CONTENTS 用語説明 素子の選び方 パワーモジュール モジュール製品の特長 品名のつけ方 ダイオード / 高速ダイオード / ショットキーバリアダイオード サイリスタ ディスクリート ディスクリート製品の特長 品名のつけ方 トライアック サイリスタ 10
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- まいえ てらわ
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1 91 半導体製品カタログ
2 CONTENTS 用語説明 素子の選び方 パワーモジュール モジュール製品の特長 品名のつけ方 ダイオード / 高速ダイオード / ショットキーバリアダイオード サイリスタ ディスクリート ディスクリート製品の特長 品名のつけ方 トライアック サイリスタ 高速ダイオード 11 ダイオード 11 外形寸法 12 包装仕様 18
3 用語説明 FRD DIODE THYRISTOR TRIAC 記号用語記号用語記号用語記号用語 RRM 定格ピーク繰返し逆電圧 RRM 定格ピーク繰返し逆電圧 RRM 定格ピーク繰返し逆電圧 DRM 定格ピーク繰返しオフ電圧 IF(A) 平均順電流 IF(A) 平均順電流 DRM 定格ピーク繰返しオフ電圧 IT (RMS) 定格実効オン電流 FM 順電圧降下 I 2 t 電流二乗時間積 IT(A) 定格平均オン電流 IDRM 最大オフ電流 IRRM 逆電流 FM 順電圧降下 IT (RMS) 定格実効オン電流 TM 最大オン電圧 Trr 逆回復時間 IRRM 逆電流 IDRM 最大オフ電流 IGT 最大ゲートトリガ電流 IFSM サージ順電流 IFSM サージ順電流 TM 最大オン電圧 GT 最大ゲートトリガ電圧 Tj 定格接合部温度 Tj 定格接合部温度 IGT 最大ゲートトリガ電流 dv/dt (c) 転流時臨界オフ電圧上昇率 Rth (jc) 最大熱抵抗 Rth (jc) 最大熱抵抗 GT 最大ゲートトリガ電圧 Tj 定格接合部温度 Tj 定格接合部温度 Rth (jc) 最大熱抵抗 Rth (jc) 最大熱抵抗 トライアックゲートトリガモード 2
4 素子の選び方 素子の選び方 3
5 POWER MODULE モジュール製品の特長 高速ダイオード スイッチングロスの低減を追求した高速タイプに加えて低ノイズを特長とするソフトリカバリーシリーズをラインナップ 省エネ 環境の要求に効果を発揮します 高速ソフトリカバリータイプ DCAシリーズ DBAシリーズ 高速リカバリータイプ 2 種類のリカバリー速度 2 種類のリカバリー速度 ソフト特性 FRGシリーズ 小容量 使いやすいタブ端子 接続となっております FDFシリーズ 高速ダイオードによる単相ブリッジ接続 FRSシリーズ 1 素子入り大容量 400Aまで カバー DKRシリーズ非絶縁 コンパクトパッケージ 整流用ダイオード サイリスタ サイリスタは定格耐圧 800, 1600 をラインナップ 200/400 ラインの整流回路に要求される d/dt サージなどの耐量を確保しています 三相整流用ではモジュール高さの異なるシリーズにより 他のモジュールとの接続を容易にし 実装密度の向上が実現できます 全機種欧州 RoHS 指令に適合しています DFシリーズ各種三相フルブリッジモジュールを用意 DF_AA/BA: 標準型 DF_CA: 高サージ耐量型 DF_NA: 小型 SIP 形状モジュール DF_AC: 低背型 (17 mm ) モジュール DF_LA/LB: 端子間沿面距離を確保するリブの有 (LB) 無 (LA) を選択可能 モジュール製品品名のつけ方 DFAシリーズ三相フルブリッジモジュールのDC 出力正極側に 突入防止用サイリスタを追加 DD KDシリーズ 2in ダイオード標準モジュール PK/SCA PD/SCEシリーズ 2inサイリスタ標準モジュール 4
6 ダイオード / 高速ダイオード / ショットキーバリアダイオード ソフトリカバリー高速ダイオード ISO:2500(RMS) Tj(max):150 高速ダイオード ISO:2500(RMS) Tj(max):150 RRM IF(A) IFSM I 2 t FM IRRM trr Rthjc Fig A A(60Hz) A 2 s (25 ) ma(125 ) ns / W No. FDF25CA (150 ) FDF60BA FRD100CA (150 ) FDS100CA (150 ) FRS150BA FRS200CA (150 ) FRS300BA FRS300CA FRS400BA FRS400CA (150 ) FRS400EA (125 ) 100(150 ) DKR200AB * 16 DKR300AB * 16 DKR400AB * 16 *NONISO RRM IF(A) IFSM A(60Hz) I 2 t A 2 s FM (25 ) IRRM ma(125 ) trr ns Rthjc / W A DCA100AA DCA150AA DCA100BA DCA150BA DKA200AA DKA300AA DSR200BA DBA200UA (150 ) DBA200UA (150 ) DBA200WA DBA200WA Connections Connections ショットキーバリアダイオード ISO:2500(RMS) Tj(max):150 RRM IF(A) IFSM A(60Hz) I 2 t A 2 s FM (25 ) IRRM ma(125 ) Rthjc / W A BKR400ABZ * 16 BKR400AB * 16 BKA400AA *NONISO Connections DCA DKA DSR DBA FDF BKR,BKA FDS FRS FRD,DKR Fig No. Fig No 整流ダイオード DD/KD シリーズ ISO:2500(RMS) Tj(max):150 RRM IF(A) IFSM I 2 t FM IRRM Rthjc Fig A A(60Hz) A 2 s (25 ) ma(150 ) / W No. DKA40AA DD60KB80/ , KD60GB KD60HB DKA60KB80/ , DD100KB80/ , DD160KB80/ , KD160KB80/ , DD200KB80/ , DD200KB DD240KB80/ , DD300KB80/ , Connections DD KD,DKA 三相整流ダイオード DFNA シリーズ ISO:2500(RMS) Tj(max):150 ID RRM IFSM I 2 t FM IRRM Rthjc Fig A A(60Hz) A 2 s (25 ) ma(150 ) / W No. DF20NA80/160 S 800, / DF20NA80/160 F1 800, / DF30NA80/160 S 800, / DF30NA80/160 F1 800, /
7 三相整流ダイオード DFAC シリーズ ISO:2500(RMS) Tj(max):150 RRM ID IFSM A(60Hz) I 2 t A 2 s FM (25 ) IRRM ma(150 ) Rthjc / W A DF75AC80/ , DF100AC80/ , DF150AC80/ , DF200AC80/ , Fig No 三相整流ダイオード DFAA/BA/CA シリーズ ISO:2500(RMS) Tj(max):150 RRM ID IFSM A(60Hz) FM (25 ) IRRM ma(150 ) Rthjc / W A DF20CA80/ , DF20AA120/ , DF30CA80/ , DF30AA120/ , DF40BA DF40AA120/ , DF50BA DF50AA120/ , DF60BA DF60AA120/ , DF75BA DF75AA120/ , DF100BA DF100AA120/ , DF150AB80/ , DF200AB80/ , Fig No 三相整流ダイオード DFLA / LB シリーズ ISO:2500(RMS) Tj(max):150 RRM ID IFSM A(60Hz) FM (25 ) IRRM ma(150 ) Rthjc / W A DF60LA80/ , DF60LB80/ , DF75LA80/ , DF75LB80/ , DF100LA80/ , DF100LB80/ , Fig No. 19 Connections DF 20 三相整流ダイオード サイリスタ DFA シリーズ ISO:2500(RMS) DRM / RRM IF(A) IFSM I 2 t FM(D) IRRM(D) RthjC(D) A(60Hz) A 2 s (25 ) ma(150 ) / W TM(THY) IRRM(THY) Rthjc(THY) Tj(max) Fig A (25 ) ma(135 ) / W (thy) (Diode) No. DFA50BA80/ , DFA75BA80/ , DFA100BA80/ , DFA150BA80/ , DFA150AA80/ , DFA200AA80/ , DFA150CB80/ , DFA200CB80/ , Connections R サイリスタ G DFA 逆並列サイリスタ AK シリーズ ISO:2500(RMS) dv/dt:500/μs Tj(max):125 DRM / RRM IT(A) IT(RMS) ITSM I 2 t IGT GT TM IDRM/IRRM Rthjc Fig A A A(60Hz) A 2 s ma(25 ) (25 ) (25 ) ma(125 ) / W No. AK25GB AK25HB AK55GB AK55HB AK90GB AK90HB Connections K G AK AK 13 G K AK 6
