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Encore SSIS 10

c c SSIS10 10 10 1998 2001 SSIS 2001 LSI 2001 MIRAI NECASKA SELETE 21 5ISSCC LSI 2004 2004SSIS PR 60 70

SSIS NOSIDE PR SSIS SSIS PR 2000 5SSIS SSIS 1 2001 5 8 3 2004 SSIS 1 2

SSIS 24 SSISPR 1999 9 1 16 10 2001 1 2 1 2 PR PR 1998 LSI 30 40 2001 SSIS 2001 1 SSIS 7

8 6 2004 2004 616 3 1998 SSIS 2002 2003 SSIS 7 2003 2004 10 SSIS

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SSIS 10 SSIS 2001 TFT Thin Film Transistor NEDO 24 1, 2 2007 2007 10 ISSM International Symposium on Semiconductor Manufacturing 1992 GaAsInSb 2005 Pentium4EE 3.8GHz 1.2nm Ge MOS MOS O 2 H 2 O 100 SiO 2 100LSI 2 MOS O* NH*

SiO 2 Si 3 N 4 100 1/1,000 1/f 1/10 3, 4 3, 4 3 LSI 551SOI Si 3 N 4 Accumulation Mode MOS CMOSInversion Mode MOS 1/100 nmos pmos nmos pmos 45nm 70GHz 32nm 100GHz LSI 5 21 SSIS 2008 20 1,,,,,,, 90 5, pp.382-387, 2007 5. 2,,, 37,,, 91 4, 2008 4,. 3 T. Ohmi, M. Hirayama, and A. Teramoto, New era of silicon technologies due to radical reation based semiconductor manufacturing, J. Phy. D: Appl. Phys., 39, pp.r1-r17, Jan. 2006 4,,,, 100nm,, 89 2, pp.109-116, 2006 2. 5 T. Ohmi, A. Teramoto, R. Kuroda, and N. Miyamoto, Revolutional Progress of Silicon Technologies Exhibiting Very High Speed Performance Over a 50GHz Clock Rate, IEEE Trans. On Electron Devices, 54, pp.1471-1477, June 2007. 1997 1 b 6 SEMI Japan b SEMI Japan b

3 4 1998 1 23 NHK OB Encore

1999 10 7 SIPEC 2000 2007 6 3 4 2002 2003 30 80 30 1000 2003 3 10 10 10 10

SSIS10 10 60 SSIS 1970 34 202 4 SSIS SSIS SSIS SSIS SSIS SSIS SSIS SSIS SSIS

SSIS 10 10 CCD OB SSIS SSIS SSIS SSIS maintenance 1954 1956 thermo-compression bonding TV 4 SSIS OB

SSIS 10 10 SSIS SSIS 2000 5 No.13 SSIS SSIS SSIS 1998 1 23 SSIS 19982 LSI 4 LSI SSIS SSIS 2000 JASVA SSIS JASVA SSISISSM 1997 1ISS Japan 1997 6 SSIS 1997 10 SSIS 10 29 SSIS SSIS 2000 LSI 3 7 LSI SSIS JASVA SSIS10 LSI10 10 2005 36 2 2007 4 LSI 2007 12 LSI10

1996 2SEMI SSIS 2 20 1 2 3 20 SSIS SSIS

1 12 JR4 5 1 5 10 15 7 79 80 0 2525 5050 7575 100 8 78 62 OB 10 80 8590

78 72 10 1 1077 156 8 2 16 5616 4 35 8 70 4 10 126 36 12 63 6 1980 56 633222 5 2 355 371 35 53 71 576 475 57 64 75 1987 CPUZ80 64KDRAM SRAM 1111111 239 4649 11111111111 21649 513239 1 11 6 31002 060 5 10 1 7 2 2000 CPU 550MHz AMD ON 1 2 37 10002 10 1000 4 133 4 200 3007 71 1 9723 15 9 7 2315 1855 37 185 53 7 27417 4 2 741 74

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1998 5 7 *5 20 6 25 Peter Fuchs *7 22 8 20 SEMICON West *9 22 10 25 *11 19 EMS ISO14001 1999 2000 2001 1 26 1 2 '99 *1 28 2 25 *3 24 4 22 300mm *5 14 21 6 17 *7 28 8 26 SEMICON West 99 *9 29 10 28 *11 24 LSI 12 16 1 31 2 24 21 IC *3 28 4 27 *5 25 *7 26 8 24 SEMICON West2000 *9 21 10 26 *11 30 12 20 Levy Elad 1 22 21 *1 31 21 2 22 *3 28 1 2215 4 26 6 29 *7 5 7 26 *8 31 1 SSIS 1 2 3 10 25 Selete *11 22 12 20 21

2002 1 23 3 14 1φ400mm 2 *4 5 5 10 ISSCC *6 19 2 SSIS 1 2 Richard Dyck Archie M. Look Trey Roper 3II 4 7 8 8 8 10 23 *11 25 1 SSIS 1 2 12 12 2003 1 29 2003 2 27 4 23 *6 25 3 SSIS 1 2 3 1 2 3 4 7 8 21 8 21 CCD 10 31 III-V *11 27 2 SSIS 1 2 3 0405 12 11 2004 1 31 3 5 ISSCC-2004 *6 16 4 SSIS 1,, 2 1 2 3 8 19 9 7 10 28 *11 24 3 SSIS 12 9

2005 1 28 21 2 10 2 23 JASVA/SSIS 1 SSIS 2 JASVA4 4 13 VC 2005 SSIS 5 19 ISSCC-2005 *6 8 5 SSIS 1 2 M 3 1 2 4 7 14 9 7 10 13 10 14 FPD *11 29 4 SSIS 12 15 III LED 2006 2007 1 31 3 9 5 25 ISSCC-2006 *6 13 6 SSIS 1 2 3 7 13 9 8 10 12 HDD *11 28 5 SSIS I 1 2 10 3 4 II 12 10 12 14 1 30 3 9 4 12 5 10 ISSCC-2007 *6 19 7 SSIS 1 2 32007 9 7 *11 29 6 SSIS 1 2 12 13 MEMS

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