお問い合せください <(3) 経時変化 > 永久磁石といえども全ての磁石は 熱エネルギーの影響により わずかながら徐々に減磁します 磁石材質やパーミアンス係数 環境温度などによって減磁の度合いは異なります その他 物理的応力 ( 加工による歪みなど ) や化学的変化 ( 錆など含む ) なども経時変化の原因になります しかしながら現在は製造技術の進歩など十分な対策により 実用的にはほとんど問題にならないレベルです 磁石の温度特性について可逆範囲と不可逆範囲においては挙動が異なります 81

85 まず可逆範囲での考え方を述べます 磁石材料には固有の温度係数 Kt があり この Kt によって変化します 例えば 20 時の残 留磁束密度 Br(20)=1200 Kt=-0.12%/ の磁石が 60 環境下に置かれた場合の残留磁束密度 Br(60) は次のようになりま す Br(60)=Br(20) {1+Kt (60-20) 100} =1142.4[] なお 温度が戻れば特性も元に戻ります 次に不可逆変化について述べます < 高温減磁 > 磁石は一般的に負の温度係数を持つため 高温になるに従って磁力が弱くなりますが ネオジム磁石など希土類磁石の中には 高温域に不可逆変化があるものがあるため注意が必要です 高温での不可逆減磁は 材質特性とパーミアンス係数に依存し パーミアンス係数が小さいほど減磁しやすくなります 判断には その磁石材料の減磁曲線 (B-H 曲線 ) が必要ですので磁石メーカへお問い合せください なお温度上昇により磁石が完全に磁力を無くしてしまう時の温度を キュリー温度と呼びます 一旦キュリー温度に達した磁石は 常温に戻しても磁力は回復しません < 低温減磁 > 負の温度特性を持つ磁石は 基本的に温度が下がると磁石磁力は大きくなります しかしフェライト磁石には 低温域に不可逆変化があるものがあります 低温での不可逆減磁は 材料特性とパーミアンス係数に依存し パーミアンス係数が小さいほど減磁しやすくなります 判断には その磁石材料の減磁曲線 (B-H 曲線 ) が必要ですので磁石メーカへお問い合せください 磁石の発生する磁束密度の計算方法 ある材質 サイズの磁石について表面中央から mm 離れた所の磁束密度 を知りたい という場合に便利な式を図 1,2 に示します 磁石のサイズと残留磁束密度 Br 及び磁極面からの距離を代入すると その位置での磁束密度が得られます ( ここで使用するのは 残留 磁束密度であり 表面 磁束密度ではないので注意してください ) これらの式は磁極面に磁化が一様に分布しているという前提で電磁気学の方程式を解くことによって得られたものですが フェライト系や希土類系の磁石では磁石の至近距離を除いて たいていの場合は非常に良く一致します 磁石の形状によっては 高温または低温において不可逆減磁する場合があるので 磁石の形状を決定する時は注意が必要です 詳しくは磁石メーカにお問い合せください 磁場解析永久磁石やコイルによって空間に発生する磁束密度を求めることを磁場解析といいます 上記のような単純な磁石ではなく複雑な形状をしたものや ヨーク等の存在する多数の磁性体を同時に取り扱う場合は電磁気学の方程式を直接に解くことは困難です この場合は 有限要素法 や 積分要素法 という数値解析手法を用います 複雑な形状の磁性体を小さな磁性体要素の集まりとみなして最適解をコンピューターによって求めます 弊社では磁場解析を用いてお客様の要望に合わせた最適な磁気設計のサポートもしています 82

