NFCタグアンテナデザインガイド

Size: px
Start display at page:

Download "NFCタグアンテナデザインガイド"

Transcription

1 Version

2 注意事項 FeliCa は ソニー株式会社の登録商標です Nexus S Nexus は Google Inc. の商標または登録商標です Galaxy は Samsung Electronics Co., Ltd.. 登録商標です ELUGA は 当社の商標または登録商標です 1

3 目次 1. はじめに 本資料の目的 アンテナ設計について アンテナ設計のフロー アンテナサイズの決定 STEP アンテナ仕様の決定 STEP 通信距離の測定結果 アンテナ基板の作製 STEP アンテナ基板の参考例 共振容量の決定 STEP アンテナ等価回路のパラメータ測定 STEP 共振容量の算出 STEP 共振容量の算出例 適正な共振容量の決定 STEP NFC タグの動作確認 STEP 通信距離の測定 アンテナ端子電圧の確認 参考 ISO/IEC のアンテナクラス NFC フォーラムのアンテナイメージ アンテナ端子電圧の測定方法 変更履歴

4 1. はじめに 1.1 本資料の目的 本資料は 弊社 NFC タグ LSI に接続するアンテナの設計方法を提供することを目的としています 図 1 に NFC (Near Field Communication) タグを使用したシステムの概略を示します NFC TAG NFC TAG LSI Tag Antenna RF IF Control Logic Non-Volatile Memory Serial IF R/W Communication Distance R/W Antenna Host Carrier Frequency : 13.56MHz R/W : リーダライタ ( スマートフォン等 ) Host : ホスト RF IF : RFインターフェース Control Logic : 制御ロジック Non-Volatile Memory : 不揮発性メモリ Serial IF : シリアルインターフェース Communication Distance : 通信距離 図 1 NFC タグ通信システムの概略図 3

5 2. アンテナ設計について 2.1 アンテナ設計のフロー タグアンテナは 以下のフローで設計可能です STEP1 アンテナサイズの決定 NFC タグを搭載するセット仕様により 許容されるアンテナサイズを決めてください STEP2 アンテナ仕様の決定表 1 の測定結果を参考にして アンテナ仕様 ( 巻数, 線幅, 線間 ) を決めてください STEP3 アンテナ基板の作製 STEP1, 2 で決めた仕様のアンテナ基板を作製してください STEP4 共振容量の決定アンテナ基板に実装する共振容量の値を決めてください STEP5 NFC タグの動作確認アンテナ基板に NFC タグ LSI を実装して 以下の項目の測定を行い 正常に動作することを確認してください (1) 通信距離 (2) アンテナ端子電圧 4

6 2.2 アンテナサイズの決定 STEP1 NFC タグを搭載するセット仕様により 許容されるアンテナサイズを決定してください 弊社 NFC タグ LSI を使用した通信距離の測定結果 ( 表 1) を参考にしてください 2.3 アンテナ仕様の決定 STEP2 図 2 のアンテナ外形図に 本資料で扱うアンテナ仕様のパラメータを定義します 弊社 NFC タグ LSI を使用した通信距離の測定結果 ( 表 1) を参考にして アンテナ仕様 ( 巻数, 線幅, 線間 ) を決定してください 巻数 サイズ y 線幅線間 サイズ x 図 2 アンテナ外形図 5

7 2.3.1 通信距離の測定結果 表 1 に スマートフォンと弊社で試作した NFC タグの通信距離測定結果を示します 表 1-1 スマートフォン Nexus S との通信距離の測定結果 アンテナ形状 アンテナ 通信距離 サイズ [mm 2 ] 線幅 線間 巻数 [turn] インダクタンス [µh] 共振容量 [pf] 外部電源なし外部電源あり FeliCa Type B FeliCa Type B ( 注 1) スマートフォンは Nexus S (Samsung 製 ) を使用しています ( 注 2) 共振周波数は いずれも 13.56MHz に調整しています ( 注 3) 本データは弊社試作 NFC タグの測定結果であり お客様で作製される NFC タグの通信距離を保証するものではありません 6

8 表 1-2 スマートフォン Nexus S との通信距離の測定結果 アンテナ形状 アンテナ 通信距離 サイズ [mm 2 ] 線幅 線間 巻数 [turn] インダクタンス [µh] 共振容量 [pf] 外部電源なし外部電源あり FeliCa Type B FeliCa Type B ( 注 1) スマートフォンは Nexus S (Samsung 製 ) を使用しています ( 注 2) 共振周波数は いずれも 13.56MHz に調整しています ( 注 3) 本データは弊社試作 NFC タグの測定結果であり お客様で作製される NFC タグの通信距離を保証するものではありません 7

9 表 1-3 スマートフォン Nexus S との通信距離の測定結果 アンテナ形状 アンテナ 通信距離 サイズ [mm 2 ] 線幅 線間 巻数 [turn] インダクタンス [µh] 共振容量 [pf] 外部電源なし外部電源あり FeliCa Type B FeliCa Type B ( 注 1) スマートフォンは Nexus S (Samsung 製 ) を使用しています ( 注 2) 共振周波数は いずれも 13.56MHz に調整しています ( 注 3) 本データは弊社試作 NFC タグの測定結果であり お客様で作製される NFC タグの通信距離を保証するものではありません 表 1-4 スマートフォン Nexus S との通信距離の測定結果 アンテナ形状 アンテナ 通信距離 サイズ [mm 2 ] 線幅 線間 巻数 [turn] インダクタンス [µh] 共振容量 [pf] 外部電源なし外部電源あり FeliCa Type B FeliCa Type B ( 注 1) スマートフォンは Nexus S (Samsung 製 ) を使用しています ( 注 2) 共振周波数は いずれも 13.56MHz に調整しています ( 注 3) 本データは弊社試作 NFC タグの測定結果であり お客様で作製される NFC タグの通信距離を保証するものではありません 8

10 表 1-5 スマートフォン Galaxy Nexus との通信距離の測定結果 アンテナ形状 アンテナ 通信距離 サイズ [mm 2 ] 線幅 線間 巻数 [turn] インダクタンス [µh] 共振容量 [pf] 外部電源なし外部電源あり FeliCa Type B FeliCa Type B ( 注 1) スマートフォンは Galaxy Nexus (Samsung 製 ) を使用しています ( 注 2) 共振周波数は いずれも 13.56MHz に調整しています ( 注 3) 本データは弊社試作 NFC タグの測定結果であり お客様で作製される NFC タグの通信距離を保証するものではありません 表 1-6 スマートフォン ELUGA との通信距離の測定結果 アンテナ形状 アンテナ 通信距離 サイズ [mm 2 ] 線幅 線間 巻数 [turn] インダクタンス [µh] 共振容量 [pf] 外部電源なし外部電源あり FeliCa Type B FeliCa Type B ( 注 1) スマートフォンは ELUGA ( 製 ) を使用しています ( 注 2) 共振周波数は いずれも 13.56MHz に調整しています ( 注 3) 本データは弊社試作 NFC タグの測定結果であり お客様で作製される NFC タグの通信距離を保証するものではありません 9

