概要 55H series, 55xF 小型水晶発振モジュール用 IC 55Hseries, 55xF は 発振周波数 ~17MHz 3rd オーバートーンの小型水晶発振器向けの水晶発振モジュール用 IC です 発振回路部を定電圧駆動にしたことにより 従来品と比べ 消費電流と水晶電流を大幅に低減するとともに 発振特性の電源電圧依存性も大幅に低減しました PAD 配置は パッケージ構造 実装方法に合わせて 3 種類から選択できますので小型発振器に最適です 特長 幅広い動作電源電圧範囲: 1.7~3.63V (HxA~HxE ver.), 2.25~3.63V (xf ver.) 推奨発振周波数範囲(3rd オーバートーン ): ~135MHz(HxA~HxE ver.), 133~17MHz(xF ver.) 動作温度範囲:- ~+125 (HxA~HxE ver.), - ~+15 (xf ver.) 定電圧駆動の発振回路により 消費電流と水晶電流を低減 出力ドライバビリティ : ±8mA 小型水晶振動子に最適な低水晶電流の発振特性 スタンバイ機能内蔵 実装方法に合わせて 3 種類の PAD 配置を選択可 スタンバイ時発振停止 出力 Hi-Z 55(H)Ax: Flip Chip Bonding 向け 出力 DUTY: 5±5% (1/2V DD ) 55(H)Bx,55(H)Cx: Wire Bonding 向け ウェーハフォーム[WF55(H)xx] 出力負荷容量: 15pF チップフォーム[CF55(H)xx] アプリケーション 5. 3.2, 3.2 2.5, 2.5 2. 小型水晶発振器 シリーズ構成 動作電源電圧範囲 [V] 推奨発振周波数範囲 *1 [MHz] C キャンセル回路 / 推奨 C 値 [pf] PAD 配置とバージョン名 *2 Flip Chip Bonding Wire BondingⅠ Wire BondingⅡ 1.7~3.63 ~5 無 / 2 55HAA - 55HCA 1.7~3.63 5~65 無 / 2 55HAB - 55HCB 1.7~3.63 65~85 有 /1~2 55HAC 55HBC 55HCC 1.7~3.63 85~15 有 /1~2 55HAD 55HBD 55HCD 1.7~3.63 15~135 有 /1~2 55HAE 55HBE 55HCE 2.25~3.63 133~17 有 /1~2 55AF 55BF 55CF *1. 推奨発振周波数は NPC 特性確認用水晶からの目安であり 発振周波数帯を保証するものではありません 水晶振動子の特性や実装条件により特性が大幅に変動しますので発振特性の十分な評価のもとご使用下さい *2. ウェーハフォームの場合 WF55(H)xx チップフォームの場合 CF55(H)xx となります オーダーインフォメーション 商品名形態バージョン名称 WF55(H) - WF55(H)xx-x Wafer form 形態 WF:Wafer form CF:Chip(Die) form チップ厚 5:1μm 発振周波数範囲 CF55(H)xx-x Chip form PAD 配置 A:Flip Chip Bonding 向け B:Wire Bonding 向け TypeⅠ C:Wire Bonding 向け TypeⅡ SEIKO NPC CORPORATION - 1
55H series, 55xF ブロックダイアグラム INHN R PU V Reg C Cancel *1 R F XT XTN C G R D C D CMOS Q VDD VSS *1. 55HxA, HxB バージョンは C キャンセル回路を内蔵しておりません PAD 配置図 55(H)Ax 55(H)Bx 55(H)Cx Flip Chip Bonding 向け Wire Bonding 向け TypeⅠ Wire Bonding 向け TypeⅡ (3,285) (3,285) (3,285) VSS 5 Q Q 5 VSS VDD 5 Q Y INHN 6 (,) 3 VDD Y VDD 6 (,) 3 INHN Y INHN 6 (,) 3 VSS 1 2 1 2 1 2 (-3,-285) XT XTN (-3,-285) XTN XT (-3,-285) XT XTN X X X チップサイズ:.6 mm.57mm,pad 開口部 : 8μm 8 μm, チップ裏面 : V SS レベル チップセンターの座標を (,) とします PAD 座標 端子説明 PAD 番号 PAD 座標 [μm] X Y 55 (H)Ax PAD 番号 55 (H)Bx 55 (H)Cx 端子名 機能 1-15.2-193.5 1 2 1 XT 水晶振動子接続端子 2 15.2-193.5 2 1 2 XTN XT,XTN の間に水晶振動子を接続 3 28.5-1.1 3 6 5 VDD (+) 電源端子 28.5 193.5 5 Q 出力端子 5-28.5 193.5 5 3 VSS (-) 電源端子 6-28.5-1.1 6 3 6 INHN 出力状態制御入力端子 (Low で発振停止 ) パワーセーブプルアップ抵抗内蔵 SEIKO NPC CORPORATION - 2
