32R23J NN332AEVB
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- このか かやぬま
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1 32R23J Total Pages 4 Page The product specifications described in this book are subject to change without notice for the product which is currently under development. At the final stage of your design, purchasing, or use of the product, therefore, ask for the most uptodate Product Standards in advance to make sure that the latest specifications satisfy your requirements. Part NN332AEVB Automotive & Industrial Systems Company Corporation 2357
2 32R23J NN332AEVB
3 32R23J NN332AEVB 4 3 NN332A 6A DCDC (NN332AEVB). NN332A MOSFET DCDC 6A.2 DCDC 2m (Typ) m (Typ) MOSFET FCCM( ) SKIP( ) : 4.5V ~ 28V :.75V ~ 5.5V.6V % (2kHz / 43kHz / 65kHz) PGOOD : (UVLO) (TSD) (OVD) (OCP) (SCP) Table Table. EVBNN332A, AVIN = 4.5V 28V * VEN =.5V 5V A 6A * : AVIN () (RAVIN).3 HDD (Hard Disk Drives) SSD (Solid State Drives) PC TV OA.4 QFN24 (Size : 4 4 mm,.5 mm ).5 IC 2357
4 32R23J NN332AEVB AVIN SS AVIN EN CTL VREF SS Soft Start PGOOD ON/OFF BST VOUT Soft Start VOUT VFB VREF Control Logic Driver LX MODE FSEL P A Figure. Block Diagram 2357
5 32R23J NN332AEVB VOUT (Sense) VOUT (Force) + (Force) (Sense) V + Jumper for PGOOD V + + Load A Jumper for MODE Jumper for FSEL Jumper for EN Figure 2. Appearance of Evaluation Board 2357
6 32R23J NN332AEVB EN MODE FSEL PGOOD JEN JMODE JFSEL JPGOOD Figure 3. Appearance of JEN, JMODE, JFSEL Table 2. JMODE (Control modes Jumper JMODE JMODE Mode FCCM SKIP Jumper Table 3. JFSEL Control SW frequency JFSEL JFSEL JFSEL Frequency 2kHz 65kHz 43kHz Table 4. JEN (Control enable/disable Jumper JEN JEN Status enable disable Figure 4. Appearance of JPGOOD Table 5. JPGOOD (Control the Voltage PGOOD pin pulled up to Jumper JPGOOD JPGOOD Pull up to VEXT 2357
7 32R23J NN332AEVB Solder Land_ Solder Land_ C99 RAVIN To To AVIN To C C2 C3 VEXT JPGOOD CBST LX P BST MODE A A AVIN PGOOD SS VOUT VFB EN FSEL AVIN C CSS AVIN RPG PGOOD JEN RVFB VEN RFB4 RFB3 RFB2 RFB CFB RFB5 CAVIN CAVIN2 CAVIN3 JFSEL JMODE LLX CDCDCOUT CDCDCOUT2 CDCDCOUT3 CAP_ (Solder Land) DCDCOUT (Solder Land) DCDCOUT CAP_ : Not Installed Figure 5. Evaluation Board Schematic 2357
8 32R23J NN332AEVB Table.6 DCDC DCDCOUT DCDCOUT Table.7 Table 6. Function of Main Test points and Jumpers Reference Designator Default Function Main Test Points DCDCOUT test point at connector DCDCOUT test point at DCDCOUT connector VEN Test point supplying voltage to EN pin Jumpers JMODE 3pin headers to choose mode. Connect MODE to to choose SKIP mode, to to choose FCCM mode. JFSEL 3pin headers to choose frequency. Connect FSEL to to choose 43kHz, open to choose 65kHz, to to choose 2kHz JEN VEN 3pin headers for enable of NN332A. Connect EN to to disable, to VEN to enable. JPGOOD open 3pin headers for pullup of PGOOD. Connect to to allow pull up to pin, to VEXT to allow pull up to VEXT pin. Table 7. Jumper Setup Jumper Setup Mode Setup Mode Setup Mode JMODE JMODE MODE pin FCCM mode JMODE MODE pin SKIP mode JFSEL JEN JFSEL JEN FSEL pin VEN EN pin 2kHz enable JFSEL JEN FSEL pin VEN EN pin 65kHz disable JFSEL FSEL pin 43kHz JPGOOD JPGOOD Pull up to PGOOD pin Pull up to VEXT Pull up to JPGOOD Pull up to PGOOD pin Pull up to VEXT Pull up to VEXT 2357
9 32R23J NN332AEVB RFB RFB4.75V 5.5V RFB RFB4 Vout= (RFB + RFB2 + RFB3 + RFB4) x.6 () (RFB3 + RFB4) Table 8 RFB RFB4 Table 8. Output Voltages Output Voltage (V) RFB(k ohm) RFB2(k ohm) RFB3(k ohm) RFB4(k ohm)
