MCP16251/MCP16252 Data Sheet

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1 注意 : この日本語版文書は参考資料としてご利用ください 最新情報は必ずオリジナルの英語版をご参照願います 低静止電流 PFM/PWM 同期整流昇圧型レギュレータ ( 完全出力切断または入出力バイパス機能対応 ) 特長 : 最高 96% (typ.) の効率 650 ma (typ.) のピーク入力電流制限 : - I OUT > 100 V OUT = 3.3 V V IN = 1.2 V - I OUT > 250 V OUT = 3.3 V V IN = 2.4 V - I OUT > 225 V OUT = 5.0 V V IN = 3.3 V 低静止電流 : - 出力静止電流 : < 4 µa (typ.) デバイスがスイッチング停止時 (V OUT > V IN 帰還抵抗分圧器の電流を除く ) - 入力スリープ電流 : 1 µa - 無負荷時入力電流 : 14 µa (typ.) シャットダウン電流 : 0.6 µa (typ.) 低電圧起動 : 0.82 V 1 ma 負荷 低入力電圧動作 : > 0.35 V 可変出力電圧レンジ : 1.8 ~ 5.5 V 最大入力電圧 V OUT < 5.5 V 自動 PFM/PWM 動作 : - PWM 動作 : 500 khz - PFM 出力リップル : 150 mv (typ.) 帰還電圧 : 1.23 V 同期整流器内蔵 内部補償回路 突入電流制限および内部ソフトスタート (1.5 ms typ.) シャットダウン時の状態を選択可能 : - 完全負荷切断 (MCP16251) - 入出力バイパス (MCP16252) アンチリンギング制御 過熱保護 パッケージタイプ : - SOT x 3 8 ピン TDFN アプリケーション : セルアルカリおよび NiMH/NiCd バッテリ使用の携帯型機器 太陽電池使用機器 個人向け健康 / 医療機器 インジケータ LED 用バイアス スマートフォン MP3 プレーヤ デジタルカメラ リモコン 携帯計器 無線センサ Bluetooth ヘッドセット +3.3 ~ +5.0 V 分散電源 概要 は コンパクトで高効率の固定周波数同期整流昇圧型 DC/DC コンバータです このデバイスファミリは 1/2/3 セルアルカリ NiCd NiMH 単セルのリチウムイオン / リチウムポリマバッテリを使用するアプリケーション向けに使いやすい電源ソリューションを提供します 低電圧技術の採用により低電圧入力で起動するため 過大な突入電流や出力電圧のオーバーシュートを避ける事ができます 低抵抗の N チャンネル昇圧スイッチと同期整流 P チャンネルスイッチを内蔵する事で高い効率を実現しています 補償回路と保護回路も全て内蔵しており 外付け部品を最小限に抑える事ができます は無負荷時にバッテリ電源で動作し その消費電流は 14 µa 未満です (V OUT = 3.3 V V IN = 1.5 V) このデバイスファミリには シャットダウン時 (EN = GND) に入力と出力を完全に切断する MCP16251 と 入出力をバイパスする MCP16252 があります どちらの場合も バッテリからの消費電流は 0.6 µa 未満です 出力電圧は 小型の外付け抵抗分圧器で設定します パッケージは SOT-23-6 と 2 x 3 TDFN-8 の 2 種類で提供しています パッケージタイプ 6-Lead SOT-23 2x3 TDFN* SW GND EN V IN V FB 1 5 V S OUT GND 2 P GND 3 4 V FB EN 4 EP 9 8 V IN 7 V OUTS 6 V OUTP 5 SW * 露出サーマルパッド (EP) を含む ( 表 3-1 参照 ) 2013 Microchip Technology Inc. DS25173A_JP - p.1

2 代表的な回路 L 4.7 µh V IN 0.9V to 1.7V + Alkaline - C IN 4.7 µf SW V IN EN GND V OUT V FB R TOP 1.69 M R BOT 1M V OUT 3.3V / 75 ma C OUT 10 µf L 4.7 µh V IN 3.0V to 4.2V + Li-Ion - C IN 4.7 µf SW V OUTS V IN V OUTP EN V FB P GND S GND R TOP 3.09 M R BOT 1M V OUT 5.0V / 200 ma C OUT 10 µf Efficiency (%) V IN = 3.0V V IN = 1.5V V IN = 2.4V V OUT = 3.3V I OUT (ma) DS25173A_JP - p Microchip Technology Inc.