11 2.4 アンテナ基板の作製 STEP3 図 3 の推奨回路図を参考にして アンテナ基板を作製してください 1.7V VDDEX 2.5V のとき C_vddex = 0.1μF~2.2μF, R_vddex = 0Ω 2.5V<VDDEX 3.6V のとき C_vddex = 2.2μF, R_vddex = 200Ω C_vddex 電源 IC 出力ポート VDDA VDDEX MN63Y1213 R_vddex 3.3k 3.3k 3.3k HOST 2.2μ SDA SDA VA SCL SCL L coil C res NIRQ NIRQ アンテナ共振容量 VB VSS 図 3 推奨回路図 ( 注 1) 共振容量の耐圧は 50V 以上のものをご使用ください ( 注 2) 共振容量は容量値の調整のため 複数のコンデンサが実装可能なパターン設計を推奨します 10

12 2.4.1 アンテナ基板の参考例 図 4 に アンテナ基板の参考例を示します ANT 面 LSI 実装面 φ ガラスエポキシ基板 (FR-4), 両面パターン基板厚 : 1.0mm パターン厚 : 60µm ( 銅配線 ) 図 4 アンテナ基板の参考例 11

13 2.5 共振容量の決定 STEP4 共振容量の値を 以下のフローで決定してください STEP4-1 アンテナ等価回路のパラメータ測定インピーダンスアナライザ等を用いてアンテナ等価回路のパラメータを測定してください STEP4-2 共振容量の算出 STEP4-1 で測定したパラメータを用い 共振周波数が 13.56MHz になるように 共振容量の値を計算してください STEP4-3 適正な共振容量の決定 STEP4-2 で算出した容量値のコンデンサと NFC タグ LSI をアンテナ基板に実装し 共振周波数を測定してください 共振周波数の測定値が 13.56MHz となるように 共振容量の値を調整してください 12

14 2.5.1 アンテナ等価回路のパラメータ測定 STEP4-1 図 5 に アンテナ等価回路のパラメータ測定方法を示します ここで測定するパラメータは L coil, R coil, C coil です タグアンテナ Impedance Analyzer (HP4194A) R coil C coil L coil アンテナ等価回路 図 5 アンテナ等価回路のパラメータ測定方法 < 測定例 > HP4194A の場合 1 インピーダンスアナライザの START 周波数を 13MHz STOP 周波数を 14MHz に設定する 2 Z -θ モードで single 測定する 3 MoreMenu > Equivalent Circuit ボタンを押し 上図と同じ等価回路を選択する 4 Calculate ボタンを押すと L coil, R coil, C coil が求まる 5 C coil が小さくて この方法で正しく測定できない場合は C coil = 0 pf として L s -R s モードで測定する アンテナ等価回路のパラメータは 電磁界シミュレータを活用して 計算することもできます 13

15 2.5.2 共振容量の算出 STEP4-2 図 6 に示す NFC タグの等価回路から導いた算出式 ( 式 (1) ) を参考にして 共振容量を算出してください 共振容量 NFC タグ LSI タグアンテナ L coil : アンテナインダクタンス R coil : アンテナ抵抗 C coil : アンテナ寄生容量 C res : 共振容量 C in : LSI 入力容量 R L : LSI 等価抵抗 R coil L coil C coil C res C in R L 図 6 NFC タグの等価回路 図 6 の等価回路では 共振周波数 (f r ) は式 (1) で表されます f r = 2 π L coil 1 (C coil + C res + C in) 式 (1) 14

16 共振容量の算出例 式 (1) にアンテナ等価回路の各パラメータの値を代入して 共振容量 (C res ) を算出してください 尚 入力容量 (C in ) は 製品規格の項目を参照に設定してください 本例 (MN63Y1213) は 製品規格の項目 C9 より C in = 15.5pF です また アンテナ等価回路のパラメータを L coil = 1µH C coil = 2pF 共振周波数を f r = 13.56MHz とした場合 13.56MHz = 2 π 1 1µ H (2pF + C res pF) となり 共振容量 C res = 120pF が算出されます 15

17 2.5.3 適正な共振容量の決定 STEP4-3 図 7 に 共振周波数の測定方法を示します STEP4-2 で算出した共振容量と NFC タグ LSI をアンテナ基板に実装した状態で共振周波数を測定して 適正な共振容量を決定してください 測定の結果 共振周波数が 13.56MHz からずれていた場合は 共振容量を調整してください 13.56MHz よりも測定した共振周波数が高い場合は 共振容量の値を大きくし 低い場合は小さくすることで調整が可能です Impedance Analyzer R X X ( リアクタンス ) R ( レジスタンス ) R max タグアンテナ 共振容量 共振周波数 (f r ) f NFC タグ NFC タグ LSI センスコイル (72mm 42mm, 1turn) 図 7 共振周波数の測定方法 < 測定例 > 1 キャリブレーションを行う Open モードはセンスコイルをつなげないで行い Short モードはセンスコイルをつなげて行う 2 NFC タグ LSI の電源 (VDDEX) GND (VSS) は 電圧印加しない 3 インピーダンスアナライザの START 周波数を 10MHz STOP 周波数を 15MHz に設定する 4 R-X モードに設定して測定する 5 R ( レジスタンス ) が最大となる時の周波数が 共振周波数 (f r ) となる 16

18 2.6 NFC タグの動作確認 STEP5 アンテナ基板に NFC タグ LSI を実装して 以下の項目の測定を行い 正常に動作することを確認してください (1) 通信距離 (2) アンテナ端子電圧 通信距離の測定 図 8 の通信距離の測定方法を参考にして スマートフォンとの通信距離の測定を行ってください お客様の仕様と比較して 満足するかを確認してください SmartPhone Communication Distance NFC TAG NFC TAG LSI Antenna Resonant Capacitor 図 8 通信距離の測定方法 < 測定例 > 1 NFC タグをスマートフォンに近づけて行く 2 スマートフォンで NFC 通信が成功した時の距離を測定する 17

19 2.6.2 アンテナ端子電圧の確認 表 2 に 弊社で試作した NFC タグのアンテナ端子電圧の測定結果を示します 表 2 を参考にして 製品規格を満たしていることを確認してください 確認の項目は D10(VB-VSS 間電圧は 21Vpp 以下 ) です 表 2 アンテナ端子電圧の測定結果 サイズ [mm 2 ] アンテナ形状 線幅 線間 巻数 [turn] H max [A/m] VB-VSS 間電圧 [Vpp] (8.5) (8.5) (8.5) (8.5) (8.5) (8.5) 6.5 V RFH VB V A V B L L V B L H VSS RF High RF Low RF High 図 9 VA VB 端子の電圧波形 ( 注 1) 本データは弊社試作 NFC タグの測定結果であり お客様で作製される NFC タグのアンテナ端子電圧を保証するものではありません ( 注 2) アンテナサイズが大きい場合 アンテナ端子電圧が製品規格 (D10) を越えないようにご注意ください ( 注 3) サイズの最大磁界強度は 測定装置の制約で 8.5A/m としています 18

20 3. 参考 3.1 ISO/IEC のアンテナクラス 表 3 に ISO/IEC , 2 で規定されているアンテナクラスを示します アンテナクラスに応じて動作磁界強度が決まっています 表 3 ISO/IEC のアンテナクラス 形状区分及びその外形寸法 クラス横 縦 形状 アンテナコイル実装が禁止されているエリア 動作磁界強度 [A/m] Class ~7.5 Class ~8.5 Class ~8.5 Class ~12 Class ~14 Class6 25> 20> 4.5~18 19

