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1 富士通マイクロエレクトロニクス DATA SHEET DS0 00 a ASSP 電源用 BIPOLAR 電圧検出器 概要 は, 高精度の基準電圧回路を内蔵したデュアルコンパレータです 出力は, オープンコレクタ形式で使用しやすく, 両チャネル間でのワイアドオアが可能です また, 両チャネルともヒステリシス端子を持っており, 容易にヒステリシス特性を付加することができます 電源の動作電圧範囲が広く, 電源電流も少ないことから, メモリなどの減電圧時バックアップ切替え, 異常検出に適しています 特長 電源電圧範囲が広い (. V 0 V) 電源電流が少なく, 電圧依存が小さい (0 µa 標準 ) 内蔵基準電圧が低く, 安定である (.0 V 標準 ) ヒステリシス機能の付加が容易 パッケージは SOP ピンが 種類 アプリケーション 産業用機器 アミューズメント機器など Copyright 9-00 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED All rights reserved 00.

2 端子配列図 (TOP VIEW) IN-B B (+) (-) VCC HYS-A HYS-B IN-A A (+) OUT-B OUT-A (-) (FPT-P-M0)

3 絶対最大定格 項目記号 最小 定 格値 最大 単 位 電源電圧 VCC V 出力電圧 VO V 出力電流 IO 0 ma 入力電圧 VIN V 許容損失 PD 0 (Ta +0 C) mw 保存温度 Tstg + C < 注意事項 > 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧, 電流, 温度など ) の印加は, 半導体デバイスを破壊する可能性があります したがって, 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください 推奨動作条件 項目記号 最小 規格値 最大 単 位 電源電圧 VCC. 0 V 動作周囲温度 Ta 0 + C 出力電流 IO *. ma IO *.0 ma * : OUT-A 端子 ( ピン ) の場合 * : OUT-B 端子 ( ピン ) の場合 < 注意事項 > 推奨動作条件は, 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です 電気的特性の規格値は, すべてこの条件の範囲内で保証されます 常に推奨動作条件下で使用してください この条件を超えて使用すると, 信頼性に悪影響を及ぼすことがあります データシートに記載されていない項目, 使用条件, 論理の組合せでの使用は, 保証していません 記載されている以外の条件での使用をお考えの場合は, 必ず事前に当社営業担当部門までご相談ください

4 電気的特性 (VCC = V, Ta = + C) 項目記号条件 規 格値 最小標準最大 単位 電源電流 ICCL VCC = 0 V, VIL =.0 V 0 00 µa ICCH VCC = 0 V, VIH =. V µa スレッショルド電圧 VTH IO = ma, VO = V..0. V スレッショルド電圧入力変動 VTH. V VCC. V mv VTH. V VCC 0 V 0 0 mv 出力 ヒステリシス出力間オフセット電圧 IO (A) =. ma, VO (A) = V, IH (A) = 0 µa, VH (A) = V IO (B) = ma, VO (B) = V, IH (B) = ma, VH (B) = V.0 mv.0 mv スレッショルド電圧温度係数 0 C Ta +0 C ±0.0 mv/ C チャネル間スレッショルド電圧差 mv 入力電流 IIL VIL =.0 V na IIH VIH =. V na 出力リーク電流 IOH VO = 0 V, VIL =.0 V µa ヒステリシス出力リーク電流 出力シンク電流 ヒステリシス電流 出力飽和電圧 ヒステリシス飽和電圧 出力遅延時間 IHL (A) VCC = 0 V, VH (A) = 0 V, VIL =.0 V 0. µa IHH (B) VH (B) = 0 V, VIH =. V µa IOL (A) VO =.0 V, VIH =. V ma IOL (B) VO =.0 V, VIH =. V 0 ma IHH (A) VO = 0 V, VIH =. V 0 0 µa IHL (B) VH =.0 V, VIL =.0 V 0 ma VOL (A) IO =. ma, VIH =. V 0 00 mv VOL (B) IO =.0 ma, VIH =. V 0 00 mv VHH (A) IH = 0 µa, VIH =. V 0 00 mv VHL (B) IH =.0 ma, VIL =.0 V 0 00 mv tphl RL = kω µs tplh RL = kω µs

5 等価回路図 V CC HYS-A OUT-A HYS-B V REF =. V IN-A IN-B OUT-B

6 動作概要 VO(A) VIN VCC R R R RL RL VIL(A) VIH(A) VIN R R V H(B) HYS-B VO(B) OUT-B VH(B) R VO(A) OUT-A VO(B) VIN VIN VIL(B) VIH(B) 関係式 ( 概略 ) VIH(A) = ( + R R )VR VIH(B) = ( + R ) VR R // R ( 注意事項 ).. VR =. VTH (=..0 V) R R VIL(A) = ( + )VR VCC R // R R VIL(B) = ( + R ) VR R R R R // R = R + R R R R // R = R + R