10 32R23J NN332AEVB 4 5 Table 9 Table 9. Evaluation Board Bill of Materials Reference Designator QTY Value Description Size *3 Manufacturer Part Number CAVIN uf Capacitor, Ceramic, 5V, X7R, 2% 2 TAIYO YUDEN UMK325AB76MMT CAVIN2 uf Capacitor, Ceramic, 5V, X7R, 2% 2 TAIYO YUDEN UMK325AB76MMT CAVIN3.uF Capacitor, Ceramic, V, X7R, % 63 Murata GRM88R72A4KA35L CBST.uF Capacitor, Ceramic, V, X7R, % 63 Murata GRM88R72A4KA35L CDCDCOUT 22uF Capacitor, Ceramic, 25V, X7R, % 2 Murata GRM32ER7E226KE5L CDCDCOUT2 22uF Capacitor, Ceramic, 25V, X7R, % 2 Murata GRM32ER7E226KE5L CDCDCOUT3 C uf Capacitor, Ceramic, 5V, X7R, 2% 2 TAIYO YUDEN UMK325AB76MMT C2 uf Capacitor, Ceramic, 5V, X7R, 2% 2 TAIYO YUDEN UMK325AB76MMT C3.uF Capacitor, Ceramic, V, X7R, % 63 Murata GRM88R72A4KA35L CSS nf Capacitor, Ceramic, V, X7R, % 63 Murata GRM88R72A3KAL C.uF Capacitor, Ceramic, 25V, X7R, % 63 Murata GRM88R7E5KA2L LLX.uH Inductor, 8.A, 6.9m inch ETQP3WRWFN RAVIN Resistor, Chip,.W 63 ERJ3GEYRV RFB *2 3.3k Resistor, Chip,.W, % 63 ERJ3EKF33V RFB2 *2.2k Resistor, Chip,.W, % 63 ERJ3EKF2V RRB3 *2.k Resistor, Chip,.W, % 63 ERJ3EKFV RFB4 *2 Resistor, Chip,.W 63 ERJ3GEYRV RVFB Resistor, Chip,.W 63 ERJ3GEYRV RFB5 Resistor, Chip,.W 63 ERJ3GEYRV RPG k Resistor, Chip,.W, % 63 ERJ3EKF3V C99 *2 : 3.3V 4.2 *3 : EIA 2357
11 32R23J NN332AEVB 4 6 Figure 6 Figure Figure 6. Top Layer with silk screen ( Top View ) Figure 7. Bottom Layer with silk screen ( Bottom View ) 2357
12 32R23J NN332AEVB 4 2 Figure 8. Top Layer ( Top View ) Figure 9. Layer 2 ( Top View ) 2357
13 32R23J NN332AEVB 4 3 Figure. Layer 3 ( Top View ) Figure. Bottom Layer ( Top View ) 2357
14 32R23J NN332AEVB
15 本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 () 本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は 当該国における法令 特に安全保障輸出管理に関する法令を遵守してください (2) 本書に記載の技術情報は 製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり それをもってパナソニック株式会社または他社の知的財産権もしくはその他の権利の許諾を意味するものではありません したがって 上記技術情報のご使用に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合 当社はその責任を負うものではありません (3) 本書に記載の製品は 一般用途 ( 事務機器 通信機器 計測機器 家電製品など ) もしくは 本書に個別に記載されている用途に使用されることを意図しております 特別な品質 信頼性が要求され その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり 人体に危害を及ぼす恐れのある用途 特定用途 ( 車載機器 航空 宇宙用 輸送機器 交通信号機器 燃焼機器 医療機器 安全装置など ) でのご使用を想定される場合は事前に当社営業窓口までご相談の上 使用条件等に関して別途 文書での取り交わしをお願いします 文書での取り交わしなく使用されたことにより発生した損害などについては 当社は一切の責任を負いません (4) 本書に記載の製品および製品仕様は 改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承ください したがって 最終的な設計 ご購入 ご使用に際しましては 事前に最新の製品規格書または仕様書をお求め願い ご確認ください (5) 設計に際しては 絶対最大定格 動作保証条件 ( 動作電源電圧 動作環境等 ) の範囲内でご使用いただきますようお願いいたします 特に絶対最大定格に対しては 電源投入および遮断時 各種モード切替時などの過渡状態においても 超えることのないように十分なご検討をお願いいたします 保証値を超えてご使用された場合 その後に発生した機器の故障 欠陥については当社として責任を負いません また 保証値内のご使用であっても 半導体製品について通常予測される故障発生率 故障モードをご考慮の上 当社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故 火災事故 社会的な損害などを生じさせない冗長設計 延焼対策設計 誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じていただきますようお願いいたします (6) 製品取扱い時 実装時およびお客様の工程内における外的要因 (ESD EOS 熱的ストレス 機械的ストレス ) による故障や特性変動を防止するために 使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください 分解後や実装基板から取外し後に再実装された製品に対する品質保証は致しません また 防湿包装を必要とする製品は 保存期間 開封後の放置時間など 個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた条件を守ってご使用ください (7) 本書に記載の製品を他社へ許可なく転売され 万が一転売先から何らかの請求を受けた場合 お客様においてその対応をご負担いただきますことをご了承ください (8) 本書の一部または全部を当社の文書による承諾なしに 転載または複製することを堅くお断りいたします 68
32R22J NN332AEVB
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96R22J NN396AEVB
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NN31004A
