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1 EEPROM SRAM wwwmicrochipcom/memory

2 シリアル メモリ製品 クラス最高の高性能シリアル メモリ製品を幅広く取り揃え お客様の全ての設計要件にお応えします マイクロチップ テクノロジー社は 各種シリアルEEPROMデバイス(128 bit 1 Mbit)をきわめて広い動作電圧レンジ(17 55 V)と温度レンジ (最高150 ºC)で提供します 革新的な低消費電力設計と厳重なテストにより 業界最高レベルの書き込み耐性とクラス最高の品質を低コストでお 届けします SPI互換シリアルSRAMデバイスは 64 Kbitと256 Kbitからお選び頂けます 最高速度は20 MHzです これらの低消費電力デバイスは高速シリ アルRAMとして使用し 標準の8ピン パッケージでご購入頂けます マイクロチップ社は製品のライフ サイクル全体にわたってお客様の設計をサポートします 2 シリアル メモリ製品

3 EEPROM SPI I 2 C Microwire UNI/O バス 不揮発性メモリ 128 bit~1 Mbit 17~55 V 100 万サイクルの消去 / 書き込み耐性 高速読み出し / 書き込み 低消費電力 SRAM SPI バス 20 MHz 揮発性メモリ 8 KB 32 KB 15~195 V 27~36 V 無限の書き込み耐性 書き込みサイクル時間がゼロ 低消費電力 シリアルアーキテクチャ - I 2 C SPI UNI/O Microwire 幅広い容量オプション 小型の ピンパッケージ ダイおよびウェハー 革新的かつ低消費電力の設計 業界最高レベルの書き込み耐性 広い温度 / 電圧レンジ 高速読み出し / 書き込み 柔軟性 : バイト書き込み機能 パッケージオプション カスタムプログラミングオプション 特定アプリケーション向けシリアルメモリ マイクロチップ社工場 自社テスト 車載用フローを全製品に適用 システムコストの削減 - 革新的な製品 小型パッケージ 低消費電力 少 I/O ピン MCU との接続 I/O ピン数を低減 - よりコンパクトな設計にしながら機能を追加 書き込み保護オプションによりデータを保護 最高品質の EEPROM ゼロ PPM への取り組み - トリプルテストフロー 消去 / 書き込み耐性は 100 万サイクル以上 開発期間の短縮 短いリードタイム 総合的なツールサポート 堅牢な設計 - 幅広い動作条件に対応 長い製品ライフサイクル グローバルな販売およびエンジニアリングサポート EEPROM I 2 C Microwire UNI/O SPI 128 bit~1 Mbit 1~16 Kbit 1~16 Kbit 1 Kbit~1 Mbit 最大 1 MHz 最大 3 MHz 最大 100 KHz 最大 20 MHz I/O 2: クロック データ 4: クロック CS DI DO 1: クロック / データ 4: SCK CS DI DO PDIP SOIC SOIJ TSSOP MSOP 2x3 T-DFN 6x5 DFN SOT-23 SC70 WLCSP PDIP SOIC TSSOP MSOP 2x3 T-DFN SOT-23 PDIP SOIC TSSOP MSOP 2x3 T-DFN SOT-23 TO92 WLCSP PDIP SOIC SOIJ TSSOP MSOP 2x3 T-DFN 6x5 DFN SOT-23 HW HW SW HW SW 最も安価最も高価 シリアルメモリ製品 3

4 EEPROM / EEPROM マイクロチップ社は 全ての標準シリアルバス (I 2 C SPI Microwire 最新のシングル I/O バスである UNI/O ) に対応した 標準および特定アプリケーション向けシリアル EEPROM デバイスを幅広く提供します EEPROM EEPROM / EEPROM I 2 C 128 bit~1 Mbit 17~55 V UNI/O 1~16 Kbit 18~55 V MAC EUI-48 TM および EUI-64 TM ノードアドレス Microwire 1~16 Kbit 18~55 V SPI 1 Kbit~1 Mbit 18~55 V ½ ¼ 全アレイのいずれかの WP オプション DIMM-DDR2/3 反転可能 S/W 書き込み保護 - I 2 C -55~150 ºC 5-SC70 (LT) 2 x 2 mm 3-SOT (TT) 3 x 25 mm 5 & 6-SOT (OT) 3 x 3 mm 8-TDFN (MC/MNY) 2 x 3 mm 8-MSOP (MS) 3 x 5 mm 8-TSSOP (ST) 3 x 65 mm VESA DDC1 TM /DDC2 TM インターフェイス 8-SOIC (SN) 5 x 6 mm 8-DFN (MF) 5 x 6 mm 8-SOIC (SM) 5 x 8 mm 8-PDIP (P) ダイ / ウェハー 8 x 95 mm WL-CSP 15 V EEPROM ESD 保護人体帯電モデル (HBM) 4,000 V 以上マシンモデル (MM) 400 V 以上デバイス帯電モデル 1,000 V 以上 ラッチアップ保護 - 全ピン 200 ma 以上 ESD 誘導ラッチアップ - VDD で 100 V (MM) 以上 全 I/O で 400 V 以上書き込み耐性は 100 万サイクル以上 データ保持期間は 200 年以上 最高 150 ºC で動作 ( 読み出し / 書き込み ) パワーオンリセット (POR) とブラウンアウトリセット (BOR) ノイズの多い車載環境で効率的な保護を実現 誤書き込みを排除 ノイズリダクションのために Schmitt トリガ入力フィルタを採用 ウェハー上のダイ位置を含む完全なトレーサビリティ マイクロチップ社は世界最高品質の EEPROM を提供 世界最高レベルのライン歩留まり率 (99% 以上 ) ISO/TS16949 に準拠 業界をリードするトリプルテストフロー - 全部品の全セルを 3 回ずつテスト ビット不良がほぼゼロ PPM 全施設で統計的工程管理と継続的な改善を実施 車載グレード / フローで設計された堅牢性と信頼性 4 シリアルメモリ製品