86 参考資料 磁石に関する用語の説明及び単位 磁石に関する用語の説明 用語説明 磁界磁石や電流の周りに存在する力のベクトル場 物理学分野では 磁場 工学分野では 磁界 と呼ばれ ますが同じ概念です 磁界の強さ H の単位は SI 単位系ではアンペア毎メートル [A/m] cgs 単位ではエ ルステッド [Oe] を使います 磁化磁界の影響下で磁性体が磁性を持つこと 磁石材料を磁化させることを着磁と言います 消磁磁性を無くすことを消磁または脱磁と言います 消磁のための道具として簡易消磁器と言うものもあります 原理は 消磁したいものに交流磁界をかけ この交流磁界を次第に小さくしていくことで磁化を小さくしていくものです 例えば CRT( ブラウン管 ) ディスプレイに付いているデガウス機能は 画面内部のアパーチャグリルなど金属部品の消磁を行っていました 磁性体磁界の影響下で磁化される物質を磁性体と言います より強く磁化されるものを強磁性体といい 鉄や磁鉄鉱 永久磁石の材料となる物質があります 磁界の影響下でも磁化されない物質を非磁性体といい 紙やプラスチック 金属では金 銀 銅 アルミニウム マグネシウムなどが代表的な物質です 現物が磁性体か非磁性体かを簡単に見分ける方法は 磁石を近づけてみることです くっつけば磁性体 くっつかなければ非磁性体です また強磁性体の材料には 一旦磁化させると磁界が無くなっても磁性を保ち続ける硬磁性と 外部磁界が無くなると磁性も失ってしまう軟磁性とがあります 硬磁性ではフェライトなどの永久磁石材料 軟磁性では軟鉄やパーマロイがその代表的なものです 軟磁性体は トランスの磁心や磁気ヨーク 磁気シールド等に使われます 磁力線磁界は 大きさと方向を持つベクトル場です この方向成分を仮想的な線で表したものが磁力線です 磁力線は 磁石 N 極から出てS 極へ戻るように表し 決して交わることはありません この磁力線の間隔が狭くなると磁力が強いことを示します ある点における磁力の方向は その点にコンパス等を置くことで目視で確認ができます また磁石周囲に砂鉄などをばらまく事によっても おおよその方向性を含めた磁界の様子が確認できます 磁束密度磁界の方向成分を仮想的に表したものを磁力線と呼び その集まりを磁束と言います 単位面積当たりの磁束を磁束密度といい 磁界のある点の磁力 ( これもベクトル量 ; 強さだけではなく方向も持つ ) を表すときに使います 磁束密度 Bの単位は SI 単位系ではテスラ [T] cgs 単位系ではガウス [G] を使います ヒステリシス曲線ある材料に対し 外部磁界 (H) と材料の磁化 (J) 磁束密度(B) の関係を表した曲線をヒステリシス曲線 ( 磁化曲線 ) と言います ヒステリシス曲線には材料の磁化と磁界の関係を示す曲線と 磁束密度と磁界の関係を示す曲線とがあります ヒステリシス曲線のグラフにおいて 第 2 象限のみは特に減磁曲線 (B-H 曲線 ) とよばれ 磁石の材料特性を表す代表的な曲線です 磁束密度は磁石の磁化に外部磁界を加えたトータルの値であり 以下の式で表されます B=μ0H+J ここでBは磁束密度 Hは磁界 Jは磁化 μ0は真空の透磁率です 最大エネルギー積磁石の強さを表すパラメータの一つ 減磁曲線 ( ヒステリシス曲線の第 2 象限 ) において B-H 曲線上 の動作点と原点を対角とする四角形の面積 (B H) をエネルギー積と言い その最大値を最大エネルギー積と言います 残留磁束密度ある材料に これ以上磁化しない という磁界をかけた ( 飽和磁化 ) 後 磁界を 0に戻しても その材料が保っている磁束密度を残留磁束密度と言います 残留磁束密度 (Br) は材料に依存し 材料固有の磁力の強さを計るパラメータの一つです 形状によらないため シミュレーション等で使用されます 83