8 POWER MODULE 大電流サイリスタ ISO:2500(RMS) dv/dt:500/μs Tj(max):125 DRM / RRM IT(A) ITSM A(60Hz) I 2 t A 2 s IGT GT TM IDRM/IRRM ma(25 ) (25 ) (25 ) ma(125 ) Rthjc /W A SBA500AA80/ , SBB500AA80/ , SSA500AA80/ , Fig No. Connections A K G K SBA K A A K K G K SBB K A K G A SSA K G サイリスタ PK/PD シリーズ ISO:2500(RMS) dv/dt:500/μs Tj(max):125 DRM / RRM IT(A) ITSM A(60Hz) I 2 t A 2 s IGT GT TM IDRM/IRRM ma(25 ) (25 ) (25 ) ma(125 ) Rthjc /W A PK25FG80/ , PD25FG80/ , PK40FG80/ , PD40FG80/ , PK55FG80/ , PD55FG80/ , PK70FG80/ , PD70FG80/ , PK90FG80/ , PD90FG80/ , PK110FG80/ , PD110FG80/ , PK130FG80/ , PD130FG80/ , PK160FG80/ , PD160FG80/ , PK200FG80/ , PD200FG80/ , PK250GB80/HB , PD250GB80/HB , Fig No Connections G K G K PK G K PD サイリスタ SCA/SCE シリーズ ISO:2500(RMS) dv/dt:500/μs DRM / RRM IT(A) ITSM A(60Hz) I 2 t A 2 s IGT GT TM ma(25 ) (25 ) (25 ) IDRM/IRRM ma Rthjc /W Tj(max) A SCA55AA (130 ) SCE55AA (130 ) SCA70AA (130 ) SCE70AA (130 ) SCA90AA (130 ) SCE90AA (130 ) SCA110AA (130 ) SCE110AA (130 ) SCA130AA80/160/ ,1600, (125 ) SCE130AA80/160/ ,1600, (125 ) SCA160AA80/160/ ,1600, (125 ) SCE160AA80/160/ ,1600, (125 ) SCA200AA80/160/ ,1600, (125 ) SCE200AA80/160/ ,1600, (125 ) SCA160BA (150 ) SCE160BA (150 ) SCA200BA (150 ) SCE200BA (150 ) Connections G K G K SCA SCE G K Fig No 三相サイリスタ ( 半波 )PWB シリーズ NONISO DRM / RRM IT(A) IT(RMS) ITSM A(60Hz) I 2 t A 2 s di/dt:50a/μs,gt:2(25 ),Tj(max):150 dv/dt IGT /μs(150 ) ma(25 ) TM IDRM/IRRM Rthjc (25 ) ma(150 ) /W A A PWB60A30/40 300, PWB80A30/40 300, PWB100A30/40 300, PWB130A30/40 300, PWB150AA30/40 300, PWB200AA30/40 300, Connections GK G K GK PWB Fig No A 7
9 DISCRETE ディスクリート製品の特長 豊富なパッケージラインナップ リード挿入型 7パッケージ TO92, TO251, TO220AB, TO220AB2L, TO220F, TO3P, TO3PF 表面実装型 3パッケージ SOT89, TO252, TO263 タブ端子タイプ 1パッケージ TO3 トライアック Q シリ ズ Tj=150 保証 放熱板の縮小や省略によってセット全体のコスト低減ができます RoHS 対応 トライアック / サイリスタ高感度ゲ ト品をラインナップ 全機種が欧州 RoHS 指令に適合しています 低損失 T=1.4 使用するウエハとマスクの最適設計により 良好な耐圧特性を保ちながら 低オン電圧を実現します トライアック 800 までラインナップ (ma) トライアック 標準高感度ゲート Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ TMG1C_ 5 10 TMG2C_ 15 TMG2D_ 5 10 TMG3C_ 15 TMG3D_ 5 10 TMG5C_ 20 TMG8/12/16/20/25C_ 30 TMG5/8/12/16/20/25D_ 10 TMG40/C_ 50 (ma) サイリスタ標準高感度ゲート SMG04/05/08C_ 0.1 SMG2D_ 0.2 SMG5/8C_ 10 SMG3D_ 0.2 SMG12/16C_ 30 SMG5F_ 0.2 ロジック回路の出力を直接ゲートに入力して動作できます ディスクリート製品品名のつけ方 TMG/SMG シリーズ その他ディスクリートシリーズ TMG C F SG A A 電圧 Paage Bla:TOABoTO :SOT :TO(Dpa) :TO :TOPF :TO(Dpa) :TOP :TOF DRMx/ Bla:Tj :Tj GateSesitivety C:StadadGate D:SesitiveGate 電流 epesetsit (RMS): トライアック epesetsit (A) : サイリスタ (SCR) TMG トライアック SMGサイリスタ (SCR) リー 電流の定格 電 仕様 仕様 圧の定格. 8
10 DISCRETE TRIAC リード挿入型 / 標準品 IGT ma GT [dv/dt]c DRM IT(RMS) IDRM TM Tj Rthjc Fig A ma /μs A/ms Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ /W No. (Tj=125 ) [di/dt]c TO251 TMG2C60/80C 600, TMG3C60/80C 600, D2 TMG5C60C TO220AB TMG5C TMG8C TMG12C60/80 600, D3 TMG16C TO220AB2 TMG20C D5 TO220F TMG2C60F TMG3C60F TMG5C60F TMG8C60/80F 600, TMG12C60/80F 600, *D6 TMG16C60/80F 600, TMG20C60/80F 600, TMG25C60/80F 600, TO3P TMG25C60/80L 600, TMG40C60/80L 600, D7 TO3PF TMG25C60/80J 600, TMG40C60/80J 600, *D8 リード挿入型 / 高感度品 IGT ma GT [dv/dt]c DRM IT(RMS) IDRM TM Tj Rthjc Fig A ma /μs A/ms Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ /W No. (Tj=125 ) [di/dt]c TO92 TMG1C60/80 600, **120 D1 TO251 TMG2D60/80C 600, TMG3D60/80C 600, D2 TMG5D60/80C 600, TO220AB TMG12D TMG16D D3 TO220AB2 TMG20D60/80 600, D5 TO220F TMG2D60/80F 600, TMG3D60/80F 600, TMG5D80F TMG8D60/80F 600, TMG12D60/80F 600, *D6 TMG16D60F TMG20D60F TMG25D60F リード挿入型 /Tj=150 *ULFileNo.E76102 *ULFileNo.E76102 **Rth(ja) IGT ma GT [dv/dt]c DRM IT(RMS) IDRM TM Tj Rthjc Fig A ma /μs A/ms Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ /W No. (Tj=150 ) [di/dt]c TO251 TMG5CQ60C D2 TO220AB TMG8CQ TMG16CQ D3 TO220AB2 TMG20CQ D5 TO220F TMG2DQ60F TMG3CQ60F TMG5CQ60F TMG8CQ60F TMG12CQ60F *D6 TMG16CQ60F TMG20CQ60F TMG25CQ60F TO3P TMG25CQ60L TMG40CQ60L D7 TO3PF TMG25CQ60J TMG40CQ60J *D8 *ULFileNo.E
11 表面実装型 / 標準品 IGT ma GT [dv/dt]c DRM IT(RMS) IDRM TM Tj Rthjc Fig A ma /μs A/ms Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ /W No. (Tj=125 ) [di/dt]c TO252 TMG2C60D (D pak) TMG3C60D D10 TMG5C60D TO263 TMG5C60H (D2 pak) TMG8C60H D11 TMG16C60H 表面実装型 / 高感度品 IGT ma GT [dv/dt]c DRM IT(RMS) IDRM TM Tj Rthjc Fig A ma /μs A/ms Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ /W No. (Tj=125 ) [di/dt]c SOT89 TMG1C60A **65 D9 TO252 TMG3D60D D10 (D pak) TMG5D60D **Rth(ja) 表面実装型 /Tj=150 IGT ma GT [dv/dt]c DRM IT(RMS) IDRM TM Tj Rthjc Fig A ma /μs A/ms Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ /W No. (Tj=125 ) [di/dt]c SOT89 TMG1CQ60A **65 D9 TO252 TMG3CQ60D (D pak) TMG3DQ60D D10 TMG5CQ60D **Rth(ja) タブ端子型 / 標準品 IGT ma GT [dv/dt]c DRM IT(RMS) IDRM TM Tj Rthjc Fig A ma /μs A/ms Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ Ⅰ Ⅰ Ⅲ Ⅲ /W No. (Tj=125 ) [di/dt]c TO3 TG16C40/60 400, TG25C40/60 400, *D12 TG35C40/60 400, TG40E *D15 not standard TG70AA40/60 400, D14 *ULFileNo.E76102 サイリスタ リード挿入型 / 標準品 DRM IT(A) IT(RMS) IDRM TM IGT GT Tj Rthjc A A ma ma /W TO220AB SMG8C SMG12C SMG16C TO220F SMG5C60F SMG8C60F SMG12C60F SMG16C60F Fig No. D3 *D6 *ULFileNo.E76102 リード挿入型 / 高感度品 DRM IT(A) IT(RMS) IDRM TM IGT GT Tj Rthjc Fig No. A A ma ma /W TO92 SMG04C **150 D1 SMG05C **150 TO251 SMG3D60C D2 10 **Rth(ja)
