CCD リニアイメージセンサ S11491 近赤外高感度 高速ラインレート 近赤外域で高感度を実現した裏面入射型 CCD リニアイメージセンサです マルチポート読み出し (1 ポート当たり 25 MHz max.) により 70 khz の高速ラインレートを実現しました 特長 用途 近赤外高感度 Q

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1 近赤外高感度 高速ラインレート 近赤外域で高感度を実現した裏面入射型 です マルチポート読み出し ( ポート当たり 5 MHz max.) により 70 khz の高速ラインレートを実現しました 特長 用途 近赤外高感度 QE=70% (λ=900 nm), QE=40% (λ=000 nm) 高速ラインレート : 70 khz max. 低エタロニング OCT ( 光干渉断層計 ) 分光測光 構成 項目 仕様 イメージサイズ (H ) mm 画素サイズ (H ) 500 µm 画素数 (H ) 080 有効画素数 (H ) 048 水平クロック 相 出力回路 3 段 MOSFETソースフォロア パッケージ 54ピンセラミックDIP ( 外形寸法図を参照 ) 窓材 * 硼珪酸ガラス * 冷却 非冷却 *: 樹脂封止 *: 仮付け窓タイプ ( 例 : N) も対応が可能です 仮付け窓タイプは CCD チップを保護するため 仮付け窓をテープで固定しています 浜松ホトニクス株式会社

2 絶対最大定格 (Ta=5 C) 動作温度 * 3 * 4 Topr C 保存温度 Tstg C 出力トランジスタドレイン電圧 OD リセットドレイン電圧 RD 出力アンプ帰還電圧 ret オールリセットドレイン電圧 ARD 水平入力ソース電圧 ISH オールリセットゲート電圧 ARG ストレージゲート電圧 STG 水平入力ゲート電圧 IGH, IGH サミングゲート電圧 SG 出力ゲート電圧 OG リセットゲート電圧 RG トランスファーゲート電圧 TG レジスティブゲート電圧 High REGH Low REGL 水平シフトレジスタクロック電圧 PH, PH はんだ付け条件 Tsol 60 C, 5 秒以内, リード根元より mm 以上離す - *3: パッケージ温度 *4: 高速動作時にはセンサの温度が上昇する可能性があります 必要に応じて放熱対策を行うことを推奨します 詳細は技術資料 ( 電子シャッタ機能付レジスティブゲート型 CCDリニアイメージセンサ ) を参照してください 注 ) 絶対最大定格を一瞬でも超えると 製品の品質を損なう恐れがあります 必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください 動作条件 (Ta=5 C) 出力トランジスタドレイン電圧 OD 5 8 リセットドレイン電圧 RD 4 6 出力アンプ帰還電圧 * 5 ret - オールリセットドレイン電圧 ARD 4 6 テストポイント 水平入力ソース ISH - RD - 水平入力ゲート IGH, IGH オールリセットゲート電圧 ARG ストレージゲート電圧 * 6 STG 3 4 STG 3 4 サミングゲート電圧 High SGH 9 0 Low SGL 出力ゲート電圧 OG 4 6 リセットゲート電圧 High RGH Low RGL トランスファーゲート電圧 High TGH Low TGL レジスティブゲートHigh 電圧 REGH - 0 レジスティブゲートLow 電圧 REGL - REGH 水平シフトレジスタクロック電圧 High PHH, PHH 9 0 Low PHL, PHL 基板電圧 SS 外部負荷抵抗 RL.0..4 kω *5: 出力アンプ帰還電圧は基板電圧に対して正電圧となりますが 電流はセンサから流れ出す方向に流れます *6: STGがSTGより高い電圧にならないように設定してください

3 電気的特性 (Ta=5 C) 出力信号周波数 fc MHz ラインレート LR khz 水平シフトレジスタ容量 CPH, CPH pf オールリセットゲート容量 CARG pf レジスティブゲート容量 CREG pf サミングゲート容量 CSG pf リセットゲート容量 CRG pf トランスファーゲート容量 CTG pf 電荷転送効率 * 7 CTE DC 出力レベル out 9 0 出力インピーダンス Zo Ω 出力アンプ帰還電流 Iret ma 消費電力 PAMP* PREG* mw レジスティブゲート抵抗 * 0 RREG kω *7: 飽和出力の半分のときに測定した CCD シフトレジスタ 画素当たりの転送効率 *8: オンチップアンプと負荷抵抗を合わせた消費電力 *9: REG での消費電力 *0: REGH - REGL 間の抵抗値 電気的および光学的特性 ( 指定のない場合は Ta=5 C, 動作条件 : Typ.) 飽和出力電圧 sat - Fw Sv - 飽和電荷量 Fw ke - CCD 変換効率 Sv µ/e - 暗電流 (Non-MPP 動作 )* DS ke - /pixel/s pa/cm 読み出しノイズ * Nr e - rms ダイナミックレンジ * 3 Drange 感度波長範囲 λ - 30 ~ 00 - nm 最大感度波長 λp 感度不均一性 * 4 * 5 PRNU - ±3 ±0 % イメージラグ * 4 * 6 L % *: 暗電流は 5~7 C の冷却で / になります *: 読み出し周波数 5 MHz *3: ダイナミックレンジ = 飽和電荷量 / 読み出しノイズ *4: LED 光 ( ピーク波長 : 660 nm) を用いて飽和出力の半分のときに測定 固定パターンノイズ (peak to peak) *5: 感度不均一性 = 00 [%] 信号 *6: 飽和出力の半分となるようにワンショットのパルス光を照射した場合に読み残される信号量の割合 詳細は技術資料 ( 電子シャッタ機能付レジスティブゲート型 ) を参照してください 3