PSiP 12 A DC-DC (V IN = 4.5 V ~ 16 V, V OUT = 0.6 V ~ 3.6 V) http://www.semicon.panasonic.co.jp/jp/ DC-DC Skip 12 A PVIN = AVIN = 4.5 V 16 V 0.6 V 3.6 V 400 khz / 600 khz / 800 khz 1.0 V / 3.3 V () ()
MTM13227
シリコン N チャネル MOSFET スイッチング回路用 Unit: mm 特長 低ドレイン ソース間オン抵抗 :RDS(on) typ. = 85 mω (VGS = 4. V) 低電圧駆動 : 2.5 V 駆動 ハロゲンフリー 鉛フリー対応パッケージ (EU RoHS / UL-94 V- / MSL:Level 適合 ) 形名表示記号 : ET 包装仕様 エンボスタイプ ( 熱圧着方式 ) :
FA6K3342ZL
Zener Diode installed separate type dual P-channel For passive cell balancing circuits 2.0 0.2 Unit : mm 0.13 Features Build in Gate Resistor Drain-source ON-state Resistance : RDS(on) typ. = 280 mω (VGS
FC8V2215
ゲート抵抗内蔵デュアル N チャネル MOSFET リチウムイオン 2 次電池保護回路用 2.9 Unit: mm 0.3 0. 特長 低ドレイン ソース間オン抵抗 :Rds(on)typ. = 9.0 m (VGS = 4. V) ゲート抵抗内蔵 ハロゲンフリー 鉛フリー対応パッケージ (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 適合 ) 2.4 2. 形名表示記号 : 3
FC6K3339ZL
Features Build in Gate Resistor, Gate-source Resistor and Zener Diode Drain-source ON-state Resistance : RDS(on) typ. = 200 mω (VGS = 4.5 V) AEC-Q101 qualified Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS /
FK9B0439ZL
Single N-channel Mark Identifier.94 Unit: mm Features Drain-source On-state Resistance : RDS(on) typ. = 9.5 mω ( VGS = V ) CSP( Chip Size Package ) Halogen-free / RoHS compliant ( EU RoHS / UL-94 V- /
uPC258,4558 DS
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
uPC1093 DS
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
MIP5310MT
種別 用途 構造 シリコン MO 形集積回路 スイッチング電源制御用 CMO 形 等価回路図 7 外形 DIP7-A1-B マーク記号 / マーキンク MIP531 A. 絶対最大定格 (Ta=25 ±3 ) No. 項目記号定格単位備考 1 ドレイン電圧 VD -0.3 ~ 700 V 1: 下記パルス幅以内での 2 VIN 電圧保証とする VIN -0.3 ~ 650 V 3 VDD 電圧オン時ブランキング幅
FJ4B0111
Single P-channel For Load switching circuits 0.60 4 3 Unit: mm Features Drain-source ON resistance:rds(on) typ. = 141 m ( VGS = -2.5 V ) CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)
FK4B0343ZL All in one N-channel MOS FET ADVANCE INFORMATION Features For passive cell balancing circuits Built-in cell discharge resistor, gate-source
All in one N-channel Features For passive cell balancing circuits Built-in cell discharge resistor, gate-source resistor and zener diode CSP( Chip Size Package ) Halogen-free / RoHS compliant ( EU RoHS
Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4011BP,TC4011BF,TC4011BFT TC4011BP/TC4011BF/TC4011BFT Quad 2 Input NAND Gate は 2 入力の正論理 NAND ゲートです これらのゲートの出力は すべてインバータによるバッファが付加されているため 入出力特性が改善され 負荷容量の増加による伝達時間の変動が最小限に抑えられます
FCAB2135
Established : 205-05-9 Doc No. TT4-EA-503 Revision. FCAB2350L FCAB2350L Gate resistor installed Dual N-channel For lithium-ion secondary battery protection circuits 3.05 6 5 4 Unit: mm Features Low source-source
Products catalog
2019 商品カタログ フィルムコンデンサ このカタログに記載している当社商品の技術情報および 商品のご使用にあたってのお願い ご注意 このカタログに記載されている商品を 特別な品質 信頼性が要求され その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり 人体に危害を及ぼす恐れのある用途 ( 例 : 宇宙 航空機器 運輸 交通機器 燃焼機器 医療機器 防災 防犯機器 安全装置など ) にお使いになる場合は 用途に合った仕様確認が必要となります
FK4B0112
Single N-channel For Load switching circuits.0 4 3 Unit: mm Features Low Drain-source ON resistance:rds(on) typ. = 7m (VGS = 2.5 V) CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level compliant)
FK4B0110
Single N-channel For oad switching circuits 0.80 4 3 Unit: mm Features Low Drain-source ON resistance:rds(on) typ. = 27 m (VGS = 2.5 V) CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level compliant)
FK4B0111
Established : 204-03-24 Doc No. TT4-EA-4955 Revision. Single N-channel For Load switching circuits 0.60 Unit: mm 4 3 Features Low Drain-source ON resistance:rds(on) typ. = 57m (VGS = 2.5 V) CSP (Chip Size