5 - マイクロチップ社はシリアル EEPROM デバイスを小型かつ革新的なパッケージで提供します ボード占有面積とコストの削減にお役立てください WLCSP - ダイサイズパッケージ - 世界最小の EEPROM パッケージです SC70-5 ピンで最小の EEPROM パッケージです 5-SOT-23 は最大 64 Kbit 8-TDFN は最大 128 Kbit 8-SOIC は最大 1 Mbit (I 2 C) まで揃えております I 2 C V SOIC SN SOT-23 OT/TT TSSOP ST TDFN MNY/MC PDIP P MSOP MS SOIJ SM DFN MF SC70 LT TO92 TO W/S/WF 5x6 3x3 3x65 2x3 8x95 3x5 5x8 5x6 2x2 WLCSP CS 128 bit~2 Kbit 400 KHz 5 5 4~32 Kbit 400 KHz 5 64 Kbit 1 MHz Kbit 1 MHz 256 Kbit 1 MHz 512 Kbit 1 MHz 1 Mbit 1 MHz Microwire18 55 V 1~16 Kbit 3 MHz 6 SPI18 55 V 1~4 Kbit 10 MHz 6 8~64 Kbit 10 MHz 128 Kbit 256 Kbit 10 MHz 512 Kbit 20 MHz 14 1 Mbit 20 MHz UNI/O V 1~16 Kbit 100 KHz 3 5-SC70 (LT) 2 2 mm 3-SOT (TT) 3 25 mm 5 & 6-SOT (OT) 3x3 mm 8-TDFN (MC/MNY) 2x3 mm 8-MSOP (MS) 3x5 mm 8-TSSOP (ST) 3x65 mm 8-SOIC (SN) 5x6 mm 8-DFN (MF) 5x6 mm 8-SOIC (SM) 5x8 mm 8-PDIP (P) 8x95 mm ダイ / ウェハー WL-CSP WLCSP - EEPROM マイクロチップ社の WLCSP は ボンディングパッドをバンプに接続する再配線層を備えたバンプ付きダイです 本物の ダイサイズ パッケージ 業界最小のパッケージ フォームファクタ プロファイルが最も低いパッケージ I 2 C および UNI/O バスで提供 標準的な表面実装アセンブリラインと互換 小スペースに大容量を実現 アプリケーション : 携帯電話 防犯カメラ センサ サーバ ネットワーク RF 医療 携帯型電子機器 実サイズ 拡大図 WLCSP 4 Kbit I 2 C <1x1 mm シリアルメモリ製品 5

