BD9778F, BD9778HFP, BD9001F, BD9781HFP : パワーマネジメントLSI
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- ひさとも しろみず
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1 chip FET MOSFET BD98F, BD98HFP, BD9F, BD98HFP No.JBT POWER MOS FET VV, V8V, 9 BD98HFP VVBD98F/HFP, BD98HFPV8VBD9F Pch POWER MOS FET % BD98F/HFP, BD98HFP 9BD9F % ON 8μATyp.BD98F/HFP, BD98HFPμATyp.BD9F 9 khzbd9fkhzbd98f/hfp,bd98hfp ) BD98HFP ) mstyp. ) ) ) HRPBD98HFP, BD98HFP SOP8BD98F, BD9F TVDVD ETCAA BD98F/HFP A VV khz SOP8 / HRP BD9F A V8V khz 9 SOP8 BD98HFP A VV khz HRP ROHM Co., Ltd. All rights reserved. /
2 BD98F, BD98HFP, BD9F, BD98HFP (Ta=) Parameter Symbol Limits Unit BD98F/HFP,BD98HFP BD9F V V V BD98F/HFP,BD9F I BD98HFP A EN/SYNC,EN VEN/SYNC,VEN,, V,V,V V HRP Pd SOP8.9. W BD98F/HFP,BD98HFP Topr BD9F 9 Tstg Tjmax Pd Ta=mW/.mm..mm mm Ta=.mW/.mm Parameter ON Duty BD98F/HFP 8 BD9F 8 8 BD98HFP 98 Unit V A % khz k Parameter BD98F/HFP BD9F 8 BD98HFP BD98F/HFPTa=,=.V,VEN=V Parameter Symbol Limits Min. Typ. Max. Unit Condition ISTB μa VEN=V, Ta=ºC IQ. ma IO=A POWER MOS FET ON RON..9 Ω I=mA IOLIMIT A IOLEAK μa =V,VEN=V VREF.98.. V V=V, Ta=ºC VREF.9.. V V=V ΔVREF. % =V IB μa V=.V VH.. V V=.V VL.. V V=.V ISINK... ma V=.V,V=.V ISOURCE μa V=.V,V=.V TSS ms FOSC 8 khz =9kΩ ΔFOSC % =V VEN.8.. V IEN μa VEN=V ROHM Co., Ltd. All rights reserved. /
3 BD98F, BD98HFP, BD9F, BD98HFP BD9FTa=9, =.V, VEN=V Parameter Symbol Limits Min. Typ. Max. Unit Condition ISTB μa VEN=V,Ta= IQ. ma IO=A POWER MOS FET ON RON..9 Ω I=mA IOLIMIT A IOLEAK μa =8V,VEN=V VREF.98.. V V=V,Ta= VREF.9.. V V=V ΔVREF. % =8V IB μa V=.V VH.. V V=.V VL.. V V=.V ISINK... ma V=.V,V=.V ISOURCE μa V=.V,V=.V TSS ms FOSC ΔFOSC 8 khz % =9kΩ =8V VEN.8.. V IEN μa VEN=V BD98HFPTa=,=.V,VEN/SYNC=V Parameter Symbol Limits Min. Typ. Max. Unit Condition ISTB μa VEN/SYNC=V, Ta=ºC IQ 8 ma IO=A POWER MOS FET ON RON..9 Ω I=mA IOLIMIT 8 A IOLEAK μa =V,VEN/SYNC=V VREF.98.. V V=V,Ta= VREF.9.. V V=V ΔVREF. % =V IB μa V=.V VH.. V V=.V VL.. V V=.V ISINK... ma V=.V,V=.V ISOURCE μa V=.V,V=.V TSS ms FOSC 8 khz =9kΩ ΔFOSC % =V / VEN/SYNC.8.. V IEN/SYNC 9 μa VEN/SYNC=V FSYNC khz FEN/SYNC=kHz ROHM Co., Ltd. All rights reserved. /
