hvigbt_ipm_daidevice_1610

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まいえやすもと
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1 作成

2 FG 4000 G X 90 D A µ µ µµ µµ 2

3 TYPE CM 1200 H A - 66 H NO. E964AA1-008 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION JAPAN 3

4 4

5 5

6 6

7 7

8 µµ µ 8

9 9

10 p w w 10

11 t t p w w 11

12 t t 12

13 p w w 13

14 14 trr t Irr IE 0.5Irr 0 0

15 15

16 = A B C D E F A B C D (a) (b) 16

17 17

18 18

19 19

20 = = == = = = == === == === ===Ω == === 20

21 21

22 22

23 23

24 Ω =

25 µ µ µ ALCAN UNIVERSAL JOINTING-COMPOUND µ µ µ µ 25

26 αα = α = α = + = α+α α α 2IA α 2 2 α 1 α 1Ik 26

27 27

28 28

29 π Sw Ls Ds + Ds Cs Cs Rs tw 29

30 3000 ITQRM (A) VD 1000 = 1/2VDRM VDM = 3/4VDRM digq/dt = 40A/ms CS = 4.0mF LS (mh) 4000 ITQRM (A) VD = 2250V VDM = 3375V digq/dt = 40A/ms LS = 0.3mH CS (mf) τ τ τ τ 16 30

31 FG1000BV-90DA CS (µf) LS (µh) RS (Ω) 1. SR202AV FD252AV ~10 1. FD252AV FD602BV-90 FG2000FX-50DA SR202AH-50S(R) ~10 FD1000FH-56 FG2000JV-90DA 1. SR202AV FD252AV ~10 FD602BV FD602BV SR202AV-90 FG3000DV-90DA 2. SR202AV-90X2P 3. FD252AV ~10 FD1000FV FD602BV SR202AV-90 FG3000GX-90DA 2. SR202AV-90X2P 3. FD252AV ~10 FD1000FX FD602AV-90 FG3300AH-50DA FG4000EX-50DA FG4000BX-90DA FG4000CX-90DA 1. SR202AH-50S(R) 2. SR202AH-50S(R)X2P SR202AH-50S(R)X2P 1. SR202AV-90X2P 2. FD602BV SR202AV-90X2P 2. FD602BV ~10 5 ~10 5 ~10 5 ~10 FD1000FH FD1000FH FD1500AV FD1000FV FD1500AV FD1000FV FD1500AV-90 FG6000AU-120D FD1000FV ~10 FD2000DU Tj = 25 C VFP (V) FD1000FV FD1500AV FD1000FH VAK QRR : VDM QRR : VD di/dt (A/µS)

32 IGT (ma) 8000 VD = 520V 7000 IT = 25200A Tj ( C) 140 µ ig ig vgk vgk tav = 20µs tav tav = 2µs ig : 100A/div. vgk : 5V/div. t : 5µs/div. tav 32

33 33 Tj 0 C FG1000BV-90DA FG2000FX-50DA FG2000JV-90DA FG3000DV-90DA FG3000GX-50DA FG3300AH-90DA FG4000EX-90DA FG4000BX-50DA FG4000CX-90DA FG4000GX-90DA FG6000AU-120D IGM dig/dt tw tav VGR VRB A A/µS µs A A/µS µs V V µs IG digq/dt tgw Ω 17V

34 10% dig/dt IGR 90% ± 34

35 ;; ;; Eon (J/P) VD = 2250V IGM = 40A dig/dt = 10A/µs CS = 6.0µF RS = 5Ω Tj = 125 C dit/dt = 500A/µs 300A/µs 100A/µs Eoff (J/P) CS = 3.0µF 4.0µF 6.0µF 4 VD = 2250V 3 VDM = 3375V digq/dt 2 = 40A/µs VRG = 17V 1 LS = 0.3µH Tj = 125 C (A) (A) 35

36 µ Ω µ µ di/dt IT VDM VD ton toff 36

37 λ µ 37

38 38

39 39

40 40

41 HVIGBTモジュールを正しく使用するためにその特長 ( 特性 ) をよく知らなければなりません以下にその重要な特長を示します HVIGBTは電圧駆動形素子で図 1 のように各端子間に容量をもっているためターンオンあるいはターンオフ時に入力容量 (Cies) への充放電電流が必要です HVIGBT 応用システムの直流電源電圧としては素子定格電圧の 2/3 倍の値が最大値であるため 50~60% 以下で使用されるのが望ましいと考えます通電電流は素子電流定格値 (I C ) 以下で且つ接合温度 (T j ) が動作温度 (T jop ) 範囲内でご使用ください定格電流を超えて使用する場合素子寿命の低下など素子特性の悪化が懸念されますまた規格表に記載の電流値 (I C および I CRM ) は図 3 に示されます + + IC または ICRM HVIGBT は大電流を高速にスイッチングするためターンオン時及びターンオフ時に非常に高い di/dt を発生させますまたこの高いdi/dtによりターンオフ時には高いサージ電圧も発生させます接合温度は長期的な信頼性やシステム側の過熱保護が動作するような異常時であっても最大接合温度を越えないことなどを考慮して適切なマージンを設定して使用することが望ましいと考えます (1) サージ電圧を抑制するよう配線長とスナバにご注意ください ( 高速スイッチングのためサージ電圧が出やすくなっています ) HVIGBT は絶縁ゲートを持っていますので静電対策が必要ですまたゲートオープンでコレクタエミッタ間に電圧を印加したりゲートエミッタ間に過大な電圧 (±20V 以上 ) を印加したりしないようにしてください HVIGBT モジュールの場合ゲート回路の出力部において図 4-1の斜線部にできる閉回路の生む面積が極力小さくなるように実装してください C G (1) 運搬途上では必ず導電スポンジなどでゲート端子間を短絡してくださいまた素手では絶対にさわらぬようご注意ください (2) 組立時には使用機器や人体を接地してください E E 41

42 P L1 IC L2 C + L2 C N VCE V V t 42

43 q 43

44 w e ; 44

45 ±

46 + + + Q1 Q2 + VCC COM = =

47 µ µ L A B C 47

48 ΩΩ = = = µ 2016 年 16 月 48

49 Ω Ω m m 49

50 50

51 µ µ µ 51

Microsoft PowerPoint - m54583fp_j.ppt

Microsoft PowerPoint - m54583fp_j.ppt M8FP 8-UNIT ma DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY 概要 M8FP は PNP トランジスタと NPN トランジスタで構成された 8 回路のコレクタ電流シンク形のダーリントントランジスタアレイであり微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回路ですピン接続図 ( 上面図 ) NC IN IN NC 9 O 8 O IN O 特長高耐圧 (BCEO ) 大電流駆動