絶対最大定格 V SS =V 55H series, 55xF 項目記号条件定格単位 *1 電源電圧範囲 *1*2 入力電圧範囲 *1*2 出力電圧範囲 *3 出力電流 *3 接合温度 * 保存温度範囲 V DD VDD-VSS 間 -.3~+. V V IN 入力端子 -.3~V DD +.3 V V OUT 出力端子 -.3~V DD +.3 V I OUT Q 端子 ±2 ma T j 15 T STG チップ ウェーハ単体 -55~+15 *1. 一瞬たりとも超えてはならない値です 万一 定格を超えた場合は 電気的特性 信頼性などに影響を与える恐れがあります *2. 定格に記載の V DD は 推奨動作条件に定める動作電源電圧 (V DD ) の規格値を示します *3. 超えないようにご使用ください 万一超えた場合は 特性劣化 信頼性低下の懸念があります *. N 2 または真空雰囲気で 梱包材を含まない単体保存の場合です 推奨動作条件 V SS =V 項目記号条件 MIN TYP MAX 単位 *1 発振周波数 出力周波数 f OSC f OUT V DD =1.7~3.63V 55HxA ver. - 5 55HxB ver. 5-65 55HxC ver. 65-85 55HxD ver. 85-15 55HxE ver. 15-135 V DD =2.25~3.63V 55xF ver. 133-17 V DD =1.7~3.63V C LOUT 15pF V DD =2.25~3.63V C LOUT 15pF *2 動作電源電圧 V DD VDD-VSS 端子間 55HxA ver. - 5 55HxB ver. 5-65 55HxC ver. 65-85 55HxD ver. 85-15 55HxE ver. 15-135 55xF ver. 133-17 55HxA ~HxE ver. 1.7 55xF ver. 2.25 MHz MHz - 3.63 V 入力電圧 V IN 入力端子 V SS - V DD V 動作温度 T a 55HxA~HxE ver. - +125-55xF ver. - +15 出力負荷容量 C L Q 端子 - - 15 pf *1. 発振周波数は NPC 特性確認用水晶からの目安であり 発振周波数帯を保証するものではありません 水晶振動子の特性や実装条件により特性が大幅に変動しますので発振特性の十分な評価のもとご使用下さい *2. 55 series を安定に動作させるため VDD-VSS 間には.1μF 以上のセラミックチップコンデンサを IC の直近 (3mm 以内程度 ) に実装して下さい また IC からコンデンサまでの配線パターンは できるだけ太い配線パターンでご使用下さい Note. 推奨動作条件範囲外で使用すると信頼性に影響を与える場合がありますので この範囲内で使用して下さい SEIKO NPC CORPORATION - 3
電気的特性 DC 特性 (HxA~HxE version) 特記なき場合 V DD =1.7~3.63V, V SS =V, T a =-~+125 55H series, 55xF 項目記号条件 MIN TYP MAX 単位 H レベル出力電圧 L レベル出力電圧 V OH V OL Q 端子, 測定回路 3, I OH =-8mA T a =-~+85 Q 端子, 測定回路 3, I OH =-8mA V DD -. V DD -.5 - V DD - V DD Q 端子, 測定回路 3, I OL =8mA T a =-~+85 -. Q 端子, 測定回路 3, I OL =8mA -.5 H レベル入力電圧 V IH INHN 端子, 測定回路.7V DD - - V L レベル入力電圧 V IL INHN 端子, 測定回路 - -.3V DD V 出力リーク電流 *1 消費電流 スタンバイ電流 INHN 端子プルアップ抵抗 発振部帰還抵抗 I Z I DD I ST Q 端子, 測定回路 5 INHN= Low 55HxA(f OSC ), 測定回路 1 無負荷, INHN= OPEN f OSC =5MHz, f OUT =5MHz 55HxB(f OSC ), 測定回路 1 無負荷, INHN= OPEN f OSC =65MHz, f OUT =65MHz 55HxC(f OSC ), 測定回路 1 無負荷, INHN= OPEN f OSC =85MHz, f OUT =85MHz 55HxD(f OSC ), 測定回路 1 無負荷, INHN= OPEN f OSC =1MHz, f OUT =1MHz 55HxE(f OSC ), 測定回路 1 無負荷, INHN= OPEN f OSC =133MHz, f OUT =133MHz Q=V DD - - 1 Q=V SS -1 - - V DD =3.3V - 3.5 7. V DD =2.5V - 3. 6. V DD =1.8V - 2.5 5. V DD =3.3V -. 8. V DD =2.5V - 3. 6. V DD =1.8V - 2.5 5. V DD =3.3V -.5 9. V DD =2.5V -. 