21 3.2 NFC フォーラムのアンテナイメージ 図 10 に 2011/2/15 の NFC フォーラムで報告されたアンテナ形状のイメージを示します NFC FORUM -NFC Analogue Specification- 2/15/2011 横 縦 巻数 [turn] 線幅 間隔 LISTENER LISTENER LISTENER LISTENER-1 LISTENER mm 46.0mm 42.8mm 42.8mm 54.0mm R=2.0mm R=5.0mm R=3.0mm R=4.0mm 27.0mm 41.5mm 54.0mm R=2.0mm R=2.6mm R=3.8mm R=3.2mm 27.0mm 32.0mm TRACK WIDTH = 0.5mm R=4.4mm TRACK WIDTH = 0.3mm 150.0mm 150.0mm LISTENER mm 42.8mm 54.0mm 27.0mm 19.7mm R=1.0mm TRACK WIDTH = 0.3mm 150.0mm 図 10 NFC フォーラムのアンテナイメージ 20

22 3.3 アンテナ端子電圧の測定方法 図 11 のような測定環境を構築することで アンテナ端子電圧を測定することができます NFC タグの試験方法の詳細は ISO/IEC を確認してください アンテナコイル NFC タグ 等距離 (37.5mm) に設置 整合回路 Signal Generator Oscillo Scope 磁界校正用コイル (72mm 42mm, 1turn) 図 11 アンテナ端子電圧の測定環境概念図 ISO/IEC , 2 のアンテナクラスの規定 (3.1) を参照して アンテナクラスに応じた最大磁界強度 (H max ) を確認します R/W によっては H max を越える磁界を発生することがあり その場合はその値を H max とします < 測定例 > 1 プローブを測定するノードに接続した状態で 共振周波数が 13.56MHz になるように共振容量を調整する 2 アンテナ中心が合うように NFC タグを設置する 3 最大磁界強度 (H max ) が発生するように信号発生器の出力レベルを変え VB-VSS 間電圧をオシロスコープで測定する 21

23 4. 変更履歴 項番日付版変更内容 Version 1.00 新規作成 Version 1.10 注意事項追加通信距離測定データ追加アンテナ端子電圧測定データ修正 Version 1.20 例を MN63Y1213 に変更 22

24 本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 (1) 本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は 当該国における法令 特に安全保障輸出管理に関する法令を遵守してください (2) 本書に記載の技術情報は 製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり それをもってパナソニック株式会社または他社の知的財産権もしくはその他の権利の許諾を意味するものではありません したがって 上記技術情報のご使用に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合 当社はその責任を負うものではありません (3) 本書に記載の製品は 一般用途 ( 事務機器 通信機器 計測機器 家電製品など ) もしくは 本書に個別に記載されている用途に使用されることを意図しております 特別な品質 信頼性が要求され その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり 人体に危害を及ぼす恐れのある用途 - 特定用途 ( 車載機器 航空 宇宙用 輸送機器 交通信号機器 燃焼機器 医療機器 安全装置など ) でのご使用を想定される場合は事前に当社営業窓口までご相談の上 使用条件等に関して別途 文書での取り交わしをお願いします 文書での取り交わしなく使用されたことにより発生した損害などについては 当社は一切の責任を負いません (4) 本書に記載の製品および製品仕様は 改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承ください したがって 最終的な設計 ご購入 ご使用に際しましては 事前に最新の製品規格書または仕様書をお求め願い ご確認ください (5) 設計に際しては 絶対最大定格 動作保証条件 ( 動作電源電圧 動作環境等 ) の範囲内でご使用いただきますようお願いいたします 特に絶対最大定格に対しては 電源投入および遮断時 各種モード切替時などの過渡状態においても 超えることのないように十分なご検討をお願いいたします 保証値を超えてご使用された場合 その後に発生した機器の故障 欠陥については当社として責任を負いません また 保証値内のご使用であっても 半導体製品について通常予測される故障発生率 故障モードをご考慮の上 当社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故 火災事故 社会的な損害などを生じさせない冗長設計 延焼対策設計 誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じていただきますようお願いいたします (6) 製品取扱い時 実装時およびお客様の工程内における外的要因 (ESD EOS 熱的ストレス 機械的ストレス ) による故障や特性変動を防止するために 使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください 分解後や実装基板から取外し後に再実装された製品に対する品質保証は致しません また 防湿包装を必要とする製品は 保存期間 開封後の放置時間など 個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた条件を守ってご使用ください (7) 本書に記載の製品を他社へ許可なく転売され 万が一転売先から何らかの請求を受けた場合 お客様においてその対応をご負担いただきますことをご了承ください (8) 本書の一部または全部を当社の文書による承諾なしに 転載または複製することを堅くお断りいたします No

MTM13227

MTM13227 シリコン N チャネル MOSFET スイッチング回路用 Unit: mm 特長 低ドレイン ソース間オン抵抗 :RDS(on) typ. = 85 mω (VGS = 4. V) 低電圧駆動 : 2.5 V 駆動 ハロゲンフリー 鉛フリー対応パッケージ (EU RoHS / UL-94 V- / MSL:Level 適合 ) 形名表示記号 : ET 包装仕様 エンボスタイプ ( 熱圧着方式 ) :

More information

Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc

Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4011BP,TC4011BF,TC4011BFT TC4011BP/TC4011BF/TC4011BFT Quad 2 Input NAND Gate は 2 入力の正論理 NAND ゲートです これらのゲートの出力は すべてインバータによるバッファが付加されているため 入出力特性が改善され 負荷容量の増加による伝達時間の変動が最小限に抑えられます

More information

Microsoft Word - TC4013BP_BF_J_P9_060601_.doc

Microsoft Word - TC4013BP_BF_J_P9_060601_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4013BP,TC4013BF TC4013BP/TC4013BF Dual D-Type Flip Flop は 2 回路の独立な D タイプ フリップフロップです DATA 入力に加えられた入力レベルはクロックパルスの立ち上がりで Q および Q 出力に伝送されます SET 入力を H RESET 入力を L にすると Q 出力は H Q

More information

uPC258,4558 DS

uPC258,4558 DS お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

Microsoft Word - TA79L05_06_08_09_10_12_15_18_20_24F_J_P11_070219_.doc

Microsoft Word - TA79L05_06_08_09_10_12_15_18_20_24F_J_P11_070219_.doc 東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA79L05F,TA79L06F,TA79L08F,TA79L09F,TA79L10F, TA79L12F,TA79L15F,TA79L18F,TA79L20F,TA79L24F 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 三端子負出力固定定電圧電源 特長 TTL C 2 MOS の電源に最適です 外付け部品は不要です

More information

Microsoft Word - TC4017BP_BF_J_P10_060601_.doc

Microsoft Word - TC4017BP_BF_J_P10_060601_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4017BP,TC4017BF TC4017BP/TC4017BF Decade Counter/Divider は ステージの D タイプ フリップフロップより成る 進ジョンソンカウンタで 出力を 進数に変換するためのデコーダを内蔵しています CLOCK あるいは CLOCK INHIBIT 入力に印加されたカウントパルスの数により Q0~Q9