6 EEPROM EEPROM - 品質 PPAP 長い製品ライフサイクル AEC Q-100 ISO/TS16949 準拠 社内テスト トリプルテストフロー トランスミッション ABS パワートレイン エアバッグ エンターテイメントシステム ミラーコントローラ GPS ステアリング制御 優れた品質 信頼性 小型パッケージ 低消費電力 マイクロチップ社所有工場 血糖測定器 補聴器 医療用撮像装置 レントゲン 酸素濃縮器 心電計 堅牢な設計 高い書き込み耐性 幅広い動作レンジ カスタムパーツオプション 計器 工業用制御 セキュリティシステム アラームシステム センサネットワーク バッテリ充電器 短いリードタイム 優れた供給性 革新的なパッケージ 特定アプリケーション向けオプション 低消費電力 L C D T V セットトップボックス プリンタ Bluetooth 無線 ノートパソコン マウス ネットワーク DDR2/3 カメラ POS 電化製品 EEPROM / モニタ プロジェクタ フラットパネルディスプレイ ネットワーク Ethernet Wi-Fi ZigBee パソコン - DRAM DIMM モジュール 工業用 / 民生用電気機器 DDC1 TM と DDC2 TM EDID と E-EDID 仕様 EUI-48 /EUI-64 MAC アドレス DDR1/2/3 仕様 ロックまたは再書き込み可能メモリ ( またはその両方 ) を必要とするシステム VESA 製品 MAC アドレスチップ DIMM SPD 製品 EEPROM 搭載温度センサ 書き込み保護オプション 24LCS21A 24LCS22A 24AA02E48 11AA02E48 25AA02E48 24LCS52 34XX02 MCP98242 I 2 C SPI UNI/O Microwire オプションで提供 素早く簡単なプラグアンドプレイオプション アクセスが簡単 低コスト プラグアンドプレイ 追加 EEPROM カスタマイズ可能なソフトウェアによる WP 2 つのパーツを 1 つの低コストデバイスで置き換え HDCP チップセット (TV) ご使用のチップセットに HDCP キーを追加 セキュアなウェハープログラミングサービス 4 Kbit/8 Kbit - I 2 C SPI Microwire セキュア コードの重複なし 総コストの削減 工場でシリアライズ済み 工業 -40~125 C のレンジ外で動作するデバイスが必要 高温対応 EEPROM: < 150 C 低温対応 EEPROM: > -55 C 1 Kbit I 2 C と 1~256 Kbit SPI 堅牢な設計 市場不良を低減 車載車載認定特殊製造フロー全て堅牢な設計 手間のかからないソリューション 民生用電気製品 医療非常に低電圧が必要非常に低電圧の EEPROM 24VL014 24VL024 34VL02 低消費電力で動作 低システム電圧 6 シリアルメモリ製品

7 / EUI-48 /EUI-64 MAC MAC MAC ID EUI-48 書き込み済みシリアル EEPROM により 簡単かつ低コストで IEEE MAC アドレスを使う事ができます これらのプラグアンドプレイデバイスを使用する事により MCU のプログラミングとシリアライズが不要となり ネットワークアプリケーションに MAC アドレスを素早く追加できます これにより コストの削減と開発期間の短縮が可能になります 詳細は www microchipcom/mac を参照してください 24AA02E KHz I 2 C 25AA02E48 10 MHz SPI 11AA02E KHz UNI/O EUI-482 KbitEEPROM IEEE MAC アドレスへの素早く簡単なアクセス - シリアル EEPROM からコードを直接読み出し SPI I 2 C UNI/O バスで提供 15 Kbit 以上の EEPROM メモリ SOIC および SOT-23 パッケージで提供 書き込み保護コード EUI-48 および EUI-64 互換 EUI-48: ネットワーク Ethernet Wi-Fi (IEEE 80211) Bluetooth EUI-64: ZigBee (IEEE802154) MiWi FireWire IPv6 各種メモリ容量でカスタムプログラミング可能 詳細は営業担当者にお問い合わせください I 2 C EEPROM EUI-48 必要に応じてコードを購入可能 プログラミングとシリアライズのコストが不要 - システムコストの削減 最小ロット制限なし 設定データを格納するための追加 EEPROM 一意の ID マイクロチップ社の部分アレイ書き込み保護 (WP) EEPROM ファミリは メモリアレイの一部に対してハードウェア書き込み保護を有効にできます これらの I 2 C EEPROM は 1~64 Kbit を揃えております 1/2WP 1/4WP ユーザデータ リアルタイムアップデート等の変更されるデータ 校正パラメータ 一意の ID 等の決して変更されないデータ 1~16 Kbit 32 Kbit と 64 Kbit ºC I 2 CSPIEEPROM 車載ターボチャージャ 排気ガス再循環装置 車載ファンモータ エアバルブ フラップ 点火プラグ 航空宇宙 鉱業 ( 爆発性雰囲気中での使用認可 ) 150 o C シリアルメモリ製品 7

8 UNI/O EEPROM UNI/O EEPROM MCU マイクロチップ社の UNI/O シリアル EEPROM は ホストマイクロコントローラとの接続に 1 ピンしか使用しません I 2 C では 2~3 ピン Microwire および SPI バスでは 3~6 ピン必要です この新しい独自規格のバスでは ステータスレジスタ オンデマンドの書き込み保護等の先進の機能の他 全入出力 / メモリアレイ / コマンド機能を 1 つのピン経由で使用できます 25-55V 11LC010 11LC020 11LC040 11LC080 11LC V 11AA010 11AA020 11AA040 11AA080 11AA160 1 Kb 2 Kb 4 Kb 8 Kb 16 Kb I/O EEPROM 1I/O シングル I/O インターフェイス メモリ容量 : 1~16 Kbit 動作電圧 : 18~55 V 動作周波数 : 10~100 KHz ステータスレジスタ SW 書き込み保護 3 ピン SOT-23 8 ピン SOIC MSOP TDFN 消去 / 書き込みサイクル : 100 万回 I/O I/O EEPROM MCU のピンを解放 アプリケーションに新機能を追加 より小型の MCU へ移行 コスト削減 コネクタのピンを解放 より小型のコネクタへ移行 コスト削減 シングル I/O インターフェイス よりコンパクトな設計 UNI/O I 2 C UNI/O VCC VCC R1 R2 VCC I/O MCU SDA SCL WP VCC I 2 C MCU SDA SCL WP VCC UNI/O MCU 多くの一般的なマイクロコントローラ向けに UNI/O ソフトウェアドライバを用意しています 詳細は アプリケーションノートのセクションを参照してください UNI/O を 3 ピンから 2 ピンに変更できます 詳細は アプリケーションノート AN1213 を参照してください wwwmicrochipcom/unio 8 シリアルメモリ製品

