MUSES01 2 回路入り J-FET 入力高音質オペアンプ ~ 人の感性に響く音を追求 ~ 概要 MUSES01 はオーディオ用として特別の配慮を施し音質向上を図った 2 回路入り JFET 入力高音質オペアンプです低雑音高利得帯域低歪率を特徴としオーディオ用プリアンプアクティブフ

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ぎんとこうい
5 years ago
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1 回路入り J-FET 入力高音質オペアンプ ~ 人の感性に響く音を追求 ~ 概要はオーディオ用として特別の配慮を施し音質向上を図った回路入り JFET 入力高音質オペアンプです低雑音高利得帯域低歪率を特徴としオーディオ用プリアンプアクティブフィルターラインアンプ等に最適です外形特徴動作電源電圧 Vopr= ~ ±V 低雑音 9.nV/ Hz 入力オフセット電圧 V IO =.mv typ. mv max. 入力バイアス電流 I B = pa typ. pa C 電圧利得 Av=dB typ. スルーレート SR=V/µs typ. バイポーラ構造外形 DIP 端子配列ピン配置 A OUTPUT. A -INPUT. A +INPUT. V-. B +INPUT. B -INPUT 7. B OUTPUT.V+ は新日本無線株式会社の商標または登録商標です Ver

2 絶対最大定格 (Ta= C) 項目記号条件単位電源電圧 V + /V - V 同相入力電圧範囲 V ICM ( 注 ) V 差動入力電圧範囲 V ID V 消費電力 P D 9 mw 負荷電流 Io ± ma 動作温度範囲 Topr - to + C 保存温度範囲 Tstg - to + C ( 注 ) 電源電圧が ±V 以下の場合は電源電圧と等しくなります推奨動作電圧範囲 (Ta= C) 項目記号定格単位電源電圧 V + /V - 9 ~ V 電気的特性 DC 特性 ( 指定無き場合には V + /V - =±V, Ta=+ ) 項目記号条件最小標準最大単位消費電流 I cc 無信号時 R L = -.. ma 入力オフセット電圧 V IO Rs k ( 注 ) -.. mv 入力バイアス電流 I B ( 注,) - pa 入力オフセット電流 I IO ( 注,) - pa 電圧利得 A V R L k, V o = V 9 - db 同相信号除去比 CMR V ICM = V, ( 注 ) 7 - db 電源電圧除去比 SVR V + /V - = 9 to V ( 注,) - db 最大出力電圧 V OM R L =k. - V 最大出力電圧 V OM R L =k. V 同相入力電圧範囲 V ICM CMR db 9. - V ( 注 ) VICM=V で測定 ( 注 ) 絶対値にて表記 ( 注 ) VICM=V +V 及び VICM=V -V と変化させたときの入力オフセット電圧変動量より同相信号除去比を算出 ( 注 ) V+/V-= ±V と変化させたときの入力オフセット電圧変動量より電源電圧除去比を算出 - - Ver.--

3 電気的特性 AC 特性 ( 指定無き場合には V + /V - =±V, Ta=+ ) 項目記号条件最小標準最大単位利得帯域幅積 GB f=kω -. - MHz ユニティケイン周波数 f T A V =+, R S =Ω, R L =kωc L =pf -. - MHz 位相余裕 Φ M 入力換算雑音電圧 V NI 入力換算雑音電圧 V NI 全高調波歪率 THD A V =+, R S =Ω, R L =kω,c L =pf f=khz, A V =+ R S =Ω, RIAA, R S =.kω, khz, LPF f=khz, A V =+ R L =kω, Vo=Vrms - - Deg nv/ Hz -.. uvrms -. - % チャンネルセパレーション CS f=khz, A V =- R S =kω, R L =kω - - db 立ち上がり時スルーレート +SR A V =,V IN =V p-p, R L =kω,c L =pf - - V/us 立ち下がり時スルーレート -SR A V =,V IN =V p-p, R L =kω,c L =pf - - V/us Ver

4 アプリケーション情報パッケージパワーと消費電力出力電力 IC はIC 自身の消費電力 ( 内部損失 ) によって発熱しジャンクション温度 Tj が許容値を超えると破壊される可能性がありますこの許容値は許容損失 PD(= 消費電力の最大定格 ) と呼ばれています図にのP D の周囲温度依存性を示しますこの図の特性は次の点から得ることができます点目はにおけるP D で絶対最大定格の消費電力に相当しますもう点はこれ以上の発熱を許容できないつまり許容損失 W の点ですこの点は IC の保存温度範囲 Tstg の上限を最大のジャンクション温度 Tjmax とすることで求めることができますこれら点を結び以下をと同じP D とすることで図の特性を得ることができますなおこれらの点間の P D は次式で表されます Tj max Ta 許容損失 P D [W] (Ta= ~Ta=Tjmax) ja ここでθja は熱抵抗でありパッケージ材料 ( 樹脂フレーム等 ) に依存します次にIC 自身の消費電力を導きます IC の消費電力は次式で表されます消費電力 =( 電源電圧 V DD ) ( 消費電流 I DD )-( 出力電力 Po) この消費電力がP D をこえない条件でを使用してください安定した動作を維持するためにも許容損失 P D に注意し余裕のある熱設計することを推奨します P D [mw] 9 DIP Ta [ ] - 最大動作温度最大保存温度図の許容損失 P D の周囲温度特性例 - - Ver.--