8. V DD =1.8V - 3.5 7. V DD =3.3V - 5.5 1.5 V DD =2.5V -.5 8.5 V DD =1.8V -. 7.5 V DD =3.3V - 7. 13.5 V DD =2.5V - 5.5 1.5 V DD =1.8V -.5 8.5 測定回路 1, INHN= V SS, T a =-~+85 - - 1 測定回路 1, INHN= V SS - - 2 R PU1 測定回路 6.8 3 2 MΩ R PU2 測定回路 6 3 7 15 kω R F 55HxA ver. 設計値 1.6 3.1.7 55HxB ver. 設計値 1.3 2.6 3.9 55HxC ver. 設計値 1. 2.8.2 55HxD ver. 設計値 1.2 2.3 3.5 55HxE ver. 設計値 1.1 2.1 3.2 V V μa ma μa kω SEIKO NPC CORPORATION -
55H series, 55xF 特記なき場合 V DD =1.7~3.63V, V SS =V, T a =-~+125 項 目 記号 条 件 MIN TYP MAX 単位 C G 55HxA ver. 7.2 9. 1.8 ウェーハ内モニターパターンにて確認 C D 設計値寄生容量は除く 8. 1. 12. C G 55HxB ver. 5.6 7. 8. ウェーハ内モニターパターンにて確認 C D 設計値寄生容量は除く 7.2 9. 1.8 発振部容量 C G 55HxC ver. 2. 3. 3.6 ウェーハ内モニターパターンにて確認 C D 設計値寄生容量は除く 3.2..8 pf C G 55HxD ver..8 1. 1.2 ウェーハ内モニターパターンにて確認 C D 設計値寄生容量は除く 1.6 2. 2. C G 55HxE ver.... ウェーハ内モニターパターンにて確認 C D 設計値寄生容量は除く.8 1. 1.2 *1. Q 端子に容量 (C LOUT ) を負荷した場合の消費電流 I DD (C LOUT ) は 無負荷時の消費電流 (I DD ) 出力周波数(f OUT ) と次式で算出することが出来ます I DD (C LOUT ) [ma] = I DD [ma] + C LOUT [pf] f OUT [MHz] 1-3 SEIKO NPC CORPORATION - 5
DC 特性 (xf version) 特記なき場合 V DD =2.25~3.63V, V SS =V, T a =-~+15 55H series, 55xF 項目記号条件 MIN TYP MAX 単位 H レベル出力電圧 L レベル出力電圧 V OH V OL Q 端子, 測定回路 3, I OH =-8mA T a =-~+85 Q 端子, 測定回路 3, I OH =-8mA V DD -. V DD -.5 - V DD - V DD Q 端子, 測定回路 3, I OL =8mA T a =-~+85 -. Q 端子, 測定回路 3, I OL =8mA -.5 H レベル入力電圧 V IH INHN 端子, 測定回路.7V DD - - V L レベル入力電圧 V IL INHN 端子, 測定回路 - -.3V DD V 出力リーク電流 *1 消費電流 スタンバイ電流 INHN 端子プルアップ抵抗 I Z I DD I ST Q 端子, 測定回路 5 INHN= Low, T a =-~+85 Q 端子, 測定回路 5 INHN= Low 測定回路 1 無負荷, INHN= OPEN f OSC =17MHz, f OUT =17MHz Q=V DD - - 1 Q=V SS -1 - - Q=V DD - - 1 Q=V SS -1 - - V DD =3.3V - 15. 29.5 V DD =2.5V - 13. 25.5 測定回路 1, INHN= V SS, T a =-~+85 - - 1 測定回路 1, INHN= V SS - - 1 R PU1 測定回路 6.8 3 2 MΩ R PU2 測定回路 6 3 7 15 kω 発振部帰還抵抗 R F 設計値 2.1. 6. kω 発振部容量 C G ウェーハ内モニターパターンにて確認... C D 設計値寄生容量は除く.8 1. 1.2 *1. Q 端子に容量 (C LOUT ) を負荷した場合の消費電流 I DD (C LOUT ) は 無負荷時の消費電流 (I DD ) 出力周波数 (f OUT ) と次式で算出することが出来ます I DD (C LOUT ) [ma] = I DD [ma] + C LOUT [pf] f OUT [MHz] 1-3 V V μa ma μa pf SEIKO NPC CORPORATION - 6