87 用語説明 表面磁束密度ある磁石の極表面における磁束密度を言います しかし 表面 とは言っても測定用センサの厚みもあることから 実際には表面からわずかに離れたところの値になります 磁石形状により値が変わることや測定箇所が限定できないため 普通はシミュレーション等では使用しません 実験などで磁石同士を比較する場合には有効になります 保磁力ある材料を一旦飽和磁界をかけて磁化させた後 着磁方向と反対磁界を印加して磁力が 0になったときの外部磁力を保磁力と言います 保磁力を磁界で表した場合はHcj( またはjHc) 磁束密度では Hcb ( またはbHc) で表します 保磁力は文字通り 磁力を保てる強さを意味し 残留磁束密度と合わせ材料の特性を表す重要なパラメータです 残留磁束密度が大きくても保磁力が小さい材料は 形状や温度に対する依存性が強く使い勝手が良いとは言えません パーミアンス係数磁石の挙動を決めるパラメータで 形状に依存します 磁石は内部にも磁場がありますが 同時に必ず反対方向の磁場 ( 反磁場 ) も発生します 反磁場は磁石を弱める要素で 形状に依存します パーミアンス係数とは この反磁場に対する磁束密度で定義されています 一般的には着磁方向の距離 ( 厚さ ) が極の表面積に比較して 小さくなるほど反磁場が大きくなり パーミアンス係数は小さく 磁力も弱くなります パーミアンス係数を B-H 曲線に合わせて表示したものをパーミアンス直線と言い 磁石の挙動を知る手がかりとなります パーミアンス係数が小さくなると パーミアンス直線の傾きが小さくなり B-H 曲線の特性変曲点に接近するため 温度特性への影響が大きくなります 詳細は 磁石メーカにお問い合せください キュリー温度温度上昇により結晶構造が変わってしまい磁石が完全に磁力を無くしてしまう時の温度を キュリー温度と呼びます 一旦キュリー温度に達した磁石は 常温に戻しても磁力は回復しません 主な材料のキュリー温度と使用可能 ( 復帰可能 ) 温度の目安を示します 磁石の材 ル フ ジ リウ ル リー温度 用可能温度 SI 磁束 ウ ー ウ ル 磁束密度 T ウ 1T10 4 磁 の ン ー ル Am ル ッ O 1Am410 3 O 磁 μ ンリー ー ル m 84

88 参考資料 ホールICを用いたスイッチの設計について 1. スイッチの設計で注意すべきこと図 1は実際に5mm 角で厚さが3mmの直方体磁石の磁極面からの距離 dと磁束密度 Bの関係を計算し プロットしたものです 材質はフェライトを想定し 残留磁束密度 Brは300[] です 磁極付近で磁束密度は大幅に減少し そのままだらだらと減少しているのがわかります この大幅に減少している領域でホールIC をON/OFF するのが好ましい設計で 磁束密度の変化量が小さくなっているところにしきい値をおくのはお勧めできません 理由は 2つあります ホールICの感度のばらつきと感度の温度特性通常のホールIC の場合 BopもBrp もある幅をもっています 仮に Bopが15 のホールIC と22のホール ICがあり Bopが ± 1 変化する場合 図 1のように 1と2のホール ICの動作する位置のばらつきは 1の方が小さくなります これは温度特性によって Bop Brpが変化する場合も同じです 磁石の特性のばらつき磁石もそのロットにより磁束密度が異なっていることがあります 例えば上の例の 2のホールICで 発生する磁束密度が 20% 低い磁石があった場合 動作位置は 1.0mm も遠くなってしまいますが 1の場合は0.6mm におさまることがわかります また センサ位置についても注意しなければなりません これまで述べてきた BopやBrp はホールICの感磁面である半導体薄膜表面での値であり ホール ICパッケージ表面の値ではありません 弊社のホール ICのパッケージ表面から感磁面までの距離は おおよそ以下の表を参考にしてください なお ホール IC のマーキングのない面から磁石を近付けるときは距離が変わりますので注意が必要です ( 注意 1) ホールICの感度ばらつきについてホールICには感度 ( 動作感度 ) のばらつきがあります 設計に際しては このばらつきを吸収または無視できるようにするのが良い方法です 一例として片極検知タイプの高感度ホール ICであるEW-750B で考えてみます EW-750B の磁気特性を表 1に示します 意味合いとしては 図 2に示すようになります 85