More information

uPC1093 DS

uPC1093 DS お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

FC8V2215

FC8V2215 ゲート抵抗内蔵デュアル N チャネル MOSFET リチウムイオン 2 次電池保護回路用 2.9 Unit: mm 0.3 0. 特長 低ドレイン ソース間オン抵抗 :Rds(on)typ. = 9.0 m (VGS = 4. V) ゲート抵抗内蔵 ハロゲンフリー 鉛フリー対応パッケージ (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 適合 ) 2.4 2. 形名表示記号 : 3

More information

Microsoft Word - TC4538BP_BF_J_2002_040917_.doc

Microsoft Word - TC4538BP_BF_J_2002_040917_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC438BP,TC438BF TC438BP/TC438BF Dual Precision Retriggerable/Resettable Monostable Multivibrator は リトリガ動作 リセット動作の可能な単安定マルチバイブレータでトリガは A B 2 つの入力により立ち上がり および立ち下がりのどちらでも行うこともできます

More information

MIP5310MT

MIP5310MT 種別 用途 構造 シリコン MO 形集積回路 スイッチング電源制御用 CMO 形 等価回路図 7 外形 DIP7-A1-B マーク記号 / マーキンク MIP531 A. 絶対最大定格 (Ta=25 ±3 ) No. 項目記号定格単位備考 1 ドレイン電圧 VD -0.3 ~ 700 V 1: 下記パルス幅以内での 2 VIN 電圧保証とする VIN -0.3 ~ 650 V 3 VDD 電圧オン時ブランキング幅

More information

TC74HC00AP/AF

TC74HC00AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC00AP,TC74HC00AF Quad 2-Input NAND Gate TC74HC00A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 入力 NAND ゲートです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 内部回路はバッファ付きの 3 段構成であり 高い雑音余裕度と安定な出力が得られます

More information

DF10G5M4N_J_

DF10G5M4N_J_ ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 用途 ESD 保護用 注意 : 本製品は ESD 保護用ダイオードであり, ESD 保護用以外の用途 ( 定電圧ダイオード用途を含むがこれに限らない ) には使用はできません 2. 外観と内部回路構成図 1 : I/O 1 2 : I/O 2 3 : GND 4 : I/O 3 5 : I/O 4 6 : NC 7 : NC 8 :

More information

TC74HC14AP/AF

TC74HC14AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC14AP,TC74HC14AF Hex Schmitt Inverter TC74HC14A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS シュミットトリガインバータです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます ピン接続 機能は TC74HCU04 と同じですが すべての入力は約

More information

Products catalog

Products catalog 2019 商品カタログ フィルムコンデンサ このカタログに記載している当社商品の技術情報および 商品のご使用にあたってのお願い ご注意 このカタログに記載されている商品を 特別な品質 信頼性が要求され その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり 人体に危害を及ぼす恐れのある用途 ( 例 : 宇宙 航空機器 運輸 交通機器 燃焼機器 医療機器 防災 防犯機器 安全装置など ) にお使いになる場合は 用途に合った仕様確認が必要となります

More information

RD2.0S~RD150S DS

RD2.0S~RD150S DS お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

Microsoft Word - TC74HC245_640AP_AF_P8_060201_.doc

Microsoft Word - TC74HC245_640AP_AF_P8_060201_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC245AP,TC74HC245AF,TC74HC640AP,TC74HC640AF Octal Bus Traceiver TC74HC245AP/AF 3-State, Non-Inverting TC74HC640AP/AF 3-State, Inverting TC74HC245AP/640AP TC74HC245A/640A

More information

Microsoft Word - TC74HCT245AP_AF_J_P8_060201_.doc

Microsoft Word - TC74HCT245AP_AF_J_P8_060201_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HCT245AP,TC74HCT245AF Octal Bus Transceiver TC74HCT245A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 8 回路入り双方向性バスバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レべルですので TTL レベルのバスに直結可能です

More information

FK9B0439ZL

FK9B0439ZL Single N-channel Mark Identifier.94 Unit: mm Features Drain-source On-state Resistance : RDS(on) typ. = 9.5 mω ( VGS = V ) CSP( Chip Size Package ) Halogen-free / RoHS compliant ( EU RoHS / UL-94 V- /

More information

DF2B6.8FS_J_

DF2B6.8FS_J_ ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 用途 ESD 保護用 注意 : 本製品は ESD 保護用ダイオードであり, ESD 保護用以外の用途 ( 定電圧ダイオード用途を含むがこれに限らない ) には使用はできません 2. 外観と回路構成図 1: カソード 2: アノード fsc 3. 絶対最大定格 ( 注 ) ( 特に指定のない限り, T a = 25) 項目 記号 定格

More information

TC7SET08FU_J_

TC7SET08FU_J_ CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 2-Input AND Gate 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. ) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高速動作 : t pd = 4.2 ns ( 標準 ) ( CC = 5.0, C = 15 ) (4) 低消費電流 : = ( ) (T a = 25 )

More information

MIP2N1AUKL

MIP2N1AUKL 種別用途構造ブロック図外形 シリコン MOS 形集積回路スイッチング電源制御用 Bi-CMOS 形図 8 TO-220C-G3-B マーク MIP2N1AUK A. 絶対最大定格 (Ta=25 ±3 ) NO. 定格 備考 1 ドレイン端子電圧 D -0.3 ~ 700 2 コントロール端子電圧 C -0.3 ~ 8.0 3 4 5 出力ピーク電流 1 チャネル部接合温度保存温度 IDP Tj Tstg

More information

TC7SZU04AFS_J_

TC7SZU04AFS_J_ CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック TC7SZU04AFS TC7SZU04AFS 1. 機能 Inverter (Unbuffer) 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. H) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高出力電流 : ±32 ma ( ) ( CC = ) (4) 動作電圧範囲 : CC = (5) 入力端子に,

More information

Microsoft PowerPoint - TLP184,185_TLP290,291 比較表 ppt

Microsoft PowerPoint - TLP184,185_TLP290,291 比較表 ppt TLP180/181 vs. TLP184/185 TLP280/281/284/285 vs. TLP290/291 比較表 フォトカプラ新 PKG SO6 内部構造 受光 IC( 出力 ) 2011 年 12 月東芝ディスクリートテクノロジー株式会社ディスクリート営業技術推進部 発光タ イオート ( 入力 ) Copyright 2011, Toshiba Corporation. 1 TLP180/181

More information

DF2B29FU_J_

DF2B29FU_J_ ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 用途 ESD 保護用 注意 : 本製品は ESD 保護用ダイオードであり, ESD 保護用以外の用途 ( 定電圧ダイオード用途を含むがこれに限らない ) には使用はできません 2. 特長 (1) AEC-Q101 適合 ( 注 1) 注 1: 詳細については弊社営業窓口へお問合せ下さい 3. 外観と回路構成図 1: Pin 1 2:

More information

The DatasheetArchive - Datasheet Search Engine

The DatasheetArchive - Datasheet Search Engine 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4069UBP,TC4069UBF,TC4069UBFT TC4069UBP/TC4069UBF/TC4069UBFT Hex Inverter は 6 回路のインバータです 内部回路はシンプルな 1 段ゲート構成のため 本来のインバータの他に CR 発振回路 / 水晶発振回路 / リニアアンプ等の応用に適しています 1 段ゲート構成のため