7 標準特性曲線 電源電流ー電源電圧特性 ヒステリシス (A) 電流ー電源電圧特性 ICC (µ A) 電源電流 VIH =. V VIL =.0 V Ta=+0 C Ta=+ C Ta=-0 C Ta=+0 C Ta=-0 C Ta=+ C ヒステリシス (A) 電流 IHH (A) (µa) VIH =. V Ta=+0 C Ta=+ C Ta=-0 C 電源電圧 Vcc ( V) 電源電圧 Vcc ( V) 出力飽和 (A) 電圧 VOL(A)(V) 出力飽和 (A) 電圧ー出力シンク (A) 電流特性.0 Ta= -0 C Ta= + C 0. VCC = V Ta= VIH =. V +0 C 出力シンク (A) 電流 IOL(A) (ma) 出力飽和 (B) 電圧 VOL(B)(V) 出力飽和 (B) 電圧ー出力シンク (B) 電流特性 VCC = V VIH =. V Ta= -0 C Ta= + C Ta= +0 C 出力シンク (B) 電流 IOL(B) (ma). スレッショルド電圧ー電源電圧特性. スレッショルド電圧ー動作周囲温度特性 VTH (V). V TH (V). スレッショルド電圧.0.9. Ta = + C スレッショルド電圧.0.9. V CC = V 電源電圧 Vcc ( V) 動作周囲温度 Ta ( )

8 応用回路例. ヒステリシス付加方法 VO(A) VCC (VIN) R R R RL VO(A). VIH(A) =. ( + VIL(A) VIH(A) R + R R )V R VIN (VCC) VIL(A) =.. ( + R R )V R VCC VH(B) R R RL VH(B) VO(B) VO(B) VIH R C VIL(B) VIH(B) VIH 各関係式は, それぞれの飽和出力電圧を 0 と仮定した計算式です 正確には, 負荷条件に見合った飽和電圧で補正する必要があります. VIH(B) =. ( +. VIL(B) =. ( + R R )V R R R + R )V R. 電源電圧異常検出 VO VCC R R RL VO VCCL VCCH VCC R R ヒステリシスを付加する場合は, 前述例を参考に, ピンあるいは ピンから正帰還をかけてください VCCH = ( + VCCL = ( + R )VR R R R )VR VCCL. V でご使用ください

9 . 電源電圧異常検出 VO VCC R R RL R VO VCCL VCCH VCC R VCCH = ( + R R )VR VCCL = ( + R R )VR VCCL. V でご使用ください. プログラマブルツェナ V CC R V Z = ( + R R ) V R V Z R V Z R + R < V CC - V Z < = = ma R + チャネル B は独立して使用できす R 9

10 . 減電圧リセット回路例 V CC = V R kω R. kω R 0 kω OUT. kω R 0. µf R. kω C OUT 比較電圧値, ヒステリシス幅は, R R で可変できます 概算値は, R VCC (L) = + R + R R (R + R) VTH, VCC (H) = VCC (L) + VTH R パワーオンリセット時間 trst は, 概略次式で与えられます VTH trst = CRIn{ ( + )} VCC R R + R RR 外付けトランジスタは, hfe が 0 00 程度のものをご使用ください 瞬断の場合は, C のチャージが残留し, trst に影響を与えますのでご注意願います 必要があれば, 逆極性出力が OUT 端子で得られます ( オープンコレクタ ) 直流特性 応答特性 V O (V) 0 0 V CC (V) V O (V) V CC (V) 0. 0 V CC (L) V CC V CC (H) t RST 0 ms V O 0

11 使用上の注意 プリント基板のアースラインは, 共通インピーダンスを考慮し設計してください 静電気対策を行ってください 半導体を入れる容器は, 静電気対策を施した容器か, 導電性の容器をご使用ください 実装後のプリント基板を保管 運搬する場合は, 導電性の袋か, 容器に収納してください 作業台, 工具, 測定機器は, アースを取ってください 作業する人は, 人体とアースの間に 0 kω ~ MΩ の抵抗を直列にいれたアースを使用してください 負電圧を印加しないでください - 0. V 以下の負電圧を印加した場合,LSI に寄生トランジスタが発生し, 誤動作を起こすことがあります オーダ型格 PF- PF- E 型格パッケージ備考 プラスチック SOP, ピン (FPT-P-M0) プラスチック SOP, ピン (FPT-P-M0) 従来品 鉛フリー品 RoHS 指令に対応した品質管理 ( 鉛フリー品の場合 ) 富士通マイクロエレクトロニクスの LSI 製品は, RoHS 指令に対応し, 鉛 カドミウム 水銀 六価クロムと, 特定臭素系難燃剤 PBB と PBDE の基準を遵守しています この基準に適合している製品は, 型格に E を付加して表します 製品捺印 ( 鉛フリー品の場合 ) 鉛フリー表示 INDEX EXXXX XXX