5 特性例 THD+N 対出力電圧特性例 ( 周波数 ) THD+N 対出力電圧特性例 ( 周波数 ) V + /V - =±V,A V =+, Rg=kΩ,Rf=9.kΩ, R L =kω,ta= V + /V - =±V,A V =+, Rg=kΩ,Rf=9.kΩ, R L =kω,ta= THD+N [%].. f=khz khz THD+N [%].. f=khz khz. Hz Hz. Hz Hz... 出力電圧 [Vrms]... 出力電圧 [Vrms] THD+N 対出力電圧特性例 ( 周波数 ) 入力換算雑音電圧対周波数特性例 V + /V - =,A V =+, Rg=kΩ,Rf=9.kΩ, R L =kω,ta= V + /V - =±V,A V=+,Rs=Ω,R L=,Ta= THD+N [%]... khz f=khz Hz Hz 入力換算雑音電圧 [nv/ Hz]... 出力電圧 [Vrms],, 周波数 [Hz] 入力換算雑音電圧対周波数特性例入力換算雑音電圧対周波数特性例 V + /V - =±V,A V=+,Rs=Ω,R L=,Ta= V + /V - =,A V=+,Rs=Ω,R L=,Ta= 入力換算雑音電圧 [nv/ Hz] 入力換算雑音電圧 [nv/ Hz],, 周波数 [Hz],, 周波数 [Hz] Ver

6 チャンネルセパレーション対周波数特性例チャンネルセパレーション対周波数特性例 - V + /V - =±V,A V =-, R S =kω, R L =kω, Vo=Vrms, Ta= - V + /V - =±V,A V =-, R S =kω, R L =kω, Vo=Vrms, Ta= - - チャンネルセパレーション [db] チャンネルセパレーション [db] 周波数 [Hz] - 周波数 [Hz] - チャンネルセパレーション対周波数特性例 V + /V - =,A V =-, R S =kω, R L =kω, Vo=Vrms, Ta= db 電圧利得対周波数特性例 ( 周囲温度 ) V + /V - =±V, A V =+, R S =Ω, R T =Ω, R L =kω,c L =pf V IN =-dbm,vicm=v チャンネルセパレーション [db] 電圧利得 [db] - - 電圧利得位相 Ta= 位相 [deg] - 周波数 [Hz] - - 周波数 [khz] db 電圧利得対周波数特性例 ( 周囲温度 ) db 電圧利得対周波数特性例 ( 周囲温度 ) V + /V - =±V, A V =+, R S =Ω, R T =Ω, R L =kω,c L =pf V IN =-dbm,vicm=v V + /V - =, A V =+, R S =Ω, R T =Ω, R L =k,c L =pf V IN =-dbm,vicm=v 電圧利得 Ta= - 電圧利得 Ta= - 電圧利得 [db] - 位相 - 位相 [deg] 電圧利得 [db] - 位相 - 位相 [deg] 周波数 [khz] - - 周波数 [khz] - - Ver.--

7 出力電圧 [V] - - Ta= - 過渡応答特性例 ( 周囲温度 ) V + /V - =±V,V IN =V P-P,f=kHz PulseEdge=nsec,Gv=dB,C L =pf,r L =kω 入力電圧出力電圧時間 [μsec] 入力電圧 [V] スルーレート [V/μsec] スルーレート対周囲温度特性例 V + /V - =±V,V IN =V P-P,f=kHz PulseEdge=nsec,Gv=dB,C L =pf,r L =kω Rise Fall 出力電圧 [V] - - Ta= - 過渡応答特性例 ( 周囲温度 ) V + /V - =±V,V IN =V P-P,f=kHz PulseEdge=nsec,Gv=dB,C L =pf,r L =kω 入力電圧出力電圧時間 [μsec] 入力電圧 [V] スルーレート [V/μsec] スルーレート対周囲温度特性例 V + /V - =±V,V IN =V P-P,f=kHz PulseEdge=nsec,Gv=dB,C L =pf,r L =kω Rise Fall 出力電圧 [V] - - Ta= - 過渡応答特性例 ( 周囲温度 ) V + /V - =,V IN =V P-P,f=kHz PulseEdge=nsec,Gv=dB,C L =pf,r L =kω 入力電圧出力電圧時間 [μsec] 入力電圧 [V] スルーレート [V/μsec] スルーレート対周囲温度特性例 V + /V - =,V IN =V P-P,f=kHz PulseEdge=nsec,Gv=dB,C L =pf,r L =kω Rise Fall Ver