4 BD98F, BD98HFP, BD9F, BD98HFP REFERENCE LTAGE : V REF[V] AMBIENT TEMPERATURE : Ta[] OSCILATING FREQUENCY : fosc[khz] AMBIENT TEMPERATURE : Ta[] Fig. () Fig. () Fig. (BD98HFP) 9kΩ 9kΩ 9kΩ 9kΩ STANDBY CURRENT : ISTB[μA] 9 8 VCC=V Istb=.μA INPUT LTAGE : [V] STANDBY CURRENT : ISTB[μA] 9 8 VCC=V Istb=.μA INPUT LTAGE : [V] STANDBY CURRENT : ISTB[μA] INPUT LTAGE : [V] CIRCUIT CURRENT : ICC[mA] INPUT LTAGE : [V] Fig. (BD98F/HFP) Fig. (BD9F) Fig. (BD98HFP).8. CIRCUIT CURRENT : ICC[mA] CIRCUIT CURRENT : ICC[mA] FET ON RESISTANCE : RON[Ω] Ta= Ta= Ta= INPUT LTAGE : V IN[V] INPUT LTAGE : V IN[V] Fig. (BD98F/HFP) Fig.8 (BD9F) Fig.9 ON =V (BD98HFP) FET ON RESISTANCE : RON[Ω] Ta= Ta= Ta= FET ON RESISTANCE : RON[Ω] Ta= Ta= Ta= FET ON RESISTANCE : RON[Ω] Ta= Ta= Ta= Fig. ON =V (BD98HFP) Fig. ON =.V (BD98HFP) Fig. ON =V (BD98F/HFP) ROHM Co., Ltd. All rights reserved. /
5 BD98F, BD98HFP, BD9F, BD98HFP FET ON RESISTANCE : RON[Ω] Ta= Ta= Ta= Fig. ON =V (BD98F/HFP) FET ON RESISTANCE : RON[Ω] Ta=. Ta=. Ta= Fig. ON =.V (BD98F/HFP) FET ON RESISTANCE : RON[Ω] Ta= Ta= Ta=... Fig. ON =V (BD9F) FET ON RESISTANCE : RON[Ω] Ta= Ta= Ta=... Fig. ON =.V (BD9F) CONVERSION EFFICIENCY [%] 9 8.V V.V Fig. IO vs (=V,f=kHz) (BD98HFP) CONVERSION EFFICIENCY [%] 9 8 V.V.V.V.... Fig.8 IO vs (=V,f=kHz) (BD98F/HFP) CONVERSION EFFICIENCY [%] Fig.9 IO vs (=V,f=kHz) (BD9F) OUTPUT LATAGE : [V] Ta= Ta= Ta= Fig. (=V,Vo=V,f=kHz) (BD98HFP) OUTPUT LATAGE : V O[V] Ta= Ta= Ta= Fig. (=V,Vo=V,f=kHz) (BD98F/HFP) OUTPUT LATAGE : V O[V] Ta= Ta= Ta= Fig. (=V,Vo=V,f=kHz) (BD9F) ROHM Co., Ltd. All rights reserved. /
6 BD98F, BD98HFP, BD9F, BD98HFP BD98F BD98HFP P 8 EN ON/OFF L:OFF H:ON EN ON/OFF L:OFF H:ON μf μf μf μf SOFT STA Vref SOFT STA Vref k ERROR AMP PWM COMPARATOR k ERROR AMP PWM COMPARATOR k k Vref RESET LATCH DRIVER μh k k Vref RESET LATCH DRIVER μh EN P pf OSC TSD μf pf OSC TSD μf CURRENT LIMIT CURRENT LIMIT EN.μF 9k.μF 9k Fig. Fig. 8 EN P FIN EN BD9F BD98HFP μf μf 8 EN ON/OFF L:OFF H:ON EN/ SYNC ON/OFF L:OFF H:ON μf μf SOFT STA Vref SOFT STA Vref SYNC k ERROR AMP PWM COMPARATOR k ERROR AMP PWM COMPARATOR EN k k pf Vref OSC RESET LATCH DRIVER TSD μh μf k k pf Vref OSC RESET LATCH DRIVER TSD μh μf N.C. CURRENT LIMIT EN/SYNC CURRENT LIMIT.μF 9k.μF 9k Fig. Fig. 8 N.C. EN FIN EN/SYNC ROHM Co., Ltd. All rights reserved. /
7 BD98F, BD98HFP, BD9F, BD98HFP ERROR AMP V typ. IC P. SOFT STA ERROR AMP msectyp. ON/OFF EN.8V BD98HFPEN/SYNC % PWM COMPARATOR % OSCOscillator PWM Comparator TSDThermal Shut Down) ICOFF IC CURRENT LIMIT POWER Pch MOS FETONONIC OFF BD98HFP8ATyp. BD9F,BD98F/HFPATyp. OFFRESET ROHM Co., Ltd. All rights reserved. /
