CM50MXUB-13T/ CM50MXUBP-13T MXUB MXUBP 用途 CIB (Converter+Inverter+Chopper Brake) インバータ装置, サーボアンプ, 電源装置など オプション PC-TIM 塗布仕様 コレクタ電流 IC... コレクタ エミッタ間電圧 CES... 5 0 A 6 5 0 最大接合温度 T vjmax... 1 7 5 C フラットベース形 銅ベース板 ( ニッケルめっき ) スズめっきピン端子 RoHS 指令準拠 コレクタ電流 IC... コレクタ エミッタ間電圧 CES... 5 0 A 6 5 0 最大接合温度 T vjmax... 1 7 5 C フラットベース形 銅ベース板 ( ニッケルめっき ) スズめっきプレスフィットピン端子 RoHS 指令準拠 UL Recognized under UL1557, File No.E323585 内部接続図 R(1,2) S(3,4) P(28,29) T(5,6) N(30,31) P1() GB(22) N1() GuP(7) B(27) GuN(21) GvP(10) U(8,9) GvN(19) GwP(15) (11,12) GwN(18) NTC TH1(16) TH2(17) W(13,14) E() TERMINAL CODE 1 R 16 TH1 31 N 2 R 17 TH2 3 S 18 GwN 4 S 19 GvN 5 T E 6 T 21 GuN 7 GuP 22 GB 8 U 23 N1 9 U 24 N1 10 GvP 25 P1 11 26 P1 12 27 B 13 W 28 P 14 W 29 P 15 GwP 30 N 18.6 作成 1
外形図 MXUB SECTION A 単位 mm SECTION B Tolerance otherwise specified Division of Dimension Tolerance 0.5 to 3 ±0.2 over 3 to 6 ±0.3 over 6 to 30 ±0.5 over 30 to 1 ±0.8 over 1 to 400 ±1.2 18.6 作成 2
外形図 MXUBP SECTION A 単位 mm SECTION B PCB DRILL HOLE PATTERN Tolerance otherwise specified Division of Dimension Tolerance 0.5 to 3 ±0.2 over 3 to 6 ±0.3 over 6 to 30 ±0.5 over 30 to 1 ±0.8 over 1 to 400 ±1.2 18.6 作成 3
最大定格 ( 指定のない場合,Tvj=25 C) インバータ部 IGBT/FWD 記号項目条件定格値単位 CES コレクタ エミッタ間電圧 G-E 間短絡 650 GES ゲート エミッタ間電圧 C-E 間短絡 ± I C 直流, TC=125 C ( 注 2, 4) 50 コレクタ電流 I CRM パルス, 繰返し ( 注 3) 100 P tot コレクタ損失 TC=25 C ( 注 2,4) 270 W ( 注 1) IE 直流 ( 注 2) 50 エミッタ電流 IERM ( 注 1) パルス, 繰返し ( 注 3) 100 T vjmax 最大接合温度瞬時動作 ( 過負荷等 ) 175 C ブレーキ部 IGBT/DIODE 記号項目条件定格値単位 CES コレクタ エミッタ間電圧 G-E 間短絡 650 GES ゲート エミッタ間電圧 C-E 間短絡 ± I C 直流, TC=125 C ( 注 2, 4) 35 コレクタ電流 I CRM パルス, 繰返し ( 注 3) 70 P tot コレクタ損失 TC=25 C ( 注 2,4) 240 W RRM ピーク繰返し逆電圧 G-E 間短絡 650 IF 直流 ( 注 2) 35 順電流 IFRM パルス, 繰返し ( 注 3) 70 T vjmax 最大接合温度瞬時動作 ( 過負荷等 ) 175 C コンバータ部 DIODE 記号項目条件定格値単位 RRM ピーク繰返し逆電圧 - 800 E a 推奨交流入力電圧実効値 2 I o 直流出力電流三相全波整流,Tc=125 C ( 注 4) 50 A I FSM サージ順電流 I 2 t 電流二乗時間積 1 サイクルサージ順電流 正弦半波 1 サイクル波高値 T vj=25 C 600 f=60hz, 非繰返し T vj=150 C 480 T vj=25 C 1500 T vj=150 C 960 T jmax 最大接合温度瞬時動作 ( 過負荷等 ) 150 C モジュール 記号項目条件定格値単位 isol 絶縁耐電圧全端子 ベース板間, 実効値, f=60 Hz, AC 1 分間 2500 T Cmax 最大ケース温度 ( 注 4) 125 C T vjop 動作接合温度連続動作 -40 ~ +150 T stg 保存温度 - -40 ~ +125 A A A A A A 2 s C 18.6 作成 4