9 SRAM RAM RAM マイクロチップ社の新しいシリアル SRAM ファミリは ほぼ全てのアプリケーションに外部 RAM を簡単かつ低コストで追加する方法を提供します これらのシリアルデバイスは 従来のパラレル SRAM よりも消費電力が低く I/O 接続が少なく済みます これにより 設計者は大型のマイクロコントローラに移行しなくても 小型のマイクロコントローラのままでオンボードの RAM を増やす事ができます 256 Kb 64 Kb 23A MHz 23A MHz 23K MHz 23K MHz アプリケーション : 計量器 POS 端末 プリンタ インターネットラジオ Ethernet Wi-Fi パラレル RAM を置き換え 低コストの RAM が必要なあらゆるアプリケーション 15V-195V 27V-36V SRAM 8 KB 32 KB オプション クロックは 20 MHz スタンバイおよび動作時の低消費電流 ゼロレイテンシの高速書き込み 無制限の書き込み耐性 8-SOIC 8-TSSOP 8-PDIP RAM 現在の設計に機能を追加 RAM のためだけに大型のマイクロコントローラを購入する必要なし 使い慣れた 4 ピン SPI インターフェイス 現在の設計でコストを削減 スクラッチパッド バッファリング 高書き込み耐性アプリケーション SRAM SRAM MCUI/O 16~ ma 1 µa 50 ma 1~10 ma 30 V 17 V 100 mm 2 20 mm 2 28-TSSOP 28-SOIC 8-TSSOP 8-SOIC パラレル パラレル SRAM SPI I/O 接続は 4 本 シリアル SRAM I/O 接続は 16~20 本 スタンドアロンのシリアル SRAM を使用すると 設計の柔軟性が高くなり RAM 拡張も容易です wwwmicrochipcom/sram シリアルメモリ製品 9

10 マイクロチップ社のトリプルテストフローは 現在シリアル EEPROM デバイスに対して実施されている中では業界最高レベルの堅牢性を持つテストです このテストでは各ダイの全セルを 3 回テストし 書き込み耐性およびデータ保持テストも厳重に行い 高い品質と信頼性を確保します このように厳重なテスト 優れた製造工程 信頼性の高いメモリセル設計により マイクロチップ社製シリアル EEPROM の初期不良は業界最少レベルを誇ります ( ) ランダム論理セル向けの非特定的な汎用テスト手順 非特定的かつ非標的なテスト手法 故障率が増加 費用と時間がかかり 非効率的 検出されない可能性のあるリード曲がりや EOS 等の故障モードを招く 従来のバーンインからメモリセルに特化したトリプルテストフローを適用したウェハーレベルバーンインに移行してきたため 業界で最も信頼性の高いメモリ製品の製造を実現 厳重なテスト 最高品質を保証するために各ダイの全セルに対してテストを 3 回実施 ( 書き込み耐性テスト データ保持テスト等 ) HVST LVHF TVPP テストは特定の欠陥を対象に実施 Maverick SBY GBN は全体的な故障パターンと傾向を対象に実施 不良モードを的確にとらえる洞察力と柔軟なテストフローにより 継続的な改善を保証 マイクロチップ社では ウェハーの状態で全セルを 2 回テストし アセンブリ後に最終テストを実施しています 1 100% 85 ºC 125 ºC / 5,000 : 書き込み耐性テスト MAVERICK HVST TVPP 250 ºC で最高 24 時間 85 ºC で 100 年間に相当 2 回のプローブ間にセルのチャージロスが生じたダイは 初期不良を防ぐため不良品とする % (25 ºC) : 機能テストマージン検証 GBN EDIO LVHF SBY 3 ダイおよびパッケージレベルでの機能適合性についてデータシートパラメータを完全検証 最高の品質と信頼性を確保するため 製造工程での欠陥品を排除 現状機能しているが将来故障する可能性のあるデバイスをスクリーニング マイクロチップ社はウェハープローブの間に追加の社内テストを行い 正規分布を逸脱したデバイスまたは将来故障する可能性のあるデバイスを全て排除する事で品質を確保しています (HVST) HVST は 通常よりも高い電圧を印加して酸化膜にストレスを与えると RAM および論理回路中に酸化膜欠陥が生じる脆弱なデバイスを対象としています Vpp(TVPP) TVPP は EEPROM セル チャージポンプ その他の高電圧回路における酸化膜欠陥を対象としています プログラミング電圧 (VPP) を長時間メモリアレイに印加する事で脆弱なデバイスを全て発見します (LVHF) LVHF は部分的にブロックされている事が原因で抵抗が正常値よりも高くなっている信号経路を対象としています LVHF では 信号パスに仕様電圧よりも低い電圧印加で仕様速度よりも速く動作するように要求する事で 欠陥のある信号パスを排除します GBN (Good Die in a Bad Neighborhood: ) EDIO (Edge Die Ink Out: ) 正常に機能はするものの 不良デバイス群または不良エッジダイに隣接しているために不良が疑われるデバイスを対象とした特殊アルゴリズムです 不良ダイ 合格ダイ EDIO スクリーニングにより不良品とされたもの ( 考え方 ) 1 PPM 未満の市場不良 クラス最高の書き込み耐性 業界最高レベルのデータ保持 G B N スクリーニングにより不良品とされたもの EDIO スクリーニングにより不良品とされたもの 10 シリアルメモリ製品