8 BD98F, BD98HFP, BD9F, BD98HFP BD98HFP OSC EN/SYNC Fig. IO OSC Fig.8 BD98HFP EN/SYNC BD98HFP% %9% FSYNC OSC Fig.9 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 8/
9 BD98F, BD98HFP, BD9F, BD98HFP ESR L C Cin Di CO ESR Co CT EN CC RC R Fig. =Max.= IOMax.=f=. =R/R RR RkΩ RR =VR=k =R/kΩ R=kΩ.L =.VVo=VIo=Af=kHz L=././k/. =.8μHμ L= / fδio ΔIO: ΔIOIO% L=μH.CO ESR ΔIL=/Lf ΔVpp=ΔILΔILVoCo ΔIL CMax=.m(ILimitIo(Max)) Vo ILimit:A(BD98F/HFPBD9F)A(BD98HFP) =.VVo=VL=μHf=kHz ΔIL=(.)/(.) ILimit:AIo(Max)=AVo=V CMax=.m()/ =μ ΔIL= CMax=μF ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 9/
10 BD98F, BD98HFP, BD9F, BD98HFP.. CIN C CINμF CESR IRMS (max.)=v IO=(max.)A A V =.V=VIO=A IRMS=.. =.8 IRMS=IO (Vin)/ Vin IRMS=.8A. Fig....μF 8.RC,CC C BD98HFP EN CT R Cx C 8 Cin L 8 Cin CT RRRR RRL CT Co L O A D R R Cx Fig. ROHM Co., Ltd. All rights reserved. /
11 BD98F, BD98HFP, BD9F, BD98HFP L Di Cin C C Cin R Cx CT Di CT Cx Cx R R Co C Cx R R L Co R C Fig. BD9F Fig. BD98HFP OSCILATING FREQUENCY : fosc[khz] 8 OSCILATING FREQUENCY SETTING RESISTANCE : [kω] Fig. vs fosc (BD98HFP/BD98F/HFP) OSCILATING FREQUENCY : fosc[khz] 8 OSCILATING FREQUENCY SETTING RESISTANCE : [kω] Fig. vs fosc BD9F DC/DCGBW db / db GBW/ GBW LC8 GBWGBW R (a) A db/decade Gain [db] A (a)fa = GBW(b) C Phase [ ] f f (b)fb = GBW = [Hz] RCA [Hz] RC DC/DC R ROHM Co., Ltd. All rights reserved. /
12 BD98F, BD98HFP, BD9F, BD98HFP ESRΩ DC/DC LC8 ESR9 9 LC ESR VCC VCC L L C ( ) RESR C fr = [Hz] LC 8 fr = [Hz] LC fesr = [Hz] RESRC 9 ESR C R C C R A R R C R A R fz = CR [Hz] fz = CR [Hz] LCLC ESROS ESRmΩ LC8 R R C A C fz = RC fz = RC [Hz] [Hz] R LC fr = LC [Hz] LCLC RC fzlcfrrcfzlcfr ROHM Co., Ltd. All rights reserved. /
13 BD98F, BD98HFP, BD9F, BD98HFP <> DC/DC DC/DCFRA DC/DC Vm RL <> VmmVpp t.ta.tj Tj ICTC Tj=TCjcW jc : HRP /W SOP8./W IC Vo W=RonIo ICCTrIof Ron : ICON, Io : Vo : : ICC :, Tr : nsec f : Ta Tj=TajaW ja : HRP 89./WIC./Wmm./Wmm.mm..mm SOP8./WIC 8.8/W.mm RonIo Tr Io T =TrIof ROHM Co., Ltd. All rights reserved. /
14 BD98F, BD98HFP, BD9F, BD98HFP BD98HFP BD98F/HFP, BD9F VREF BD98F/HFP, BD98HFP VREF kω kω kω kω kω ENBD98F/HFP, BD9F BD9F VREF VREF EN/SYNCBD98HFP VREGA EN kω kω kω kω EN/SYNC kω kω kω kω kω 9 kω Fig. μ. ICICFig.P()P PNPN >A,>BPN B>APN IC (P) ( A) ( B) C (NPN) B E ( A) N P P N P P N N N P P P N P N ( B) B C E Fig. IC ROHM Co., Ltd. All rights reserved. /