RD2.0S～RD150S DS
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
Microsoft Word - TC4013BP_BF_J_P9_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4013BP,TC4013BF TC4013BP/TC4013BF Dual D-Type Flip Flop は 2 回路の独立な D タイプ フリップフロップです DATA 入力に加えられた入力レベルはクロックパルスの立ち上がりで Q および Q 出力に伝送されます SET 入力を H RESET 入力を L にすると Q 出力は H Q
HD74HCT564, HD74HCT574
ご注意 安全設計に関するお願い 1. 弊社は品質 信頼性の向上に努めておりますが 半導体製品は故障が発生したり 誤動作する場合があります 弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として 人身事故 火災事故 社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した冗長設計 延焼対策設計 誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください 本資料ご利用に際しての留意事項 1. 本資料は お客様が用途に応じた適切なルネサステクノロジ製品をご購入いただくための参考資料であり
MIP2N1AUKL
種別用途構造ブロック図外形 シリコン MOS 形集積回路スイッチング電源制御用 Bi-CMOS 形図 8 TO-220C-G3-B マーク MIP2N1AUK A. 絶対最大定格 (Ta=25 ±3 ) NO. 定格 備考 1 ドレイン端子電圧 D -0.3 ~ 700 2 コントロール端子電圧 C -0.3 ~ 8.0 3 4 5 出力ピーク電流 1 チャネル部接合温度保存温度 IDP Tj Tstg
Microsoft Word - TA79L05_06_08_09_10_12_15_18_20_24F_J_P11_070219_.doc
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA79L05F,TA79L06F,TA79L08F,TA79L09F,TA79L10F, TA79L12F,TA79L15F,TA79L18F,TA79L20F,TA79L24F 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 三端子負出力固定定電圧電源 特長 TTL C 2 MOS の電源に最適です 外付け部品は不要です
Microsoft Word - TC4017BP_BF_J_P10_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4017BP,TC4017BF TC4017BP/TC4017BF Decade Counter/Divider は ステージの D タイプ フリップフロップより成る 進ジョンソンカウンタで 出力を 進数に変換するためのデコーダを内蔵しています CLOCK あるいは CLOCK INHIBIT 入力に印加されたカウントパルスの数により Q0~Q9
2SC1213, 2SC1213A データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
Microsoft Word - TC4538BP_BF_J_2002_040917_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC438BP,TC438BF TC438BP/TC438BF Dual Precision Retriggerable/Resettable Monostable Multivibrator は リトリガ動作 リセット動作の可能な単安定マルチバイブレータでトリガは A B 2 つの入力により立ち上がり および立ち下がりのどちらでも行うこともできます
NFCタグアンテナデザインガイド
Version 1.20 0 注意事項 FeliCa は ソニー株式会社の登録商標です Nexus S Nexus は Google Inc. の商標または登録商標です Galaxy は Samsung Electronics Co., Ltd.. 登録商標です ELUGA は 当社の商標または登録商標です 1 目次 1. はじめに... 3 1.1 本資料の目的... 3 2. アンテナ設計について...
2SD667. 2SD667A データシート
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HD74LV2GT34A
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2SC458, 2SC2308 データシート
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uPA2000 Series DS
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The DatasheetArchive - Datasheet Search Engine
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4069UBP,TC4069UBF,TC4069UBFT TC4069UBP/TC4069UBF/TC4069UBFT Hex Inverter は 6 回路のインバータです 内部回路はシンプルな 1 段ゲート構成のため 本来のインバータの他に CR 発振回路 / 水晶発振回路 / リニアアンプ等の応用に適しています 1 段ゲート構成のため
TC7SET08FU_J_
CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 2-Input AND Gate 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. ) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高速動作 : t pd = 4.2 ns ( 標準 ) ( CC = 5.0, C = 15 ) (4) 低消費電流 : = ( ) (T a = 25 )
2SC460, 2SC461 データシート
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TC74HC00AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC00AP,TC74HC00AF Quad 2-Input NAND Gate TC74HC00A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 入力 NAND ゲートです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 内部回路はバッファ付きの 3 段構成であり 高い雑音余裕度と安定な出力が得られます
MIP2M20MT
種別 用途 構造 シリコン MOS 形集積回路 スイッチング電源制御用 CMOS 形 回路ブロック図図 8 外形 DIP7-A1-B マーク記号 MIP2M2 A. 絶対最大定格 (Ta=25 Ta=25 ± ±3 ) ) NO. 項目記号定格単位備考 1 ドレイン電圧 2 VCC 電圧 3 VDD 電圧 4 フィードバック電圧 5 フィードバック電流 6 LS 端子電圧 7 SO 端子電圧 8 出力ピーク電流
