平成○○年度（第○次補正予算）地域新生コンソーシアム研究開発事業

α α α α α α

α α α α α α 映像情報メディア学会誌 Vol. 71, No. 10 2017 図 1 レーザビーム方式 図 3 PLAS の断面構造 図 3 に PLAS の断面構造を示す PLAS はゲート電極上の チャネル部の部分的な領域のみをフォトマスクとエッチン グなしに結晶化することが可能である 従来のラインビー ム装置はゲート電極上 テーパー上 ガラス上などの表面 の結晶性制御の課題がある

「世界初、高出力半導体レーザーを8分の1の狭スペクトル幅で発振に成功」

NEWS RELEASE LD を 8 分の 1 以下の狭いスペクトル幅で発振するレーザー共振器の開発に 世界で初めて成功全固体レーザーの出力を向上する励起用 LD 光源の開発に期待 215 年 4 月 15 日 本社 : 浜松市中区砂山町 325-6 代表取締役社長 : 晝馬明 ( ひるまあきら ) 当社は 高出力半導体レーザー ( 以下 LD ) スタック 2 個を ストライプミラーと単一面型

記者発表資料

2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン

新技術説明会　様式例

フレキシブル太陽電池向け微結晶シリコン薄膜の低温成長 山口大学工学部電気電子工学科技術専門職員河本直哉 背景 軽量で安価なプラスチックなどポリマー基板上の微結晶 Si 建材一体型太陽電池の実現 フレキシブル ディスプレイ プラスチック上に微結晶 Si を実現することで製品の軽量化 低価格化が実現される 現在の目標 : 軟化点 250 程度のプラスチック基板での高品質微結晶 Si 形成プロセスの開発

【NanotechJapan Bulletin】10-9　INNOVATIONの最先端＜第4回＞

企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 Life & Green Nanotechnology が培う新技術 < 第 4 回 > プリンテッドエレクトロニクス時代実現に向けた材料 プロセス基盤技術の開拓 NEDO プロジェクトプロジェクトリーダー東京 学教授染 隆夫 に聞く 図6 ４ ３ 解像度を変えた TFT アレイによる電子ペーパー 提供 凸版印刷 株 大面積圧力センサの開発

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

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薄膜トランジスター 九州大学大学院 システム情報科学研究科 服部励治 薄膜トランジスターとは? Thin Film Transistor: TFT ソース電極 ゲート電極 ドレイン電極ソース電極ゲートドレイン電極 n poly 電極 a:h n n ガラス基板 p 基板 TFT 共通点 電界効果型トランジスター nmosfet 相違点 誘電膜上に作成される スタガー型を取りうる 薄膜トランジスター

QOBU1011_40.pdf

印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)

POCO 社の EDM グラファイト電極材料は 長年の技術と実績があり成形性や被加工性が良好で その構造ならびに物性の制御が比較的に容易であることから 今後ますます需要が伸びる材料です POCO 社では あらゆる工業製品に対応するため 各種の電極材料を多数用意しました EDM-1 EDM-3 EDM

POCO 社の EDM グラファイト電極材料は 長年の技術と実績があり成形性や被加工性が良好で その構造ならびに物性の制御が比較的に容易であることから 今後ますます需要が伸びる材料です POCO 社では あらゆる工業製品に対応するため 各種の電極材料を多数用意しました EDM-1 EDM-200 EDM-200 EDM-200 INDEX EDM グラファイトの分類 電極材料選択の主要ファクタ P2

フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています

各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High

Micro Fans & Blowers Innovation in Motion マイクロファン & ブロワー 有限会社シーエス技研 PTB 事業部東京オフィス 千葉県市原市辰巳台西

www.pelonistechnologies.com Innovation in Motion マイクロファン & ブロワー 有限会社シーエス技研 PTB 事業部東京オフィス 290-0004 千葉県市原市辰巳台西 4-13-1-9-1 104-0041 東京都中央区新富 1-5-5-406 Tel:0436-98-2341 Fax:0436-98-2336 Tel:03-3206-6832 Fax:03-3206-6829

Mirror Grand Laser Prism Half Wave Plate Femtosecond Laser 150 fs, λ=775 nm Mirror Mechanical Shutter Apperture Focusing Lens Substances Linear Stage

Mirror Grand Laser Prism Half Wave Plate Femtosecond Laser 150 fs, λ=775 nm Mirror Mechanical Shutter Apperture Focusing Lens Substances Linear Stage NC Unit PC は 同時多軸に制御はできないため 直線加工しかでき 図３は ステージの走査速度を

<4D F736F F D C82532D E8B5A95F18CB48D655F5F8E878A4F90FC C2E646F63>

技術紹介 6. イオンビームスパッタリング法によるエキシマレーザ光学系用フッ化物薄膜の開発 Development of fluoride coatings by Ion Beam Sputtering Method for Excimer Lasers Toshiya Yoshida Keiji Nishimoto Kazuyuki Etoh Keywords: Ion beam sputtering

ACモーター入門編 サンプルテキスト

技術セミナーテキスト AC モーター入門編 目次 1 AC モーターの位置付けと特徴 2 1-1 AC モーターの位置付け 1-2 AC モーターの特徴 2 AC モーターの基礎 6 2-1 構造 2-2 動作原理 2-3 特性と仕様の見方 2-4 ギヤヘッドの役割 2-5 ギヤヘッドの仕様 2-6 ギヤヘッドの種類 2-7 代表的な AC モーター 3 温度上昇と寿命 32 3-1 温度上昇の考え方

ポイント 太陽電池用の高性能な酸化チタン極薄膜の詳細な構造が解明できていなかったため 高性能化への指針が不十分であった 非常に微小な領域が観察できる顕微鏡と化学的な結合の状態を調査可能な解析手法を組み合わせることにより 太陽電池応用に有望な酸化チタンの詳細構造を明らかにした 詳細な構造の解明により

この度 名古屋大学大学院工学研究科の望月健矢大学院生 後藤和泰助教 黒川康良准教授 山本剛久教授 宇佐美徳隆教授らは 太陽電池への応用に有 望な電気的特性を示す酸化チタン注 1) 極薄膜を開発しました さらに その微小領域 の構造を明らかにすることに世界で初めて成功しました 近年 原子層堆積法注 2) を用いて製膜した酸化チタン薄膜は 結晶シリコン注 3) の太 陽電池において 光で生成した電子を収集する材料として優れた特性を示すため