電気的特性 ( 指定のない場合,T vj=25 C) インバータ部 IGBT/FWD 記号項目条件 規格値 最小標準最大 I CES コレクタ エミッタ間遮断電流 CE=CES, G-E 間短絡 - - 1.0 ma I GES ゲート エミッタ間漏れ電流 GE=GES, C-E 間短絡 - - 0.5 μa GE(th) ゲート エミッタ間しきい値電圧 IC=5.0 ma, CE=10 5.4 6.0 6.6 CEsat (Terminal) CEsat (Chip) コレクタ エミッタ間飽和電圧 IC=50 A, T vj=25 C - 1.40 1.85 GE=15, T vj=125 C - 1.55 - 試験回路図参照 ( 注 5) T vj=150 C - 1.60 - IC=50 A, T vj=25 C - 1.30 1.55 GE=15, T vj=125 C - 1.35 - ( 注 5) T vj=150 C - 1.35 - C ies 入力容量 - - 6.7 C oes 出力容量 CE=10, G-E 間短絡 - - 0.3 nf C res 帰還容量 - - 0.1 Q G ゲート電荷量 CC=300, IC=50A, GE=15-0.21 - μc t d(on) ターンオン遅延時間 - - 400 CC=300, IC=50 A, GE=±15, t r 上昇時間 - - 0 t d(off) ターンオフ遅延時間 - - 400 RG=12 Ω, 誘導負荷 t f 下降時間 - - 600 EC ( 注 1) (Terminal) EC ( 注 1) (Chip) t rr エミッタ コレクタ間電圧 IE=50 A, T vj=25 C - 1.50 2.00 G-E 間短絡, T vj=125 C - 1.60 - 試験回路図参照 ( 注 5) T vj=150 C - 1.65 - T vj=25 C - 1.35 1.75 IE=50 A, G-E 間短絡 ( 注 5) T vj=125 C - 1.35 - T vj=150 C - 1.35 - ( 注 1) 逆回復時間 - - 400 ns CC=300, IE=50 A, GE=±15, RG=12 Ω, 誘導負荷 Q rr ( 注 1) 逆回復電荷 - 4.0 - μc E on ターンオンスイッチング損失 CC=300, I C=I E=50 A, - 1.6 - E off ターンオフスイッチング損失 GE=±15, R G=12 Ω, T vj=150 C, - 2.6 - mj E rr ( 注 1) 逆回復損失誘導負荷, 1 パルスあたり - 2.4 - r g 内部ゲート抵抗 1 素子あたり - 0 - Ω ブレーキ部 IGBT/FWD 記号項目条件 規格値 最小標準最大 I CES コレクタ エミッタ間遮断電流 CE=CES, G-E 間短絡 - - 1.0 ma I GES ゲート エミッタ間漏れ電流 GE=GES, C-E 間短絡 - - 0.5 μa GE(th) ゲート エミッタ間しきい値電圧 IC=3.5 ma, CE=10 5.4 6.0 6.6 CEsat (Terminal) CEsat (Chip) コレクタ エミッタ間飽和電圧 IC=35 A, T vj=25 C - 1.35 1.80 GE=15, T vj=125 C - 1.45 - 試験回路図参照 ( 注 5) T vj=150 C - 1.50 - IC=35 A, T vj=25 C - 1.25 1.50 GE=15, T vj=125 C - 1.30 - ( 注 5) T vj=150 C - 1.30 - C ies 入力容量 - - 4.7 C oes 出力容量 CE=10, G-E 間短絡 - - 0.2 nf C res 帰還容量 - - 0.1 Q G ゲート電荷量 CC=300, IC=35 A, GE=15-0.14 - μc t d(on) ターンオン遅延時間 - - 400 CC=300, IC=35 A, GE=±15, t r 上昇時間 - - 0 t d(off) ターンオフ遅延時間 - - 400 RG=18 Ω, 誘導負荷 t f 下降時間 - - 600 単位 ns 単位 ns 18.6 作成 5