15 BD98F, BD98HFP, BD9F, BD98HFP 8 9 Vcc Fig.8 Ω PD[W] 9 8 HRP.W.W.W.W IC :.mm :..mm : mm : mm : mm PD[W] SOP BD9F BD98F Fig.9 Fig. ROHM Co., Ltd. All rights reserved. /
16 BD98F, BD98HFP, BD9F, BD98HFP B D 9 8 H F P T R 98 V/ A 98 V/ A 9 V/ A F SOP8 HF P HRP E (SOP8) TR (HRP) SOP8 HRP ROHM Co., Ltd. All rights reserved. /
17 Datasheet ご注意 ローム製品取扱い上の注意事項. 極めて高度な信頼性が要求され その故障や誤動作が人の生命 身体への危険もしくは損害 又はその他の重大な損害の発生に関わるような機器又は装置 ( 医療機器 (Note ) 航空宇宙機器 原子力制御装置等 )( 以下 特定用途 という ) への本製品のご使用を検討される際は事前にローム営業窓口までご相談くださいますようお願い致します ロームの文書による事前の承諾を得ることなく 特定用途に本製品を使用したことによりお客様又は第三者に生じた損害等に関し ロームは一切その責任を負いません (Note ) 特定用途となる医療機器分類日本 USA EU 中国 CLASSⅢ CLASSⅡb CLASSⅢ Ⅲ 類 CLASSⅣ CLASSⅢ. 半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります 万が一 誤動作や故障が生じた場合であっても 本製品の不具合により 人の生命 身体 財産への危険又は損害が生じないように お客様の責任において次の例に示すようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します 保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する 冗長回路等を設けて単一故障では危険が生じないようにシステムとしての安全を確保する. 本製品は 下記に例示するような特殊環境での使用を配慮した設計はなされておりません したがいまして 下記のような特殊環境での本製品のご使用に関し ロームは一切その責任を負いません 本製品を下記のような特殊環境でご使用される際は お客様におかれまして十分に性能 信頼性等をご確認ください 水 油 薬液 有機溶剤等の液体中でのご使用 直射日光 屋外暴露 塵埃中でのご使用 潮風 Cl H S NH SO NO 等の腐食性ガスの多い場所でのご使用 静電気や電磁波の強い環境でのご使用 発熱部品に近接した取付け及び当製品に近接してビニール配線等 可燃物を配置する場合 本製品を樹脂等で封止 コーティングしてのご使用 はんだ付けの後に洗浄を行わない場合 ( 無洗浄タイプのフラックスを使用された場合も 残渣の洗浄は確実に行うことをお薦め致します ) 又ははんだ付け後のフラックス洗浄に水又は水溶性洗浄剤をご使用の場合 8 結露するような場所でのご使用. 本製品は耐放射線設計はなされておりません. 本製品単体品の評価では予測できない症状 事態を確認するためにも 本製品のご使用にあたってはお客様製品に実装された状態での評価及び確認をお願い致します. パルス等の過渡的な負荷 ( 短時間での大きな負荷 ) が加わる場合は お客様製品に本製品を実装した状態で必ずその評価及び確認の実施をお願い致します また 定常時での負荷条件において定格電力以上の負荷を印加されますと 本製品の性能又は信頼性が損なわれるおそれがあるため必ず定格電力以下でご使用ください. 電力損失は周囲温度に合わせてディレーティングしてください また 密閉された環境下でご使用の場合は 必ず温度測定を行い 最高接合部温度を超えていない範囲であることをご確認ください 8. 使用温度は納入仕様書に記載の温度範囲内であることをご確認ください 9. 本資料の記載内容を逸脱して本製品をご使用されたことによって生じた不具合 故障及び事故に関し ロームは一切その責任を負いません 実装及び基板設計上の注意事項. ハロゲン系 ( 塩素系 臭素系等 ) の活性度の高いフラックスを使用する場合 フラックスの残渣により本製品の性能又は信頼性への影響が考えられますので 事前にお客様にてご確認ください. はんだ付けは 表面実装製品の場合リフロー方式 挿入実装製品の場合フロー方式を原則とさせて頂きます なお 表面実装製品をフロー方式での使用をご検討の際は別途ロームまでお問い合わせください その他 詳細な実装条件及び手はんだによる実装 基板設計上の注意事項につきましては別途 ロームの実装仕様書をご確認ください NoticePAAJ ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Rev.