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チップレイアウトパターン ( 全体例 ) 集積デバイス工学 () LSI の製造プロセス VLSI センター藤野毅 MOS トランジスタの基本構造 MOS トランジスタの基本構造 絶縁膜 絶縁膜 p 型シリコン 断面図 n 型シリコン p 型シリコン 断面図 n 型シリコン 破断面 破断面 トランジスタゲート幅 W 平面図 4 トランジスタゲート長 L 平面図 MOS トランジスタ (Tr) の構造

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科学技術振興機構 (JST) 理 化 学 研 究 所 京 都 大 学 有機薄膜太陽電池で飛躍的なエネルギー変換効率の向上が可能に ~ 新材料開発で光エネルギー損失低減に成功 ~ ポイント 塗布型有機薄膜太陽電池 ( 塗布型 OPV) の実用化には変換効率の向上が課題となっている 新しい半導体ポリマーの開発により 塗布型 OPV の光エネルギー損失が無機太陽電池並みまで低減に成功した 塗布型 OPV

AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん

特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください

フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2

S9066-211SB S9067-201CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2つの受光部の出力を減算し ほぼ可視光域にのみ感度をもたせています また従来品に比べ 同一照度における異なる色温度の光源に対しての出力変化を低減しています

untitled

インクジェットを利用した微小液滴形成における粘度及び表面張力が与える影響 色染化学チーム 向井俊博 要旨インクジェットとは微小な液滴を吐出し, メディアに対して着滴させる印刷方式の総称である 現在では, 家庭用のプリンターをはじめとした印刷分野以外にも, 多岐にわたる産業分野において使用されている技術である 本報では, 多価アルコールや界面活性剤から成る様々な物性値のインクを吐出し, マイクロ秒オーダーにおける液滴形成を観察することで,

光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE

外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LED 駆動回路 および信号処理回路などが集積化されています 外部に赤外 LEDを接続することによって 外乱光の影響の少ない光同期検出型のフォトリフレクタやフォトインタラプタが簡単に構成できます 独自の回路設計により 外乱光許容照度が10000

実験題吊　　「加速度センサーを作ってみよう《

加速度センサーを作ってみよう 茨城工業高等専門学校専攻科 山越好太 1. 加速度センサー? 最近話題のセンサーに 加速度センサー というものがあります これは文字通り 加速度 を測るセンサーで 主に動きの検出に使われたり 地球から受ける重力加速度を測定することで傾きを測ることなどにも使われています 最近ではゲーム機をはじめ携帯電話などにも搭載されるようになってきています 2. 加速度センサーの仕組み加速度センサーにも様々な種類があります

e - カーボンブラック Pt 触媒 プロトン導電膜 H 2 厚さ = 数 10μm H + O 2 H 2 O 拡散層 触媒層 高分子 電解質 触媒層 拡散層 マイクロポーラス層 マイクロポーラス層 ガス拡散電極バイポーラープレート ガス拡散電極バイポーラープレート 1 1~ 50nm 0.1~1

Development History and Future Design of Reduction of Pt in Catalyst Layer and Improvement of Reliability for Polymer Electrolyte Fuel Cells 6-43 400-0021 Abstract 1 2008-2008 2015 2 1 1 2 2 10 50 1 5

CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C CMOS リニアイメージセンサ S 等用 C は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C と PCを接続

CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C13015-01 CMOS リニアイメージセンサ S11639-01 等用 C13015-01は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S11639-01 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C13015-01と PCを接続することにより PCからC13015-01 を制御して センサのアナログビデオ信号を 16-bitデジタル出力に変換した数値データを

ベースライトのスタンダード 色を自然に引き立てる Ra95 スタンダードタイプも光束維持率を向上 HIDタイプは約 6 万時間のロングライフ 1

ベースライトのスタンダード 色を自然に引き立てる Ra95 スタンダードタイプも光束維持率を向上 HIDタイプは約 6 万時間のロングライフ 1 色を自然に くっきり表現 光束維持率の向上 高演色 タイプ は Ra95と演色性に優れ 商品をくっきりと際立たせます スペクトル制御技術により 肌の色も美しく 自然な色を再現します HIDは光束維持率を70% から80% にアップ 寿命も大幅に伸び 約 60,000

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半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver８青柳（最終版）

別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)

Nov 11

http://www.joho-kochi.or.jp 11 2015 Nov 01 12 13 14 16 17 2015 Nov 11 1 2 3 4 5 P R O F I L E 6 7 P R O F I L E 8 9 P R O F I L E 10 11 P R O F I L E 12 技術相談 センター保有機器の使用の紹介 当センターで開放している各種分析機器や計測機器 加工機器を企業の技術者ご自身でご利用できます

Microsystem Integration & Packaging Laboratory

2015/01/26 MemsONE 技術交流会 解析事例紹介 東京大学実装工学分野研究室奥村拳 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 1 事例紹介 1. 解析の背景高出力半導体レーザの高放熱構造 2. 熱伝導解析解析モデルの概要 3. チップサイズの熱抵抗への影響 4. 接合材料の熱抵抗への影響 5. ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 Microsystem

ES_Exp_32_Photovo_Cells_LQ_日本語

太陽電池 LabQuest 32 太陽によって生産されるエネルギーは太陽エネルギーと呼ばれる. 太陽全体で起こっている核融合反応によって生産されている. このエネルギーは光の形式で地球に届く. 光電池あるいは太陽電池は, 光エネルギーを電卓や自動車, 人工衛星などで使われる電気エネルギーに変換する. 光電池は普通, シリコンなどの半導体物質から作られる. 電池に光が入ると, 電子を動かし電池に電流を発生させる.