4 分光感度特性 ( 窓なし時 )* (Typ. Ta=5 C) 70 (%) CCD CCD (nm) KMPDB0465JA 窓材の分光透過特性 0.6 (Typ. Ta=5 C) 00 (Typ. Ta=5 C) (A/W) (%) (nm) (nm) KMPDB0466JA KMPDB0374JA *7: 硼珪酸ガラスの透過率特性により分光感度は低下します 4

5 デバイス構造 ( 外形寸法図において上面からみた CCD チップ概念図 ) Thinning 56 Thinning D4 D3 D D D4 D4 D4 D3 D3 D3 D D D D D D OS OS... OS7 OS8 ) Si ( ) Si KMPDC060JA 5

6 タイミングチャート Tinteg Tpwv Tovr TG PH PH, SG RG OS TG PH Tpwh PH RG Tpwr OS D D D3 D4 3, KMPDC060JB TG パルス幅 Tpwv 4 - µs 上昇 / 下降時間 Tprv, Tpfv ns PH, PH* 8 上昇 / 下降時間 Tprh, Tpfh ns パルス幅 Tpwh ns デューティ比 % パルス幅 Tpws ns SG 上昇 / 下降時間 Tprs, Tpfs ns デューティ比 % RG パルス幅 Tpwr ns 上昇 / 下降時間 Tprr, Tpfr ns TG - PH オーバーラップ時間 Tovr ns 蓄積時間 Tinteg µs *8: 最大パルス振幅の 50% のところに対称クロックパルスをオーバーラップさせてください 6

7 外形寸法図 ( 単位 : mm) ch ± ± ± ± ± ± ± ± ± ± ± ± ± 0..5* * 0.46 ± ± ± 0.33 : 3.5 g :.5 AR : KMPDA034JB 7

8 ピン接続 ピンNo. 記号 機能 備考 ( 標準動作 ) ret 出力アンプ帰還 + OG 出力ゲート +4 3 RD リセットドレイン +4 4 ret 出力アンプ帰還 + 5 OS 出力トランジスタソース RL=. kω 6 OD 出力トランジスタドレイン +5 7 OS 出力トランジスタソース RL=. kω 8 OD 出力トランジスタドレイン +5 9 ret 出力アンプ帰還 + 0 OS3 出力トランジスタソース3 RL=. kω OD3 出力トランジスタドレイン3 +5 OS4 出力トランジスタソース4 RL=. kω 3 OD4 出力トランジスタドレイン ret 出力アンプ帰還 + 5 OS5 出力トランジスタソース5 RL=. kω 6 OD5 出力トランジスタドレイン OS6 出力トランジスタソース6 RL=. kω 8 OD6 出力トランジスタドレイン ret 出力アンプ帰還 + 0 OS7 出力トランジスタソース7 RL=. kω OD7 出力トランジスタドレイン7 +5 OS8 出力トランジスタソース8 RL=. kω 3 OD8 出力トランジスタドレイン ret 出力アンプ帰還 + 5 IGH テストポイント ( 水平入力ゲート ) -8 6 ISH テストポイント ( 水平入力ソース ) RDに接続 7 ret 出力アンプ帰還 + 8 SS 基板 GND 9 TG トランスファーゲート 30 STG ストレージゲート +3 3 REGH レジスティブゲート (High) 0 3 STG ストレージゲート SS 基板 GND 34 ARD オールリセットドレイン ARG オールリセットゲート REGL レジスティブゲート (Low) SS 基板 GND 38 SG サミングゲート 39 SS 基板 GND 40 PH CCD 水平シフトレジスタクロック- 4 SS 基板 GND 4 PH CCD 水平シフトレジスタクロック- 43 SS 基板 GND 44 RG リセットゲート 45 SS 基板 GND 46 REGL レジスティブゲート (Low) ARG オールリセットゲート 48 ARD オールリセットドレイン SS 基板 GND 50 STG ストレージゲート +3 5 REGH レジスティブゲート (High) 0 5 STG ストレージゲート TG トランスファーゲート 54 SS 基板 GND 8

9 OS 出力波形例 (fc=5 MHz, RL=. kω, OD=+5 ) 関連情報 注意事項 製品に関する注意事項とお願い イメージセンサ / 使用上の注意 技術情報 電子シャッタ機能付レジスティブゲート型 イメージセンサ / 用語の説明 本資料の記載内容は 平成 9 年 月現在のものです Cat. No. KMPD73J0 Dec. 07 DN 9