3 1.0 電気的特性 絶対最大定格 EN V FB V IN V SW V OUT - GND V EN V FB... < V OUT または V IN の大きい方 > (GND 0.3 V) 出力短絡電流... 連続出力電流バイパスモード ma 消費電力... 内部制限保管温度 ~ +150 o C 通電中の周囲温度 ~ +85 o C 動作時接合部温度 ~ +125 o C 全ピンの ESD 保護 : HBM... 4 kv MM V Notice: 左記の 絶対最大定格 を超える条件は デバイスに恒久的な損傷を招く可能性があります これはストレス定格です 本仕様書の動作表に示す条件または上記から外れた条件でのデバイスの運用は想定していません 長期間にわたる最大定格条件での動作や保管は デバイスの信頼性に影響する可能性があります DC 特性 電気的特性 : 特に明記しない限り V IN = 1.5 V C OUT = C IN = 10 µf L = 4.7 µh V OUT = 3.3 V I OUT = 0 ma T A = +25 とします 太字の仕様は T A = -40 ~ +85 のレンジに適用されます 入力特性 パラメータ記号 Min Typ Max 単位条件 最小起動電圧 V IN V Note 1 起動後の最小入力電圧 V IN V Note 1 出力電圧調整レンジ V OUT V V OUT V IN Note 2 最大出力電流 I OUT ma 1.2 V V IN 2.0 V V OUT V V IN 3.3 V V OUT 帰還電圧 V FB V 帰還入力バイアス電流 I VFB na V V IN 5.0 V V OUT V OUT 静止電流 I QOUT µa I OUT = 0 ma デバイスはスイッチングを停止中 EN = V IN = 4.0 V V OUT = 5.0 V 帰還抵抗分圧器の電流を除く Note 3 V IN スリープ電流 I QIN µa I OUT = 0 ma EN = V IN Note 3 Note 5 無負荷時入力電流 I IN µa I OUT = 0 ma デバイスはスイッチング中 静止電流 - シャットダウン I QSHDN µa V OUT = EN = GND N チャンネルと P チャンネル のスイッチリークを含む Note 1: 3.3 K 抵抗性負荷 3.3 V OUT (1 ma) 2: V IN > V OUT の場合 V OUT のレギュレーションは維持されません 3: I QOUT は V OUT で計測します V OUT は V OUT > V IN となるように外部から供給します ( デバイスはスイッ チングを停止 ) I QIN はスリープ期間中の無負荷時に V IN ピンで計測します 4: 220 抵抗性負荷 3.3 V OUT (15 ma) 5: 特性上確保されている値であり 生産試験で検証した値ではありません 2013 Microchip Technology Inc. DS25173A_JP - p.3

4 DC 特性 ( 続き ) 電気的特性 : 特に明記しない限り V IN = 1.5 V C OUT = C IN = 10 µf L = 4.7 µh V OUT = 3.3 V I OUT = 0 ma T A = +25 とします 太字の仕様は T A = -40 ~ +85 のレンジに適用されます パラメータ記号 Min Typ Max 単位条件 NMOS スイッチリーク I NLK µa V IN = V SW = 5 V V OUT = 5.5 V V EN = V FB = GND PMOS スイッチリーク I PLK µa V IN = V SW = GND V OUT = 5.5 V NMOS スイッチ ON 抵抗 R DS(ON)N Ω V IN = 3.3 V I SW = 100 ma PMOS スイッチ ON 抵抗 R DS(ON)P Ω V IN = 3.3 V I SW = 100 ma NMOS ピーク スイッチ電流制限 I N(MAX) ma Note 5 V OUT 精度 V OUT % % ラインレギュレーションと 負荷レギュレーションを含む V IN = 1.5 V ラインレギュレーション ( V OUT /V OUT ) / V IN %/V V IN = 1.5 ~ 2.8 V I OUT = 50 ma 負荷レギュレーション V OUT /V OUT % I OUT = 25 ~ 100 ma V IN = 1.5 V 最大デューティサイクル DC MAX % Note 5 スイッチング周波数 f SW khz EN 入力論理 High V IH V IN に I OUT = 1 ma 対する % EN 入力論理 Low V IL V IN に I OUT = 1 ma 対する % EN 入力リーク電流 I ENLK na V EN = 5 V ソフトスタート時間 t SS ms EN の Low から High の遷移後 V OUT の 90% に達する時間 Note 4 Note 5 サーマルシャットダウン ダイ温度 T SD C I OUT = 20 ma V IN > 1.4 V ダイ温度ヒステリシス T SDHYS C Note 1: 3.3 K 抵抗性負荷 3.3 V OUT (1 ma) 2: V IN > V OUT の場合 V OUT のレギュレーションは維持されません 3: I QOUT は V OUT で計測します V OUT は V OUT > V IN となるように外部から供給します ( デバイスはスイッ チングを停止 ) I QIN はスリープ期間中の無負荷時に V IN ピンで計測します 4: 220 抵抗性負荷 3.3 V OUT (15 ma) 5: 特性上確保されている値であり 生産試験で検証した値ではありません 温度仕様 電気的特性 : 特に明記しない限り V IN = 1.5 V C OUT = C IN = 10 µf L = 4.7 µh V OUT = 3.3 V I OUT = 0 ma とします 温度レンジ パラメータ記号 Min Typ Max 単位条件 動作温度レンジ T J 定常 保管温度レンジ T A 最高接合部温度 T J 過渡 パッケージ熱抵抗 熱抵抗 5 ピン SOT-23 JA /W EIA/JESD51-3 規格 熱抵抗 8 ピン 2x3 TDFN JA /W DS25173A_JP - p Microchip Technology Inc.

5 2.0 代表性能曲線 Note: 以下の図表は限られたサンプル数に基づく統計的な結果であり 情報の提供のみを目的とします ここに記載した性能特性は検証されておらず保証されません 下図表の一部には 仕様動作レンジ外で計測されたデータも含まれます ( 例 : 仕様レンジ外の電源を使用 ) 従ってこれらのデータは保証範囲外です Note: 特に明記しない限り V IN = EN = 1.5 V C OUT = C IN = 10 µf L = 4.7 µh V OUT = 3.3 V I LOAD = 0 ma T A = +25 SOT-23 パッケージとします Quies scent Current (ua) V OUT = 3.3V R TOP = 1.69 M R BOT = 1.0 M Ambient Temperature ( C) Efficiency (%) V OUT = 2.0V V IN = 1.5V V IN = 1.2V V IN = 0.9V I OUT (ma) 図 2-1: 周囲温度に対する V OUT I Q 図 2-4: I OUT に対する効率 (V OUT = 2.0 V) No Load Input Current (μa) V OUT = 3.3V R TOP = 1.69 M R BOT = 1.0 M V IN = 1.2V V IN = 1.5V V IN = 3.0V Ambient Temperature ( C) Efficiency (%) V OUT = 3.3V V IN = 2.5V V IN = 1.2V V IN = 0.9V I OUT (ma) 図 2-2: 周囲温度に対する無負荷時入力電流 図 2-5: I OUT に対する効率 (V OUT = 3.3 V) No Load Input Current (μa) R BOT = 1.0 M V OUT = 5.0V V V OUT = 3.3V OUT = 2.0V Input Voltage (V) Efficiency (%) V OUT = 5.0V V IN = 3.6V V IN = 2.5V V V IN = 1.2V IN = 1.8V I OUT (ma) 図 2-3: V IN に対する無負荷時入力電流 図 2-6: I OUT に対する効率 (V OUT = 5.0 V) 2013 Microchip Technology Inc. DS25173A_JP - p.5

6 Note: 特に明記しない限り V IN = EN = 1.5 V C OUT = C IN = 10 µf L = 4.7 µh V OUT = 3.3 V I LOAD = 0 ma T A = +25 SOT-23 パッケージとします tput Voltage (V) Out 図 2-7: I LOAD = 1 ma I LOAD = 10 ma I LOAD = 50 ma Ambient Temperature ( C) 周囲温度に対する出力電圧 (V OUT = 3.3 V) Load Current (ma) 図 2-10: V OUT = 2.0V V OUT = 3.3V V OUT = 5.0V Input Voltage (V) 起動後の V IN に対する最大 I OUT (V OUT が目標調整電圧の -5% 以内 ) Ou utput Voltage (V) 図 2-8: V IN = 1.5V V IN =24V =2.4V V IN = 1.2V 3.26 V IN = 0.9V I LOAD = 20 ma Ambient Temperature ( C) 周囲温度に対する出力電圧 (V OUT = 3.3 V) Switch hing Frequency (khz) Ambient Temperature ( C) 図 2-11: 周囲温度に対する F OSC Output Voltage (V) T A = +85 C 3.31 T A = +25 C T A = -40 C 3.27 I LOAD = 50 ma Input Voltage (V) 図 2-9: V IN に対する出力電圧 (V OUT = 3.3 V) In nput Voltage (V) 図 2-12: V OUT = 3.3V ---- Electronic Load, CC Resistive Load I LOAD = 20 ma I LOAD = 1 ma Ambient Temperature ( C) 抵抗性負荷と定電流負荷を使用した場合の周囲温度に対する起動 V IN DS25173A_JP - p Microchip Technology Inc.