8 消費電流対電源電圧特性例 ( 周囲温度 ) 消費電流対周囲温度特性例 ( 電源電圧 ) G V =db,vin=v G V =db,vin=v Ta= - ±V V + /V - =±V 消費電流 [ma] 消費電流 [ma] 9 電源電圧 [V + /V - ] 入力オフセット電圧対電源電圧特性例 ( 周囲温度 ) 電源電圧除去比対周囲温度特性例 V ICM =V,Vin=V V ICM =V,V+/V-= to ±V 9 入力オフセット電圧 [mv] - - Ta= - 電源電圧除去比 [db] 電源電圧 [V + /V - ] - - 7,, 入力ハイアス電流対周囲温度特性例 ( 電源電圧 ) V ICM =V,, 入力ハイアス電流対同相入力電圧特性例 ( 周囲温度 ) V + /V - =±V,, 入力ハイアス電流 [pa],, ±V V+/V-=±V 入力ハイアス電流 [pa],, Ta= 同相入力電圧 [V] - - Ver.--

9 入力ハイアス電流対同相入力電圧特性例 ( 周囲温度 ) 入力ハイアス電流対同相入力電圧特性例 ( 周囲温度 ),, V + /V - =±V,, V + /V - =,, 入力ハイアス電流 [pa],, Ta= 入力ハイアス電流 [pa],, Ta= 同相入力電圧 [V] 同相入力電圧 [V] 入力オフセット電流対周囲温度特性例 ( 電源電圧 ) 入力オフセット電圧対出力電圧特性例 ( 周囲温度 ), V ICM =V V + /V - =±V,R L =kω to V 入力オフセット電流 [pa], ±V V+/V-=±V 入力オフセット電圧 [mv] Ta= 出力電圧 [V] 電圧利得 [db] 9 電圧利得対周囲温度特性例 R L =kω to V,V+/V-=±V,Vo=-V to +V 電圧利得 [db] 9 電圧利得対周囲温度特性例 R L =kω to V,V+/V-=±V,Vo=-V to +V Ver

10 電圧利得 [db] 9 電圧利得対周囲温度特性例 R L =kω to V,V+/V-=,Vo=-V to +V 同相信号除去比 [db] 同相信号除去比対周囲温度特性例 ( 同相入力電圧 ) V + /V - =±V Vicm=V to -9V V to +9V 同相信号除去比対周囲温度特性例 ( 同相入力電圧 ) V + /V - =±V 同相信号除去比対周囲温度特性例 ( 同相入力電圧 ) V + /V - = V to +V 同相信号除去比 [db] Vicm=V to -V V to +V 同相信号除去比 [db] Vicm=V to -V 最大出力電圧 [V] 最大出力電圧対負荷抵抗特性例 ( 周囲温度 ) V + /V - =±V,Gv=open,R L to V - 負荷抵抗 [Ω] 最大出力電圧 [V] 最大出力電圧対負荷抵抗特性例 ( 周囲温度 ) V + /V - =±V,Gv=open,R L to V - 負荷抵抗 [Ω] - - Ver.--

11 最大出力電圧 [V] 最大出力電圧 [V] 最大出力電圧対負荷抵抗特性例 ( 周囲温度 ) V + /V - =,Gv=open,R L to V - 負荷抵抗 [Ω] 最大出力電圧対周囲温度特性例 ( 電源電圧 ) Gv=open,R L =kω to V V+/V-=±V ±V 最大出力電圧 [V] 最大出力電圧対周囲温度特性例 ( 電源電圧 ) Gv=open,R L =kω to V V+/V-=±V ±V 利得帯域幅積 [MHz] 利得帯域幅積対周囲温度特性例 ( 電源電圧 ) f=khz,a V =db, R S =Ω, R T =Ω,R L =kω, C L =pf,v IN =-dbm V + /V - =±V ±V ユニティゲイン周波数対周囲温度特性例 ( 電源電圧 ) A V=+, R S=Ω, R T=Ω,R L=kΩ, C L=pF,V IN=-dBm 9 位相余裕対周囲温度特性例 ( 電源電圧 ) A V =+, R S =Ω, R T =Ω,R L =kω, C L =pf,v IN =-dbm V + /V - =±V ±V ユニティゲイン周波数 [MHz] V + /V - =±V ±V 位相余裕 [deg] Ver

12 MEMO < 注意事項 > このデータブックの掲載内容の正確さには万全を期しておりますが掲載内容について何らかの法的な保証を行うものではありませんとくに応用回路については製品の代表的な応用例を説明するためのものですまた工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴うものではなく第三者の権利を侵害しないことを保証するものでもありません - - Ver.--

Microsoft Word - NJM2718_DataJ_v1.doc

Microsoft Word - NJM2718_DataJ_v1.doc 2 回路入り高耐圧単電源オペアンプ概要 NJM2718 は 2 回路入り単電源高速オペアンプです動作電圧は 3V~36V と広範囲でスルーレート 9V/µs の高速性と入力オフセット電圧 4mV の特徴をもっておりローサイド電流検出に適しておりますまた容量性負荷に対して安定しておりますので FET 駆動等のプリドライバ用途やバッファ用途等に適しております外形 NJM2718E NJM2718V