12 DISCRETE 表面実装型 / 標準品 DRM IT(A) IT(RMS) IDRM TM IGT GT Tj Rthjc Fig No. A A ma ma /W TO252(D pak) SMG5C60D D10 TO263(D2 pak) SMG5C60H D11 表面実装型 / 高感度品 DRM IT(A) IT(RMS) IDRM TM IGT GT Tj Rthjc A A ma ma /W SOT89 SMG05C60A **70 SMG08C60A **65 TO252(D pak) SMG3D60D SMG5F60D Fig No. D9 D10 **Rth(ja) タブ端子型 / 標準品 DRM IT(A) IT(RMS) IDRM TM IGT GT Tj Rthjc A A ma ma /W TO3 SG16AA40/60 400, SG25AA40/60 400, Fig No. *D12 *ULFileNo.E76102 高速ダイオード タブ端子型 RRM IF(A) IFSM I 2 t FM IRRM trr Rthjc A A(60Hz) A 2 s (25 ) ma(125 ) ns /W TO3 FRG25BA (150 ) FRG25CA (150 ) Fig No. D13 ダイオード リード挿入型 RRM IF(A) IFSM I 2 t FM IRRM Tj Rthjc A A(60Hz) A 2 Fig No. s (25 ) ma(125 ) /W TO220AB2L DMG35AA D4 タブ端子型 RRM IF(A) IFSM I 2 t FM IRRM Rthjc A(60Hz) A 2 Fig No. A s (25 ) ma(150 ) /W TO3 DG20AA80/ , D13 11
13 外形寸法 POWER MODULE (m/m) 1 2 G K AK (K) (A) G K AK (K) (A) G K 3 4 AK (K) (A) AK (K) (A) G K G K G K
14 DIMENSIONS
15 17 18 DFA_CB
16 DIMENSIONS DFA_AA 寸法の詳細については仕様書にてご確認下さい 15
17 D5 D7 fig No. D6 D8 D3 D2 D4 D1 DISCRETE 16
18 D9 D11 D13 D10 D12 D14 寸法の詳細については仕様書にてご確認下さい DIMENSIONS D15 17
19 TO92( テーピング ) 包装仕様 リード挿入型 TO92( フォーミング端子 ) TO92( ストレート端子 ) TO251 TO220AB/TO220AB2L 18
20 TO220F( ストレート端子 ) TO220F( フォーミング端子 ) TO3P/TO3PF PACKAGING SPECIFICATIONS 19
21 SOT89 SMD( 表面実装型 ) TO252 タブ端子型 TO263 TO3 20
22 SANSHA ELECTRIC MFG. CO., LTD 大阪市東淀川区西淡路3156 TEL 代表 FAX Web 社 大阪市東淀川区西淡路3156 TEL FAX 店 東京都台東区東上野12812 新御徒町KMビル 8F TEL FAX 九 州 営 業 所 福岡市博多区博多駅東21519 KS.T駅東ビル 4F TEL FAX 本 東 京 支 Headquarters 3156, Nishiawaji, Higashiyodogawaku, Osaka , Japan Tel: Fax: Branches and Business Offices Tokyo, Kyushu Overseas Offices and Affiliates SANREX CORPORATION U.S.A 50 Seaview Boulevard Port Washington, N.Y Tel: Fax: SANREX CORPORATION REPRESENTATIE OFFICE EUROPE Slovenia Tel: Fax: SANREX ASIA PACIFIC PTE. LTD. Singapore Tel: , Fax: SANREX LIMITED Hong Kong Tel: , Fax: SANSHA ELECTRIC MFG. SHANGHAI CO., LTD. China Tel: , Fax: SANREX KOREA OFFICE Korea Tel: , Fax: SANREX TAIWAN OFFICE Taiwan Tel: , Fax: 本カタログの内容は予告なく変更する場合があります 535S79501JC1310NK RI 491
CONENS 用語説明 素子の選び方 パワーモジュール モジュール製品の特長 品名のつけ方 ダイオード / 高速ダイオード / ショットキーバリアダイオード ソフトリカバリー高速ダイオード 5 高速ダイオード 5 ショットキーバリアダイオード 5 整流ダイオード 5 三相整流ダイオード DFN シリ
半導体製品カタログ CONENS 用語説明 素子の選び方 パワーモジュール モジュール製品の特長 品名のつけ方 ダイオード / 高速ダイオード / ショットキーバリアダイオード ソフトリカバリー高速ダイオード 5 高速ダイオード 5 ショットキーバリアダイオード 5 整流ダイオード 5 三相整流ダイオード DFN シリーズ 6 三相整流ダイオード DFC/E シリーズ 6 三相整流ダイオード DF/B/C
THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH101N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項
![THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH101N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項](/thumbs/102/156201471.jpg "THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH101N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項")
THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH101N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 平均出力電流 Average RectifiedOutput Current 動作接合温度範囲 OperatingJunctionTemperature
THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH100N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項
![THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH100N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項](/thumbs/102/156201358.jpg "THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH100N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項")
THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH100N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 平均出力電流 Average RectifiedOutput Current 動作接合温度範囲 OperatingJunctionTemperature
All Products Power Supply & Power Semiconductor
All Products Power Supply & Power Semiconductor Po Information Technology Enviroment Power Semiconductor Power Module Wafer & Chip Discrete All Products Power Supply & Power Semiconductor Inverter Technology
Microsoft Word - サイリスタ設計
サイリスタのゲート回路設計 サイリスタはパワエレ関係の最初に出てくる素子ですが その駆動用ゲート回路に関する文献が少なく 学 生が使いこなせないでいる ゲート回路の設計例 ( ノイズ対策済み ) をここに記しておく 基本的にサイリス タのゲート信号は電流で ON させるものです 1. ノイズ対策済みゲート回路基本回路の説明 図 1 ノイズ対策済みゲート回路基本回路 1.1 パルストランス パルストランスは
FMKS-2052
V RM = 200 V, IF=5A, 10A, 15A 温度検出機能付き高速整流ダイオード データシート 概要 は 温度検出機能付きの高速整流ダイオードです 高速整流ダイオードと温度検知用ショットキーバリアダイオードを同じチップに搭載しています これにより サーミスタを使用した温度検出よりも高い精度の温度が検出でき 部品削減 省スペース化 取り付け工数の低減に貢献します パッケージ TO220F-3L
Microsoft Word - NJM7800_DSWJ.doc
3 端子正定電圧電源 概要 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形, FA 1. IN 2. GND 3. OUT DL1A 1.