特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて

16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます

Microsoft Word - TA79L05_06_08_09_10_12_15_18_20_24F_J_P11_070219_.doc

東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA79L05F,TA79L06F,TA79L08F,TA79L09F,TA79L10F, TA79L12F,TA79L15F,TA79L18F,TA79L20F,TA79L24F 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 三端子負出力固定定電圧電源 特長 TTL C 2 MOS の電源に最適です 外付け部品は不要です

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ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 製造プロセス及び研究開発 / 技術動向 ( その 1) 平成 29 年 11 月 APT 代表 村田正義 ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 あ ( 出典 )https://www.panasonic.com/jp/corporate/technology-design/technology/hit.html ヘテロ接合型太陽電池セルの歴史 1980 年に当時の三洋電機

電子部品の試料加工と観察 分析 解析 ~ 真の姿を求めて ~ セミナー A 電子部品の試料加工と観察 分析 解析 ~ 真の姿を求めて ~ セミナー 第 9 回 品質技術兼原龍二 前回の第 8 回目では FIB(Focused Ion Beam:FIB) のデメリットの一つであるGaイ

第 9 回 品質技術兼原龍二 前回の第 8 回目では FIB(Focused Ion Beam:FIB) のデメリットの一つであるGaイオンの打ち込み ( 図 19. 第 6 回参照 ) により 試料の側壁に形成されるダメージ層への対処について事例などを交えながら説明させていただきました 今回は 試料の表面に形成されるダメージ層について その対処法を事例を示してお話しをさせていただきます Gaイオンの試料への打ち込みですが

論文の内容の要旨

論文の内容の要旨 2 次元陽電子消滅 2 光子角相関の低温そのまま測定による 絶縁性結晶および Si 中の欠陥の研究 武内伴照 絶縁性結晶に陽電子を入射すると 多くの場合 電子との束縛状態であるポジトロニウム (Ps) を生成する Ps は 電子と正孔の束縛状態である励起子の正孔を陽電子で置き換えたものにあたり いわば励起子の 同位体 である Ps は 陽電子消滅 2 光子角相関 (Angular

Microsoft PowerPoint - 集積回路工学(5)_ pptm

集積回路工学 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 松澤昭 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa (5MOS 論理回路の電気特性とスケーリング則 資料は松澤研のホームページ htt://c.e.titech.ac.j にあります 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa 2 インバータ回路 このようなインバータ回路をシミュレーションした 2009/0/4 集積回路工学

円筒型 SPCP オゾナイザー技術資料 T ( 株 ) 増田研究所 1. 構造株式会社増田研究所は 独自に開発したセラミックの表面に発生させる沿面放電によるプラズマ生成技術を Surface Discharge Induced Plasma Chemical P

円筒型 SPCP オゾナイザー技術資料 T211-1 211.2.7 ( 株 ) 増田研究所 1. 構造株式会社増田研究所は 独自に開発したセラミックの表面に発生させる沿面放電によるプラズマ生成技術を Surface Discharge Induced Plasma Chemical Process (SPCP) と命名し 小型 ~ 中型のオゾナイザーとして製造 販売を行っている SPCP オゾナイザーは図

Presentation Title Arial 28pt Bold Agilent Blue

Agilent EEsof 3D EM Application series 磁気共鳴による無線電力伝送システムの解析 アジレント テクノロジー第 3 営業統括部 EDA アプリケーション エンジニアリングアプリケーション エンジニア 佐々木広明 Page 1 アプリケーション概要 実情と現状の問題点 非接触による電力の供給システムは 以前から研究 実用化されていますが そのほとんどが電磁誘導の原理を利用したシステムで

CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C10808 シリーズ 蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 C10808 シリーズは 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です セン

蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 は 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です センサの駆動に必要な各種タイミング信号を供給し センサからのアナログビデオ信号 を低ノイズで信号処理します 2 種類の外部制御信号 ( スタート クロック ) と 2 種類の電源 (±15 )

する距離を一定に保ち温度を変化させた場合のセンサーのカウント ( センサーが計測した距離 ) の変化を調べた ( 図 4) 実験で得られたセンサーの温度変化とカウント変化の一例をグラフ 1 に載せる グラフにおいて赤いデータ点がセンサーのカウント値である 計測距離一定で実験を行ったので理想的にはカウ

岡山 3.8m 新望遠鏡制御系のための多点温度計開発 京都大学理学研究科宇宙物理学教室 M1 出口和弘 1. 岡山 3.8m 新望遠鏡に使われる分割鏡のメリットと技術的ハードル我々は現在 京都大学を中心として国立天文台 岡山天体物理観測所に新技術を用いた口径 3.8m の可視 近赤外望遠鏡の建設を計画している ( 図 1) 新技術の一つとして望遠鏡の主鏡に一枚鏡ではなく 扇型のセグメントを組み合わせて一枚の円形の鏡にする分割鏡を採用している

PowerPoint プレゼンテーション

T13K707D 蜂谷亮祐 指導教員 赤林伸一教授 研究目的 住宅における冷暖房のエネルギー消費量は 住宅全体のエネルギー消費の約 1/ 4 を占め 冷暖房機器の運転効率の向上は省エネルギーの観点から極めて重要である 動力 照明他 38.1% 厨房 9.1% 冷房 % 2014 年度 34,330 MJ/ 世帯 暖房 22.9% 給湯 27.8% 24.9% 図世帯当たりのエネルギー消費原単位と用途別エネルギー消費の推移

Microsoft Word - TC4013BP_BF_J_P9_060601_.doc

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4013BP,TC4013BF TC4013BP/TC4013BF Dual D-Type Flip Flop は 2 回路の独立な D タイプ フリップフロップです DATA 入力に加えられた入力レベルはクロックパルスの立ち上がりで Q および Q 出力に伝送されます SET 入力を H RESET 入力を L にすると Q 出力は H Q

報道発表資料 2000 年 2 月 17 日 独立行政法人理化学研究所 北海道大学 新しい結晶成長プロセスによる 低欠陥 高品質の GaN 結晶薄膜基板作製に成功 理化学研究所 ( 小林俊一理事長 ) は 北海道大学との共同研究により 従来よりも低欠陥 高品質の窒化ガリウム (GaN) 結晶薄膜基板

報道発表資料 2000 年 2 月 17 日 独立行政法人理化学研究所 北海道大学 新しい結晶成長プロセスによる 低欠陥 高品質の GaN 結晶薄膜基板作製に成功 理化学研究所 ( 小林俊一理事長 ) は 北海道大学との共同研究により 従来よりも低欠陥 高品質の窒化ガリウム (GaN) 結晶薄膜基板を製作することに成功しました 新しい手法は 当研究所半導体工学研究室の青柳克信主任研究員と 北大電子科学研究所の田中悟助教授らのグループで開発