55H series, 55xF AC 特性特記なき場合 V DD =1.7~3.63V, V SS =V, T a =-~+125 項目記号条件 MIN TYP MAX 単位 出力立ち上がり時間 t r1 t r2 測定回路 1 C LOUT =15pF.1V DD.9V DD V DD =2.25~3.63V 測定回路 1 C LOUT =15pF.1V DD.9V DD V DD =1.7~2.25V HxA, HxB, HxC, HxD, HxE ver. - 1. 2. T a =-~+15 C, xf ver. - 1. 2. T a =-~+85 HxA, HxB, HxC, HxD, HxE ver. - 1.5 2.5 HxA, HxB, HxC, HxD, HxE ver. - 1.5 3. ns 出力立ち下がり時間 t f1 t f2 測定回路 1 C LOUT =15pF.9V DD.1V DD V DD =2.25~3.63V 測定回路 1 C LOUT =15pF.9V DD.1V DD V DD =1.7~2.25V HxA, HxB, HxC, HxD, HxE ver. - 1. 2. T a =-~+15 C, xf ver. - 1. 2. T a =-~+85 HxA, HxB, HxC, HxD, HxE ver. - 1.5 2.5 HxA, HxB, HxC, HxD, HxE ver. - 1.5 3. ns 出力 DUTY サイクル DUTY 測定回路 1 C LOUT =15pF T a =25 V DD =1.7~3.63V HxA, HxB, HxC, HxD, HxE ver. 5 5 55 V DD =2.25~3.63V, xf ver. 5 5 55 % 出力ディスエーブル遅延時間 t OD 測定回路 2, C LOUT 15pF, T a =25 - - 2 ns タイミングチャート.9V DD.9VDD Q.1VDD Tw T.1VDD DUTY measurement voltage.5v DD DUTY = Tw/T 1 (%) t r t f 図 1. 出力スイッチング波形 INHN V DD V SS V IL V IH V DD t OD.1V Q.5V DD V SS.1V f OUT Hi-Z Low f OUT 図 2. 出力ディスエーブル遅延時間 (t OD ) タイミングチャート SEIKO NPC CORPORATION - 7
機能説明 INHN 端子の機能 55H series, 55xF INHN 端子を Low レベルにすることにより Q 端子出力を停止させてハイ インピーダンスにして IC の動作をディスエーブル状態にすることができます INHN 端子 Q 端子 発振部 High(Open) f OUT 動作 Low Hi-Z 停止 パワーセーブプルアップ抵抗 INHN 端子のプルアップ抵抗は入力レベル (High or Low) に応じて R PU1 または R PU2 に切り換わります INHN 端子を Low レベルに固定にしたときは INHN 端子に内蔵しているプルアップ抵抗値が大きくなり (R PU1 ) ディスエーブル時にプルアップ抵抗で消費する電流を小さくすることができます INHN 端子を High または Open で使うときはプルアップ抵抗値が小さくなり (R PU2 ) 外来ノイズによる影響を受けにくくなります これにより INHN 端子内部は High レベルに固定された状態となりますので 不意に出力が停止するといった問題を回避できます 発振検出機能本製品には発振検出回路が搭載されています 発振検出回路は水晶振動が起動し 安定するまでは出力回路が Low レベルとなる機能です この機能により 電源投入時や INHN 端子による発振再起動時における異常発振の危険性を軽減することができます C キャンセル回路 C キャンセル回路を搭載した発振回路は 振動子の C をキャンセルすることで発振回路の等価的な C を小さくし 振動子の C 値増加による負性抵抗の低下を抑制することができます この効果によって 発振余裕を確保しやすくなります SEIKO NPC CORPORATION - 8
55H series, 55xF 測定回路 測定回路 1 測定項目 : I DD, I ST, DUTY, t r, t f A I DD, I ST AC 特性は Q 端子をオシロスコープで観測する 測定項目 SW1 SW2.1 F X tal XT XTN VDD Q SW1 I DD OFF OFF I ST ON or OFF ON DUTY, t r, t f ON OFF INHN SW2 VSS C L = 15 pf (Including probe capacitance) 測定回路 2 測定項目 : t OD 測定回路 3 測定項目 : V OH, V OL SEIKO NPC CORPORATION - 9
55H series, 55xF 測定回路 測定項目 : V IH, V IL 測定回路 5 測定項目 : I Z VDD.1 F Q A V DD 及び V SS INHN VSS I Z 測定回路 6 測定項目 : R PU1, R PU2 VDD RPU1 = (VIN = V) IPU VDD -.7VDD RPU2 = (VIN =.7VDD) IPU SEIKO NPC CORPORATION - 1