7 Note: 特に明記しない限り V IN = EN = 1.5 V C OUT = C IN = 10 µf L = 4.7 µh V OUT = 3.3 V I LOAD = 0 ma T A = +25 SOT-23 パッケージとします Input Voltage (V) 図 2-13: V OUT =1.8V Startup Shutdown Load Current (ma) 1.8 V OUT で抵抗性負荷を使用した場合の I OUT に対する起動時およびシャットダウン時の最小 V IN Switch Resistance (Ohms) 図 2-16: P - Channel N - Channel > V IN or V OUT 最大 V IN または V OUT の大きい方に対する N チャンネルおよび P チャンネル R DSON Input Voltage (V) Load Current (ma) 図 2-14: V OUT = 3.3V Shutdown Startup 3.3 V OUT で抵抗性負荷を使用した場合の I OUT に対する起動時およびシャットダウン時の最小 V IN ad Current (ma) Lo 図 2-17: V OUT = 2.0V V OUT = 3.3V V OUT = 5.0V Input Voltage (V) V IN に対する平均 PFM/PWM しきい値電流 Input Voltage (V) V OUT = 5.0V Startup I OUT = 1mA V OUT 100 mv/div AC Coupled V SW 2 V/div 図 2-15: 0.5 Shutdown Load Current (ma) 5.0 V OUT で抵抗性負荷を使用した場合の I OUT に対する起動時およびシャットダウン時の最小 V IN I L 100 ma/div 図 2-18: 200 µs/div MCP16251 の PFM モード波形 (V OUT = 3.3 V) 2013 Microchip Technology Inc. DS25173A_JP - p.7

8 Note: 特に明記しない限り V IN = EN = 1.5 V C OUT = C IN = 10 µf L = 4.7 µh V OUT = 3.3 V I LOAD = 0 ma T A = +25 SOT-23 パッケージとします V OUT 50 mv/div AC Coupled l OUT = 50 ma l STEP = 1 ma to 75 ma PFM Mode PWM Mode V OUT 100 mv/div AC Coupled V SW 2 V/div l OUT = 50 ma/div I L 200 ma/div 図 2-19: 2µs/div MCP16251 の PWM モード波形 (V OUT = 3.3 V) 図 2-22: 400 µs/div MCP16251 の負荷変動時の波形 (V OUT = 3.3 V) l OUT =15mA V OUT =3.3V V IN =1.5V V EN 2 V/div I OUT = 20 ma V IN 1 V/div V STEP from 1 V to 2.5 V V OUT 2 V/div 400 µs/div 図 2-20: イネーブル後の 3.3 V 起動波形 V OUT 100 mv/div AC Coupled 1ms/div 図 2-23: ライン変動時の波形 (V OUT = 3.3 V) l OUT = 15 ma I OUT = 0 ma V OUT = 2 V/div V IN 1V / /div V OUT 100 mv/div AC Coupled l L 100 ma/div 400 µs/div 図 2-21: V IN = V ENABLE 時の 3.3 V 起動波形 I L 20 ma/div 図 2-24: 100 ms/div MCP16251 の PFM モード出力リップル (V OUT = 3.3 V 無負荷 ) DS25173A_JP - p Microchip Technology Inc.