11 最高品質製品の安定した信頼性の高い供給 マイクロチップ社は20年以上にわたり不揮発性メモリで市場をリードしています 完成されたテスト メカニズムと合理化された社内製造により 最高の 効率 最短のリードタイム 最安価のコストをお約束します 品質第一 はマイクロチップ社方針の最優先事項です 2003年以降 ISO/TS16949認定サプライヤとして マイクロチップ社の統合シス テムは優れた品質に対して取り組んでいます 全社を挙げて継続的な 改善の取り組みが行われている環境の中で 社員1人1人が品質に責 任を持って業務を遂行しています EEPROMはマイクロチップ社所有工場で製造(オレゴン州グレシャ ム アリゾナ州テンペ) 陳腐化しない方針 業界で最長の製品ライフ サイクル 全製品を100%社内でテスト AECQ100 TS19649 車載グレード準拠 業界最短のリードタイム 優れたグローバル営業および技術サポート 世界中のお客様からの厳しい要求に20年以上応えてきた経験を持つマイクロチップ社には 大切なお客様に対して費用対効果と信頼性の高 い総合的な製品ソリューションの提供に成功してきた 確かな実績があります 本社 アリゾナ州チャンドラー Fab 2 アリゾナ州テンペ Fab 4 オレゴン州グレシャム 製品組み立て/検査 タイ バンコク wwwmicrochipcom/quality シリアル メモリ製品 11

12 競争の激しい市場状況では 生産性を最大に高め 経費を最小限に抑えるために 企業は自社の製品ライフサイクルをあらゆる側面から精査する必要性に迫られています 覚えやすく低コストな共通の開発ツールは リスクを低減し 開発期間の短縮を実現する方法の 1 つです MPLAB (DV243003) シリアルメモリ製品向け MPLAB スタータキットを使用して 市場投入までの開発期間を短縮し 堅実な設計を実現してください このスタータキットには 堅牢かつ信頼性の高いシリアル EEPROM 設計の素早い開発 さらにシステム統合およびハードウェア / ソフトウェアの微調整に必要な時間の大幅短縮に必要なものが全て含まれています 33 V と 50 V のオンボード電圧を選択可能 マイクロチップ社製 UNI/O バス I²C SPI Microwire の各シリアル EEPROM 18~55 V の外部電圧をサポート MPLAB IDE の無償コピーを含む USB で PC に接続 Total Endurance Total Endurance ソフトウェアは マイクロチップ社製シリアル EEPROM デバイスの書き込み耐性と信頼性の評価に役立つ包括的なモデルを提供します お客様のアプリケーションに基づいた動作条件を適用する事により 信頼性に影響を与える設計上のトレードオフ全てを PPM FIT BTMF モードにおいてグラフと数値の両方で正確に評価できます これにより 時間が節約でき 真に堅牢な設計を確実にします UNI/O Bus Parasitic Power (AC243004) UNI/O Bus Parasitic Power デモボードは 半波整流器とコンデンサ回路をどのように使用すればアプリケーションノート AN1213 Powering a UNI/O Bus Device Through SCIO に記載されているように SCIO 信号から UNI/O デバイス用の電力を寄生抽出できるかを説明する事を目的として設計されています これにより UNI/O デバイスをお客様のアプリケーションに追加するのに必要な接続の数を 2 つ (SCIO と VSS) に減らす事ができます Serial EEPROM PIM PICtail (AC243003) Serial EEPROM PIM PICtail モジュールは マイクロチップ社製シリアル EEPROM デバイスの周辺機能として設計されたボード群です このボード群は シリアルメモリ製品向け MPLAB スタータキットと PICkit 3 だけでなく PICtail Plus コネクタにも接続するように設計されており 購入したその日からすぐに使用できます PICtail Plus コネクタおよび PICkit 3 コネクタとプラグアンドプレイ接続 ファームウェアデバッグ用のオシロスコープ接続テストポイント (I²C と UNI/O のみ ) お客様のアプリケーション開発を最大限にサポートできるように Microwire バスもサポート wwwmicrochipcom/devtools 12 シリアルメモリ製品