IB-B

FIB による TEM 試料作製法 2 バルクピックアップ法 1. はじめにピックアップ法を用いた FIB による TEM 試料作製法は事前の素材加工が不要であり 試料の損失を無くすなど利点は多いが 磁性材料は観察不可能であること 薄膜加工終了後 再度 FIB に戻して追加工をすることができないこと 平面方向の観察試料作製が難しいことなど欠点もある 本解説ではこれらの欠点を克服するバルクピックアップ法を紹介する

学位論文題目 Title 氏名 Author 専攻分野 Degree 学位授与の日付 Date of Degree Resource Type 報告番号 Report Number URL Kobe University Repository : Thesis 有機強誘電体薄膜の構造 配向制御および焦電デバイス応用に関する研究 黒田, 雄介 博士 ( 工学 ) 2013-03-25 Thesis or

Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4011BP,TC4011BF,TC4011BFT TC4011BP/TC4011BF/TC4011BFT Quad 2 Input NAND Gate は 2 入力の正論理 NAND ゲートです これらのゲートの出力は すべてインバータによるバッファが付加されているため 入出力特性が改善され 負荷容量の増加による伝達時間の変動が最小限に抑えられます

PS5042 Through-hole Phototransistor/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感

特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 880nm 76 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください 2kV (HBM

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Photonics Research Institute, AIST TBAs) AlGaAs/GaAs TBAs)

DUVレーザによる微細加工技術開発,三菱重工技報 Vol.53 No.4(2016)

新製品 新技術特集技術論文 57 DUV レーザによる微細加工技術開発 Development of Microfabrication Technology by DUV Laser *1 今宮悠治 *1 赤間知 Yuji Imamiya Satoru Akama *2 藤田善仁 *3 二井谷春彦 Yoshihito Fujita Haruhiko Niitani 近年, レーザ加工技術は目覚ましく進展しており,

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DC~1 Mbps 光リンク用送受信フォト IC は 光ファイバ通信用トランシーバ (FOT) として プラスチック光ファイバ (POF)1 本で半 2 重通信が可能な送受信フォト ICです POFを用いた光ファイバ通信は ノイズの影響を受けない 高いセキュリティをもつ 軽量といった特長があります は送信部と受信部の光軸が同一なため 1 本のPOFで光信号の送信 受信が可能です POF 通信に最適な500

Application Note 光束の評価方法に関して Light Emitting Diode 目次 1. 概要 2. 評価方法 3. 注意事項 4. まとめ This document contains tentative information; the contents may chang

光束の評価方法に関して 目次 1. 概要 2. 評価方法 3. 注意事項 4. まとめ 1/6 1. 概要 本書では 日亜化学工業株式会社製 LED について積分球にて光束を評価する上での評価方法と注意事項を示します 2. 評価方法 通常 LED の光束を評価する際は積分球を用いて評価を行います 積分球のサイズも数 inch クラスのものから 1inch クラスまでの様々なサイズのものがありますが

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平成 24 年度製品安全センターセンター製品安全業務報告会 Product Safety Technology Center 基板母材 絶縁材絶縁材のトラッキングのトラッキング痕跡解析技術データのデータの取得取得 蓄積 < 第二報 > 製品安全センター燃焼技術センター今田 修二 説明内容 1. 調査の背景と目的 2.22 年度調査結果 3.23 年度調査調査結果レジストなし基板 (4 種類 ) によるトラッキング発火痕跡作製実験

招待論文 フルスペック 8K スーパーハイビジョン圧縮記録装置の開発 3.3 記録制御機能と記録媒体 144 Gbps の映像信号を 1/8 に圧縮した場合 18 Gbps 程度 の転送速度が要求される さらに音声データやその他のメ タデータを同時に記録すると 記録再生には 20 Gbps 程度 の転送性能が必要となる また 記録媒体は記録装置から 着脱して持ち運ぶため 不慮の落下などにも耐性のあるこ

..... 兆円 約 5.1 兆円 年 2010 年 約 12 兆円 小型 中型 大型 車載パネル用 ビデオ

. 1 ..... 兆円 14.0 12.0 10.0 8.0 6.0 4.0 2.0 0.0 0.1 0.2 0.7 1.2 0.3 約 5.1 兆円 1.1 1.5 2000 年 2010 年 約 12 兆円 0.3 0.5 1.5 2.2 3.4 2.5 1.5 小型 中型 大型 車載パネル用 ビデオカメラ用 デジタルカメラ用 電卓用等携帯電話用 携帯情報端末 (PDA) 用ノートPC 用 デスクトップ

推奨条件 / 絶対最大定格 ( 指定のない場合は Ta=25 C) 消費電流絶対最大定格電源電圧 Icc 容量性負荷出力抵抗型名 Vcc Max. CL 電源電圧動作温度保存温度 Zo (V) 暗状態 Min. Vcc max Topr* 2 Tstg* 2 Min. Max. (ma) (pf)

精密測光用フォトダイオードと低ノイズアンプを一体化 フォトダイオードモジュール は フォトダイオードと I/V アンプを一体化した高精度な光検出器です アナログ電圧出力のため 電圧計などで簡単に信号を観測することができます また本製品には High/Low 2 レンジ切り替え機能が付いています 検出する光量に応じて適切なレンジ選択を行うことで 高精度な出力を得ることができます 特長 用途 電圧出力のため取り扱いが簡単

単板マイクロチップコンデンサ / 薄膜回路基板

単板マイクロチップコンデンサ / 薄膜回路基板 2 2 3 単板マイクロチップコンデンサ CLB シリーズ 特長. なめらかで緻密なセラミクスと金電極を用いたシンプルな単板構造であるため 信頼性 周波数特性に優れています 2. 超小型の0.25mm 角からシリーズ化しており 回路の小型化 高密度実装に適しています 3. 金電極を用いているので AuSnによるダイボンディング Au 線によるワイヤーボンディングができます

新技術説明会　様式例

1 低侵襲性を重視し 細く長く大出力密度で伸縮する圧力駆動 マイクロマシン 立命館大学理工学部機械工学科 教授小西聡 2 低侵襲性を重視し 細く長く大出力密度で伸縮する圧力駆動 マイクロマシン 伸縮動作用マイクロマシン技術の紹介 低侵襲性が重要な内視鏡等のワイヤー駆動系への応用を想定 薄膜構造を多関節化して柔軟で細長い構造を実現 二種類の圧力駆動技術を提案 : 小型ピストン / 伸縮バルーン 高出力密度の実現