電気的特性 ( 続き : 指定のない場合,T vj=25 C) ブレーキ部 IGBT/DIODE 記号項目条件 規格値 最小標準最大 E on ターンオンスイッチング損失 CC=300, I C=35 A, GE=±15, R G=18 Ω, - 0.9 - E off ターンオフスイッチング損失 T vj=150 C, 誘導負荷, 1 パルスあたり - 1.9 - r g 内部ゲート抵抗 1 素子あたり - 0 - Ω I RRM 逆電流 R= RRM, G-E 間短絡 - - 1.0 ma F (Terminal) F (Chip) t rr 順電圧 IF=35 A, T vj=25 C - 1.55 2.10 G-E 間短絡 T vj=125 C - 1.65 - 試験回路図参照 ( 注 5) T vj=150 C - 1.70 - T vj=25 C - 1.45 1.85 IF=35 A, G-E 間短絡 ( 注 5) T vj=125 C - 1.50 - T vj=150 C - 1.50 - ( 注 1) 逆回復時間 CC=300, IF=35 A, GE=±15, - - 400 ns Q rr ( 注 1) 逆回復電荷 R G=15 Ω, 誘導負荷 - 3.0 - μc E rr ( 注 1) 逆回復損失 コンバータ部 IGBT/DIODE CC=300, I F=35 A, GE=±15, R G=18 Ω, T vj=150 C, 誘導負荷, 1 パルスあたり 記号項目条件 単位 mj - 1.8 - mj 規格値 最小標準最大 I RRM 逆電流 R=RRM, Tvj=150 C - - ma F (Terminal) F (Chip) 順電圧 NTC サーミスタ部 IF=50 A 記号項目条件 T vj=25 C - 1. 1.65 T vj=150 C - 1.15 - T vj=25 C - 1.10 1.35 T vj=150 C - 1.05 - 規格値 最小標準最大 R 25 ゼロ負荷抵抗値 TC=25 C ( 注 4) 4.85 5.00 5.15 kω ΔR/R 抵抗値許容差 R100=493 Ω, TC=100 C ( 注 4) -7.3 - +7.8 % B (25/50) B 定数計算式による値 ( 注 6) - 3375 - K P 25 電力損失 TC=25 C ( 注 4) - - 10 mw 単位 単位 熱的特性記号 項目 条件 規格値最小標準最大 R th(j-c)q 接合 ケース間, インバータ IGBT, 1 素子あたり ( 注 4) - - 554 熱抵抗 R th(j-c)d 接合 ケース間, インバータ FWD, 1 素子あたり ( 注 4) - - 7 R th(j- c)q 接合 ケース間, ブレーキ IGBT ( 注 4) - - 625 R th(j-c)d 熱抵抗 接合 ケース間, ブレーキ DIODE ( 注 4) - - 1346 R th(j-c)d 接合 ケース間, コンバータ DIODE, 1 素子あたり ( 注 4) 834 R th(c- s ) ケース ヒートシンク間熱伝導性グリース塗布 ( 注 4,7) -.2 - 接触熱抵抗 1 モジュールあたり PC-TIM 塗布 ( 注 4,8) - 5.5 - 単位 K/kW K/kW K/kW 18.6 作成 6
機械的特性 記号項目条件 規格値 最小標準最大 M s 締付けトルク取付け M 5 ねじ 2.5 3.0 3.5 N m d s d a 沿面距離 空間距離 はんだ付けピン端子 (MXUB) プレスフィットピン端子 (MXUBP) はんだ付けピン端子 (MXUB) プレスフィットピン端子 (MXUBP) 端子間 10.9 - - 端子 ベース板間 18.3 - - 端子間 5.2 - - 端子 ベース板間 16.1 - - 端子間 6.5 - - 端子 ベース板間 13.1 - - 端子間 5.0 - - 端子 ベース板間 16.1 - - e c ベース板平面度 X, Y 各中心線上 ( 注 9) ±0 - +0 μm m 質量 - - 165 - g 推奨動作条件 記号項目条件 規格値 最小標準最大 CC 電源電圧 P1-N1 端子間 - 300 450 GEon ゲート ( 駆動 ) 電圧 G*P-*/G*N-E/GB-E 端子間 (*=U,,W) 13.5 15.0 16.5 R G 外部ゲート抵抗 *: 本製品は RoHS 指令 (11/65/EU) に準拠しています インバータ部 IGBT 1 素子あたり 12-1 ブレーキ部 IGBT 18-180 Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment. 