Microsoft Word - f203f5da7f8dcb79bcf8f7b2efb0390d406bccf30303b doc
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA,,5,3,33,5F/S TAF, TAF, TA5F, TA3F, TA33F, TA5F, TAS, TAS, TA5S, TA3S, TA33S, TA5S.,,.5, 3, 3.3, 5 A 三端子正出力ロードロップアウトレギュレータ TA**F/S シリーズは 出力段に -PNP トランジスタを使用した出力電流 A ( 最大 ) の固定正出力ロードロップアウトレギュレータです
AC08DSMA, AC08FSMA DS
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 4 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
TRS3E65F_J_
SiC ショットキバリアダイオード 1. 用途 力率改善回路用 太陽光インバータ用 無停電電源用 DC-DCコンバータ用 2. 特長 (1) 2 世代チップデザイン (2) 大電流サージ耐量 : I FSM = 27 A ( 最大 ) (3) 接合容量が小さい : C j = 12 pf ( 標準 ) (4) リーク電流が小さい : I R = 0.2 µa ( 標準 ) 3. 外観と内部回路構成図
NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10
端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,
TC74HC00AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC00AP,TC74HC00AF Quad 2-Input NAND Gate TC74HC00A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 入力 NAND ゲートです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 内部回路はバッファ付きの 3 段構成であり 高い雑音余裕度と安定な出力が得られます
Microsoft Word - sp8m4-j.doc
4V 駆動タイプ Nch+Pch MOS FET 構造シリコン N チャネル / P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ 外形寸法図 (Unit : mm) SOP8 5..4.75 (8) (5) 特長 ) 新ライン採用により 従来品よりオン抵抗大幅低減 2) ゲート保護ダイオード内蔵 3) 小型面実装パッケージ (SOP8) で省スペース pin mark () (4).27 3.9 6..2.4Min.
NJM 端子負定電圧電源 概要 NJM7900 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を 1 チップ上に集積した負出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 用途はテレビ, ステレオ等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電
3 端子負定電圧電源 概要 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を 1 チップ上に集積した負出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 用途はテレビ, ステレオ等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄広くご利用頂けます 外形 FA 1. COMMON 2. IN 3. OUT 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵
絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度
3 端子正定電圧電源 概要 NJM7800 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ ICです 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形 TO-220F, TO-252 NJM7800FA
hvigbt_ipm_daidevice_1610
作成 FG 4000 G X 90 D A µ µ µµ µµ 2 TYPE CM 1200 H A - 66 H NO. E964AA1-008 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION JAPAN 3 4 5 6 7 µµ µ 8 9 p w w 10 t t p w w 11 t t 12 p w w 13 14 trr t Irr IE 0.5Irr 0 0 15 =
TC74HC14AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC14AP,TC74HC14AF Hex Schmitt Inverter TC74HC14A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS シュミットトリガインバータです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます ピン接続 機能は TC74HCU04 と同じですが すべての入力は約
NJM78M00 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78M00 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄
3 端子正定電圧電源 概要 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄広くご利用頂けます 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (500mA max.)
PQ200WN3MZPH
小型面実装型低損失レギュレータ 特長 () 出力電流 :ma () 高耐圧 in(max)= () 低消費電流 ( 無負荷時消費電流 :MAX.mA OFF 時消費電流 :MAX.μA) ()ON/OFF 機能内蔵 () 過電流保護 過熱保護機能内蔵 ()ASO 保護機能内蔵 (7) セラミックコンデンサ対応 ()RoHS 指令対応品 用途 ()FPDテレビ ()DDレコーダ () デジタルSTB
GT60PR21_J_
ディスクリート IGBT シリコン N チャネル IGBT 1. 用途 電圧共振インバータスイッチング専用 注意 : 本資料に掲載されている製品を上記以外の用途に使用しないでください 2. 特長 (1) 第 6.5 世代品 (2) RC 構造によるダイオード内蔵 (3) 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプ (4) スイッチング時間が速い : IGBT t f = 0.16 µs ( 標準 ) (I
DF2B26M4SL_J_
ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 概要 は, モバイル機器のインタフェースポートなどで静電気やノイズから半導体部品を保護するTVSダイオード (ESD 保護ダイオード ) です 本製品は, スナップバック特性を利用することにより低ダイナミック抵抗を実現し, 優れた保護性能を提供します また, 低容量なため高速信号ラインに最適です 超小型パッケージ (0.62 mm 0.32
Microsoft Word - TA79L05_06_08_09_10_12_15_18_20_24F_J_P11_070219_.doc
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA79L05F,TA79L06F,TA79L08F,TA79L09F,TA79L10F, TA79L12F,TA79L15F,TA79L18F,TA79L20F,TA79L24F 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 三端子負出力固定定電圧電源 特長 TTL C 2 MOS の電源に最適です 外付け部品は不要です
elm1117hh_jp.indd
概要 ELM7HH は低ドロップアウト正電圧 (LDO) レギュレータで 固定出力電圧型 (ELM7HH-xx) と可変出力型 (ELM7HH) があります この IC は 過電流保護回路とサーマルシャットダウンを内蔵し 負荷電流が.0A 時のドロップアウト電圧は.V です 出力電圧は固定出力電圧型が.V.8V.5V.V 可変出力電圧型が.5V ~ 4.6V となります 特長 出力電圧 ( 固定 )
CC-E 絶縁型 DC-DC コンバータ オンボードパワーモジュール 特長 実装面積を従来製品に比べ約半分に小型化 タンタルコンデンサおよびアルミ電解コンデンサレス 全てのシリーズにリモート ON/OFF 機能内蔵 出力電圧は ±3% の高精度 (10W 以下単一出力 ) 5 面を金属シールドした低
型 DC-DC コンバータ オンボードパワーモジュール 特長 実装面積を従来製品に比べ約半分に小型化 タンタルコンデンサおよびアルミ電解コンデンサレス 全てのシリーズに 機能内蔵 出力電圧は ±% の高精度 (10W 以下単一出力 ) 面を金属シールドした低ノイズ設計 樹脂充填しない軽量設計 DIP 挿入と SMD 装着 SIP 縦型挿入 (W 製品 ) の実装 に対応 UL090-1 CSA C.
フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています
各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High
2STB240PP(AM-2S-G-005)_02
項目記号定格単位 電源 1 印加電圧電源 2 印加電圧入力電圧 (1 8) 出力電圧 ( ) 出力電流 ( ) 許容損失動作周囲温度保存周囲温度 S CC I o Io Pd Topr Tstg 24.0 7.0 0.3 S+0.3 0.3 CC+0.3 0.7 +75 45 +5 (1)S= 系項目 記号 定格 単位 電源 1(I/F 入力側 ) 電源 2(I/F 出力側 ) I/F 入力負荷抵抗
2STB240AA(AM-2S-H-006)_01
項目記号定格単位 電源 1 印加電圧電源 2 印加電圧入力電圧 (A1 A2) 出力電圧 ( ) 出力電流 ( ) 許容損失動作周囲温度保存周囲温度 S CC I o Io Pd Topr Tstg 24.0.0 0.3 S+0.3 0.3 CC+0.3 10 0. 20 + 4 +12 (1)S=12 系項目 記号 定格 単位 電源 1(I/F 入力側 ) 電源 2(I/F 出力側 ) I/F 入力負荷抵抗
2SK2313
東芝電界効果トランジスタシリコン N チャネル MOS 形 (L 2 π MOSⅤ) リレー駆動 DC DC コンバータ用 モータドライブ用 単位 : mm 4V 駆動です オン抵抗が低い : R DS (ON) = 8mΩ ( 標準 ) 順方向伝達アドミタンスが高い : Y fs = 60S ( 標準 ) 漏れ電流が低い : I DSS = 100μA ( 最大 ) (V DS = 60V) 取り扱いが簡単な
AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん
特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください
GT40QR21_J_
ディスクリート IGBT シリコン N チャネル IGBT 1. 用途 電圧共振インバータスイッチング専用 注意 : 本資料に掲載されている製品を上記以外の用途に使用しないでください 2. 特長 (1) 第 6.5 世代品 (2) RC 構造によるダイオード内蔵 (3) 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプ (4) スイッチング時間が速い IGBT : t f = 0.20 µs ( 標準 ) (I
TA78L05,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA78L05F,TA78L06F,TA78L07F,TA78L08F,TA78L09F,TA78L10F, TA78L12F,TA78L15F,TA78L18F,TA78L20F,TA78L24F 5, 6, 7, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 3 端子正出力固定定電圧電源 特長 TTL, CMOS の電源に最適です
TLP363J 東芝フォトカプラ GaAs 赤外 LED + フォトトライアック TLP363J トライアックドライバ プログラマブルコントローラ AC アウトプットモジュール ソリッドステートリレー 単位 : mm TLP363J は ゼロクロスフォトトライアックと GaAs 赤外発光ダイオードを
東芝フォトカプラ GaAs 赤外 LED + フォトトライアック トライアックドライバ プログラマブルコントローラ AC アウトプットモジュール ソリッドステートリレー 単位 : mm は ゼロクロスフォトトライアックと GaAs 赤外発光ダイオードを光結合させた 4PIN DIP のフォトカプラです TLP361J に比べて 外部からのノイズ耐量を上げた製品となっています せん頭順阻止電圧 : 600
NJM78L00 3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さ
3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さくなり, さらに雑音特性も改良されています 外形 UA EA (5V,9V,12V のみ ) 特徴 過電流保護回路内蔵
光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE
外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LED 駆動回路 および信号処理回路などが集積化されています 外部に赤外 LEDを接続することによって 外乱光の影響の少ない光同期検出型のフォトリフレクタやフォトインタラプタが簡単に構成できます 独自の回路設計により 外乱光許容照度が10000
等価回路図 絶対最大定格 (T a = 25ºC) 項目記号定格単位 入力電圧 1 V IN 15 V 入力電圧 2 V STB GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電圧 V GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電流 I 120 ma 許容損失 P D 200 mw 動作温度範囲 T o
小型スタンバイ機能付高精度正電圧レギュレータ 概要 NJU7241 シリーズは, 出力電圧精度 ±2% を実現したスタンバイ機能付の低消費電流正電圧レギュレータ IC で, 高精度基準電圧源, 誤差増幅器, 制御トランジスタ, 出力電圧設定用抵抗及び短絡保護回路等で構成されています 出力電圧は内部で固定されており, 下記バージョンがあります また, 小型パッケージに搭載され, 高出力でありながらリップル除去比が高く,
TA7805,057,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA7805F,TA78057F,TA7806F,TA7807F,TA7808F,TA7809F, TA7810F,TA7812F,TA7815F,TA7818F,TA7820F,TA7824F 5 V, 5.7 V, 6 V, 7 V, 8 V, 9 V, 10 V, 12 V, 18 V, 20 V, 24 V 三端子正出力固定レギュレータ 特長
TLP560J 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトライアック TLP560J トライアックドライバ プログラマブルコントローラ AC アウトプットモジュール ソリッドステートリレー 単位 : mm TLP560J は フォトトライアックと GaAs 赤外発光ダイオードを光結合させた 6PIN
東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトライアック トライアックドライバ プログラマブルコントローラ AC アウトプットモジュール ソリッドステートリレー 単位 : mm は フォトトライアックと GaAs 赤外発光ダイオードを光結合させた 6PIN DIP のフォトカプラです せん頭順阻止電圧 : 600 V ( 最小 ) トリガ LED 電流 : 10 ma ( 最大 ) 実効オン電流 : 100
TA78L005,006,007,075,008,009,10,12,132,15,18,20,24AP
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA78L005AP,TA78L006AP,TA78L007AP,TA78L075AP,TA78L008AP, TA78L009AP,TA78L010AP,TA78L012AP,TA78L132AP,TA78L015AP, TA78L018AP,TA78L020AP,TA78L024AP 5, 6, 7, 7.5, 8, 9, 10, 12, 13.2,
DF2B6.8FS_J_
ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 用途 ESD 保護用 注意 : 本製品は ESD 保護用ダイオードであり, ESD 保護用以外の用途 ( 定電圧ダイオード用途を含むがこれに限らない ) には使用はできません 2. 外観と回路構成図 1: カソード 2: アノード fsc 3. 絶対最大定格 ( 注 ) ( 特に指定のない限り, T a = 25) 項目 記号 定格
DF2B29FU_J_
ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 用途 ESD 保護用 注意 : 本製品は ESD 保護用ダイオードであり, ESD 保護用以外の用途 ( 定電圧ダイオード用途を含むがこれに限らない ) には使用はできません 2. 特長 (1) AEC-Q101 適合 ( 注 1) 注 1: 詳細については弊社営業窓口へお問合せ下さい 3. 外観と回路構成図 1: Pin 1 2:
TK58A06N1_J_
MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (U-MOS-H) TK58A06N1 TK58A06N1 1. 用途 スイッチングレギュレータ用 2. 特長 (1) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 4.4 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (2) 漏れ電流が低い : I DSS = 10 µa ( ) (V DS = 60 V) (3) 取り扱いが簡単な, エンハンスメントタイプです
CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C10808 シリーズ 蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 C10808 シリーズは 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です セン
蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 は 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です センサの駆動に必要な各種タイミング信号を供給し センサからのアナログビデオ信号 を低ノイズで信号処理します 2 種類の外部制御信号 ( スタート クロック ) と 2 種類の電源 (±15 )
DF10G5M4N_J_
ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 用途 ESD 保護用 注意 : 本製品は ESD 保護用ダイオードであり, ESD 保護用以外の用途 ( 定電圧ダイオード用途を含むがこれに限らない ) には使用はできません 2. 外観と内部回路構成図 1 : I/O 1 2 : I/O 2 3 : GND 4 : I/O 3 5 : I/O 4 6 : NC 7 : NC 8 :
TC7SHU04FU_J_
CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 Inverter (Unbuffer) 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. H) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高速動作 : t pd = 3.5 ns ( 標準 ) ( CC = 5.0, C L = ) (4) 低消費電流 : = ( ) (T a = 25
s102t02_j
S0T0 S0T0 ITrmsA SIP 4pin IRED SSR iso rms3.0k I T rms.0a SIP DRM 600 DRM 400 iso rms3.0k UL508file No. E94758S0T0/ S0T0 CSA. No.4file No. LR63705 S0T0/S0T0 UL94-0 Sheet No.: D4-A050FJP-A Date Apr. 8.