More information

TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信

TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信号伝達 単位 : mm TLP521 シリーズは GaAs 赤外 LED とシリコンフォトトランジスタを組 み合わせた高密度実装タイプのフォトカプラです TLP521 1 DIP 4 ピン 1 回路 TLP521

More information

FJ4B0111

FJ4B0111 Single P-channel For Load switching circuits 0.60 4 3 Unit: mm Features Drain-source ON resistance:rds(on) typ. = 141 m ( VGS = -2.5 V ) CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)

More information

HD74HCT564, HD74HCT574

HD74HCT564, HD74HCT574 ご注意 安全設計に関するお願い 1. 弊社は品質 信頼性の向上に努めておりますが 半導体製品は故障が発生したり 誤動作する場合があります 弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として 人身事故 火災事故 社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した冗長設計 延焼対策設計 誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください 本資料ご利用に際しての留意事項 1. 本資料は お客様が用途に応じた適切なルネサステクノロジ製品をご購入いただくための参考資料であり

More information

TC74HC4017AP/AF

TC74HC4017AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC4017AP,TC74HC4017AF Decade Counter/Divider TC74HC4017A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 10 進ジョンソンカウンタです CMOS の特長である低い消費電力で 等価な LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます CK あるいは CE 入力に印加されたカウントパルスの数により

More information

TC7WT126FU

TC7WT126FU 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック Dual Bus Buffer は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 回路入り 3- ステートバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レベルですので TTL レベルのバスに直結可能です 3- ステートコントロール入力 G を L とすることにより出力

More information

TC74HCT245AP/AF

TC74HCT245AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HCT245AP,TC74HCT245AF Octal Bus Traceiver TC74HCT245A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 8 回路入り双方向性バスバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レべルですので TTL レベルのバスに直結可能です

More information

TC4093BP/BF

TC4093BP/BF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4093BP, TC4093BF TC4093BP/TC4093BF Quad 2-Input NAND Schmitt Triggers は 全入力端子にシュミットトリガ機能をもった 4 回路の 2 入力 NAND ゲートです すなわち 入力波形の立ち上がり時と立ち下がり時に回路しきい値電圧が異なる ( P N ) のため 通常の NAND

More information

uPA2000 Series DS

uPA2000 Series DS お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 21 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

Microsoft Word - TC74HC107AP_AF_J_P9_060201_.doc

Microsoft Word - TC74HC107AP_AF_J_P9_060201_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC17AP,TC74HC17AF Dual J-K Flip-Flop with Clear TC74HC17A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS JK フリップフロップです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます J および K 入力に与えられた論理レベルに従って クロックの立ち下がりで出力が変化します

More information

FA6K3342ZL

FA6K3342ZL Zener Diode installed separate type dual P-channel For passive cell balancing circuits 2.0 0.2 Unit : mm 0.13 Features Build in Gate Resistor Drain-source ON-state Resistance : RDS(on) typ. = 280 mω (VGS

More information

2SD667. 2SD667A データシート

2SD667. 2SD667A データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

FC6K3339ZL

FC6K3339ZL Features Build in Gate Resistor, Gate-source Resistor and Zener Diode Drain-source ON-state Resistance : RDS(on) typ. = 200 mω (VGS = 4.5 V) AEC-Q101 qualified Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS /

More information

TC7SHU04FU_J_

TC7SHU04FU_J_ CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 Inverter (Unbuffer) 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. H) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高速動作 : t pd = 3.5 ns ( 標準 ) ( CC = 5.0, C L = ) (4) 低消費電流 : = ( ) (T a = 25

More information

TC74HC245,640AP/AF

TC74HC245,640AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC245AP,TC74HC245AF,TC74HC640AP,TC74HC640AF Octal Bus Traceiver TC74HC245AP/AF 3-State, Non-Inverting TC74HC640AP/AF 3-State, Inverting TC74HC245AP/640AP TC74HC245A/640A

More information

FK4B0110

FK4B0110 Single N-channel For oad switching circuits 0.80 4 3 Unit: mm Features Low Drain-source ON resistance:rds(on) typ. = 27 m (VGS = 2.5 V) CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level compliant)

More information

FCAB2135

FCAB2135 Established : 205-05-9 Doc No. TT4-EA-503 Revision. FCAB2350L FCAB2350L Gate resistor installed Dual N-channel For lithium-ion secondary battery protection circuits 3.05 6 5 4 Unit: mm Features Low source-source

More information

TC7SET125FU_J_

TC7SET125FU_J_ CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 Bus Buffer 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. H) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高速動作 : t pd = 3.7 ( 標準 ) ( CC = 5.0, C = pf) (4) 低消費電流 : = ( ) (T a = 25 ) (5) TT レベル入力

More information

FK4B0112

FK4B0112 Single N-channel For Load switching circuits.0 4 3 Unit: mm Features Low Drain-source ON resistance:rds(on) typ. = 7m (VGS = 2.5 V) CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level compliant)

More information

2SC1213, 2SC1213A データシート

2SC1213, 2SC1213A データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

Microsoft PowerPoint - m54583fp_j.ppt

Microsoft PowerPoint - m54583fp_j.ppt M8FP 8-UNIT ma DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY 概要 M8FP は PNP トランジスタと NPN トランジスタで構成された 8 回路のコレクタ電流シンク形のダーリントントランジスタアレイであり 微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回路です ピン接続図 ( 上面図 ) NC IN IN NC 9 O 8 O IN O 特長 高耐圧 (BCEO ) 大電流駆動

More information

FK4B0343ZL All in one N-channel MOS FET ADVANCE INFORMATION Features For passive cell balancing circuits Built-in cell discharge resistor, gate-source

FK4B0343ZL All in one N-channel MOS FET ADVANCE INFORMATION Features For passive cell balancing circuits Built-in cell discharge resistor, gate-source All in one N-channel Features For passive cell balancing circuits Built-in cell discharge resistor, gate-source resistor and zener diode CSP( Chip Size Package ) Halogen-free / RoHS compliant ( EU RoHS

More information

FK4B0111

FK4B0111 Established : 204-03-24 Doc No. TT4-EA-4955 Revision. Single N-channel For Load switching circuits 0.60 Unit: mm 4 3 Features Low Drain-source ON resistance:rds(on) typ. = 57m (VGS = 2.5 V) CSP (Chip Size

More information

2SC5200N_J_

2SC5200N_J_ バイポーラトランジスタ シリコン NPN 三重拡散形 1. 用途 電力増幅用 2. 特長 (1) 高耐圧です : V CEO = 230 V ( 最小 ) (2) 2SA1943Nとコンプリメンタリになります (3) 100Wハイファイオーディオアンプ出力段に最適です 3. 外観と内部回路構成図 1. ベース 2. コレクタ ( 放熱板 ) 3. エミッタ TO-3P(N) 4. 絶対最大定格 (

More information

TC74HC109AP/AF

TC74HC109AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC19AP,TC74HC19AF Dual J-K Flip-Flop with Preset and Clear TC74HC19A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS JK フリップフロップです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます J および K 入力に与えられた論理レベルに従って

More information

TC74HC112AP/AF

TC74HC112AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC112AP,TC74HC112AF Dual J-K Flip Flop with Preset and Clear TC74HC112A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS JK フリップフロップです CMOS の特長である低い消費電流で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます J および K 入力に与えられた論理レベルに従って