注 1. フリーホイールダイオード (FWD) の定格又は特性を示します 2. 接合温度は, 最大接合温度 (T vjmax) 以下です 3. パルス幅及び繰返し率は, 素子の温度上昇が, 最大接合温度 (T vjmax) を越えない値とします 4. ケース温度 (T C) 及びヒートシンク温度 (T s) の定義点は, チップ直下におけるベース板及びヒートシンクの表面です チップ中心位置は, チップ配置図のとおりです 5. パルス幅及び繰返し率は, 素子の温度上昇が無視できる値とします R 6. B ln( 25 1 1 ( 25 / 50) = )/( ) R50 T25 T50 R 25: 絶対温度 T 25 [K] におけるゼロ負荷抵抗値 ;T 25 [K]=25 [ C]+273.15=298.15 R 50: 絶対温度 T 50 [K] におけるゼロ負荷抵抗値 ;T 50 [K]=50 [ C]+273.15=323.15 7. 標準値は, 熱伝導率 λ=0.9 W/(m K) の放熱用グリースを厚み D(C-S)=50 μm で使用したときの値です 8. 標準値は, 熱伝導率 λ=3.4 W/(m K) の PC-TIM を厚み D(C-S)=50 μm で使用したときの値です 9. ベース板 ( 取付面 ) 平面度測定箇所は, 下図のとおりです -:Concave 単位 mm 単位 Ω Mounting side +:Convex -:Concave +:Convex Y 2 mm X Mounting side Mounting side 2 mm 10 プリント基板をスタンドオフにねじ止めする場合は, 下記仕様のタッピンねじをご使用ください プリント基板厚み : t=1.6 仕様メーカ寸法締付けトルク締付け方法 (1) PT EJOT 社 ( 独 ) K25 8 0.55 ± 0.055 N m (2) PT K25 10 0.75 ± 0.075 N m 手作業 ( 電動ドライバー 30 rpm 相当 ) (3) DELTA PT 25 8 0.55 ± 0.055 N m ~ 電動ドライバー 600 rpm 以下 (4) DELTA PT 25 10 0.75 ± 0.075 N m (5) B1 タッピンねじ - 呼び径 (φ)2.6 10 0.75 ± 0.075 N m 又は, 呼び径 (φ)2.6 12 18.6 作成 7
チップ配置図 (Top view) MXUB 単位 :mm, 公差 :±1 mm MXUBP Tr*P/Tr*N/TrBr: IGBT, Di*P/Di*N: DIODE (*=U//W), DiBr: BRAKE DIODE, CR*P/CR*N: CONERTER DIODE (*=R/S/T), Th: NTC thermistor オプション :PC-TIM 塗布ベース板 ( モジュール裏面 ) 図 MXUB MXUBP 18.6 作成 8
試験回路及び試験波形 *: U,, W P1 v GE ~ 90 % - GE G*P * * i E Load + CC 0 i C ~ 0 90 % t i E 0 A I E Q rr=0.5 I rr t rr t rr t 0 + GE - GE R G vge G*N E N1 vce i C 0 A t r t f 10% t I rr 0.5 I rr t d(on) t d(off) スイッチング特性試験回路及び試験波形 逆回復特性試験波形 I EM i E v EC I CM i C i C I CM CC v CE CC CC v CE 0 A t 0 0.1 I CM 0.1 CC t 0 0.1 CC 0.02 I CM t 0 t t i t i t i IGBT ターンオンスイッチング損失 IGBT ターンオフスイッチング損失 FWD 逆回復損失スイッチング損失及び逆回復損失試験波形 ( 積分時間説明図 ) 18.6 作成 9
試験回路 GE=15 7 IC GE=15 10 IC GE=15 15 IC IF 8,9 21 8,9 11,12 19 11,12 13,14 18 13,14 22 27 TrUP TrP TrWP Brake DIODE 7 10 15 8,9 8,9 11,12 11,12 13,14 13,14 27 GE=15 GE=15 GE=15 GE=15 21 IC 19 IC 18 IC 22 IC ゲート エミッタ間短絡 TrUN TrN TrWN Brake IGBT GP-, GN-E, GWP-W, GWN-E, GB-E GUP-U, GUN-E, ゲート エミッ GWP-W, GWN-E, タ間短絡 GB-E CEsat 試験回路 