18 Datasheet 応用回路 外付け回路等に関する注意事項. 本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず 過渡特性も含め外付け部品及び本製品のバラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください. 本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は 本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので 実際に使用する機器での動作を保証するものではありません したがいまして お客様の機器の設計において 回路やその定数及びこれらに関連する情報を使用する場合には 外部諸条件を考慮し お客様の判断と責任において行ってください これらの使用に起因しお客様又は第三者に生じた損害に関し ロームは一切その責任を負いません 静電気に対する注意事項本製品は静電気に対して敏感な製品であり 静電放電等により破壊することがあります 取り扱い時や工程での実装時 保管時において静電気対策を実施のうえ 絶対最大定格以上の過電圧等が印加されないようにご使用ください 特に乾燥環境下では静電気が発生しやすくなるため 十分な静電対策を実施ください ( 人体及び設備のアース 帯電物からの隔離 イオナイザの設置 摩擦防止 温湿度管理 はんだごてのこて先のアース等 ) 保管 運搬上の注意事項. 本製品を下記の環境又は条件で保管されますと性能劣化やはんだ付け性等の性能に影響を与えるおそれがありますのでこのような環境及び条件での保管は避けてください 潮風 Cl HS NH SO NO 等の腐食性ガスの多い場所での保管 推奨温度 湿度以外での保管 直射日光や結露する場所での保管 強い静電気が発生している場所での保管. ロームの推奨保管条件下におきましても 推奨保管期限を経過した製品は はんだ付け性に影響を与える可能性があります 推奨保管期限を経過した製品は はんだ付け性を確認したうえでご使用頂くことを推奨します. 本製品の運搬 保管の際は梱包箱を正しい向き ( 梱包箱に表示されている天面方向 ) で取り扱いください 天面方向が遵守されずに梱包箱を落下させた場合 製品端子に過度なストレスが印加され 端子曲がり等の不具合が発生する危険があります. 防湿梱包を開封した後は 規定時間内にご使用ください 規定時間を経過した場合はベーク処置を行ったうえでご使用ください 製品ラベルに関する注意事項本製品に貼付されている製品ラベルに QR コードが印字されていますが QR コードはロームの社内管理のみを目的としたものです 製品廃棄上の注意事項本製品を廃棄する際は 専門の産業廃棄物処理業者にて 適切な処置をしてください 外国為替及び外国貿易法に関する注意事項本製品は 外国為替及び外国貿易法に定めるリスト規制貨物等に該当するおそれがありますので 輸出する場合には ロームへお問い合わせください 知的財産権に関する注意事項. 本資料に記載された本製品に関する応用回路例 情報及び諸データは あくまでも一例を示すものであり これらに関する第三者の知的財産権及びその他の権利について権利侵害がないことを保証するものではありません. ロームは 本製品とその他の外部素子 外部回路あるいは外部装置等 ( ソフトウェア含む ) との組み合わせに起因して生じた紛争に関して 何ら義務を負うものではありません. ロームは 本製品又は本資料に記載された情報について ロームもしくは第三者が所有又は管理している知的財産権その他の権利の実施又は利用を 明示的にも黙示的にも お客様に許諾するものではありません ただし 本製品を通常の用法にて使用される限りにおいて ロームが所有又は管理する知的財産権を利用されることを妨げません その他の注意事項. 本資料の全部又は一部をロームの文書による事前の承諾を得ることなく転載又は複製することを固くお断り致します. 本製品をロームの文書による事前の承諾を得ることなく 分解 改造 改変 複製等しないでください. 本製品又は本資料に記載された技術情報を 大量破壊兵器の開発等の目的 軍事利用 あるいはその他軍事用途目的で使用しないでください. 本資料に記載されている社名及び製品名等の固有名詞は ローム ローム関係会社もしくは第三者の商標又は登録商標です NoticePAAJ ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Rev.
19 Datasheet 一般的な注意事項. 本製品をご使用になる前に 本資料をよく読み その内容を十分に理解されるようお願い致します 本資料に記載される注意事項に反して本製品をご使用されたことによって生じた不具合 故障及び事故に関し ロームは一切その責任を負いませんのでご注意願います. 本資料に記載の内容は 本資料発行時点のものであり 予告なく変更することがあります 本製品のご購入及びご使用に際しては 事前にローム営業窓口で最新の情報をご確認ください. ロームは本資料に記載されている情報は誤りがないことを保証するものではありません 万が一 本資料に記載された情報の誤りによりお客様又は第三者に損害が生じた場合においても ロームは一切その責任を負いません Notice WE ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Rev.