全油圧ポンプ仕様表：日本プララド

デジタル自動油圧ポンプ IQ100CF-2 Data Sheet DS 1543 デジタル表示で 1Nm 刻み でトルク設定可能 手動運転 自動運転の選択可能 世界初のタッチパネル自動ポンプ ( 締付トルク値を表示 ) 機種名 最高油圧 IQ100CF-2 70MPa (700bar) 最大吐出量 2 L / 分 ( 高圧時 0.2 L / 分 ) 定格電圧 AC100V 定格消費電力 650W 6.5A

13. サーボモータ 第 13 章サーボモータ ロック付きサーボモータ 概要 ロック付きサーボモータの特性 油水対策 ケーブル サーボモータ定格回転速度 コネクタ取付

第 13 章サーボモータ...2 13.1 ロック付きサーボモータ...2 13.1.1 概要...2 13.1.2 ロック付きサーボモータの特性...4 13.2 油水対策...5 13.3 ケーブル...5 13.4 サーボモータ定格回転速度...5 13.5 コネクタ取付け...6 13-1 電磁ブレーキスイッチ 電磁ブレーキスイッチ 第 13 章サーボモータ 13.1 ロック付きサーボモータ

仕様書

3DLP プロジェクター LX-4K3500Z 製品概要本製品は 高解像度コンピューターの画面や高画質デジタル映像を 高輝度で大画面に投写可能なレンズ交換方式の3DLP 方式のレーザー光源プロジェクターです * 本製品は交換レンズ方式のプロジェクターです 設置条件に合わせ 別売の交換レンズをお求めください 基本仕様 機種 LX-4K3500Z 方式 3 チップ DLP 方式 DMD パネル サイズ

降圧コンバータIC のスナバ回路 : パワーマネジメント

スイッチングレギュレータシリーズ 降圧コンバータ IC では スイッチノードで多くの高周波ノイズが発生します これらの高調波ノイズを除去する手段の一つとしてスナバ回路があります このアプリケーションノートでは RC スナバ回路の設定方法について説明しています RC スナバ回路 スイッチングの 1 サイクルで合計 の損失が抵抗で発生し スイッチングの回数だけ損失が発生するので 発生する損失は となります

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ダイコレット & ピックアップツール先端形状 3600 シリーズ 4 面ダイコレット 3700 シリーズ 2 面ダイコレット 3800 シリーズ先端長方形のフラットピックアップツール 3900 シリーズ先端円錐形のフラットピックアップツール 3300 & 3300-ETE シリーズ垂直 4 面コレット 3200-ETE シリーズ垂直 2 面コレット 特殊形状 ( カスタム ) コレット片面の一部に切り込み

平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形

平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形成直後に固体電解質から電極へのリチウムイオンが自発的に移動 概要 東京工業大学の一杉太郎教授らは 東北大学の河底秀幸助教

TO: Katie Magee

アプリケーション ノート AN-1053 ip1201 または ip1202 を搭載した回路の電源起動法 David Jauregui, International Rectifier 目次項 1 はじめに...2 2 電源起動法...2 2.1 シーケンシャルな立ち上げ...3 2.2 比例関係を保った立ち上げ...3 2.3 同時立ち上げ...4 3 結論...6 多くの高性能な DSP( デジタル

Microsoft PowerPoint - pp601-1.ppt

特長 パッケージ 製品の特長 ダブルエンドタイプ 黒色可視光カット樹脂 光電流 : 4.8μA TYP. (V R =5V,Ee=0.5mW/cm 2 ) 可視光カット樹脂 (700nm 以下カット品 ) 鉛フリー製品 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 130 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては

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平凸シリンドリカルレンズ / Positive Cylindorical lenses 平凸シリンドリカルレンズは正の焦点距離を持ちます 入射されたビームをライン状に集光させる用途などに使用されます, FS, UVFS, CaF2, ZnSe 焦点距離公差 ±3 % 設計波長 632.8 nm スクラッチ - ディグ 40-20 S/D

フィードバック ~ 様々な電子回路の性質 ~ 実験 (1) 目的実験 (1) では 非反転増幅器の増幅率や位相差が 回路を構成する抵抗値や入力信号の周波数によってどのように変わるのかを調べる 実験方法 図 1 のような自由振動回路を組み オペアンプの + 入力端子を接地したときの出力電圧 が 0 と

フィードバック ~ 様々な電子回路の性質 ~ 実験 (1) 目的実験 (1) では 非反転増幅器の増幅率や位相差が 回路を構成する抵抗値や入力信号の周波数によってどのように変わるのかを調べる 実験方法 図 1 のような自由振動回路を組み オペアンプの + 入力端子を接地したときの出力電圧 が 0 となるように半固定抵抗器を調整する ( ゼロ点調整のため ) 図 1 非反転増幅器 2010 年度版物理工学実験法

ムーアの法則に関するレポート

情報理工学実験レポート 実験テーマ名 : ムーアの法則に関する調査 職員番号 4570 氏名蚊野浩 提出日 2019 年 4 月 9 日 要約 大規模集積回路のトランジスタ数が 18 ヶ月で2 倍になる というムーアの法則を検証した その結果 Intel 社のマイクロプロセッサに関して 1971 年から 2016 年の平均で 26.4 ヶ月に2 倍 というペースであった このことからムーアの法則のペースが遅くなっていることがわかった

形式 :AEDY 直流出力付リミッタラーム AE UNIT シリーズ ディストリビュータリミッタラーム主な機能と特長 直流出力付プラグイン形の上下限警報器 入力短絡保護回路付 サムロータリスイッチ設定方式 ( 最小桁 1%) 警報時のリレー励磁 非励磁が選択可能 出力接点はトランスファ形 (c 接点

直流出力付リミッタラーム AE UNIT シリーズ ディストリビュータリミッタラーム主な機能と特長 直流出力付プラグイン形の上下限警報器 入力短絡保護回路付 サムロータリスイッチ設定方式 ( 最小桁 1%) 警報時のリレー励磁 非励磁が選択可能 出力接点はトランスファ形 (c 接点 ) リレー接点は 110V DC 使用可 AEDY-12345-67 価格基本価格 75,000 円加算価格 110V