GUP-U, GUN-E, ゲート エミッ GP-, GN-E, タ間短絡 GB-E GUP-U, GUN-E, ゲート エミッ GP-, GN-E, タ間短絡 GWP-W, GWN-E 28,29 7 IE 10 IE 15 IE IF 8,9 21 8,9 19 11,12 11,12 13,14 18 13,14 1,2 30,31 DiUP DiP DiWP 28,29 7 10 15 8,9 21 8,9 IE 11,12 19 11,12 IE 13,14 18 13,14 IE 1,2 IF 30,31 GP-, GN-E, ゲート エミッ GWP-W, GWN-E, タ間短絡 GB-E DiUN DiN DiWN CONERTER DIODE (ex.phase-r) GUP-U, GUN-E, ゲート エミッ GWP-W, GWN-E, タ間短絡 GB-E EC 試験回路 GUP-U, GUN-E, ゲート エミッ GP-, GN-E, タ間短絡 GB-E F 試験回路 18.6 作成 10
特性図 インバータ部 出力特性 コレクタ エミッタ間飽和電圧特性 ( 代表例 ) ( 代表例 ) T vj=25 C ( チップ ) GE=15 ( チップ ) GE= 12 コレクタ電流 IC (A) 15 13.5 11 10 8 コレクタ エミッタ間飽和電圧 CEsat () T vj=125 C T vj=150 C T vj=25 C コレクタ エミッタ間電圧 CE () コレクタ電流 I C (A) コレクタ エミッタ間電圧特性 フリーホイールダイオード順特性 ( 代表例 ) ( 代表例 ) T vj=25 C ( チップ ) G-E 間短絡 ( チップ ) コレクタ エミッタ間電圧 CE () I C=100 A I C=50 A I C=25 A エミッタ電流 IE (A) T vj=150 C T vj=125 C T vj=25 C ゲート エミッタ間電圧 GE () エミッタ コレクタ間電圧 EC () 18.6 作成 11
特性図 インバータ部 スイッチング時間特性 スイッチング時間特性 ( 代表例 ) ( 代表例 ) CC=300, R G=12 Ω, GE=±15, 誘導負荷 CC=300, I C=50 A, GE=±15, 誘導負荷 ---------------: T vj=150 C, - - - - -: T vj=125 C ---------------: T vj=150 C, - - - - -: T vj=125 C t f t d(off) t d(off) t f スイッチング時間 (ns) t d(on ) t r スイッチング時間 (ns) t d(on ) t r コレクタ電流 I C (A) 外部ゲート抵抗 R G (Ω) スイッチング損失特性 スイッチング損失特性 ( 代表例 ) ( 代表例 ) CC=300, I C/I E=50 A, GE=±15, CC=300, R G=12 Ω, GE=±15, 誘導負荷, 1パルスあたり 誘導負荷, 1パルスあたり ---------------: T vj=150 C, - - - - -: T vj=125 C ---------------: T vj=150 C, - - - - -: T vj=125 C E on スイッチング損失, 逆回復損失 (mj) E off E rr スイッチング損失, 逆回復損失 (mj) E on E off E rr コレクタ電流 I C (A) エミッタ電流 I E (A) 外部ゲート抵抗 R G (Ω) 18.6 作成 12
特性図 インバータ部 容量特性 フリーホイールダイオード逆回復特性 ( 代表例 ) ( 代表例 ) CC=300, R G=12 Ω, GE=±15, 誘導負荷 G-E 間短絡, T vj=25 C ---------------: T vj=150 C, - - - - -: T vj=125 C t rr C ies 容量 (nf) C oes t rr (ns), I rr (A) I rr C res コレクタ エミッタ間電圧 CE () エミッタ電流 I E (A) ゲート容量特性 過渡熱インピーダンス特性 ( 代表例 ) ( 最大 ) CC=300, I C=50 A, T vj=25 C Single pulse, T C=25 C R th(j-c)q=554 K/kW, R th(j-c)d=7 K/kW ゲート エミッタ間電圧 GE () NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE Z th(j- c) ゲート容量 Q G (nc) 時間 (S) 18.6 作成 13