13 次の表からお客様のシリアルプロトコル マイクロコントローラ ご希望の実装をお選びください - PIC MCU PIC10 PIC12 PIC16 PIC18 UNI/O EEPROM AN1194 ( 一般用途 ) AN1213 ( 寄生電力 ) アセンブリ ファームウェア遅延 AN AN AN AN AN AN1183 アセンブリ ハードウェア遅延 AN AN AN1187 PIC24/ dspic33 C ハードウェア遅延 AN AN AN1191 AN1236 PIC32 アセンブリ Bit-Bang AN982 AN982 AN974 AN979 I²C EEPROM AN1028 アセンブリ ハードウェアポート AN976 AN989 C Bit-Bang AN997 AN1100 C ハードウェアポート AN991 AN1079 アセンブリ Bit-Bang AN993 AN999 Microwire EEPROM AN1029 アセンブリ ハードウェアポート AN975 AN1020 C Bit-Bang AN1004 C ハードウェアポート AN1023 アセンブリ Bit-Bang AN909 AN1006 SPI EEPROM AN1040 アセンブリ ハードウェアポート AN966 AN1000 C Bit-Bang AN1018 AN1096 C ハードウェアポート AN1040 AN1069 SRAM AN1245 AN1287 AN1269 AN1262 AN1277 AN1019 EEPROM Endurance Tutorial EEPROM AN536 Basic Serial EEPROM Operation AN603 Continuous Improvement 注 1: ベースライン (12 ビットプログラムワード ) コア用 2: ミッドレンジ (14 ビットプログラムワード ) コア用 MCU 8051 MSP430 UNI/O アセンブリ ハードウェア遅延 AN1184 C ハードウェア遅延 AN1185 AN1186 I²C SPI アセンブリ Bit-Bang アセンブリ ハードウェアポート C Bit-Bang C ハードウェアポートアセンブリ Bit-Bang アセンブリ ハードウェアポート C Bit-Bang C ハードウェアポート AN1147 AN1190 AN1195 AN1113 AN1198 AN1197 AN1193 AN1073 wwwmicrochipcom/appnotes シリアルメモリ製品 13