HD74LV2G74A
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USER'S GUIDE
スイッチングレギュレータシリーズ 絶縁型フライバック DC/DC コンバータ BD7F100EFJLB 評価ボード (24V ±15V, 0.165A) 評価ボードは 絶縁型フライバック DC/DC コンバータ IC の BD7F100EFJLB を使用して 24V の入力から 15V,15V の 2 種類の電圧を出力します 出力電流は最大 0.165A を供給します 性能仕様 これは代表値であり
AC08DSMA, AC08FSMA DS
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TC7SZU04AFS_J_
CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック TC7SZU04AFS TC7SZU04AFS 1. 機能 Inverter (Unbuffer) 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. H) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高出力電流 : ±32 ma ( ) ( CC = ) (4) 動作電圧範囲 : CC = (5) 入力端子に,
TC7SHU04FU_J_
CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 Inverter (Unbuffer) 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. H) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高速動作 : t pd = 3.5 ns ( 標準 ) ( CC = 5.0, C L = ) (4) 低消費電流 : = ( ) (T a = 25
DF2B6.8FS_J_
ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 用途 ESD 保護用 注意 : 本製品は ESD 保護用ダイオードであり, ESD 保護用以外の用途 ( 定電圧ダイオード用途を含むがこれに限らない ) には使用はできません 2. 外観と回路構成図 1: カソード 2: アノード fsc 3. 絶対最大定格 ( 注 ) ( 特に指定のない限り, T a = 25) 項目 記号 定格
CR02AM-8 データシート <TO-92>
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TC7WT126FU
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック Dual Bus Buffer は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 回路入り 3- ステートバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レベルですので TTL レベルのバスに直結可能です 3- ステートコントロール入力 G を L とすることにより出力
MIP5310MT
種別 用途 構造 シリコン MO 形集積回路 スイッチング電源制御用 CMO 形 等価回路図 7 外形 DIP7-A1-B マーク記号 / マーキンク MIP531 A. 絶対最大定格 (Ta=25 ±3 ) No. 項目記号定格単位備考 1 ドレイン電圧 VD -0.3 ~ 700 V 1: 下記パルス幅以内での 2 VIN 電圧保証とする VIN -0.3 ~ 650 V 3 VDD 電圧オン時ブランキング幅
DF2B29FU_J_
ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 用途 ESD 保護用 注意 : 本製品は ESD 保護用ダイオードであり, ESD 保護用以外の用途 ( 定電圧ダイオード用途を含むがこれに限らない ) には使用はできません 2. 特長 (1) AEC-Q101 適合 ( 注 1) 注 1: 詳細については弊社営業窓口へお問合せ下さい 3. 外観と回路構成図 1: Pin 1 2:
TC4093BP/BF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4093BP, TC4093BF TC4093BP/TC4093BF Quad 2-Input NAND Schmitt Triggers は 全入力端子にシュミットトリガ機能をもった 4 回路の 2 入力 NAND ゲートです すなわち 入力波形の立ち上がり時と立ち下がり時に回路しきい値電圧が異なる ( P N ) のため 通常の NAND
TC74HC14AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC14AP,TC74HC14AF Hex Schmitt Inverter TC74HC14A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS シュミットトリガインバータです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます ピン接続 機能は TC74HCU04 と同じですが すべての入力は約
USER'S GUIDE
スイッチングレギュレータシリーズ 絶縁型フライバック DC/DC コンバータ BD7F200EFJLB 評価ボード (24V 15V, 0.15A 4ch) 評価ボードは 絶縁型フライバック DC/DC コンバータ IC の BD7F200EFJLB を使用して 24V の入力から 15V の 電圧 4ch を出力します 出力電流は最大 0.15A を供給します 性能仕様 これは代表値であり 特性を保証するものではありません
Microsoft PowerPoint - TLP184,185_TLP290,291 比較表 ppt
TLP180/181 vs. TLP184/185 TLP280/281/284/285 vs. TLP290/291 比較表 フォトカプラ新 PKG SO6 内部構造 受光 IC( 出力 ) 2011 年 12 月東芝ディスクリートテクノロジー株式会社ディスクリート営業技術推進部 発光タ イオート ( 入力 ) Copyright 2011, Toshiba Corporation. 1 TLP180/181
LNCQ28PS01WW
LNCQWW Description LNCQWW is a MOCVD fabricated 66nm band wavelength laser diode with multi quantum well structure, using TO-56 CAN package to ensure versatile use. Features Wavelength: 66 nm (typ.) High
HD74LS54 データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
DF10G5M4N_J_
ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 用途 ESD 保護用 注意 : 本製品は ESD 保護用ダイオードであり, ESD 保護用以外の用途 ( 定電圧ダイオード用途を含むがこれに限らない ) には使用はできません 2. 外観と内部回路構成図 1 : I/O 1 2 : I/O 2 3 : GND 4 : I/O 3 5 : I/O 4 6 : NC 7 : NC 8 :
HW_estop