55H series, 55xF 参考特性例以下の特性は 下記の水晶振動子を使用した時の数値です 使用する水晶振動子や測定環境により 特性は異なりますのでご注意下さい 使用水晶振動子 Parameter 5MHz 65MHz 8MHz 1MHz 125MHz 17MHz C (pf) 1.3 1.7 1.6 1.7 2. 2.8 R 1 (Ω) 59 59 33 5 振動子パラメータ L 1 C 1 R 1 C 消費電流 Current Consumption Characteristics T a =25, No load 18 16 Current consumption [ma] l 1 12 1 8 6 2 HxA HxB HxC HxD HxE xf 6 8 1 12 1 16 18 3.3 V 2.5 V 1.8 V Frequency [MHz] SEIKO NPC CORPORATION - 11
55H series, 55xF 負性抵抗 Negative Resistance Characteristics 55HxB version, Ta=25-1 -1-2 -2-3 - -5-6 C=2pF -7 C=pF(None) C=1pF VDD=1.8V -8 Negative Resistance [Ω] Negative Resistance [Ω] Negative Resistance Characteristics 55HxA version, Ta=25-3 - C=2pF -6 C=1pF C=pF(None) -7 VDD=1.8V -8 VDD=2.5V -9-5 VDD=2.5V -9 VDD=3.3V VDD=3.3V -1-1 2 6 8 1 12 1 16 18 2 2 6-1 -1-2 -2-3 - -5-6 -7 C=2pF VDD=1.8V C=1pF 1 16 18 2-3 - -5-6 -7-8 VDD=2.5V C=pF(None) -9 VDD=3.3V -1 C=2pF VDD=1.8V C=1pF VDD=2.5V C=pF(None) VDD=3.3V -1 2 6 8 1 12 1 16 18 2 2 6 Frequency [MHz] -1-2 -2-3 - C=2pF C=1pF C=pF(None) -7 VDD=1.8V -8 VDD=2.5V -9 VDD=3.3V -1 2 6 8 1 12 1 16 18 2 Frequency [MHz] Negative Resistance [Ω] -6 1 12 1 16 18 2 Negative Resistance Characteristics 55xF version, Ta=25-1 -5 8 Frequency [MHz] Negative Resistance Characteristics 55HxE version, Ta=25 Negative Resistance [Ω] 12 Negative Resistance Characteristics 55HxD version, Ta=25 Negative Resistance [Ω] Negative Resistance [Ω] Negative Resistance Characteristics 55HxC version, Ta=25-9 1 Frequency [MHz] Frequency [MHz] -8 8-3 - -5-6 C=2pF C=1pF -7 C=pF(None) -8 VDD=2.5V -9 VDD=3.3V -1 2 6 8 1 12 1 16 18 2 Frequency [MHz] 使用測定器 インピーダンス アナライザ 396B (Agilent 社製) 凡例は 水晶振動子の C 相当の容量を 55 の XT-XTN 間に並列に接続して測定した結果です 弊社治具を用いて Agilent 社製 396B で測定した結果です 測定治具 測定環境で変動する場合があります SEIKO NPC CORPORATION - 12
55H series, 55xF 周波数電圧偏差 Frequency Deviation Characteristics 55HxA version, f OSC =5MHz, T a =25 ppm: V DD =2.5V Frequency Deviation Characteristics 55HxB version, f OSC =65MHz, T a =25 ppm: V DD =2.5V 5 5 Frequency Deviation [ppm] 3 2 1-1 -2-3 - -5 1.6 1.8 2. 2.2 2. 2.6 2.8 3. 3.2 3. 3.6 3.8 Frequency Deviation [ppm] 3 2 1-1 -2-3 - -5 1.6 1.8 2. 2.2 2. 2.6 2.8 3. 3.2 3. 3.6 3.8 Frequency Deviation Characteristics 55HxC version, f OSC =8MHz, T a =25 ppm: V DD =2.5V Frequency Deviation Characteristics 55HxD version, f OSC =1MHz, T a =25 ppm: V DD =2.5V 5 5 Frequency Deviation [ppm] 3 2 1-1 -2-3 - -5 1.6 1.8 2. 