特性図 インバータ部 ターンオフスイッチング安全動作領域 短絡安全動作領域 ( 逆バイアス安全動作領域 ) ( 最大 ) ( 最大 ) CC 450, R G=12~1 Ω, GE=±15, -----------------: T vj=25~150 C (Normal load operations (Continuous) CC 400, R G=12~1 Ω, GE=±15, - - - - - -: T vj=175 C (Unusual load operations (Limited period) T vj= 25 ~ 150 C, t W 8 μs, 非繰返し NORMALIZED COLLECTOR CURRENT IC NORMALIZED COLLECTOR CURRENT IC コレクタ エミッタ間電圧 CE () コレクタ エミッタ間電圧 CE () 18.6 作成 14
特性図 ブレーキ部 出力特性 コレクタ エミッタ間飽和電圧特性 ( 代表例 ) ( 代表例 ) T vj=25 C ( チップ ) GE=15 ( チップ ) コレクタ電流 IC (A) GE= 15 12 13.5 11 10 8 コレクタ エミッタ間飽和電圧 CEsat () T vj=125 C T vj=150 C T vj=25 C コレクタ エミッタ間電圧 CE () コレクタ電流 I C (A) コレクタ エミッタ間電圧特性 ダイオード順特性 ( 代表例 ) ( 代表例 ) T vj=25 C ( チップ ) G-E 間短絡 ( チップ ) T vj=150 C コレクタ エミッタ間電圧 CE () I C=70 A I C=35 A I C=17.5 A エミッタ電流 IE (A) T vj=125 C T vj=25 C ゲート エミッタ間電圧 GE () エミッタ コレクタ間電圧 EC () 18.6 作成 15
特性図 ブレーキ部 スイッチング時間特性 スイッチング時間特性 ( 代表例 ) ( 代表例 ) CC=300, R G=18 Ω, GE=±15, 誘導負荷 CC=300, I C=35 A, GE=±15, 誘導負荷 ---------------: T vj=150 C, - - - - -: T vj=125 C ---------------: T vj=150 C, - - - - -: T vj=125 C t f t d(off) t d(off) スイッチング時間 (ns) t d(on ) t r スイッチング時間 (ns) t f t d(on) t r コレクタ電流 I C (A) 外部ゲート抵抗 R G (Ω) スイッチング損失特性 スイッチング損失特性 ( 代表例 ) ( 代表例 ) CC=300, I C/I E=35 A, GE=±15, CC=300, R G=18 Ω, GE=±15, 誘導負荷, 1パルスあたり 誘導負荷, 1パルスあたり ---------------: T vj=150 C, - - - - -: T vj=125 C ---------------: T vj=150 C, - - - - -: T vj=125 C E on スイッチング損失, 逆回復損失 (mj) E o ff E o n スイッチング損失, 逆回復損失 (mj) E off E rr E rr コレクタ電流 I C (A) エミッタ電流 I E (A) 外部ゲート抵抗 R G (Ω) 18.6 作成 16
特性図 ブレーキ部 容量特性 ( 代表例 ) G-E 間短絡, T vj=25 C C ies 容量 (nf) C oes C res コレクタ エミッタ間電圧 CE () ゲート容量特性 過渡熱インピーダンス特性 ( 代表例 ) ( 最大 ) CC=300, I C=35 A, T vj=25 C Single pulse, T C=25 C R th(j-c)q=625 K/kW, R th(j-c)d=1346 K/kW ゲート エミッタ間電圧 GE () NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE Z th(j- c) ゲート容量 Q G (nc) 時間 (S) 18.6 作成 17
