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2 図微小要素の流体の流入出 方向の断面の流体の流入出の収支断面 Ⅰ から微小要素に流入出する流体の流量 Q 断面 Ⅰ は 以下のように定式化できる Q 断面 Ⅰ 流量 密度 流速 断面 Ⅰ の面積 微小要素の断面 Ⅰ から だけ移動した断面 Ⅱ を流入出する流体の流量 Q 断面 Ⅱ は以下のように

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図 2 腐食モニタリング手法の体系 設備の腐食現象を直接測定する手法において 現在実用化されている腐食現象は 減肉 と 割れ である 減肉 では 設備の肉厚測定で評価する手法が主流である 割れ は 現状では進展の定量化が実現されていない 設備の腐食現象を間接測定する手法において 現在実用化されている

INDEX 貴金属めっき液 表面処理薬品 関連製品 Au 金めっきプロセス / シアン系純金タイプ 2 金めっきプロセス / シアン系ストライク 金めっきプロセス / シアン系合金タイプ Au Ag 金めっきプロセス / ノンシアン純金及び合金タイプ 3 金めっきプロセス / 無電解タイプ 銀めっき

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めっき槽におけるウエハー表面の三次電流分布の検討 佟立柱 計測エンジニアリングシステム株式会社 平成 24 年 11 月 22 日 ( 木 ) 内容 1. めっき槽内の三次電流分布 2. シヤープレートによる流れ撹拌を含む電流分布計算の モデリング 3. COMSOL 電気めっきモジュール 4. 結果 シヤープレートによる撹拌された流れ 三次電流分布 ウエハーとシヤープレートの距離から電流分布への影響 5. まとめ 1

めっき槽内の三次電流分布 (1) 往復運動パドル法はウェハー基板の上に合金膜が堆積される有名な実施方法の 1 つである G.J. Wilson, P.R. McHugh, J. Electrochem. Soc., 152 (6), C357 (2005) D.E. Rice, D. Sundstrom, M.F. McEachern, L.A. Klumb, J.B. Talbot, J. Electrochem. Soc., 135 (11), 2779 (1988) 2 めっき槽内の三次電流分布 (2) 近来 限界電流の測定による工業ウエハーめっき装置内質量輸送の境界層の研究が報告された B.Q. Wu, Z. Liu, A. Keigler, J. Harrell, J. Electrochem. Soc. 152 (5), C272 (2005). Rotating cylinder Hull (RCH) cell C.T.J. Low, E.P.L. Roberts, F.C. Walsh, Electrochim. Acta, 52, 3839 (2007). 三次電流分布 ( 限界電流 ) Shear plate Rotating cylinder Hull (RCH) cell Rotating disc electrode (RDE) C. Madore, D. Landolt, C. Haenpflug, and J.A. Hermann, Plating & Surface Finishing 82, 38 (1995) L.Z. Tong, Trans. Inst. Met. Fin., 90 (3), 122-123 (2012) 3

めっき槽内の三次電流分布 (3) 電極 ( カソード ) 反応 M n+ +ne => M 金属 M の析出量 ファラデー電流 I めっき時間 t w = M I t/(nf) 金属 M の原子量 電流分布 - バトラー フォルマー式 loc exp exp 濃度拡散, 物質移動などを含める.,, exp,, exp 4 モデリング (1) めっき槽 t = 1/4T Meshing t = T t = 3/4T T is the reciprocating period of shear plate m=m 1 +m 2 5

モデリング (2) 荷電粒子及び中性粒子の輸送 The Nernst-Planck Equation Flux = diffusion + convection + migration 流束 拡散 対流 Concentration Diffusivity N マイグレーション Flow velocity Charge Mobility Dc cuzmfc i i i i i i i l Faraday s constant Ionic potential 6 モデリング (3) 電解質の電流密度 電流密度 j F i z N i i sum of charg es j F zd 2 i ici zc i i l zi mfc i i u i i i 電気的中立性, 電荷保存則 2 j F zd i ici l zi mfc i i i i 完全混合一次 二次電流分布 j F z 2 mfc i i i l i conductivity 7

モデリング (4) 基本方程式 (1) 質量保存式 0 運動量保存式 物質収支式,, 電流密度 電荷収支式 電気的中立性 0, 8 モデリング (5) 基本方程式 (2) 電極表面の局所電流密度は局部過電圧により決まる 電極表面の過電圧は Fluid Flow Heat Transfer である Electric Field Chemical Species Transport 低電流密度の場合の過電圧 Electrodeposition 交換電流密度 Coupled simulation of multiphysics 9

COMSOL 電気めっきモジュール (1) 電気めっきモジュールの物理インタフェース 電流及び電位分布 : 電荷及び電流の保存則 材料輸送 流れ 熱伝達 めっき皮膜の厚さ及び膜の成分 : 電極反応と表面種の収支 固定及び移動境界と表面種収支 10 COMSOL 電気めっきモジュール (2) 電気めっきモジュールによる任意反応機構をモデリングできる 電極特性にはバトラー フォルマー式或いはユーザーの自定義の式を利用できる 多段の複数の反応 電極表面に吸着種の拡散を含む吸着反応 化学量論係数 (Stoichiometric Coefficients) Cu( s) 1 Cu(s) Cu 2+ + 2e - -1 2 Cu 11

計算条件 シヤープレート寸法 : 5 mm 厚み 90 mm 高さストローク長さ, S: 5 mm 往復運動周波数 : 5 Hz ウエハーとシヤープレートの距離, : 2-6 mm 電解質特性密度 : 1000 kg/m 3 動粘度係数 : 110-6 m 2 /s 銅濃度 : 9.6 mol/m 3 拡散係数 : 5.3710-10 m 2 /s 電極特性濃度の影響係数, : 0.6 交換電流密度, : 10 A/m 2 ウエハー表面の平均電流密度 : 10 A/m 2 境界条件計算領域は空気と溶液の界面までである この界面はすべり壁とする 底部とサイド境界および電極表面をすべりなし静止壁を扱う 12 結果 (1) めっき液 CuSO 4 5H 2 O: 2.4 g/l H 2 SO 4 : 90 g/l = /2 流速 Reference: B.Q. Wu, Z. Liu, A. Keigler, J. Harrell, J. Electrochem. Soc. 152 (5), C272 (2005). = /2 = 3/4 13

結果 (2) 流速 圧力 電流密度 14 結果 (3) ウエハー表面の三次電流密度と濃度の分布 換算された電流密度 換算された濃度 15

結果 (4) ウエハー表面の三次電流密度分布 ( = 2, 3, 4 mm) 異なる往復運動の相位 = 2 mm = 3 mm = 4 mm 16 まとめ 本研究は工業ウエハーめっき装置内の三次電流密度分布を行った 流体方程式と質量輸送の連成計算を扱った 計算結果としてはめっき槽内流れの速度や圧力 イオン濃度 電位および電流密度である 得られたウエハー表面の三次電流密度およびイオン濃度の分布は発振波形であるので シヤープレートによる流れ撹拌が電流分布に強い影響が与えることを示している ウエハーとシヤープレートの距離から電流分布への影響の研究によって ウエハー表面の電流分布をコントロールできる COMSOL の電気めっきモジュールは工業めっき槽に応用でき 流れおよび熱伝達の計算をカップリングすることによって めっき槽内ウエハー表面に堆積される皮膜の質量を改善することができるだろう 17

ご静聴ありがとうございました Questions & Comments? Tokyo