More information

2SC458, 2SC2308 データシート

2SC458, 2SC2308 データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com) 年

More information

Microsoft Word - f203f5da7f8dcb79bcf8f7b2efb0390d406bccf30303b doc

Microsoft Word - f203f5da7f8dcb79bcf8f7b2efb0390d406bccf30303b doc 東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA,,5,3,33,5F/S TAF, TAF, TA5F, TA3F, TA33F, TA5F, TAS, TAS, TA5S, TA3S, TA33S, TA5S.,,.5, 3, 3.3, 5 A 三端子正出力ロードロップアウトレギュレータ TA**F/S シリーズは 出力段に -PNP トランジスタを使用した出力電流 A ( 最大 ) の固定正出力ロードロップアウトレギュレータです

More information

S1F77330 シリーズ USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 S1F77330 シリーズは USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用している

S1F77330 シリーズ USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 S1F77330 シリーズは USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用している USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 は USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用しているため 高密度実装への対応が可能です 本 IC の入力にレベルシフト回路内蔵のため 外付けレベルシフト回路は不要です 特長 入力電圧範囲 :3.0V~3.6V

More information

2SK2313

2SK2313 東芝電界効果トランジスタシリコン N チャネル MOS 形 (L 2 π MOSⅤ) リレー駆動 DC DC コンバータ用 モータドライブ用 単位 : mm 4V 駆動です オン抵抗が低い : R DS (ON) = 8mΩ ( 標準 ) 順方向伝達アドミタンスが高い : Y fs = 60S ( 標準 ) 漏れ電流が低い : I DSS = 100μA ( 最大 ) (V DS = 60V) 取り扱いが簡単な

More information

NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10

NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10 端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,

More information

TTD1409B_J_

TTD1409B_J_ バイポーラトランジスタ シリコン NPN 三重拡散形 1. 用途 高電圧スイッチング用 2. 特長 (1) 直流電流増幅率が高い : h FE = 600 ( 最小 ) (V CE = 2 V, I C = 2 A) (2) ベースエミッタ間に抵抗が内蔵されております 3. 外観と内部回路構成図 1. ベース 2. コレクタ 3. エミッタ TO-220SIS 4. 絶対最大定格 ( 注 ) ( 特に指定のない限り,

More information

AC08DSMA, AC08FSMA DS

AC08DSMA, AC08FSMA DS お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 4 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

HD74LV2G74A

HD74LV2G74A お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NE エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

Microsoft Word - 80c08d3be78df73e f4a4e8a8940ab000fdaa2e doc

Microsoft Word - 80c08d3be78df73e f4a4e8a8940ab000fdaa2e doc 東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック DC モータ用シーケンシャルデュアルブリッジドライバ ( 正 逆 切り替えドライバ ) は 正 逆転切り替え用として最適なブリッジドライバで正転 逆転 ストップ ブレーキの 4 モードがコントロールできます 出力電流は 1.0A (AVE.) および 2.0A (PEAK) 取り出せます 特に VTR のフロントローディング テープローディング用として最適な回路構成であり出力側と制御側の二系統電源端子を有しており

More information

32R23J NN332AEVB

32R23J NN332AEVB 32R23J Total Pages 4 Page The product specifications described in this book are subject to change without notice for the product which is currently under development. At the final stage of your design,

More information

TTC004B_J_

TTC004B_J_ バイポーラトランジスタ シリコン NPN エピタキシャル形 1. 用途 オーディオアンプドライブ段増幅用 2. 特長 (1) 高耐圧です : V CEO = 160 V ( 最小 ) (2) TTA004Bとコンプリメンタリになります (3) コレクタ出力容量が小さい : C ob = 12 pf ( 標準 ) (4) トランジション周波数が高い : f T = 100 MHz ( 標準 ) 3.

More information

HD74LV2GT34A

HD74LV2GT34A お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

2SC460, 2SC461 データシート

2SC460, 2SC461 データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com) 年

More information

NJU72501 チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 NJU72501はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3V 入力から 18Vppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更すること

NJU72501 チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 NJU72501はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3V 入力から 18Vppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更すること チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3 入力から 18ppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更することができます また シャットダウン機能を備えており 入力信号を検出し無信号入力時には内部回路を停止することでバッテリーの長寿命化に貢献します

More information

TTB1067B_J_

TTB1067B_J_ バイポーラトランジスタシリコン PNP エピタキシャル形 ( ダーリントン接続 ) 1. 用途 マイクロモータドライブ用 ハンマードライブ用 スイッチング用 電力増幅用 2. 特長 (1) 直流電流増幅率が高い : h FE = 2000 ( 最小 ) (V CE = -2 V, I C = -1 A) (2) コレクタエミッタ間飽和電圧が低い :V CE(sat) = -1.5 V ( 最大 )

More information

評価ボード キット 開発ツールご使用上の注意事項 1. 本評価ボード キット 開発ツールは お客様での技術的評価 動作の確認および開発のみに用いられることを想定し設計されています それらの技術評価 開発等の目的以外には使用しないで下さい 本品は 完成品に対する設計品質に適合していません 2. 本評価

評価ボード キット 開発ツールご使用上の注意事項 1. 本評価ボード キット 開発ツールは お客様での技術的評価 動作の確認および開発のみに用いられることを想定し設計されています それらの技術評価 開発等の目的以外には使用しないで下さい 本品は 完成品に対する設計品質に適合していません 2. 本評価 S1V50300 評価キット NEWCASTLE 版 Rev.1.00 評価ボード キット 開発ツールご使用上の注意事項 1. 本評価ボード キット 開発ツールは お客様での技術的評価 動作の確認および開発のみに用いられることを想定し設計されています それらの技術評価 開発等の目的以外には使用しないで下さい 本品は 完成品に対する設計品質に適合していません 2. 本評価ボード キット 開発ツールは

More information

TTD1415B_J_

TTD1415B_J_ バイポーラトランジスタ シリコン NPN 三重拡散形 1. 用途 大電力スイッチング用 ハンマードライブ用 2. 特長 (1) 直流電流増幅率が高い : h FE = 2000 ( 最小 ) (V CE = 3 V, I C = 3 A) (2) コレクタエミッタ間飽和電圧が低い : V CE(sat) = 1.5 V ( 最大 ) (I C = 3 A, I B = 6 ma) (3) TTB1020Bとコンプリメンタリ

More information

フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています

フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High

More information

HW_estop

HW_estop ø22 H IEC60947-5-55.2IEC60947-5-1K IEC60947-5-56.2 IP65 IEC60529 JIS C8201-5-1,IEC60947-5-1 600V 10A AC-15A600 DC-13 AC-12 440V10A 10A 10A 6A 2A 24V 48V 50V 110V 220V 50/60Hz AC-15 72VA 10A 7A 5A 3A 1A

More information

TRS3E65F_J_

TRS3E65F_J_ SiC ショットキバリアダイオード 1. 用途 力率改善回路用 太陽光インバータ用 無停電電源用 DC-DCコンバータ用 2. 特長 (1) 2 世代チップデザイン (2) 大電流サージ耐量 : I FSM = 27 A ( 最大 ) (3) 接合容量が小さい : C j = 12 pf ( 標準 ) (4) リーク電流が小さい : I R = 0.2 µa ( 標準 ) 3. 外観と内部回路構成図