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7-1 光学顕微鏡 8-2 エレクトロニクス材料評価技術 途による分類 透過型顕微鏡 体組織の薄切切 や細胞 細菌など光を透過する物体の観察に いる 落射型顕微鏡 ( 反射型顕微鏡 ) 理 学部 材料機能 学科 属表 や半導体など 光を透過しない物体の観察に いる 岩 素顕 iwaya@meijo-u.ac.jp 電 線を使った結晶の評価法 透過電 顕微鏡 査電 顕微鏡 実体顕微鏡拡 像を 体的に

フォトダイオードモジュール C10439 シリーズ 精密測光用フォトダイオードと低ノイズアンプを一体化 フォトダイオードモジュール C10439 シリーズは フォトダイオードと I/V アンプを一体化した高精度な光検出器です アナログ電圧出力のため 電圧計などで簡単に信号を観測することができます ま

精密測光用フォトダイオードと低ノイズアンプを一体化 は フォトダイオードと I/V アンプを一体化した高精度な光検出器です アナログ電圧出力のため 電圧計などで簡単に信号を観測することができます また本製品には / 2 レンジ切り替え機能が付いています 検出する光量に応じて適切なレンジ選択を行うことで 高精度な出力を得ることができます 特長 電圧出力のため取り扱いが簡単 / 2レンジ切り替え機能付き小型

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1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

形式 :PDU 計装用プラグイン形変換器 M UNIT シリーズ パルス分周変換器 ( レンジ可変形 ) 主な機能と特長 パルス入力信号を分周 絶縁して単位パルス出力信号に変換 センサ用電源内蔵 パルス分周比は前面のスイッチで可変 出力は均等パルス オープンコレクタ 電圧パルス リレー接点パルス出力

計装用プラグイン形変換器 M UNIT シリーズ パルス分周変換器 ( レンジ可変形 ) 主な機能と特長 パルス入力信号を分周 絶縁して単位パルス出力信号に変換 センサ用電源内蔵 パルス分周比は前面のスイッチで可変 出力は均等パルス オープンコレクタ 電圧パルス リレー接点パルス出力を用意 密着取付可能 アプリケーション例 容積式流量計のパルス信号を単位パルスに変換 機械の回転による無接点信号を単位パルスに変換

報道機関各位 平成 30 年 5 月 14 日 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター 株式会社アドバンテスト アドバンテスト社製メモリテスターを用いて 磁気ランダムアクセスメモリ (STT-MRAM) の歩留まり率の向上と高性能化を実証 300mm ウェハ全面における平均値で歩留まり率の

報道機関各位 平成 30 年 5 月 1 日 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター 株式会社アドバンテスト アドバンテスト社製メモリテスターを用いて 磁気ランダムアクセスメモリ (STT-MRAM) の歩留まり率の向上と高性能化を実証 300mm ウェハ全面における平均値で歩留まり率の向上 (91% から 97%) と 高速動作特性の向上を実証する実験に成功 標記について 別添のとおりプレスリリースいたしますので

JUSE-StatWorks/V5　活用ガイドブック

4.6 薄膜金属材料の表面加工 ( 直積法 ) 直積法では, 内側に直交配列表または要因配置計画の M 個の実験, 外側に直交配列表または要因配置計画の N 個の実験をわりつけ, その組み合わせの M N のデータを解析します. 直積法を用いることにより, 内側計画の各列と全ての外側因子との交互作用を求めることができます. よって, 環境条件や使用条件のように制御が難しい ( 水準を指定できない )

研究成果報告書

① ア ニ ー ル 温 度 の 違 い に よ る ナ ノ 構 造 制御 論文④ ⑤関連 シード層として Ti を用い Ag/Ti 薄膜を MgO(001)基板上に室温蒸着させた後にアニ ール処理を施す その際 アニール条件 温 度 時間 を変えた場合の基板上に形成され る Ag ナノ構造の変化について調べた Fig.1 の薄膜表面の原子間力顕微鏡 AFM 像に見られるように (a)ti シード層

第 2 章 構造解析 8

第 2 章 構造解析 8 2.1. 目的 FITSAT-1 の外郭構造が, 打ち上げ時の加速度等によって発生する局所的な応力, 及び温度変化によってビスに発生する引っ張り応力に対して, 十分な強度を有することを明らかにする. 解析には SolidWorks2011 を用いた. 2.2. 適用文書 (1)JMX-2011303B: JEM 搭載用小型衛星放出機構を利用する小型衛星への構造 フラクチャコントロール計画書

Microsoft Word - QEX_2014_feb.doc

QEX2 月掲載記事 GPS 同期の 10MHz-OCXO 1. はじめに様々な場面で周波数精度の高い 10MHz 基準信号が必要とされます たとえば ダブルオーブン式の OCXO を使用して ppb 級 (10 の -9 乗 ) の精度を実現することができます OCXO 以上の精度を要求する場合には ルビジウム発振器や GPS 同期の OCXO を使用します ルビジウム発振器や GPS 同期の OCXO

MPPC 用電源 C 高精度温度補償機能を内蔵した MPPC 用バイアス電源 C は MPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を駆動するために最適化された高電圧電源です 最大で90 Vを出力することができます 温度変化を伴う環境においても M

MPPC 用電源 C1104-0 高精度温度補償機能を内蔵した MPPC 用バイアス電源 C1104-0は MPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を駆動するために最適化された高電圧電源です 最大で90 Vを出力することができます 温度変化を伴う環境においても MPPCを常に最適動作させるために温度補償機能を内蔵しています ( アナログ温度センサの外付けが必要 ) また

DMシリーズセンダスト (Fe-Si-Al) コイルの許容両端電圧 :V D はんだ処理部最大外径 :D( 縦方向 ),( 横方向 ) 最大幅 : リード全長 :=± はんだ処理境界 :=.MAX コイル品番 HDM24AQDVE 定格電流インダクタンス (khz ) 最大直流抵抗巻線仕様外形寸法