9 3.0 ピンの説明 表 3-1 にピンの機能を示します 表 3-1: SOT-23 ピン割り当て表 2x3 TDFN 記号 説明 4 1 V FB 帰還電圧ピン - 2 S GND 信号グランドピン - 3 P GND 電源グランドピン 3 4 EN イネーブル制御入力ピン 1 5 SW スイッチノード 昇圧インダクタ入力ピン - 6 V OUTP 出力電圧パワーピン - 7 V OUTS 出力電圧検出ピン 6 8 V IN 入力電圧ピン - 9 EP 露出サーマルパッド (EP) (V SS に接続の事 ) 2 - GND グランドピン 5 - V OUT 出力電圧ピン 3.1 帰還電圧ピン (V FB ) V FB ピンは 抵抗分圧器を使って出力電圧をレギュレートするために使用します 帰還電圧は 出力電圧が安定化された状態で 1.23 V (typ.) です 3.2 信号グランドピン (S GND ) 信号グランドピンは 内蔵の V REF およびエラーアンプ用のリターンとして使用します 2x3 TDFN パッケージでは S GND ピンと電源グランド (P GND ) ピンを外部で接続します 3.3 電源グランドピン (P GND ) 電源グランドピンは 大電流 N チャンネルスイッチのリターンとして使用します 2x3 TDFN パッケージでは P GND ピンと信号グランド (S GND ) ピンを外部で接続します 3.4 イネーブルピン (EN) EN ピンはデバイススイッチングを ON/OFF します OFF の時の静止電流は抑えられます 論理レベルの入力です 論理 High (> V IN の 70%) でレギュレータ出力が有効になり 論理 Low (< V IN の 20%) でレギュレータが無効になります 3.5 スイッチノードピン (SW) 入力電圧からのインダクタを SW ピンに接続します SW ピンには ピーク値 650 ma (typ.) までのインダクタ電流を流す事ができます 内蔵の N チャンネルスイッチドレインと内蔵の P チャンネルスイッチソースは SW ノードで内部接続されています 3.6 出力電圧パワーピン (V OUTP ) 出力電圧パワーピンは 出力電圧をスイッチノードに接続します 内蔵の P チャンネルを流れた大電流は このピンから出力コンデンサと出力に流れます 2x3 TDFN パッケージでは V OUTS ピンと V OUTP ピンを外部で接続します 3.7 出力電圧検出ピン (V OUTS ) 出力電圧検出ピンは 安定化した出力電圧を内部バイアス回路に接続します 2x3 TDFN パッケージでは V OUTS ピンと V OUTP ピンを外部で接続します 3.8 電源入力電圧ピン (V IN ) V IN には入力電圧源を接続します 入力源は 4.7 µf 以上のコンデンサを使用してグランドにデカップリングします 3.9 露出サーマルパッド (EP) 露出サーマルパッド (EP) と P GND および S GND ピンは接続されていません これらのピンは プリント基板 (PCB) 上の同じ電位に接続する必要があります 3.10 グランドピン (GND) グランド ( リターン ) ピンは 回路のグランド接続に使用します 入力コンデンサのリターン 出力コンデンサのリターン GND ピンからの配線パターンはなるべく短くして GND ピンのノイズを最小限に抑えるようにします SOT23-6 パッケージでは 1 本のグランドピンのみを使用します 3.11 出力電圧ピン (V OUT ) 出力電圧ピンから 内蔵の P チャンネル MOSFET を出力コンデンサに接続します 電圧をレギュレートするために V OUT ピンには帰還電圧の抵抗分圧器も接続します 2013 Microchip Technology Inc. DS25173A_JP - p.9