BA9743AFV, BA9744FV, BA9741F, BA9741FS : パワーマネジメント
BA9743AFV, BA9744FV, BA9741F/FS No.13028JCT10 1/16 2013.03 - Rev. C 2/16 2013.03 -Rev. C 3/16 2013.03 -Rev. C 4/16 2013.03 -Rev. C 5/16 2013.03 -Rev. C 6/16 2013.03 -Rev. C BA9743AFV, BA9744FV, BA9741F/FS
UDZVTE-177.5B : ツェナーダイオード
UDZV7.5B ツェナーダイオード P D 200 mw 外形図 Data sheet 特長高信頼性 小型モールド 内部回路図 用途 包装仕様 定電圧制御用 包装形態 Embossed Tape リールサイズ (mm) 180 テープ幅 (mm) 8 構造基本発注単位 ( 個 ) 3000 シリコンエピタキシャルプレーナ型 テーピングコード TE-17 標印 H2 絶対最大定格 (T a = 25
BD00KA5W_Application Information : パワーマネジメント
Linear Regulator Application Information IC Product Name Topology P LDO Linear Regulator Type Voltage source Input Output 1 2.3V to 5.5V 1.0V, 500mA *1 2 2.3V to 5.5V 1.2V, 500mA *1 3 2.3V to 5.5V 1.8V,
TFZVTR30B: ダイオード
TFZV30B ツェナーダイオード P D 500 mw 外形図 Data sheet 特長高信頼性 小型モールド 内部回路図 用途 包装仕様 定電圧制御用 包装形態 Embossed Tape リールサイズ (mm) 180 テープ幅 (mm) 8 構造基本発注単位 ( 個 ) 3000 シリコンエピタキシャルプレーナ型 テーピングコード TR 標印 BS 絶対最大定格 (T a = 25 ) Parameter
KDZVTFTR5.6B : ツェナーダイオード
KDZVTF5.6B ツェナーダイオード (AEC-Q101 準拠 ) Data sheet P D 1000 mw 外形図 特長高信頼性 小型パワーモールド 内部回路図 用途 包装仕様 定電圧制御用 包装形態 Embossed Tape リールサイズ (mm) 180 テープ幅 (mm) 8 構造包装数量 ( 個 ) 3000 シリコンエピタキシャルプレーナ型 テーピングコード TR 標印 MB
KDZTR6.8B : ダイオード
KDZ6.8B ツェナーダイオード Data sheet 外形図 P D 1000 mw PMDU SOD-123 SC-109B 特長高信頼性 小型パワーモールド 内部回路図 用途 包装仕様 定電圧制御用 包装形態 Embossed Tape リールサイズ (mm) 180 テープ幅 (mm) 8 構造基本発注単位 ( 個 ) 3000 シリコンエピタキシャルプレーナ型 テーピングコード TR 標印
2SCR372PT100Q : トランジスタ
2SCR372P ミドルパワードライバ (120V/700mA) Datasheet l 特長 項目 V CEO 低 V CE(sat) である 規定値 120V I C 0.7A V CE(sat) =300mV(Max.) (I C /I B =500mA/50mA) l 用途 低周波増幅 l 包装仕様 形名パッケージパッケージサイズテーピングコード 2SCR372P SOT-89 (MPT3)
2SAR586JFRGTLL : PNP -5.0A -80V Power Transistor
2SAR586J FRG PNP -5.0A -80V パワートランジスタ Datasheet 項目 規定値 l 外形図 TO-263AB V CEO -80V I C -5A LPTL l 特長 1) パワードライバに最適 2) コンプリメンタリ :2SCR586J FRG 3) V CE(sat) が低い V CE(sat) =-320mV(Max.).(I C /I B =-2A/-100mA)
SST4403 : トランジスタ
SST4403 PNP 中電力増幅 ( スイッチング用 ) Datasheet 項目 規定値 l 外形図 SOT-23 V CEO -40V I C -600mA SST3 l 特長 l 内部回路図 1)BV CEO =-40V(Min.) ; at I C =-1mA 2)SST4401 とコンプリである l 用途 小信号低周波増幅 l 包装仕様 形名 パッケージパッケージサイズ テーピングコード
RR1LAM4S : ダイオード
整流ダイオード RRLAM4S シリーズ 外形寸法図 (Unit : mm) 推奨ランドパターン (Unit : mm) Standard Rectifier 2.50±0.20 0.7± 0.0 0.05 2.0 ().4 用途 一般整流用 3.70±0.20 4.70±0.4 PMDTM 4.4 特長 (2) 回路図 カソード ) 低 V F.50±0.20 0.95±0.0 2) 高電流耐量
RYM002N05 : トランジスタ
RYM002N05 Nch 50V 200mA Small Signal MOSFET Datasheet l 外形図 V DSS 50V SOT-723 R DS(on) (Max.) 2.2Ω SC-105AA I D ±200mA VMT3 P D 150mW l 特長 1) 高速スイッチングスピード 2) 小型パッケージ (VMT3) 3) 超低電圧駆動 (0.9V 駆動 ) l 内部回路図
MCRシリーズ:抵抗器
角型チップ抵抗器 MCR シリーズ 特長 1) 超小型 42 サイズから6432 サイズまで フルラインアップ 2) 信頼性の高いメタルグレーズ系厚膜抵抗体を使用 3) 国際認証規格 ISO91/ISO/TS 16949 品名 (mm) サイズ (inch) 包装仕様記号 包装仕様 基本発注数量 (pcs) 車載対応 (AEC-Q2) MCR4 42 15 QLP 紙テープ (2mm ヒ ッチ )
R8008ANJFRGTL : トランジスタ
