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0.45m1.00m 1.00m 1.00m 0.33m 0.33m 0.33m 0.45m 1.00m 2

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B

73 p p.152


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スラヴ_00A巻頭部分

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項 目

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Microsoft Word - ‰IŠv⁄T†`⁄V87†`97.doc

JPROM-PRINT

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µµ InGaAs/GaAs PIN InGaAs PbS/PbSe InSb InAs/InSb MCT (HgCdTe)



第4回 小平市の文化振興を考える市民委員会

Transcription:

2009 7 29-30 1

2

+ + = 1 = 1 ( = = 0) 3

Eb (, T ) exp[ C C 2 1 5 /( T )] 1 [ W/(m2μm)] : [ m] T : [K] C 1 = 3.743 10 8 [W m 4 /m 2 ] C 2 = 1.439 10 4 [ m K] 4

E b max max T 2897 m m K = 10 m 5

E E b E E b E E E b E E E b 6

7

8

9

InSb 3 5 m 80 % HgCdTe MCT 3 5 mm 8 14 m 80 % QWIP 10 % QDIP QWIP 10 % 10

InSb (77K) HgCdTe (77K) (300K) (300K) D * : 1 W S/N 1 cm 2, 1 Hz, http://jp.hamamatsu.com/resources/products/ssd/pdf/tech/infrared_kird9001j04.pdf 11

80 K 10 ms TV 1 s 10 W W 12

3 5 m 8 13 m 2 km, 15, 70 % 13

3 5 m 8 13 m D * 3 5 m 300 700 50 90 8 13 m 8 13 m 8 13 m 3 5 m 14

NETD rms NETD NETD T IR NETD T IR0 T IR T IR0 IR IR 15

InSb, MCT, QWIP 1024 1024 0.02 120 Hz 640 512 pixel 420 Hz 320 256 pixel 160 120 320 240 0.1 8 30 Hz 300 g 100 16

IR FPA (Norton, P., Encyclopedia of Optical Engineering, 2003, pp.320-348) 17

( ) E b f (T ) E b T f (T). f (T) T 18

E E 1 E Ta 2 f ( T) (1 ) f ( Ta ) f ( T a ) E1 f ( T) E (1 ) f ( T 2 a ) T, 1 T a T T a 19

E f ( T) (1 ) f ( Ta) 1-0.5 0 20

E f ( T) (1 ) f ( Ta) 1) T a 2) T a 15 20 21

22

< 60 > 60 0 100 150 23

1) 2) m 24

x exp( x) 25

( m) (mm) ( m) (km) 0.3 3.8 m 0.3 3.8 m 26

, http://jp.hamamatsu.com/resources/products/ssd/pdf/tech/infrared_kird9001j04.pdf 27

0.1 m 1 % 30 ( /( m) : ( m) : (1/ m) m : m 1 mm 0.1 mm 28

E b T E b = f (T) T y z x E T a E = f (T) + (1 ) f (T a ) E b E T a 29

( ) T T IRb ( = 0.9 0.95 ) T IR = T ( ) T y z x T IRb T IR T a 30

Lloyd, J.M.: Thermal Imaging Systems, Plenum Press (1975) :, (1991) :, (1994) :, (1993) Astarita, T., et al.: Optics & Laser Technology, 32 (2000), pp.593-610 :,, (2007), 4 5 :,, (2008), pp.198-237 :, (1964) : JSME, (2005) 31