2.2 2. 2.6 2.8 3. 3.2 3. 3.6 3.8 Frequency Deviation [ppm] 3 2 1-1 -2-3 - -5 1.6 1.8 2. 2.2 2. 2.6 2.8 3. 3.2 3. 3.6 3.8 Frequency Deviation Characteristics 55HxE version, f OSC =125MHz, T a =25 ppm: V DD =2.5V Frequency Deviation Characteristics 55xF version, f OSC =17MHz, T a =25 ppm: V DD =2.5V Frequency Deviation [ppm] 5 3 2 1-1 -2-3 - -5 1.6 1.8 2. 2.2 2. 2.6 2.8 3. 3.2 3. 3.6 3.8 Frequency Deviation [ppm] 5 3 2 1-1 -2-3 - -5 1.6 1.8 2. 2.2 2. 2.6 2.8 3. 3.2 3. 3.6 3.8 使用測定器 : 周波数カウンタ 53132A (Agilent 社製 ) SEIKO NPC CORPORATION - 13
55H series, 55xF ドライブレベル Drive Level Characteristics 55HxA version, f OSC =5MHz, T a =25 C Drive Level Characteristics 55HxB version, f OSC =65MHz, T a =25 C 3 3 25 25 Drive Level [μw] 2 15 1 Drive Level [μw] 2 15 1 5 5 1.6 1.8 2. 2.2 2. 2.6 2.8 3. 3.2 3. 3.6 3.8 1.6 1.8 2. 2.2 2. 2.6 2.8 3. 3.2 3. 3.6 3.8 Drive Level Characteristics 55HxC version, f OSC =85MHz, T a =25 C Drive Level Characteristics 55HxD version, f OSC =1MHz, T a =25 C 3 3 25 25 Drive Level [μw] 2 15 1 Drive Level [μw] 2 15 1 5 5 1.6 1.8 2. 2.2 2. 2.6 2.8 3. 3.2 3. 3.6 3.8 1.6 1.8 2. 2.2 2. 2.6 2.8 3. 3.2 3. 3.6 3.8 Drive Level Characteristics 55HxE version, f OSC =125MHz, T a =25 C Drive Level Characteristics 55xF version, f OSC =17MHz, T a =25 C 3 8 Drive Level [μw] 25 2 15 1 5 1.6 1.8 2. 2.2 2. 2.6 2.8 3. 3.2 3. 3.6 3.8 Drive Level [μw] 7 6 5 3 2 1 1.6 1.8 2. 2.2 2. 2.6 2.8 3. 3.2 3. 3.6 3.8 使用測定器 : オシロスコープ DSO86B (Agilent 社製 ) カレントプローブ CT-6 (Tektronix 社製 ) 周波数カウンタ 53132A (Agilent 社製 ) SEIKO NPC CORPORATION - 1
55H series, 55xF 位相ノイズ - Phase Noise Characteristics 55HxA version, V DD =3.3V, f OSC =5MHz, T a =25 - Phase Noise Characteristics 55HxB version, V DD =3.3V, f OSC =65MHz, T a =25-6 -6 Phase Noise [dbc/hz] -8-1 -12-1 Phase Noise [dbc/hz] -8-1 -12-1 -16-16 -18 1.E+1 1.E+2 1.E+3 1.E+ 1.E+5 1.E+6 1.E+7 1.E+8 Offset Frequency [Hz] -18 1.E+1 1.E+2 1.E+3 1.E+ 1.E+5 1.E+6 1.E+7 1.E+8 Offset Frequency [Hz] Phase Noise Characteristics 55HxC version, V DD =3.3V, f OSC =8MHz, T a =25 Phase Noise Characteristics 55HxD version, V DD =3.3V, f OSC =1MHz, T a =25 - - -6-6 Phase Noise (dbc/hz) -8-1 -12-1 Phase Noise [dbc/hz] -8-1 -12-1 -16-16 -18 1.E+1 1.E+2 1.E+3 1.E+ 1.E+5 1.E+6 