12 製品ラベル ( 鉛フリー品の場合の例 ) 鉛フリー表示 JEITA 規格 JEDEC 規格 MBP GE (N) MBP-9-GE 000 G Pb (N) QC PASS,000 PCS MBP GE 00/0/0 ASSEMBLED IN JAPAN MBP GE / Z0A 000 鉛フリー型格は末尾に E あり

13 PF- E 推奨実装条件 弊社推奨実装条件 項目内容 実装方法 IR ( 赤外線リフロー ) 手半田付け ( 部分加熱法 ) 実装回数 回 開梱前 製造後 年以内にご使用ください 開梱 ~ 回目リフロー迄の保管期間保管期間 日以内 開梱後の保管期間を超えた場合 ベーキング ( C, h) を実施の上, 日以内に処理願います 保管条件 C ~ 0 C, 0%RH 以下 ( 出来るだけ低湿度 ) 実装方法の各条件 () IR ( 赤外線リフロー ) 0 C C 本加熱 0 C ~ 90 C RT (b) (c) (d) (e) (a) (d') H ランク :0 C Max (a) 温度上昇勾配 (b) 予備加熱 (c) 温度上昇勾配 (d) ピーク温度 (d ) 本加熱 (e) 冷却 : 平均 C/s ~ C/s : 温度 0 C ~ 90 C, 0s ~ 0s : 平均 C/s ~ C/s : 温度 0 C Max C up 0s 以内 : 温度 0 C up 0s 以内 or 温度 C up 0s 以内 or 温度 0 C up 0s 以内 : 自然空冷または強制空冷 ( 注意事項 ) パッケージボディ上面温度を記載 () 手半田付け ( 部分加熱法 ) コテ先温度 :Max 00 C 時間 : s 以内 / ピン

14 パッケージ 外形寸法図 プラスチック SOP, ピンリードピッチ.mm パッケージ幅 パッケージ長さ リード形状..mm ガルウィング 封止方法 取付け高さ プラスチックモールド.mm MAX 質量 0.0g (FPT-P-M0) コード ( 参考 ) P-SOP-..-. プラスチック SOP, ピン (FPT-P-M0) * 注 )* 印寸法はレジン残りを含む 注 )* 印寸法はレジン残りを含まず 注 ) 端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む 注 ) 端子幅はタイバ切断残りを含まず INDEX *.0±0.0.0±0.0 (.09±.0) (.0±.0) Details of "A" part (Mounting height) "A" 0.(.00).(.00) 0.±0.0 (.09±.00) 0.(.00) M 0~ 0.0±0.0 (.00±.00) 0.0±0. (.0±.00) (Stand off) 0.0(.00) C 00 FUJITSU LIMITED F000S-c-- 単位 :mm (inches) 注意 : 括弧内の値は参考値です

15 MEMO

16 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 -0 東京都新宿区西新宿 -- 新宿第一生命ビル お問い合わせ先富士通エレクトロニクス株式会社 -0 東京都新宿区西新宿 -- 新宿第一生命ビル 電子デバイス製品に関するお問い合わせは, こちらまで, 受付時間 : 平日 9 時 ~ 時 ( 土 日 祝日, 年末年始を除きます ) 携帯電話 PHS からもお問い合わせができます 電話番号はお間違えのないよう, お確かめのうえおかけください 本資料の記載内容は, 予告なしに変更することがありますので, ご用命の際は営業部門にご確認ください 本資料に記載された動作概要や応用回路例は, 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので, 実際に使用する機器での動作を保証するものではありません 従いまして, これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください これらの使用に起因する損害などについては, 当社はその責任を負いません 本資料に記載された動作概要 回路図を含む技術情報は, 当社もしくは第三者の特許権, 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施権の許諾を意味するものではありません また, これらの使用について, 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うものではありません したがって, これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について, 当社はその責任を負いません 本資料に記載された製品は, 通常の産業用, 一般事務用, パーソナル用, 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計 製造されています 極めて高度な安全性が要求され, 仮に当該安全性が確保されない場合, 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命 身体に対する重大な危険性を伴う用途 ( 原子力施設における核反応制御, 航空機自動飛行制御, 航空交通管制, 大量輸送システムにおける運行制御, 生命維持のための医療機器, 兵器システムにおけるミサイル発射制御をいう ), ならびに極めて高い信頼性が要求される用途 ( 海底中継器, 宇宙衛星をいう ) に使用されるよう設計 製造されたものではありません したがって, これらの用途にご使用をお考えのお客様は, 必ず事前に営業部門までご相談ください ご相談なく使用されたことにより発生した損害などについては, 責任を負いかねますのでご了承ください 半導体デバイスはある確率で故障が発生します 当社半導体デバイスが故障しても, 結果的に人身事故, 火災事故, 社会的な損害を生じさせないよう, お客様は, 装置の冗長設計, 延焼対策設計, 過電流防止対策設計, 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします 本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は, 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上, 必要な手続きをおとりください 本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は, 各社の商標または登録商標です 編集 販売戦略部