ø22 H IEC60947-5-55.2IEC60947-5-1K IEC60947-5-56.2 IP65 IEC60529 JIS C8201-5-1,IEC60947-5-1 600V 10A AC-15A600 DC-13 AC-12 440V10A 10A 10A 6A 2A 24V 48V 50V 110V 220V 50/60Hz AC-15 72VA 10A 7A 5A 3A 1A
TC7SET125FU_J_
CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 Bus Buffer 2. 特長 (1) AEC-Q100 (Rev. H) ( 注 1) (2) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 2) (3) 高速動作 : t pd = 3.7 ( 標準 ) ( CC = 5.0, C = pf) (4) 低消費電流 : = ( ) (T a = 25 ) (5) TT レベル入力
LM4663 2 Watt Stereo Class D Audio Pwr Amp w/Stereo Headphone Amplifier (jp)
2 Watt Stereo Class D Audio Power Amplifier with Stereo Headphone Amplifier Literature Number: JAJS693 Boomer 2006 4 A very minor text edit (typo). (MC) Converted to nat2000 DTD. Few edits on Table 1 and
RM0002-J01 Real Time Clock Module RTC-4543SA/SB RTC-4543SA RTC-4543SB Q Q
RM0002-J01 Real Time Clock Module RTC-4543SA/SB RTC-4543SA RTC-4543SB Q41454351000200 Q41454361000200 本マニュアルのご使用につきましては 次の点にご留意願います 1) 本カタログの内容については 予告なく変更することがあります 量産設計の際は最新情報をご確認ください 2) 本カタログの一部 または全部を弊社に無断で転載
NN30320A
http://www.semicon.panasonic.co.jp/jp/ 3 A ヒステレティック制御方式の同期整流型降圧 DC-DC レギュレータ (V IN = 4.5 V ~ 28 V, V OUT = 0.75 V ~ 5.5 V) 特長 ヒステレティック制御方式による高速応答の降圧 DC-DC レギュレータ 3 A 負荷時の高効率を実現するオン抵抗 20 m (Typ) の 2 つのパワー
4. 電源仕様 FA5695N Reference Design Item Value Unit Input voltage 85 to 264 Vac Output voltage 390 Vdc Output power 200 W Overcurrent limiting of power M
力率改善制御 IC FA5695N 電源設計例 : 390V/200W Reference Design. 概要本資料は 力率改善制御用 IC FA5695N シリーズを使用した PFC 回路の設計例です 出力電力は 200W で構成されています 2. 特長 入力電圧検出レスにより低待機電力 高精度電流検出 :0.6V±5% 最大周波数制限機能により軽負荷時の効率改善 ソフトスタート ダイナミック
PS2802-1,PS DS
Photocoupler SSOP NEPOC PS2802-1, PS2802-4 GaAs LED IC BV = 2 500 Vr.m.s. 4, 16 SSOP 1.27 mm CTR = 2 000% TYP. @ IF = 1 ma, VCE = 2 V PS2802-1-F3, F4, PS2802-4-F3, F4 PS2802-1, -4 UL File No. E72422 BSI
MAX7319 EV.J
19-4043; Rev 0; 2/08 PART TYPE MAX7319EVKIT+ EV Kit DESIGNATION QTY DESCRIPTION C1, C5 C9, C17, C18, C37 9 0.1μF ±10%, 16V X7R ceramic capacitors (0603) TDK C1608X7R1C104K C2 0 Not installed, capacitor
USER'S GUIDE
AC/DC Converter 非絶縁降圧型 PWM 方式 2W -12V 出 BM2P129TF 評価ボード 評価ボードは 90Vac 264Vacの から-12Vの負電圧を出 します 出 電流は最 0.167Aを供給します 650V MOSFET 内蔵 PWM 方式 DC/DCコンバータICのBM2P129TFを使用しています BM2P129TFは 650V 耐圧起動回路内蔵により 低消費電 に貢献します
RL78/F13, F14 割り込み要因判別方法
アプリケーションノート RL78/F13, F14 R01AN3343JJ0100 Rev.1.00 対象デバイス (RL78/F13, F14) では 複数の割り込み要因を一つの割り込みベクタ テーブル アドレスに兼用しています ( 表 1-1 参照 ) 複数の割り込み要因を共に使用する場合 割り込み処理内でどちらの割り込みが発生したか または両方の割り込みが発生したかを判定する必要があります 本アプリケーションノートでは
Microsoft Word - TC74HCT245AP_AF_J_P8_060201_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HCT245AP,TC74HCT245AF Octal Bus Transceiver TC74HCT245A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 8 回路入り双方向性バスバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レべルですので TTL レベルのバスに直結可能です
HD74AC00 データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 200 年 4 月 日を以って NC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.rnsas.om)
LNCT28PS01WW
LNCTWW Description LNCTWW is a MOCVD fabricated 66nm and 78nm band dual wavelength laser diode with multi quantum well structure, using TO-56 CAN package to ensure versatile use. Features Dual wavelength:
PS2561D-1,PS2561DL-1,PS2561DL1-1,PS2561DL2-1 DS
Photocoupler PS2561D-1,PS2561DL-1 PS2561DL1-1,PS2561DL2-1 110 C DIP NEPOC PS2561D-1 GaAs LED PS2561DL-1 PS2561D-1 PS2561DL1-1 PS2561D-1 PS2561DL2-1 PS2561D-1 110 C BV = 5 000 Vr.m.s. VCEO = 80 V CTR =