R8008ANJ FRG Nch 800V 8A Power MOSFET Datasheet l 外形図 V DSS 800V TO-263S R DS(on) (Max.) 1.03Ω SC-83 I D ±8A LPT(S) P D 195W l 特長 l 内部回路図 1) 低オン抵抗 2) 高速スイッチングスピード 3) 駆動回路が簡単 4) 鉛フリー対応済み RoHS 準拠 5) AEC-Q101
BP35A7仕様書
BP35A7 仕様書 Version 1.3.0 1/15 注意事項 1 本仕様書に記載されている内容は本仕様書発行時点のものであり 予告なく変更することがあります 2 本仕様書に記載されている情報は 正確を期するために慎重に作成したものですが 誤りがないことを保証するものではありません 万一 本仕様書に記載されている情報の誤りに起因する損害がお客様に生じた場合におきましても 当社は 一切その責任を負いません
uPC1093 DS
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
BD9G101G Application note : パワーマネジメント
AEY59-D1-0006 DC/DC Converter Application Information IC Product Name BD9G101G Topology Buck (Step-Down) Switching Regulator Type Non-Isolation Input Output 1 24V to 40V 3.3V, 500mA 2 20V to 30V 6.0V,
2SC458, 2SC2308 データシート
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RD2.0S~RD150S DS
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2SC1213, 2SC1213A データシート
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2SC460, 2SC461 データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com) 年
NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10
端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,
CR02AM-8 データシート <TO-92>
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
Microsoft PowerPoint - m54583fp_j.ppt
M8FP 8-UNIT ma DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY 概要 M8FP は PNP トランジスタと NPN トランジスタで構成された 8 回路のコレクタ電流シンク形のダーリントントランジスタアレイであり 微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回路です ピン接続図 ( 上面図 ) NC IN IN NC 9 O 8 O IN O 特長 高耐圧 (BCEO ) 大電流駆動
2SJ351,2SJ352 データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 21 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
TC4093BP/BF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4093BP, TC4093BF TC4093BP/TC4093BF Quad 2-Input NAND Schmitt Triggers は 全入力端子にシュミットトリガ機能をもった 4 回路の 2 入力 NAND ゲートです すなわち 入力波形の立ち上がり時と立ち下がり時に回路しきい値電圧が異なる ( P N ) のため 通常の NAND
2SK1056,2SK1057,2SK1058 データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 4 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4011BP,TC4011BF,TC4011BFT TC4011BP/TC4011BF/TC4011BFT Quad 2 Input NAND Gate は 2 入力の正論理 NAND ゲートです これらのゲートの出力は すべてインバータによるバッファが付加されているため 入出力特性が改善され 負荷容量の増加による伝達時間の変動が最小限に抑えられます
The DatasheetArchive - Datasheet Search Engine
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4069UBP,TC4069UBF,TC4069UBFT TC4069UBP/TC4069UBF/TC4069UBFT Hex Inverter は 6 回路のインバータです 内部回路はシンプルな 1 段ゲート構成のため 本来のインバータの他に CR 発振回路 / 水晶発振回路 / リニアアンプ等の応用に適しています 1 段ゲート構成のため
Microsoft Word - TC4538BP_BF_J_2002_040917_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC438BP,TC438BF TC438BP/TC438BF Dual Precision Retriggerable/Resettable Monostable Multivibrator は リトリガ動作 リセット動作の可能な単安定マルチバイブレータでトリガは A B 2 つの入力により立ち上がり および立ち下がりのどちらでも行うこともできます
TTB1067B_J_