10 4.0 詳細 4.1 デバイス概要 ファミリは低電圧起動が可能で 1/2/3 セルのアルカリ NiMH NiCd 単セルのリチウムイオンバッテリ入力で幅広い負荷レンジにわたって高効率を実現します また 非常に高集積であるため システムの総コストを削減できる他 実装も容易でボード面積も小型化できます これらのデバイスは 低静止電流 低電圧起動 可変出力電圧 PWM/PFM モード動作 内蔵同期整流スイッチ 内蔵補償回路 低ノイズアンチリンギング制御 突入電流制限 ソフトスタートの機能を備えています ファミリには 完全出力切断と入出力バイパスの機能に対応した 2 種類のデバイスがあります ( 表 4-1 参照 ) PFM/PWM 動作 は低負荷時に PWM モードから PFM モードに自動的に切り換わり 幅広い出力電流レンジにおいて最大限の効率を実現します PFM モードでは 制御されたピーク電流を使用して出力をしきい値レベルまで引き上げます PFM/PWM モードで動作中は インダクタ電流が 0 ma に達したら同期整流器としての働きを持つ P チャンネルスイッチを OFF にする事によって効率を最大化します PFM モードでは コンパレータを使用して出力電圧が上側しきい値に達したらスイッチングを停止します スイッチングが停止したら 出力電圧は徐々に低下します この期間をスリープ期間と呼びます スリープ期間中に入力源から消費される電流は 1 µa (typ.) で 低負荷時にも高効率を維持します PFM モードは PWM モードより出力リップル電圧が大きく 周波数は可変です PFM モードの周波数は入力電圧 出力電圧 負荷の関数として決まります PFM モードの間 昇圧型コンバータは 500 khz のスイッチング周波数で出力を周期的に引き上げます 図 2-17 に PFM モードと PWM モードが切り換わるしきい値を入力電圧に対する負荷電流のグラフとして示しています 完全出力切断 MCP16251 は 完全出力切断機能を備えています EN ピンを Low にすると 内蔵の P チャンネルスイッチが OFF になり スイッチバルクダイオード接続が取り除かれて MCP16251 の出力が入力から絶縁 ( 切断 ) されます 一般的な昇圧型コンバータに存在する DC 経路が取り除かれ 出力が入力から切断されます このモードでは 入力 ( バッテリ ) から消費される電流は 0.6 µa 未満です 完全出力切断では出力は放電されません 出力電圧は外付けの C OUT の容量によって維持されます 入力バイパス MCP16252 は 入出力バイパスシャットダウン機能を備えています EN 入力を Low にすると 出力は内蔵の P チャンネル MOSFET を使用して入力に接続されます このモードでは 入力 ( バッテリ ) から消費される電流は無負荷時で 0.6 µa 未満です 入力電圧レンジが十分高く スタンバイまたは低 I Q モードで負荷が動作できる場合は 入力バイパスモードを使用します より高い出力電圧でアプリケーションを動作させる必要がある場合は EN 入力を High にして昇圧型コンバータを有効にします このモードでは P チャンネル MOSFET を流れる電流が 400 ma を超えないようにする必要があります 表 4-1: 製品番号の選択 製品番号完全出力切断入出力バイパス MCP16251 MCP16252 X X DS25173A_JP - p Microchip Technology Inc.

11 4.2 機能の説明 The は 1/2/3 セルのアルカリ NiCd NiMH 単セルのリチウムイオン / リチウムポリマバッテリで動作するアプリケーション向けに使いやすい電源ソリューションを提供するコンパクトで高効率な固定周波数の昇圧型 DC/DC コンバータです 図 4-1 に の機能ブロック図を示します VOUT VIN Internal BIAS IZERO Direction Control SW EN Gate Drive and Shutdown Control Logic.3V 0V SOFT-START ILIMIT ISENSE GND Oscillator Slope Compensation S PWM/PFM Logic 1.23V EA V FB 図 4-1: のブロック図 2013 Microchip Technology Inc. DS25173A_JP - p.11