14 I 2 C () (AA LC C) (I E H) (E/W ) ( ) 24XX00 128ビット ( 8) 400 khz 17~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年 なし PDIP SOIC TSSOP SOT-23 2x3 T-DFN 24XX01/014 1 Kbit ( 8) 400 khz 17~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年 W ½ PDIP SOIC TSSOP SOT-23 2x3 T-DFN MSOP SC70 24XX02/024 2 Kbits ( 8) 400 khz 17~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年 W ½ PDIP SOIC TSSOP SOT-23 2x3 T-DFN MSOP SC70 24XX04 4 Kbits ( 8) 400 khz 17~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年 W ½ PDIP SOIC TSSOP SOT-23 2x3 T-DFN MSOP WLCSP 24XX08 8 Kbits ( 8) 400 khz 17~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年 W ½ PDIP SOIC TSSOP SOT-23 2x3 T-DFN MSOP 24XX16 16 Kbits ( 8) 400 khz 17~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年 W ½ PDIP SOIC TSSOP SOT-23 2x3 T-DFN MSOP WLCSP 24XX32 32 Kbits ( 8) 400 khz 17~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年 W ¼ PDIP SOIC TSSOP SOT-23 2x3 T-DFN MSOP WLCSP 24XX64/65 64 Kbits ( 8) 1 MHz 17~55 V -40~+125 ºC 100 万 /1 千万 200 年 W ¼ PDIP SOIC TSSOP SOT-23 2x3 T-DFN MSOP WLCSP 24XX Kbits ( 8) 1 MHz 17~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年 あり PDIP SOIC TSSOP 2x3 T-DFN 6x5 DFN MSOP WLCSP 24XX Kbits ( 8) 1 MHz 17~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年 あり PDIP SOIC TSSOP 6x5 DFN MSOP WLCSP 24XX Kbits ( 8) 1 MHz 17~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年あり PDIP SOIC TSSOP 6x5 DFN WLCSP 24XX Mbit ( 8) 1 MHz 17~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年あり PDIP SOIC SOIJ 6x5 DFN UNI/O EEPROM () (AA LC) (I E) (E/W ) () 11XX010 1 Kbit ( 8) 100 khz 18~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年 W ½ ¼ PDIP SOIC TSSOP SOT-23 2x3 T-DFN MSOP TO92 WLCSP 11XX020 2 Kbits ( 8) 100 khz 18~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年 W ½ ¼ PDIP SOIC TSSOP SOT-23 2x3 T-DFN MSOP TO92 WLCSP 11XX040 4 Kbits ( 8) 100 khz 18~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年 W ½ ¼ PDIP SOIC TSSOP SOT-23 2x3 T-DFN MSOP TO92 WLCSP 11XX080 8 Kbits ( 8) 100 khz 18~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年 W ½ ¼ PDIP SOIC TSSOP SOT-23 2x3 T-DFN MSOP TO92 WLCSP 11XX Kbits ( 8) 100 khz 18~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年 W ½ ¼ PDIP SOIC TSSOP SOT-23 2x3 T-DFN MSOP TO92 WLCSP Microwire EEPROM SPI EEPROM ( 8 16) () (AA LC C) (AA LC) (I E H) (E/W ) () 25XX010A 1 Kbit ( 8) 10 MHz 18~55 V -40~+150 ºC 100 万 200 年 W ½ ¼ PDIP SOIC TSSOP 2x3 T-DFN MSOP SOT-23 25XX020A 2 Kbits ( 8) 10 MHz 18~55 V -40~+150 ºC 100 万 200 年 W ½ ¼ PDIP SOIC TSSOP 2x3 T-DFN MSOP SOT-23 25XX040A 4 Kbits ( 8) 10 MHz 18~55 V -40~+150 ºC 100 万 200 年 W ½ ¼ PDIP SOIC TSSOP 2x3 T-DFN MSOP SOT-23 25XX080C/D 8 Kbits ( 8) 10 MHz 18~55 V -40~+150 ºC 100 万 200 年 W ½ ¼ PDIP SOIC TSSOP MSOP 2x3 T-DFN 25XX160C/D 16 Kbits ( 8) 10 MHz 18~55 V -40~+150 ºC 100 万 200 年 W ½ ¼ PDIP SOIC TSSOP MSOP 2x3 T-DFN 25XX320A 32 Kbits ( 8) 10 MHz 18~55 V -40~+150 ºC 100 万 200 年 W ½ ¼ PDIP SOIC TSSOP MSOP 2x3 T-DFN 25XX640A 64 Kbits ( 8) 10 MHz 18~55 V -40~+150 ºC 100 万 200 年 W ½ ¼ PDIP SOIC TSSOP MSOP 2x3 T-DFN 25XX Kbits ( 8) 10 MHz 18~55 V -40~+150 ºC 100 万 200 年 W ½ ¼ PDIP SOIC TSSOP 6x5 DFN 25XX Kbits ( 8) 10 MHz 18~55 V -40~+150 ºC 100 万 200 年 W ½ ¼ PDIP SOIC TSSOP 6x5 DFN 25XX Kbits ( 8) 20 MHz 18~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年 W ½ ¼ PDIP SOIC 6x5 DFN 25XX Mbit ( 8) 20 MHz 18~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年 W ½ ¼ PDIP SOIJ 6x5 DFN 1 電圧レンジ : AA = 17~55 V LC = 25~55 V C = 45~55 V 2 I = -40~85 ºC E = -40~125 ºC H = -40~150 ºC 3 鉛フリー ハロゲンフリー RoHS 準拠 4 書き込み保護 : W = 全アレイ ½ = 1/2 アレイ ¼ = 1/4 アレイ 5 ESD 保護 : 全ピン 4 kv (HBM) 以上 全ピン 400 V (MM) 以上 6 温度 H は SOIC のみ (I E) (E/W ) () 93XX46A/B/C 1 Kbit 3 MHz 18~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年 なし 1 ma PDIP SOIC TSSOP SOT-23 2x3 T-DFN MSOP 93XX56A/B/C 2 Kbits 3 MHz 18~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年 なし 1 ma PDIP SOIC TSSOP SOT-23 2x3 T-DFN MSOP 93XX66A/B/C 4 Kbits 3 MHz 18~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年 なし 1 ma PDIP SOIC TSSOP SOT-23 2x3 T-DFN MSOP 93XX76A/B/C 8 Kbits 3 MHz 18~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年 あり 1 ma PDIP SOIC TSSOP 2x3 T-DFN MSOP 93XX86A/B/C 16 Kbits 3 MHz 18~55 V -40~+125 ºC 100 万 200 年 あり 1 ma PDIP SOIC TSSOP 2x3 T-DFN MSOP A: 8 構成 B: 16 構成 C: 8 または 16 構成のいずれかを選択可能 SRAM () (A K) (I E) (ma) 23x640 8 KB (64 Kbits) 20 MHz 18 V 3 V -40~+125 ºC 3 ma 4 µa PDIP SOIC TSSOP 23X KB (256 Kbits) 20 MHz 18 V 3 V -40~+125 ºC 3 ma 4 µa PDIP SOIC TSSOP 1 電圧レンジ : A = 15~195 V K = 27~36 V 2 全デバイス鉛フリー ハロゲンフリー RoHS 準拠 wwwmicrochipcom/memory 14 シリアルメモリ製品