DM シリーズ 主な用途 スイッチング電源出力平滑用チョーク DC-DC コンバータ用チョーク ノイズ対策用ノーマルモードチョーク 力率改善回路用チョーク 特長 周波数特性 温度特性に優れています フェライトに比べて 飽和磁束密度が高いため 直流重畳特性が良く 小形化できます コアの電流重畳特性 () 9 8 コアの電流重畳特性 (2) 9 8 Percent permebility [%] 7 6

C12CA/C13CA シリーズ 光学的特性 項目 TM-UV/VIS-CCD TM-VIS/NIR-CCD C12CA C12CAH C13CA C13CAH 単位 感度波長範囲 2 ~ 32 ~ 1 nm 波長分解能 ( 半値幅 )* 3 max. 1 typ. * 4 max. 1* 4 ty

C12CA/C13CA シリーズ 高感度タイプ ( 裏面入射型 CCD イメージセンサを採用 ) 高分解能タイプ ミニ分光器 TMシリーズは 光学素子とイメージセンサと駆動回路をコンパクトにまとめた分光器 ( ポリクロメータ ) です 測定光を光ファイバ経由で入光し 分光結果をUSB 接続でPCに取り込むことにより 分光スペクトルの収集が可能です 本製品は 裏面入射型 CCDイメージセンサを採用した高感度タイプで

Microsoft Word NWQDlasers_3_v3 JT_otk_修正履歴なし　荒川_修正

プレスリリース 2015 年 6 月 25 日 国立大学法人東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 世界最小量子ドットレーザの室温動作に成功 ~ 高効率ナノレーザの実用化に弾み ~ 国立大学法人東京大学 ( 総長 : 五神真 ) ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 ( 機構長 : 荒川泰彦 = 生産技術研究所教授 ) の荒川泰彦教授 舘林潤特任助教らは このほど 高効率ナノレーザ注

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X 線 CT による電源コード短絡痕に生じる 気泡の三次元解析 製品安全センター燃焼技術センター 今田修二 1. 調査の目的 2. 実施内容の概要 3. 短絡痕作製実験及び気泡データの取得 (1) 実験一 二次痕の作製 (2) 実験一 二次痕の作製 (3) 前処理 (4) CT データの取得 (5) 気泡の検出方法 4. データの解析結果 (1) 解析対象サンプル及び計測結果の概要 (2) 最大気泡の体積率による解析

TITAN マルチコンタクト プローブ TITAN マルチコンタクト プローブは MPI の独自の TITAN RF プロービング技術をさらに発展させた RF/ マイクロ波デバイス特性評価用プローブです 最大 15 コンタクトまでのプロービングが可能で 各コンタクトは RF ロジック バイパス電源の

TITAN マルチコンタクト プローブ TITAN マルチコンタクト プローブは MPI の独自の TITAN RF プロービング技術をさらに発展させた RF/ マイクロ波デバイス特性評価用プローブです 最大 5 コンタクトまでのプロービングが可能で 各コンタクトは RF ロジック バイパス電源の中から選択可能です TITAN プローブのもつ優れたインピーダンス整合 電気特性 チップの視認性 長寿命をすべて兼ね備えています

平成 28 年 6 月 3 日 報道機関各位 東京工業大学広報センター長 岡田 清 カラー画像と近赤外線画像を同時に撮影可能なイメージングシステムを開発 - 次世代画像センシングに向けオリンパスと共同開発 - 要点 可視光と近赤外光を同時に撮像可能な撮像素子の開発 撮像データをリアルタイムで処理する

平成 28 年 6 月 3 日 報道機関各位 東京工業大学広報センター長 岡田 清 カラー画像と近赤外線画像を同時に撮影可能なイメージングシステムを開発 - 次世代画像センシングに向けオリンパスと共同開発 - 要点 可視光と近赤外光を同時に撮像可能な撮像素子の開発 撮像データをリアルタイムで処理する画像処理システムの開発 カラー画像と近赤外線画像を同時に撮影可能なプロトタイプシステムの開発 概要 国立大学法人東京工業大学工学院システム制御系の奥富正敏教授らと

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同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 超高輝度 ハイパワー白色光源に適した YAG 単結晶蛍光体を開発 - レーザーヘッドライトなど LED 光源では困難な超高輝度製品への応用に期待 - 配布日時 : 平成 27 年 4 月 13 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構株式会社タムラ製作所株式会社光波 概要 1.

CCD リニアイメージセンサ用駆動回路 C CCD リニアイメージセンサ (S11155/S ) 用 C は 当社製 CCDリニアイメージセンサ S11155/S 用に開発された駆動回路です S11155/S11156-

CCD リニアイメージセンサ用駆動回路 C11165-02 CCD リニアイメージセンサ (S11155/S11156-2048-02) 用 C11165-02は 当社製 CCDリニアイメージセンサ S11155/S11156-2048-02 用に開発された駆動回路です S11155/S11156-2048-02と組み合わせることにより分光器に使用できます C11165-02 は CCD 駆動回路

王子計測機器株式会社 LCD における PET フィルムの虹ムラに関する実験結果 はじめに最近 PETフィルムはLCD 関連の部材として バックライトユニットの構成部材 保護シート タッチセンサーの基材等に数多く使用されています 特に 液晶セルの外側にPET フィルムが設けられる状態

2015.02 王子計測機器株式会社 LCD における PET フィルムの虹ムラに関する実験結果 はじめに最近 PETフィルムはLCD 関連の部材として バックライトユニットの構成部材 保護シート タッチセンサーの基材等に数多く使用されています 特に 液晶セルの外側にPET フィルムが設けられる状態のとき 表示画面を偏光メガネを通して見たときに干渉色いわゆる虹ムラが発生する場合があることはよく知られています

Microsoft Word - TC4538BP_BF_J_2002_040917_.doc

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC438BP,TC438BF TC438BP/TC438BF Dual Precision Retriggerable/Resettable Monostable Multivibrator は リトリガ動作 リセット動作の可能な単安定マルチバイブレータでトリガは A B 2 つの入力により立ち上がり および立ち下がりのどちらでも行うこともできます

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9 章 CMOS アナログ基本回路 1 デジタル情報とアナログ情報 アナログ情報 大きさ デジタル信号アナログ信号 デジタル情報 時間 情報処理システムにおけるアナログ技術 通信 ネットワークの高度化 無線通信, 高速ネットワーク, 光通信 ヒューマンインタフェース高度化 人間の視覚, 聴覚, 感性にせまる 脳型コンピュータの実現 テ シ タルコンヒ ュータと相補的な情報処理 省エネルギーなシステム