More information

TA78L05,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F

TA78L05,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F 東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA78L05F,TA78L06F,TA78L07F,TA78L08F,TA78L09F,TA78L10F, TA78L12F,TA78L15F,TA78L18F,TA78L20F,TA78L24F 5, 6, 7, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 3 端子正出力固定定電圧電源 特長 TTL, CMOS の電源に最適です

More information

DF2B26M4SL_J_

DF2B26M4SL_J_ ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 概要 は, モバイル機器のインタフェースポートなどで静電気やノイズから半導体部品を保護するTVSダイオード (ESD 保護ダイオード ) です 本製品は, スナップバック特性を利用することにより低ダイナミック抵抗を実現し, 優れた保護性能を提供します また, 低容量なため高速信号ラインに最適です 超小型パッケージ (0.62 mm 0.32

More information

評価ボード キット 開発ツールご使用上の注意事項 1. 本評価ボード キット 開発ツールは お客様での技術的評価 動作の確認および開発のみに用いられることを想定し設計されています それらの技術評価 開発等の目的以外には使用しないで下さい 本品は 完成品に対する設計品質に適合していません 2. 本評価

評価ボード キット 開発ツールご使用上の注意事項 1. 本評価ボード キット 開発ツールは お客様での技術的評価 動作の確認および開発のみに用いられることを想定し設計されています それらの技術評価 開発等の目的以外には使用しないで下さい 本品は 完成品に対する設計品質に適合していません 2. 本評価 S1V3S344 評価キット スタートガイド (NEWCASTLE ボード版 ) Rev.1.00 評価ボード キット 開発ツールご使用上の注意事項 1. 本評価ボード キット 開発ツールは お客様での技術的評価 動作の確認および開発のみに用いられることを想定し設計されています それらの技術評価 開発等の目的以外には使用しないで下さい 本品は 完成品に対する設計品質に適合していません 2. 本評価ボード

More information

MN101E60シリーズ

MN101E60シリーズ 8 ビットシングルチップマイクロコントローラ 概要 MN101E シリーズは MN101C シリーズのメモリ拡張版であり 多機能な周辺機能を複合した 8ビットのシングルチップマイクロコンピュータで カメラ VCR MD TV CD LD プリンタ 電話機 HA 機器 ページャ エアコン PPC ファックス 電子楽器等の機器に使用することができます 本 LSIは 機器組込み用マイクロコンピュータとして

More information

TC7SZ125FU_J_

TC7SZ125FU_J_ CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 Bus Buffer with 3-State Output 2. 特長 (1) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 1) (2) 高出力電流 : ±24 ma ( ) ( CC = 3 ) (3) 超高速動作 : t pd = 2.6 ( 標準 ) ( CC = 5, C L = pf) (4) 動作電圧範囲 :

More information

SSM3K7002KFU_J_

SSM3K7002KFU_J_ MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 1. 用途 高速スイッチング用 2. 特長 (1) ESD(HBM) 2 kv レベル (2) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 1.05 Ω ( 標準 ) (@V GS = 10 V) R DS(ON) = 1.15 Ω ( 標準 ) (@V GS = 5.0 V) R DS(ON) = 1.2 Ω ( 標準 ) (@V GS = 4.5

More information

Microsoft Word - IR1011_MS1472-J-00_ doc

Microsoft Word - IR1011_MS1472-J-00_ doc IR0 赤外線センサ 特長 旭化成赤外線センサ IR0 は 常温で動作することを特徴とした超小型 表面実装対応の量子型赤外線センサです 自社のホール素子製造技術をベースにした InSb 薄膜からフォトダイオードを作成 これを太陽電池モードで動作させることにより 高感度 高速応答性 直流出力 フィルター不要等の量子型赤外線センサの特徴はそのままに 無バイアスで赤外線を検知できます 人体検知 非接触温度測定

More information

74LCX04FT_J_

74LCX04FT_J_ CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 Low-oltage Hex Inverter with 5- Tolerant Inputs and Outputs 2. 概要 は 低電圧 ( ) 駆動のCMOSインバータです CMOSの特長である低消費電力で システムにおける高速動作が可能です すべての入力端子および出力端子 ( 電源オフ時だけ ) には5.5 の信号入力が許容されるため

More information

TC7SP57,58FU

TC7SP57,58FU 東芝 MOS デジタル集積回路シリコンモノリシック T7FU, T7FU Low oltage Single onfigurable Multiple Function Gate with 3.6- Tolerant Inputs and Outputs T7,58 は 1.2 からの動作を保証した低電圧駆動の MOS マルチファンクションゲートです MOS の特長である低消費電力で 1.5 1.8

More information

CR02AM-8 データシート <TO-92>

CR02AM-8 データシート <TO-92> お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

Microsoft Word - AK8133_MS0930_J_05.doc

Microsoft Word - AK8133_MS0930_J_05.doc AK8133 Multi Clock Generator for Audio AK8133 は 高性能オーディオ用 PLL クロックジェネレータ IC です 27MHz 水晶振動子または外部からの 27MHz 入力から複数のオーディオ用クロックを同時に生成します 出力周波数は端子設定により選択できますので各種オーディオシステムに適用することができます AK8133 は出力周波数近傍のスプリアスを大幅に軽減していますので水晶発振器を用いた場合と同等の

More information

SSM6J505NU_J_

SSM6J505NU_J_ MOSFET シリコン P チャネル MOS 形 (U-MOS) 1. 用途 パワーマネジメントスイッチ用 2. 特長 (1) 1.2 V 駆動です (2) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 61 mω ( 最大 ) (@V GS = -1.2 V) R DS(ON) = 30 mω ( 最大 ) (@V GS = -1.5 V) R DS(ON) = 21 mω ( 最大 ) (@V GS

More information

Microsoft PowerPoint - m54562fp_j.ppt

Microsoft PowerPoint - m54562fp_j.ppt 8-UNIT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE 概要 は PNP トランジスタと NPN トランジスタで構成された 8 回路の出力ソース形ダーリントントランジスタアレイであり 微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回路です ピン接続図 ( 上面図 ) NC IN NC 9 O IN 8 O 特長 高耐圧 (BCEO ) 大電流駆動 (IO(max)=

More information

TA78L005,006,007,075,008,009,10,12,132,15,18,20,24AP

TA78L005,006,007,075,008,009,10,12,132,15,18,20,24AP 東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA78L005AP,TA78L006AP,TA78L007AP,TA78L075AP,TA78L008AP, TA78L009AP,TA78L010AP,TA78L012AP,TA78L132AP,TA78L015AP, TA78L018AP,TA78L020AP,TA78L024AP 5, 6, 7, 7.5, 8, 9, 10, 12, 13.2,

More information

NJM78L00 3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さ

NJM78L00 3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さ 3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さくなり, さらに雑音特性も改良されています 外形 UA EA (5V,9V,12V のみ ) 特徴 過電流保護回路内蔵

More information

RL78/G1D評価ボード搭載モジュール 基板設計データ

RL78/G1D評価ボード搭載モジュール 基板設計データ アプリケーションノート 評価ボード搭載モジュール基板設計データ R01AN3168JJ0100 Rev.1.00 要旨 この資料は 評価ボード (RTK0EN0001D01001BZ) に搭載されている 搭載モジュール (RTK0EN0002C01001BZ) の基板設計データについて記載しています 基板データには回路図 部品表 ガーバーデータ 基板レイアウト図が含まれます 対象デバイス 目次 1.