89 つまり EW-750B には 出力が H L 変化するのに最大で 10 の磁束密度が必要なものがあり L H 変化するのには最小で 2.5 まで磁束密度が減少しなければならないものがあるということです ホール IC を用いた製品が不具合を発生しないために は 磁石が近づいたときは 10 以上 遠ざかったときは 2.5 以下になるような磁石を選定しなければなりません ( 注意 2) ホールICの温度特性についてホールICには他の半導体と同様に温度特性があります 一例として図 3に片極検知タイプのホールIC であるEW-750B の温度特性を示します 測定素子数は3 素子です 一般的には感度が悪いホールICを考慮し 強い磁石を利用することになります 交番検知タイプでは問題になりませんが 片極検知タイプの場合 磁石の移動量が小さいと磁束密度が Brpの値まで減少せず ホール ICが OFFしないことがあるので注意しなければなりません この他に 先述した素子感度のばらつきを考慮しなければならないのは言うまでもありません 2. スイッチの設計例スイッチとしてホール ICを用いる場合に一般的に用いられる機構の例を図 4に示します タイプ AはホールIC のパッケージ表面に対して磁石の移動方向が垂直の場合です 一方 タイプ BはホールIC のパッケージ表面に対し 磁石の移動方向が水平方向の場合です 86

90 参考資料 ここでは タイプ A タイプ Bのそれぞれにおいて ホール ICにEW-750B を用いた場合の 磁石とホール ICの配置例を示します この例での磁石は 汎用品である以下の 2 種類で計算を行っています ( 希土類ネオジム系磁石 :5mm 5mm t1mm,br=1300 フェライト系磁石 :25mm 15mm t10mm,br=300) 磁石の NSの極 ( 着磁方向 ) は厚さ方向 ( ホールICのパッケージ表面に垂直方向 ) です ( 汎用磁石のサイズは他にも多種類あります ) 表 2 に EW-750B の磁気特性を示します 以下の計算は 初期位置で磁石の中心とホール IC のセンサ部分の中心が一致した場合のものです ( タイプA) 図 5に2 種類の直方体磁石の磁極面からの距離 dと磁束密度 Bの関係を計算したものを示します 87

91 この結果より 上記 2 種類の磁石とホール IC(EW-750B) の配置を表 3 のようにすればよいことがわかります ( タイプB) 図 6にホールIC のパッケージ表面から磁石表面までの距離を 5mmとして 2 種類の直方体磁石がホールIC のパッケージ表面に対して水平に移動したときの 移動距離 dと磁束密度 Bの関係を計算したものを示します この結果より 上記 2 種類の磁石とホール IC(EW-750B) の配置を表 4 のようにすればよいことがわかります 注 : これらの結果はすべて周囲温度が 25 でのものであり 広い温度範囲で用いる場合は 磁石とホール IC の温度特性を考慮す る必要があります 88

92 MEMO 89

93 お問合わせは 旭化成エレクトロニクス株式会社 東日本エリア 営業第一部 東京都千代田区神田神保町一丁目105番地 神保町三井ビルディング TEL FAX 西日本エリア 営業第二部大阪 大阪市北区中之島3丁目3番23号 中之島ダイビル TEL FAX 中部日本エリア 営業第二部名古屋 愛知県名古屋市中区金山一丁目12番14号 金山総合ビル7階 TEL FAX ASAHI KASEI MICRODEICES CORPORATION Headquarters Kanda Jinbocho, Chiyoda-ku, Tokyo , Japan Phone FAX West Japan (Sales Dept.2) 3-23 Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka , Japan Phone FAX Central Japan (Sales Dept.2) Kanayama 1-chome, Naka-ku, Nagoya, Aichi , Japan Phone FAX ホームページ URL ISO9001 JQA-0899 ISO14001 ISO14001 JQA-EM0561 JQA-EM0302 Nobeoka FAB1 FAB2 第1版 Fuji FAB3 2005年12月 第11版 2015年 ４ 月

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