USB Type-C コネクタ DSB Series RoHS2 準拠規格 USB Type-C 伝送速度 10Gbps 概要 DSB シリーズは USB Type-C 規格に準拠した逆挿し可能な小型高速伝送コネクタです 特長 10Gbps の高速伝送対応 (USB3.1 Gen2 準拠 ) USB

US Type- コネクタ RoHS2 準拠規格 US Type- 伝送速度 1Gbps 概要 DS シリーズは US Type- 規格に準拠した逆挿し可能な小型高速伝送コネクタです 特長 1Gbps の高速伝送対応 (US3.1 Gen2 準拠 ) US Power Delivery 準拠 挿抜耐久 1, 回 US 認証取得 レセプタクルは オフセット量 ( 基板実装面から嵌合中心間の高さ ) の異なる5

名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET

1 1. 適用 本は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET パワーモジュール BSM180D12P2C101 に直接実装できる形状で SiC-MOSFET のゲート駆動回路と DC-DC コンバータを 1 ユニット化したものです SiC-MOSFET

富士通セミコンダクタープレスリリース 2013/04/22

[ プレスリリース ] 2013 年 4 月 22 日富士通セミコンダクター株式会社 低炭素社会に貢献するエナジーハーベスティング電源 IC 2 製品を新発売 ~ 電子機器やワイヤレスセンサーノードなどの電池レス化を実現 ~ 富士通セミコンダクター株式会社 ( 注 1) は エナジーハーベスティング電源 IC として 降圧型 DC/DC コンバーター ( 注 2) MB39C811 と 昇圧型 DC/DC

NJM78L00 3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さ

3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さくなり, さらに雑音特性も改良されています 外形 UA EA (5V,9V,12V のみ ) 特徴 過電流保護回路内蔵

EC-1 アプリケーションノート 高温動作に関する注意事項

要旨 アプリケーションノート EC-1 R01AN3398JJ0100 Rev.1.00 要旨 EC-1 の動作温度範囲は Tj = -40 ~ 125 としており これらは記載の動作温度範囲内での動作を保証す るものです 但し 半導体デバイスの品質 信頼性は 使用環境に大きく左右されます すなわち 同じ品質の製品でも使用環境が厳しくなると信頼性が低下し 使用環境が緩くなると信頼性が向上します たとえ最大定格内であっても

AC ファン mm 厚 San Ace 120 型番により取得規格が異なります p. 582 ~ 583をご参照ください 一般仕様 材質 フレーム : アルミニウム, 羽根 : 樹脂 ( 難燃グレード UL 94V-1) 期待寿命 仕様表参照 (L10: 残存率 90%,60 C, 定

AC ファン 12 38 mm 厚 San Ace 12 型番により取得規格が異なります p. 582 ~ 583をご参照ください 一般仕様 材質 フレーム : アルミニウム, 羽根 : 樹脂 ( 難燃グレード UL 94V-1) 期待寿命 仕様表参照 (L1: 残存率 9%,6 C, 定格電圧, 連続運転, フリーエアー状態 ) モータ構造 くま取りモータ モータ保護機能 拘束時焼損保護機能 詳細は

機器仕様構造 : プラグイン構造接続方式 入出力信号 供給電源 :M3.5 ねじ端子接続 ( 締付トルク 0.8N m) NestBus RUN 接点出力 : コネクタ形ユーロ端子台 ( 適用電線サイズ :0.2~2.5mm 2 剥離長 7mm) 端子ねじ材質 : 鉄にクロメート処理ハウジング材質

形式 :SML スーパー M UNIT シリーズ リモート入出力ユニット (NestBus 用 ) 主な機能と特長 NestBus 接続用のリモート入出力ユニット 分散設置 増設が簡単なオールインワン構造 伝送路はより対線 伝送端子は脱着可能なコネクタ式を採用 自己診断機能内蔵 接点入出力ユニットは入出力状態表示ランプ付 SML-R2 以外 SML-R2 R3:Ai4 点 +Ao4 点 150,000

IGZO 技術 松尾 拓哉 ディスプレイデバイス開発本部 スマートフォンに代表されるモバイル機器は目覚ましい進化を遂げています 通信速度の飛躍的な高速化に伴って送受信される情報量も増え, それらをより正確に表現できる超高精細ディスプレイの需要が急激に拡大しています 当社の商標 ( 商標登録第 545

IGZO 技術 松尾 拓哉 ディスプレイデバイス開発本部 スマートフォンに代表されるモバイル機器は目覚ましい進化を遂げています 通信速度の飛躍的な高速化に伴って送受信される情報量も増え, それらをより正確に表現できる超高精細ディスプレイの需要が急激に拡大しています 当社の商標 ( 商標登録第 5451821 号 ) である IGZO は, これからのモバイル用ディスプレイに必須となる超高精細対応,

背景と経緯 現代の電子機器は電流により動作しています しかし電子の電気的性質 ( 電荷 ) の流れである電流を利用した場合 ジュール熱 ( 注 3) による巨大なエネルギー損失を避けることが原理的に不可能です このため近年は素子の発熱 高電力化が深刻な問題となり この状況を打開する新しい電子技術の開

平成 25 年 5 月 2 日 東北大学金属材料研究所東北大学原子分子材料科学高等研究機構 塗るだけで出来上がる磁気 - 電気変換素子 - プラスチックを使った次世代省エネルギーデバイス開発に向けて大きな進展 - 発表のポイント 電気を流すプラスチックの中で 磁気 ( スピン ) の流れが電気信号に変換されることを発見 この発見により 溶液を塗るだけで磁気 ( スピン )- 電気変換素子が作製可能に

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2.3 pn 接合の整流作用 c 大豆生田利章 2015 1 2.3 pn 接合の整流作用 2.2 節では外部から電圧を加えないときの pn 接合について述べた. ここでは, 外部か らバイアス電圧を加えるとどのようにして電流が流れるかを電子の移動を中心に説明す る. 2.2 節では熱エネルギーの存在を考慮していなかったが, 実際には半導体のキャリアは 周囲から熱エネルギーを受け取る その結果 半導体のキャリヤのエネルギーは一定でな