1.E+7 1.E+8 Offset Frequency [Hz] -18 1.E+1 1.E+2 1.E+3 1.E+ 1.E+5 1.E+6 1.E+7 1.E+8 Offset Frequency [Hz] Phase Noise Characteristics 55HxE version, V DD =3.3V, f OSC =125MHz, T a =25 Phase Noise Characteristics 55xF version, V DD =3.3V, f OSC =17MHz, T a =25 - - -6-6 Phase Noise [dbc/hz] -8-1 -12-1 Phase Noise [dbc/hz] -8-1 -12-1 -16-16 -18 1.E+1 1.E+2 1.E+3 1.E+ 1.E+5 1.E+6 1.E+7 1.E+8 Offset Frequency [Hz] -18 1.E+1 1.E+2 1.E+3 1.E+ 1.E+5 1.E+6 1.E+7 1.E+8 Offset Frequency [Hz] 使用測定器 : シグナルソースアナライザ E552B(Agilent 社製 ) SEIKO NPC CORPORATION - 15
55H series, 55xF 出力波形 55HxA version, V DD =3.3V, f OUT =5MHz, C LOUT =15pF, T a =25 55HxB version, V DD =3.3V, f OUT =65MHz, C LOUT =15pF, T a =25 SEIKO NPC CORPORATION - 16
55H series, 55xF 55HxC version, V DD =3.3V, f OUT =85MHz, C LOUT =15pF, T a =25 55HxD version, V DD =3.3V, f OUT =16.25MHz, C LOUT =15pF, T a =25 SEIKO NPC CORPORATION - 17
55H series, 55xF 55HxE version, V DD =3.3V, f OUT =133MHz, C LOUT =15pF, T a =25 55xF version, V DD =3.3V, f OUT =17MHz, C LOUT =15pF, T a =25 使用測定器 : オシロスコープ DSO86B(Agilent 社製 ) : 差動プローブ 113A ( プローブヘッド E2678A) : プローブヘッド E2678A (Agilent 社製 ) SEIKO NPC CORPORATION - 18
55H series, 55xF この資料に記載されている商品のご使用に際しては 次の点にご注意くださいますようお願い申し上げます 1. この資料に記載されている商品は パーソナル機器 工作機器 計測機器などの一般的な信頼性を必要とする電子機器および電気機器に使用されることを目的として設計 製造されたものであり 航空宇宙機器 原子力制御機器 医療機器 輸送機器 防災機器 防犯機器などの極めて高い信頼性 安全性を必要とする機器に使用されることを想定したものではありません また その故障または誤動作が直接人命に関わる商品に使用されることを想定したものではありません 本資料の商品をこのような機器に使用するご希望がありましたら 必ず事前に当社営業部までお問い合わせください なお 事前のご相談無しに本資料の商品をそのような機器に使用され そのことによって発生した損害等については 当社では一切の責任を負いかねますのでご了承ください 2. この資料に記載されている内容は 商品の特性や信頼性等の改善のため予告なしに変更されることがありますので予めご了承ください 3. この資料に記載されている内容については その商品の使用に際して第三者の知的財産権その他の権利を侵害していないことを保証するものではなく また その実施権の許諾が行われるものでもありません したがって その使用に起因する第三者の権利に対する侵害について当社は責任を負いかねますのでご了承下さい. この資料に記載されている回路等の定数は一例を示すものであり 量産に際しての設計を保証するものではありません 5. この資料に記載されている商品の全部または一部が外国為替及び外国貿易法その他の関係法令に定める物資に該当する場合は それらの法令に基づく輸出の承認 許可が必要になりますので お客様にてその申請手続きをお願いいたします セイコ - N P C 株式会社 本社 東京営業所 1-32 東京都中央区八丁堀 1-9-9 TEL 3-551-651 FAX 3-551-651 那須塩原事業所 329-2811 栃木県那須塩原市下田野 531-1 TEL 287-35-3111( 代 ) FAX 287-35-312 関西営業所 55- 大阪市西区靭本町 2-3-2 TEL 6-6-6631( 代 ) FAX 6-6-668 http://www.npc.co.jp/ Email: sales@npc.co.jp ND151-J-1 215.11 SEIKO NPC CORPORATION - 19