More information

MIP5310MT

MIP5310MT 種別 用途 構造 シリコン MO 形集積回路 スイッチング電源制御用 CMO 形 等価回路図 7 外形 DIP7-A1-B マーク記号 / マーキンク MIP531 A. 絶対最大定格 (Ta=25 ±3 ) No. 項目記号定格単位備考 1 ドレイン電圧 VD -0.3 ~ 700 V 1: 下記パルス幅以内での 2 VIN 電圧保証とする VIN -0.3 ~ 650 V 3 VDD 電圧オン時ブランキング幅

More information

CSM_XS2_DS_J_11_2

CSM_XS2_DS_J_11_2 XS2 1 XS2 2 0120-919-066 055-982-5015 XS2 3 XS2 0120-919-066 055-982-5015 4 5 XS2 XS2 6 0120-919-066 055-982-5015 XS2 7 XS2 0120-919-066 055-982-5015 8 XS2 9 XS2 0120-919-066 055-982-5015 10 XS2 11 XS2

More information

CSM_G5Q_DS_J_1_14

CSM_G5Q_DS_J_1_14 0120-919-066 055-982-5015 1 2 www.fa.omron.co.jp/ 0120-919-066 055-982-5015 3 オムロン商品ご購入のお客様へ ご承諾事項 平素はオムロン株式会社 ( 以下 当社 ) の商品をご愛用いただき誠にありがとうございます 当社商品 のご購入については お客様のご購入先にかかわらず 本ご承諾事項記載の条件を適用いたします ご承諾のうえご注文ください

More information

TC74HC7266AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC7266AP,TC74HC7266AF Quad Exclusive NOR Gate TC74HC7266A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS エクスクルーシブ NOR ゲート

TC74HC7266AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC7266AP,TC74HC7266AF Quad Exclusive NOR Gate TC74HC7266A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS エクスクルーシブ NOR ゲート 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC7266AP,TC74HC7266AF Quad Exclusive NOR Gate TC74HC7266A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS エクスクルーシブ NOR ゲートです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 出力には 波形整形用バッファが付加されており

More information

CSM_G7L_DS_J_1_15

CSM_G7L_DS_J_1_15 1 0120-919-066 055-982-5015 TÜV 2 www.fa.omron.co.jp/ 2 0120-919-066 055-982-5015 3 4 www.fa.omron.co.jp/ 0120-919-066 055-982-5015 5 6 www.fa.omron.co.jp/ 7 0120-919-066 055-982-5015 8 www.fa.omron.co.jp/

More information

CSM_G6J-Y_DS_J_1_8

CSM_G6J-Y_DS_J_1_8 G6J-Y 0120-919-066 055-982-5015 1 G6J-Y 2 www.fa.omron.co.jp/ G6J-Y 0120-919-066 055-982-5015 3 G6J-Y 4 www.fa.omron.co.jp/ G6J-Y 0120-919-066 055-982-5015 5 6 www.fa.omron.co.jp/ G6J-Y G6J-Y 0120-919-066

More information

TPCP8406_J_

TPCP8406_J_ MOSFET シリコン P/N チャネル MOS 形 (U-MOS/U-MOS-H) 1. 用途 携帯電話用 モータドライブ用 2. 特長 (1) オン抵抗が低い PチャネルR DS(ON) = 33 mω ( 標準 ) (V GS = -10 V) NチャネルR DS(ON) = 24 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (2) 漏れ電流が低い Pチャネル I DSS = -10 µa

More information

The DatasheetArchive - Datasheet Search Engine

The DatasheetArchive - Datasheet Search Engine 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC7W139F,TC7W139FU 2-to-4 Line Decoder TC7W139 は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 4 出力デコーダです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます A B 2 本のバイナリアドレス入力により選択された出力のみ L レベルとなります 非選択の出力はすべて

More information

TPCA8056-H_J_

TPCA8056-H_J_ MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (U-MOS-H) 1. 用途 高効率 DC-DCコンバータ用 ノートブックPC 用 携帯電子機器用 2. 特長 (1) 小型, 薄型で実装面積が小さい (2) スイッチングスピードが速い (3) ゲート入力電荷量が小さい : Q SW = 17 nc ( 標準 ) (4) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 2.2 mω ( 標準 ) (V

More information

RL78/F13, F14 割り込み要因判別方法

RL78/F13, F14 割り込み要因判別方法 アプリケーションノート RL78/F13, F14 R01AN3343JJ0100 Rev.1.00 対象デバイス (RL78/F13, F14) では 複数の割り込み要因を一つの割り込みベクタ テーブル アドレスに兼用しています ( 表 1-1 参照 ) 複数の割り込み要因を共に使用する場合 割り込み処理内でどちらの割り込みが発生したか または両方の割り込みが発生したかを判定する必要があります 本アプリケーションノートでは

More information

EB-RL7023+SB/D2

EB-RL7023+SB/D2 RL7023 Stick/IPR ユーザーズ マニュアル テセラ テクノロジー株式会社 Rev :2.0 2014/9/30-1 - 目次 1 本書の概要... 3 2 PC 動作環境の説明... 4 3 USB ドライバのインストール... 4 3.1 RL7023 Stick の接続... 4 3.2 USB ドライバのインストール... 4 3.3 USB ドライバのダウンロード... 5 4

More information

CSM_G6K-2F-RF-V_DS_J_1_2

CSM_G6K-2F-RF-V_DS_J_1_2 G6K-2F-RF-V 12-919-66 55-982-15 1 G6K-2F-RF-V 2 www.fa.omron.co.jp/ G6K-2F-RF-V サーフェス マウント高周波リレー - - - - - ps 3-2 4 6 8 12 14 16 18 ps 2 4 6 8 12 14 16 ps 173 121.ps 2.5ps 177 96.5ps 3.5ps 147 75.2ps 4.8ps

More information

TPC8107

TPC8107 TPC87 東芝電界効果トランジスタシリコン P チャネル MOS 形 (U-MOSIII) TPC87 リチウムイオン 2 次電池用 ノートブック PC 用 携帯電子機器用 単位 : mm 小型 薄型で実装面積が小さい スイッチングスピードが速い オン抵抗が低い : R DS (ON) = 5.5 mω ( 標準 ) 順方向伝達アドミタンスが高い : Y fs = 3 S ( 標準 ) 漏れ電流が低い

More information

TLP240D,TLP240DF_J_

TLP240D,TLP240DF_J_ フォトカプラ フォトリレー 1. 用途 メカリレーの置き換え用 セキュリティシステム用 計測器用 ファクトリーオートメーション (FA) 制御機器用 アミューズメント機器用 スマートメータ用 電力量計用 2. 概要 TLP240D, TLP240DFは, フォトMOSFETと赤外発光ダイオードを光結合させた, 4ピンDIPのフォトリレーです このフォトリレーは絶縁耐圧が5000 Vrmsと高く, 強化絶縁要求のアプリケーションに適しています

More information