バイポーラトランジスタシリコン PNP エピタキシャル形 ( ダーリントン接続 ) 1. 用途 マイクロモータドライブ用 ハンマードライブ用 スイッチング用 電力増幅用 2. 特長 (1) 直流電流増幅率が高い : h FE = 2000 ( 最小 ) (V CE = -2 V, I C = -1 A) (2) コレクタエミッタ間飽和電圧が低い :V CE(sat) = -1.5 V ( 最大 )
Microsoft Word - TC4013BP_BF_J_P9_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4013BP,TC4013BF TC4013BP/TC4013BF Dual D-Type Flip Flop は 2 回路の独立な D タイプ フリップフロップです DATA 入力に加えられた入力レベルはクロックパルスの立ち上がりで Q および Q 出力に伝送されます SET 入力を H RESET 入力を L にすると Q 出力は H Q
BD52Exxx-M シリーズ ,BD53Exxx-M シリーズ : パワーマネジメント
Datasheet 車載用リセット IC シリーズ自由遅延時間設定 CMOS リセット IC 概要ロームの自由遅延時間設定 CMOS リセット IC シリーズは CMOS プロセスを採用した高精度 低消費電流の遅延回路内蔵 CMOS RESET IC シリーズです 遅延時間を外付けコンデンサにより設定可能です アプリケーションに合わせて選択いただけるよう Nch オープンドレイン出力の (BD52Exxx-M)
Microsoft Word - TC4017BP_BF_J_P10_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4017BP,TC4017BF TC4017BP/TC4017BF Decade Counter/Divider は ステージの D タイプ フリップフロップより成る 進ジョンソンカウンタで 出力を 進数に変換するためのデコーダを内蔵しています CLOCK あるいは CLOCK INHIBIT 入力に印加されたカウントパルスの数により Q0~Q9
2SJ160,2SJ161,2SJ162 データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
BUxxTD3WG シリーズ : パワーマネジメント
ポータブル機器用 CMOS LDO レギュレータシリーズ汎用型パッケージ Full CMOS LDO レギュレータ BUxxTD3WG シリーズ 概要 BUxxTD3WG シリーズは 汎用型パッケージ SSOP5(2.9mm 2.8mm 1.25mm) に搭載した 2mA 出力の高性能 FULLCMOS レギュレータです 回路電流 35uA と低消費でありながらノイズ特性 負荷応答特性に優れ ロジック
HD74AC00 データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 200 年 4 月 日を以って NC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.rnsas.om)
TRS3E65F_J_
SiC ショットキバリアダイオード 1. 用途 力率改善回路用 太陽光インバータ用 無停電電源用 DC-DCコンバータ用 2. 特長 (1) 2 世代チップデザイン (2) 大電流サージ耐量 : I FSM = 27 A ( 最大 ) (3) 接合容量が小さい : C j = 12 pf ( 標準 ) (4) リーク電流が小さい : I R = 0.2 µa ( 標準 ) 3. 外観と内部回路構成図
S1F77330 シリーズ USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 S1F77330 シリーズは USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用している
USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 は USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用しているため 高密度実装への対応が可能です 本 IC の入力にレベルシフト回路内蔵のため 外付けレベルシフト回路は不要です 特長 入力電圧範囲 :3.0V~3.6V
BHxxM0A シリーズ : パワーマネジメント
ポータブル用 CMOS LDO レギュレータシリーズ 300mA 大電流 CMOS LDO レギュレータ 概要 BHxxM0A シリーズは 300mA 出力の高性能 CMOS LDO です 回路電流 65uA と低消費でありながらノイズ特性に優れ ロジック IC 用電源 RF 用電源 カメラモジュール用電源など様々な用途のアプリケーションに適しています 特長 ±1%(
Microsoft Word - TA79L05_06_08_09_10_12_15_18_20_24F_J_P11_070219_.doc
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA79L05F,TA79L06F,TA79L08F,TA79L09F,TA79L10F, TA79L12F,TA79L15F,TA79L18F,TA79L20F,TA79L24F 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 三端子負出力固定定電圧電源 特長 TTL C 2 MOS の電源に最適です 外付け部品は不要です
TC74HC00AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC00AP,TC74HC00AF Quad 2-Input NAND Gate TC74HC00A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 入力 NAND ゲートです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 内部回路はバッファ付きの 3 段構成であり 高い雑音余裕度と安定な出力が得られます