TC7WT126FU
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック Dual Bus Buffer は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 回路入り 3- ステートバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レベルですので TTL レベルのバスに直結可能です 3- ステートコントロール入力 G を L とすることにより出力
TTC004B_J_
バイポーラトランジスタ シリコン NPN エピタキシャル形 1. 用途 オーディオアンプドライブ段増幅用 2. 特長 (1) 高耐圧です : V CEO = 160 V ( 最小 ) (2) TTA004Bとコンプリメンタリになります (3) コレクタ出力容量が小さい : C ob = 12 pf ( 標準 ) (4) トランジション周波数が高い : f T = 100 MHz ( 標準 ) 3.
特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて
16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます
TTB1067B_J_
バイポーラトランジスタシリコン PNP エピタキシャル形 ( ダーリントン接続 ) 1. 用途 マイクロモータドライブ用 ハンマードライブ用 スイッチング用 電力増幅用 2. 特長 (1) 直流電流増幅率が高い : h FE = 2000 ( 最小 ) (V CE = -2 V, I C = -1 A) (2) コレクタエミッタ間飽和電圧が低い :V CE(sat) = -1.5 V ( 最大 )
抵抗器
抵抗器パッシブデバイス 抵抗器 CONTENTS P. 2 RASMI SMR00303015 P. 3 MCR04022012 P. 4 MCR32166432 P. 5 MNR1005232164 P. 6 8MNR1608532165 P. 7 SR ESR P. 8 P. 8 /TR P. 9 KTR P. 10 MCR UCR P. 11 /TR P. 12 P. 13 PMR /PM PSR
TLP240D,TLP240DF_J_
フォトカプラ フォトリレー 1. 用途 メカリレーの置き換え用 セキュリティシステム用 計測器用 ファクトリーオートメーション (FA) 制御機器用 アミューズメント機器用 スマートメータ用 電力量計用 2. 概要 TLP240D, TLP240DFは, フォトMOSFETと赤外発光ダイオードを光結合させた, 4ピンDIPのフォトリレーです このフォトリレーは絶縁耐圧が5000 Vrmsと高く, 強化絶縁要求のアプリケーションに適しています
TC4093BP/BF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4093BP, TC4093BF TC4093BP/TC4093BF Quad 2-Input NAND Schmitt Triggers は 全入力端子にシュミットトリガ機能をもった 4 回路の 2 入力 NAND ゲートです すなわち 入力波形の立ち上がり時と立ち下がり時に回路しきい値電圧が異なる ( P N ) のため 通常の NAND
TPCP8406_J_
MOSFET シリコン P/N チャネル MOS 形 (U-MOS/U-MOS-H) 1. 用途 携帯電話用 モータドライブ用 2. 特長 (1) オン抵抗が低い PチャネルR DS(ON) = 33 mω ( 標準 ) (V GS = -10 V) NチャネルR DS(ON) = 24 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (2) 漏れ電流が低い Pチャネル I DSS = -10 µa
NJG1815K75 SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 NJG1815K75 は無線 LAN システムに最適な 1 ビットコントロール SPDT スイッチです 本製品は 1.8V の低切替電圧に対応し 高帯域 6GHz での低損入損失と高アイソレーション特性を特長とします また 保護素子
SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 は無線 LAN システムに最適な 1 ビットコントロール SPDT スイッチです 本製品は 1. の低切替電圧に対応し 高帯域 6GHz での低損入損失と高アイソレーション特性を特長とします また 保護素子を内蔵することにより高い ESD 耐圧を有します は RF ポートの DC カットキャパシタを内蔵しています また 超小型 薄型 DFN6-75 パッケージの採用により実装面積の削減に貢献します
Series catalog
アルミ電解コンデンサ 表面実装形中形 TK シリーズ V 形高温鉛フリーリフロー対応品 ( 末尾 A ) 特 長 0 時間保証品 耐振動仕様品 (30G 保証 ) も対応可能 RoS 指令対応済 仕 様 カテゴリ温度範囲 40 ~ + 定格電圧範囲 10 V.DC ~ 100 V.DC 静電容量範囲 47 μf ~ 0 μf 静電容量許容差 ±20 % (120 z / +20 ) 漏れ電流 I 0.01
TC7SZU04AFS_J_
CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック TC7SZU04AFS TC7SZU04AFS 1. 機能 Inverter (Unbuffer) 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. H) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高出力電流 : ±32 ma ( ) ( CC = ) (4) 動作電圧範囲 : CC = (5) 入力端子に,
TK7A90E_J_
MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (π-mos) TK7A90E TK7A90E 1. 用途 スイッチングレギュレータ用 2. 特長 (1) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 1.6 Ω ( 標準 ) (2) 漏れ電流が低い : I DSS = 10 µa ( ) (V DS = 720 V) (3) 取り扱いが簡単な, エンハンスメントタイプです : V th = 2.54.0
elm73xxxxxxa_jp.indd
概要 ELM73xxxxxxAは 遅延機能付きの CMOS 電圧検出器 ICであり 遅延時間は外付けコンデンサで調整可能です また 非常に低い消費電流 (Tpy.26nA) で動作します ELM73xxxBxxAシリーズはマニュアルリセット機能付きタイプで いつでも手動でリセットすることができます 出力スタイルは N-chオープンドレイン出力と CMOS 出力の 2つがあります 電源電圧 ddは検出電圧以下に低下したとき
TPW5200FNH_J_
MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (U-MOS-H) 1. 用途 高効率 DC-DCコンバータ用 スイッチングレギュレータ用 2. 特長 (1) スイッチングスピードが速い (2) ゲート入力電荷量が小さい : Q SW = 8.2 nc ( 標準 ) (3) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 44 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (4) 漏れ電流が低い :
(Microsoft Word - E0-0299Z BID-40D18N \203f\201[\203^\203V\201[\203g_ doc)
本製品は ショットキ ダイオードに代わる低損失の OR 接続デバイスです 内蔵の MOS-FET の端子間電圧を検出することで ダイオードの様に順方向電圧に対しては ON 逆方向電圧に対しては OFF となるよう動作します 電圧降下が低いため ダイオードで構成した場合に比べて 大幅に損失を低減することができます 特徴 ショットキ ダイオードに代わる 高信頼性 高性能 低損失 OR 接続デバイス 動作温度
TC74HC4017AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC4017AP,TC74HC4017AF Decade Counter/Divider TC74HC4017A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 10 進ジョンソンカウンタです CMOS の特長である低い消費電力で 等価な LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます CK あるいは CE 入力に印加されたカウントパルスの数により
TLP549J 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトサイリスタ TLP549J 事務機器 家庭内機器 ソリッドステートリレー スイッチング電源 単位 : mm TLP549J は フォトサイリスタと GaAs 赤外発光ダイオードを光結合させた 8PIN DIP(PIN 数 7 本 ) のフォトカ
東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトサイリスタ 事務機器 家庭内機器 ソリッドステートリレー スイッチング電源 単位 : mm は フォトサイリスタと GaAs 赤外発光ダイオードを光結合させた 8PIN DIP(PIN 数 7 本 ) のフォトカプラです 交流ラインの最小導体間距離 3mm が確保できるよう サイリスタのアノード カソード端子間中心距離は 5.08mm あります せん頭順阻止電圧
MPPC 用電源 C 高精度温度補償機能を内蔵した MPPC 用バイアス電源 C は MPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を駆動するために最適化された高電圧電源です 最大で90 Vを出力することができます 温度変化を伴う環境においても M
MPPC 用電源 C1104-0 高精度温度補償機能を内蔵した MPPC 用バイアス電源 C1104-0は MPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を駆動するために最適化された高電圧電源です 最大で90 Vを出力することができます 温度変化を伴う環境においても MPPCを常に最適動作させるために温度補償機能を内蔵しています ( アナログ温度センサの外付けが必要 ) また
MOSFET dv/dt 影響について Application Note MOSFET dv/dt 影響について 概要 MOSFET のドレイン - ソース間の dv / dt が大きいことが問題を引き起こすことがあります この現象の発生要因とその対策について説明します Tosh
概要 MOSFET のドレイン - ソース間の dv / d が大きいことが問題を引き起こすことがあります この現象の発生要因とその対策について説明します 1 目次 概要... 1 目次... 2 1. MOSFET の dv/d とは... 3 1.1. dv/d 発生のタイミング... 3 1.1.1. スイッチング過渡期の dv/d... 3 1.1.2. ダイオード逆回復動作時の dv/d...
Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4011BP,TC4011BF,TC4011BFT TC4011BP/TC4011BF/TC4011BFT Quad 2 Input NAND Gate は 2 入力の正論理 NAND ゲートです これらのゲートの出力は すべてインバータによるバッファが付加されているため 入出力特性が改善され 負荷容量の増加による伝達時間の変動が最小限に抑えられます
TC74HC245,640AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC245AP,TC74HC245AF,TC74HC640AP,TC74HC640AF Octal Bus Traceiver TC74HC245AP/AF 3-State, Non-Inverting TC74HC640AP/AF 3-State, Inverting TC74HC245AP/640AP TC74HC245A/640A
TLP250
東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光チップを組み合せた 8PIN DIP のフォトカプラです は IGBT およびパワー MOS FET のゲート駆動用に適しています 入力しきい値電流 :
形式 :W2VS 絶縁 2 出力小形信号変換器みにまる W2 シリーズ 直流入力変換器 ( アナログ形 ) 主な機能と特長 直流信号を入力とするコンパクト形プラグイン構造の変換器 アナログ回路により直流信号を統一信号に変換 高速応答形を用意 ワールド電源を用意 密着取付可能 アプリケーション例 プロ
絶縁 2 出力小形信号変換器みにまる W2 シリーズ 直流入力変換器 ( アナログ形 ) 主な機能と特長 直流信号を入力とするコンパクト形プラグイン構造の変換器 アナログ回路により直流信号を統一信号に変換 高速応答形を用意 ワールド電源を用意 密着取付可能 アプリケーション例 プロセス計装や FA においてパネルとフィールド機器間の絶縁をして ノイズ対策を行う -123-45 価格基本価格 1 出力形
2SC5200N_J_
バイポーラトランジスタ シリコン NPN 三重拡散形 1. 用途 電力増幅用 2. 特長 (1) 高耐圧です : V CEO = 230 V ( 最小 ) (2) 2SA1943Nとコンプリメンタリになります (3) 100Wハイファイオーディオアンプ出力段に最適です 3. 外観と内部回路構成図 1. ベース 2. コレクタ ( 放熱板 ) 3. エミッタ TO-3P(N) 4. 絶対最大定格 (
反転型チャージポンプ IC Monolithic IC MM3631 反転型チャージポンプ IC MM3631 概要 MM3631XN は反転型のチャージポンプ IC です 入力電圧範囲の 1.8V ~ 3.3V を 2 個の外付けコンデンサを使用して負電圧を生成します パッケージは 6 ピンの S
反転型チャージポンプ IC Monolithic IC MM3631 概要 MM3631X は反転型のチャージポンプ IC です 入力電圧範囲の 1.8V ~ 3.3V を 2 個の外付けコンデンサを使用して負電圧を生成します パッケージは 6 ピンの SOT-26B (2.9 2.8 1.15mm) の小型パッケージを採用しています CE 端子を内蔵しており スタンバイ時は 1 μ A 以下と待機時電流を低減しています
TC7SET08FU_J_
CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 2-Input AND Gate 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. ) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高速動作 : t pd = 4.2 ns ( 標準 ) ( CC = 5.0, C = 15 ) (4) 低消費電流 : = ( ) (T a = 25 )
TPC8107
TPC87 東芝電界効果トランジスタシリコン P チャネル MOS 形 (U-MOSIII) TPC87 リチウムイオン 2 次電池用 ノートブック PC 用 携帯電子機器用 単位 : mm 小型 薄型で実装面積が小さい スイッチングスピードが速い オン抵抗が低い : R DS (ON) = 5.5 mω ( 標準 ) 順方向伝達アドミタンスが高い : Y fs = 3 S ( 標準 ) 漏れ電流が低い
TK50P04M1_J_
MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (U-MOS-H) 1. 用途 スイッチングレギュレータ用 モータドライブ用 パワーマネジメントスイッチ用 2. 特長 (1) スイッチングスピードが速い (2) ゲート入力電荷量が小さい : Q SW = 9.4 nc ( 標準 ) (3) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 6.7 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (4) 漏れ電流が低い
フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2
S9066-211SB S9067-201CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2つの受光部の出力を減算し ほぼ可視光域にのみ感度をもたせています また従来品に比べ 同一照度における異なる色温度の光源に対しての出力変化を低減しています
TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信
東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信号伝達 単位 : mm TLP521 シリーズは GaAs 赤外 LED とシリコンフォトトランジスタを組 み合わせた高密度実装タイプのフォトカプラです TLP521 1 DIP 4 ピン 1 回路 TLP521
暫定資料 東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC TLP250 TLP250 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm TLP250 は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光
暫定資料 東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光チップを組み合せた 8PIN DIP のフォトカプラです は IGBT およびパワー MOS FET のゲート駆動用に適しています 入力しきい値電流
Series catalog
導電性高分子ハイブリッドアルミ電解コンデンサ 表面実装形 ZA シリーズ V 形高温鉛フリーリフロー対応品 UPRAE ybrid 特 105 00 時間保証品 低 ESR 品 高リプル化品 ( VP シリーズから 70% 以上 ESR 低減 2 倍以上高リプル化 ) 高耐圧品 ( ~ V.) 導電性高分子アルミ電解コンデンサ同等の低温特性と周波数特性 耐振動仕様品も対応可能 新たに φ6.3 サイズ品もラインアップ
SSM6J505NU_J_
MOSFET シリコン P チャネル MOS 形 (U-MOS) 1. 用途 パワーマネジメントスイッチ用 2. 特長 (1) 1.2 V 駆動です (2) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 61 mω ( 最大 ) (@V GS = -1.2 V) R DS(ON) = 30 mω ( 最大 ) (@V GS = -1.5 V) R DS(ON) = 21 mω ( 最大 ) (@V GS
形式 :WYPD 絶縁 2 出力計装用変換器 W UNIT シリーズ パルスアイソレータ ( センサ用電源付 2 出力形 ) 主な機能と特長 パルス入力信号を絶縁して各種のパルス出力信号に変換 オープンコレクタ 電圧パルス リレー接点パルス出力を用意 センサ用電源内蔵 耐電圧 2000V AC 密着
絶縁 2 出力計装用変換器 W UNIT シリーズ パルスアイソレータ ( センサ用電源付 2 出力形 ) 主な機能と特長 パルス入力信号を絶縁して各種のパルス出力信号に変換 オープンコレクタ 電圧パルス リレー接点パルス出力を用意 センサ用電源内蔵 耐電圧 2000V AC 密着取付可能 アプリケーション例 フィールド側のパルス信号を直流的に絶縁してノイズ対策を行う パルス出力の種類を変換 ( 例
The DatasheetArchive - Datasheet Search Engine
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC7W139F,TC7W139FU 2-to-4 Line Decoder TC7W139 は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 4 出力デコーダです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます A B 2 本のバイナリアドレス入力により選択された出力のみ L レベルとなります 非選択の出力はすべて
CCD リニアイメージセンサ用駆動回路 C CCD リニアイメージセンサ (S11155/S ) 用 C は 当社製 CCDリニアイメージセンサ S11155/S 用に開発された駆動回路です S11155/S11156-
CCD リニアイメージセンサ用駆動回路 C11165-02 CCD リニアイメージセンサ (S11155/S11156-2048-02) 用 C11165-02は 当社製 CCDリニアイメージセンサ S11155/S11156-2048-02 用に開発された駆動回路です S11155/S11156-2048-02と組み合わせることにより分光器に使用できます C11165-02 は CCD 駆動回路
TC74HCT245AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HCT245AP,TC74HCT245AF Octal Bus Traceiver TC74HCT245A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 8 回路入り双方向性バスバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レべルですので TTL レベルのバスに直結可能です
ACモーター入門編 サンプルテキスト
技術セミナーテキスト AC モーター入門編 目次 1 AC モーターの位置付けと特徴 2 1-1 AC モーターの位置付け 1-2 AC モーターの特徴 2 AC モーターの基礎 6 2-1 構造 2-2 動作原理 2-3 特性と仕様の見方 2-4 ギヤヘッドの役割 2-5 ギヤヘッドの仕様 2-6 ギヤヘッドの種類 2-7 代表的な AC モーター 3 温度上昇と寿命 32 3-1 温度上昇の考え方
DIGITAL IMAGE INNOVATION Colorio me p4 LP-9000C p6 TV LIVINGSTATION p8
2003 2003 4 1 2004 3 31 DIGITAL IMAGE INNOVATION Colorio me p4 LP-9000C p6 TV LIVINGSTATION p8 ........................................... 1!!!............................. 4.............. 4 LP-9000C......