Microsoft Word - TC74HC245_640AP_AF_P8_060201_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC245AP,TC74HC245AF,TC74HC640AP,TC74HC640AF Octal Bus Traceiver TC74HC245AP/AF 3-State, Non-Inverting TC74HC640AP/AF 3-State, Inverting TC74HC245AP/640AP TC74HC245A/640A
TTD1415B_J_
バイポーラトランジスタ シリコン NPN 三重拡散形 1. 用途 大電力スイッチング用 ハンマードライブ用 2. 特長 (1) 直流電流増幅率が高い : h FE = 2000 ( 最小 ) (V CE = 3 V, I C = 3 A) (2) コレクタエミッタ間飽和電圧が低い : V CE(sat) = 1.5 V ( 最大 ) (I C = 3 A, I B = 6 ma) (3) TTB1020Bとコンプリメンタリ
NJU72501 チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 NJU72501はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3V 入力から 18Vppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更すること
チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3 入力から 18ppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更することができます また シャットダウン機能を備えており 入力信号を検出し無信号入力時には内部回路を停止することでバッテリーの長寿命化に貢献します
XP233P1501TR-j.pdf
P-channel MOSFET -3V, -1.5A JTR114-1 特長オン抵抗 駆動電圧環境への配慮 : RDS(on)=.19Ω@VGS =-1V : -4.5V : EU RoHS 指令対応 鉛フリー 用途 スイッチング用 内部接続図 端子配列 SOT-23(TO-236) Drain Gate Source 製品名 PRODUCT NAME PACKAGE ORDER UNIT * SOT-23(TO-236)
Microsoft Word - TC74HC107AP_AF_J_P9_060201_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC17AP,TC74HC17AF Dual J-K Flip-Flop with Clear TC74HC17A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS JK フリップフロップです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます J および K 入力に与えられた論理レベルに従って クロックの立ち下がりで出力が変化します
CSM_XS2_DS_J_11_2
XS2 1 XS2 2 0120-919-066 055-982-5015 XS2 3 XS2 0120-919-066 055-982-5015 4 5 XS2 XS2 6 0120-919-066 055-982-5015 XS2 7 XS2 0120-919-066 055-982-5015 8 XS2 9 XS2 0120-919-066 055-982-5015 10 XS2 11 XS2
CSM_G5Q_DS_J_1_14
0120-919-066 055-982-5015 1 2 www.fa.omron.co.jp/ 0120-919-066 055-982-5015 3 オムロン商品ご購入のお客様へ ご承諾事項 平素はオムロン株式会社 ( 以下 当社 ) の商品をご愛用いただき誠にありがとうございます 当社商品 のご購入については お客様のご購入先にかかわらず 本ご承諾事項記載の条件を適用いたします ご承諾のうえご注文ください
CSM_G7L_DS_J_1_15
1 0120-919-066 055-982-5015 TÜV 2 www.fa.omron.co.jp/ 2 0120-919-066 055-982-5015 3 4 www.fa.omron.co.jp/ 0120-919-066 055-982-5015 5 6 www.fa.omron.co.jp/ 7 0120-919-066 055-982-5015 8 www.fa.omron.co.jp/
CSM_G6J-Y_DS_J_1_8
G6J-Y 0120-919-066 055-982-5015 1 G6J-Y 2 www.fa.omron.co.jp/ G6J-Y 0120-919-066 055-982-5015 3 G6J-Y 4 www.fa.omron.co.jp/ G6J-Y 0120-919-066 055-982-5015 5 6 www.fa.omron.co.jp/ G6J-Y G6J-Y 0120-919-066
BD9328EFJ-LB_Application Information : パワーマネジメント
DC/DC Converter Application Information IC Product Name BD9328EFJ-LB Topology Buck (Step-Down) Switching Regulator Type Non-Isolation Input Output 1 4.2V to 18V 1.0V, 2.0A 2 4.2V to 18V 1.2V, 2.0A 3 4.2V
2SC5200N_J_
バイポーラトランジスタ シリコン NPN 三重拡散形 1. 用途 電力増幅用 2. 特長 (1) 高耐圧です : V CEO = 230 V ( 最小 ) (2) 2SA1943Nとコンプリメンタリになります (3) 100Wハイファイオーディオアンプ出力段に最適です 3. 外観と内部回路構成図 1. ベース 2. コレクタ ( 放熱板 ) 3. エミッタ TO-3P(N) 4. 絶対最大定格 (
TTD1409B_J_
バイポーラトランジスタ シリコン NPN 三重拡散形 1. 用途 高電圧スイッチング用 2. 特長 (1) 直流電流増幅率が高い : h FE = 600 ( 最小 ) (V CE = 2 V, I C = 2 A) (2) ベースエミッタ間に抵抗が内蔵されております 3. 外観と内部回路構成図 1. ベース 2. コレクタ 3. エミッタ TO-220SIS 4. 絶対最大定格 ( 注 ) ( 特に指定のない限り,
TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信
東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信号伝達 単位 : mm TLP521 シリーズは GaAs 赤外 LED とシリコンフォトトランジスタを組 み合わせた高密度実装タイプのフォトカプラです TLP521 1 DIP 4 ピン 1 回路 TLP521
Microsoft Word - f203f5da7f8dcb79bcf8f7b2efb0390d406bccf30303b doc
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA,,5,3,33,5F/S TAF, TAF, TA5F, TA3F, TA33F, TA5F, TAS, TAS, TA5S, TA3S, TA33S, TA5S.,,.5, 3, 3.3, 5 A 三端子正出力ロードロップアウトレギュレータ TA**F/S シリーズは 出力段に -PNP トランジスタを使用した出力電流 A ( 最大 ) の固定正出力ロードロップアウトレギュレータです