15 マイクロチップ社 SEEPROM 製品のご注文方法です 24 AA 02 T - I /SN : SN 8-SOIC (150 mil) TT/OT 3/5/6 SOT-23 ST 8-TSSOP P 8-PDIP SM 8-SOIJ (208 mil) MS 8-MSOP : I: 工業用温度レンジ (-40~+85 ºC) E: 工業用拡張温度レンジ (-40~+125 ºC) H: 拡張温度レンジ (-40~+150 ºC) & T: テープ & リールブランク : 標準 ( バルク ) : 00: 128 ビット 01/010/014: 1 Kbit 02/020/024: 2 Kbit 04/040: 4 Kbit 08/080: 8 Kbit 16/160: 16 Kbit : AA 18~55 V LC 25~55 V C 45~55 V K 18~36 V A 15~195 V VL 15~36 V : 24/34: I 2 C 25: SPI 93: Microwire 11: UNI/Oバス 23: SRAM (SPI) MNY/MC/MF LT W/WF/S CS TO 32/320: 32 Kbit 64/640: 64 Kbit 128: 128 Kbit 256: 256 Kbit 512: 512 Kbit 1024/1025: 1 Mbit 8-TDFN/DFN 5-SC70 ウェハー / ダイ WLCSP ダイサイズ TO92 EEPROM マイクロチップ社では パッケージとダイでカスタムプログラミングオプションを提供しています QTP 全デバイスを同じデータでプログラムします SQTP 各デバイスをそれぞれ一意のデータでプログラムします マイクロチップ社では 既存製品のカスタマイズ版をご用意しています より低い VDD ( 場合により 15 V 未満 ) 極端な温度 (-55 ºC 未満から +150 ºC 以上 ) より高い書き込み耐性 ( 最高 1 千万サイクル ) より低い電流仕様 ( 読み出し 書き込み スタンバイ ) より高速 お客様の設計による変更 : 通常とは異なる I 2 C および UNI/O アドレス カスタム電圧レンジ wwwmicrochipcom/memory データシートとアプリケーションノート ( コード含む ) Verilog と IBIS モデル 推奨用途アプリケーションノート ウェブセミナー (wwwmicrochipcom/webinars) サンプル (wwwmicrochipcom/samples) ツールとデモボード シリアルメモリ製品 15

16 マイクロチップ社は お客様が製品開発をより迅速かつ効率的に行えるようサポートしています 製品とシステムのサポートを提供できる フィールドアプリケーションエンジニアと技術サポートの世界的ネットワークを維持しています さらに wwwmicrochipcom で 次のサービス分野を用意しています 関連リンクは質問を短時間で解決する方法を提供します リンクはマイクロチップデバイスの無償評価サンプルを提供します リンクはナレッジデータベースおよびユーザ同士のディスカッションを提供します リンクはマイクロチップ社の販売代理店の所在地をご覧頂けます wwwmicrochipcom/sales 追加トレーニングをご希望の場合 マイクロチップ社にご連絡ください マイクロチップ社は常に技術トレーニングの選択肢を拡大しており 各種トレーニングコースと専門的なカリキュラムを提供しています また いつでもアクセス可能な各種オンラインリソースも提供しています リージョナルトレーニングセンター : wwwmicrochipcom/rtc MASTERs カンファレンス : wwwmicrochipcom/masters 世界各地のセミナー : wwwmicrochipcom/seminars e ラーニング : wwwmicrochipcom/webseminars 正規販売代理店およびサードパーティパートナからのリソース : wwwmicrochipcom/training Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: オンタリオ州ミシサガ Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: / - Tel: Tel: Tel: SAR Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: / - Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: /26/09 マイクロチップ社の名称とロゴ Microchip ロゴ MPLAB PIC UNI/O は 米国およびその他の国におけるマイクロチップ テクノロジー社の登録商標です PICkit PICtail Total Endurance は米国およびその他の国におけるマイクロチップ テクノロジー社の商標です その他 本書に記載されている商標は各社に帰属します 2010, Microchip Technology Incorporated, All Rights Reserved Printed in Japan 3/10 DS22239A_JP DS22239A_JP wwwmicrochipcom Microchip Technology Inc 2355 W Chandler Blvd Chandler, AZ