Microsoft PowerPoint - pp601-1.ppt
特長 パッケージ 製品の特長 ダブルエンドタイプ 黒色可視光カット樹脂 光電流 : 4.8μA TYP. (V R =5V,Ee=0.5mW/cm 2 ) 可視光カット樹脂 (700nm 以下カット品 ) 鉛フリー製品 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 130 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては
2005年3月期中間事業報告書
2004 Vol. 4 NRI 2005 3 2004 4 1 2004 9 30 NRI Dream up the future. Dream up the future. NRI NRI 2 3 5 7 10 11 13 15 17 1 NRI 2005 3 2004 4 2004 9 IT 1,151 123 129 68 20 NRI 2004 11 2 2003 3 2004 3 2005
Power.indb
I/O SN 1A RoHS CPU DC AC DC AC 52017mm3.5g I/O NY 2,500 V rms RoHS PLC SN - A 100 B F SN A AC D DC 100 100VAC 200 200VAC 12/24 12/24VDC AC B DC B AC AC 100VAC F DC 252 2 ma rms SN 1A SN - 12 D 01 HZ C
TPC8407_J_
MOSFET シリコン P/N チャネル MOS 形 (U-MOS/U-MOS-H) 1. 用途 モータドライブ用 CCFLインバータ用 携帯電子機器用 2. 特長 (1) 小型, 薄型で実装面積が小さい (2) スイッチングスピードが速い (3) オン抵抗が低い PチャネルR DS(ON) = 18 mω ( 標準 ) (V GS = -10 V) NチャネルR DS(ON) = 14 mω (
TC74HC109AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC19AP,TC74HC19AF Dual J-K Flip-Flop with Preset and Clear TC74HC19A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS JK フリップフロップです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます J および K 入力に与えられた論理レベルに従って
p ss_kpic1094j03.indd
DC~1 Mbps 光リンク用送受信フォト IC は 光ファイバ通信用トランシーバ (FOT) として プラスチック光ファイバ (POF)1 本で半 2 重通信が可能な送受信フォト ICです POFを用いた光ファイバ通信は ノイズの影響を受けない 高いセキュリティをもつ 軽量といった特長があります は送信部と受信部の光軸が同一なため 1 本のPOFで光信号の送信 受信が可能です POF 通信に最適な500
2,347 232 01
27 194120331 JAPAN ASIA INVESTMENT CO., LTD. P01 P03 P05 P07 P08 P09 P10 P11 P13 P14 2,347 232 01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 20,051 5,550 4,796 3,049 88,123 10,750 13,521 30,190 55,162 21,444 5,172
TC7SET125FU_J_
CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 Bus Buffer 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. H) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高速動作 : t pd = 3.7 ( 標準 ) ( CC = 5.0, C = pf) (4) 低消費電流 : = ( ) (T a = 25 ) (5) TT レベル入力
SSM3K7002KFU_J_
MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 1. 用途 高速スイッチング用 2. 特長 (1) ESD(HBM) 2 kv レベル (2) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 1.05 Ω ( 標準 ) (@V GS = 10 V) R DS(ON) = 1.15 Ω ( 標準 ) (@V GS = 5.0 V) R DS(ON) = 1.2 Ω ( 標準 ) (@V GS = 4.5
Microsoft PowerPoint - TLP184,185_TLP290,291 比較表 ppt
TLP180/181 vs. TLP184/185 TLP280/281/284/285 vs. TLP290/291 比較表 フォトカプラ新 PKG SO6 内部構造 受光 IC( 出力 ) 2011 年 12 月東芝ディスクリートテクノロジー株式会社ディスクリート営業技術推進部 発光タ イオート ( 入力 ) Copyright 2011, Toshiba Corporation. 1 TLP180/181
TC74HC112AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC112AP,TC74HC112AF Dual J-K Flip Flop with Preset and Clear TC74HC112A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS JK フリップフロップです CMOS の特長である低い消費電流で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます J および K 入力に与えられた論理レベルに従って
Microsoft Word - TC74HCT245AP_AF_J_P8_060201_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HCT245AP,TC74HCT245AF Octal Bus Transceiver TC74HCT245A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 8 回路入り双方向性バスバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レべルですので TTL レベルのバスに直結可能です
USB Type-C コネクタ DSB Series RoHS2 準拠規格 USB Type-C 伝送速度 10Gbps 概要 DSB シリーズは USB Type-C 規格に準拠した逆挿し可能な小型高速伝送コネクタです 特長 10Gbps の高速伝送対応 (USB3.1 Gen2 準拠 ) USB
US Type- コネクタ RoHS2 準拠規格 US Type- 伝送速度 1Gbps 概要 DS シリーズは US Type- 規格に準拠した逆挿し可能な小型高速伝送コネクタです 特長 1Gbps の高速伝送対応 (US3.1 Gen2 準拠 ) US Power Delivery 準拠 挿抜耐久 1, 回 US 認証取得 レセプタクルは オフセット量 ( 基板実装面から嵌合中心間の高さ ) の異なる5
Microsoft Word - TC4538BP_BF_J_2002_040917_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC438BP,TC438BF TC438BP/TC438BF Dual Precision Retriggerable/Resettable Monostable Multivibrator は リトリガ動作 リセット動作の可能な単安定マルチバイブレータでトリガは A B 2 つの入力により立ち上がり および立ち下がりのどちらでも行うこともできます
Microsoft Word - TC4013BP_BF_J_P9_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4013BP,TC4013BF TC4013BP/TC4013BF Dual D-Type Flip Flop は 2 回路の独立な D タイプ フリップフロップです DATA 入力に加えられた入力レベルはクロックパルスの立ち上がりで Q および Q 出力に伝送されます SET 入力を H RESET 入力を L にすると Q 出力は H Q