TC74HC4017AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC4017AP,TC74HC4017AF Decade Counter/Divider TC74HC4017A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 10 進ジョンソンカウンタです CMOS の特長である低い消費電力で 等価な LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます CK あるいは CE 入力に印加されたカウントパルスの数により
MN101E60シリーズ
8 ビットシングルチップマイクロコントローラ 概要 MN101E シリーズは MN101C シリーズのメモリ拡張版であり 多機能な周辺機能を複合した 8ビットのシングルチップマイクロコンピュータで カメラ VCR MD TV CD LD プリンタ 電話機 HA 機器 ページャ エアコン PPC ファックス 電子楽器等の機器に使用することができます 本 LSIは 機器組込み用マイクロコンピュータとして
LM A High Efficiency Synchronous Switching Regulator (jp)
LM2651 LM2651 1.5A High Efficiency Synchronous Switching Regulator Literature Number: JAJS632 LM2651 1.5A 1.5A High Efficiency Switching Regulator 2651 LM Dongyan Zhou 19980610 LM2651 100:1 (1.5A 15mA)
2SJ351,2SJ352 データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 21 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
2SJ160,2SJ161,2SJ162 データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
2SK1056,2SK1057,2SK1058 データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 4 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
TC74HC109AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC19AP,TC74HC19AF Dual J-K Flip-Flop with Preset and Clear TC74HC19A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS JK フリップフロップです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます J および K 入力に与えられた論理レベルに従って
TTC004B_J_
バイポーラトランジスタ シリコン NPN エピタキシャル形 1. 用途 オーディオアンプドライブ段増幅用 2. 特長 (1) 高耐圧です : V CEO = 160 V ( 最小 ) (2) TTA004Bとコンプリメンタリになります (3) コレクタ出力容量が小さい : C ob = 12 pf ( 標準 ) (4) トランジション周波数が高い : f T = 100 MHz ( 標準 ) 3.
TC74HCT245AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HCT245AP,TC74HCT245AF Octal Bus Traceiver TC74HCT245A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 8 回路入り双方向性バスバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レべルですので TTL レベルのバスに直結可能です
TC7SZ125FU_J_
CMOS デジタル集積回路 シリコンモノリシック 1. 機能 Bus Buffer with 3-State Output 2. 特長 (1) 動作温度が広い : T opr = -40125 ( 注 1) (2) 高出力電流 : ±24 ma ( ) ( CC = 3 ) (3) 超高速動作 : t pd = 2.6 ( 標準 ) ( CC = 5, C L = pf) (4) 動作電圧範囲 :
TC74HC112AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC112AP,TC74HC112AF Dual J-K Flip Flop with Preset and Clear TC74HC112A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS JK フリップフロップです CMOS の特長である低い消費電流で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます J および K 入力に与えられた論理レベルに従って
DF2B26M4SL_J_
ESD 保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1. 概要 は, モバイル機器のインタフェースポートなどで静電気やノイズから半導体部品を保護するTVSダイオード (ESD 保護ダイオード ) です 本製品は, スナップバック特性を利用することにより低ダイナミック抵抗を実現し, 優れた保護性能を提供します また, 低容量なため高速信号ラインに最適です 超小型パッケージ (0.62 mm 0.32
TTB1067B_J_
バイポーラトランジスタシリコン PNP エピタキシャル形 ( ダーリントン接続 ) 1. 用途 マイクロモータドライブ用 ハンマードライブ用 スイッチング用 電力増幅用 2. 特長 (1) 直流電流増幅率が高い : h FE = 2000 ( 最小 ) (V CE = -2 V, I C = -1 A) (2) コレクタエミッタ間飽和電圧が低い :V CE(sat) = -1.5 V ( 最大 )
MAX11014 EV.J
19-4147; Rev 1; 9/08 PART MAX11014EVKIT+ TYPE EV Kit DESIGNATION QTY DESCRIPTION C1, C8, C11 C14, C18, C22, C23, C34 C43, C45, C51 C2, C7, C15, C16, C17, C21, C26, C27, C31, C33, C44, C46, C47, C48, C52,
CSM_E2K-F_DS_J_5_7
1 0120-919-066 055-982-5015 2 3 0120-919-066 055-982-5015 4 オムロン商品ご購入のお客様へ 1. 定義本ご承諾事項中の用語の定義は次のとおりです (1) 当社商品 : 当社 の FA システム機器 汎用制御機器 センシング機器 電子 機構部品 (2) カタログ等 : 当社商品 に関する ベスト制御機器オムロン 電子 機構部品総合カタログ その他のカタログ
CSM_K2ZC-N_DS_J_2_17
1 0120-919-066 2 3 0120-919-066 4 5 6 0120-919-066 7 8 0120-919-066 9 0120-919-066 10 11 12 0120-919-066 13 0120-919-066 14 15 0120-919-066 16 オムロン商品ご購入のお客様へ 1. 定義本ご承諾事項中の用語の定義は次のとおりです (1) 当社商品 : 当社 の