特性図 ブレーキ部 ターンオフスイッチング安全動作領域 短絡安全動作領域 ( 逆バイアス安全動作領域 ) ( 最大 ) ( 最大 ) CC 450, R G=18~180 Ω, GE=±15, -----------------: T vj=25~150 C (Normal load operations (Continuous) CC 400, R G=18~180 Ω, GE=±15, - - - - - -: T vj=175 C (Unusual load operations (Limited period) T vj= 25 ~ 150 C, t W 8 μs, 非繰返し NORMALIZED COLLECTOR CURRENT IC NORMALIZED COLLECTOR CURRENT IC コレクタ エミッタ間電圧 CE () コレクタ エミッタ間電圧 CE () コンバータ部 コンバータダイオード順特性過渡熱インピーダンス特性 ( 代表例 ) ( 最大 ) Single pulse, T C=25 C R th(j-c)d=834 K/kW 順電流 IF (A) T vj=150 C T vj=25 C NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE Z th(j- c) 順電圧 F () 時間 (S) 18.6 作成 18
特性図 NTC サーミスタ部 温度特性 ( 代表例 ) 抵抗値 R (kω) 温度 T ( C) 18.6 作成 19
安全設計に関するお願い 本製品は一般産業用途向け製品であり, 納入規格書に記載の特性及び品質レベルを保証します 弊社は品質, 信頼性の向上に努めておりますが, 半導体製品は, 信頼性寿命 ( パワーサイクルやサーマルサイクルなど ) を有していることや特殊環境下 ( 高湿度, 高粉塵, 高塩分, 高地, 有機物 腐食性ガス 爆発性ガスが多い環境, 端子部への過渡な応力 ) でのご使用により, 故障が発生したり, 誤動作する場合があります 貴社製品への適用検討にあたって, 半導体製品単体で評価するだけでなく, システム全体で十分に評価し, 適用可否を判断いただくとともに, 弊社の半導体製品の故障又は誤動作により, 結果として, 人身事故, 火災事故, 社会的損害などを生じさせないよう, 電源と半導体製品の間に適切な容量のヒューズまたはブレーカーを取り付けて 2 次破壊を防ぐなど, 安全性を考慮した冗長設計, 延焼対策設計, 誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください 本資料ご利用に際しての留意事項 本資料は, お客様が用途に応じた適切な三菱半導体製品をご購入いただくための参考資料であり, 本資料中に記載の技術情報について三菱電機が所有する知的財産権その他の権利の譲渡及び実施, 使用を許諾するものではありません 本資料に記載の製品データ, 図, 表, その他応用回路例の使用に起因する損害, 第三者所有の権利に対する侵害に関し, 三菱電機は責任を負いません 本資料に記載の製品データ, 図, 表, その他全ての情報は本資料発行時点のものであり, 三菱電機は, 予告なしに, 本資料に記載した製品又は仕様を変更することがあります 三菱半導体製品のご購入に当たりましては, 事前に三菱電機または代理店へ最新の情報をご確認いただきますとともに, 三菱電機半導体情報ホームページ (www.mitsubishielectric.co.jp/semiconductors/) などを通じて公開される情報に常にご注意ください 本資料に記載した情報は, 正確を期すため, 慎重に制作したものですが, 万一本資料の記述誤りに起因する損害がお客様に生じた場合には, 三菱電機はその責任を負いません 本資料に記載の製品データ, 図, 表に示す技術的な内容を流用する場合は, 技術内容単位で評価するだけでなく, システム全体で十分に評価し, お客様の責任において適用可否を判断してください 三菱電機は, 適用可否に対する責任は負いません 本資料に記載された製品は, 人命にかかわるような状況の下で使用される機器あるいはシステムに用いられることを目的として設計, 製造されたものではありませんので, 人的障害を招く恐れのある用途に使用できないことをご了承ください 本資料に記載の製品を運輸, 移動体用, 医療用, 航空宇宙用, 原子力制御用, 海底中継用機器あるいはシステムなど, 特殊用途へのご利用をご検討の際には, 三菱電機または代理店へご照会ください 本資料の転載, 複製については, 文書による三菱電機の事前の承諾が必要です 本資料に関し詳細についてのお問い合わせ, その他お気付きの点がございましたら三菱電機または代理店までご照会ください 記載されている会社名及び商品名は, 一般に各社の商標又は登録商標です 18 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION. ALL RIGHTS RESERED. 18.6 作成