12 4.2.1 低電圧起動 は低電圧入力での起動が可能です 起動電圧は 3.3 V 出力と 1 ma 抵抗性負荷の場合で 0.82 V (typ.) です コンバータを有効にすると 内部起動ロジックが整流用の P チャンネルスイッチを ON にして 出力コンデンサが入力電圧に近い値に充電されるまで ON の状態を維持します この期間中 整流スイッチは電流制限されます 出力コンデンサが入力電圧まで充電されたら 本デバイスはスイッチングを開始します 出力電圧が目標 V OUT の 60 ~ 70% を下回る場合 出力がこのしきい値に達するまで本デバイスは 70 ~ 75% の固定デューティサイクルで開ループ動作します 太陽電池 小型ボタン電池 放電の進んだバッテリ等 電圧の低い電源からでも正しく起動できるように起動中はインダクタピーク電流が制限されます ( 図 2-21 参照 ) 出力電圧が目標 V OUT の 60 ~ 70% に達すると 通常の閉ループ PWM 動作が開始します は 微弱な電流源で内部コンデンサを充電します 次に このコンデンサの電圧によって昇圧スイッチの電流制限が公称値まで徐々に上昇します シャットダウンコマンドが発行されるか サーマルシャットダウンが発生すると このソフトスタートコンデンサは完全に放電されます には電圧低下ロックアウト (UVLO) 機能はありません デバイスは起動可能な最低限の電圧で起動し その後 動作可能な最低限の電圧で動作します 1 ma の抵抗性負荷では 最小 0.82 V (typ.) の入力でデバイスは出力の安定化を開始します 実際の負荷はほとんどが非抵抗性のため 本デバイスはさらに低い 0.65 V での起動が可能です 入力電圧が非常に低い場合 過放電したバッテリで異音 ( モーターボーティング ) が発生する事があります PFM/PWM モード には通常の PWM モードと PFM モードの動作を自動的に切り換える機能があり 全負荷レンジで高い効率を維持します PFM モードでは 出力リップルは入力電圧と出力電流によって変化する可変周波数成分を持ちます 低周波成分のリップルは 出力コンデンサの値によって変化します 出力リップルのピークツーピークの値は出力コンデンサの影響を受けません 無負荷時 バッテリからの入力電流は 14 µa (typ.) です 起動後 本デバイスは自らの出力で動作し 出力からの引き込み静止電流は 4 µa 未満 ( 帰還抵抗分圧器の電流を除く代表値 ) です 出力負荷電流が内部でプログラムされたしきい値未満に低下すると PFM 動作を開始します 出力電圧は常時監視されます 出力電圧が公称値未満に低下すると PFM 動作によるスイッチングを 1 回から数回行い 出力を再び安定化します 出力負荷電流が上側しきい値を超えると MCP16251 はスムーズに PFM モードから PWM モードに移行します PWM モードでは は固定周波数の同期整流昇圧型コンバータとして動作します スイッチング周波数は内部の高精度オシレータで維持しており 通常は 500 khz に設定されています PWM モードでは 出力リップルを低く抑え 周波数を一定に維持できます 無損失電流検出はピーク電流信号を電圧に変換し 内部スロープ補償信号と合計します この合計した信号と電圧エラーアンプの出力を比較して PWM 信号のピーク電流制御信号を得ます スロープ補償は 入力および出力電圧に適応して行います そのため コンバータは安定性を確保できる適量のスロープ補償を行い 過度な補償によって位相マージンが失われる事がありません ピーク電流制限は 650 ma (typ.) に設定されています 可変出力電圧と最大出力電流 の出力電圧は 抵抗分圧器を使って 1.8 ~ 5.5 V のレンジで調整できます 静止電流を最小限に抑え 低負荷時にも高い効率を維持するには 大きな値の抵抗器を推奨します アプリケーションを -20 o C よりも低い温度で動作させる場合 帰還抵抗の値を小さくして PCB 上のリーク経路による V OUT の変化を抑制します デバイスの最大出力電流は入出力電圧で決まります 例えば V OUT = 3.3 V で 100 ma の負荷電流を確保するには 1.1 ~ 1.2 V 以上の入力電圧が必要です リチウムイオンバッテリ1 個 (V IN = 3.0 ~4.2 V) でアプリケーションを動作させる場合 は出力電圧 5.0 V で最大 200 ma 程度の負荷電流を供給できます ( 図 2-10 参照 ) イネーブル イネーブルピンは昇圧型コンバータの ON/OFF 切り換えに使用します イネーブルのしきい値電圧は入力電圧により異なります 昇圧型コンバータを ON にするには EN 電圧レベルが V IN 電圧の 70% を超えている必要があります 昇圧型コンバータを OFF にするには EN 電圧レベルが V IN 電圧の 20% 未満となる必要があります 内部バイアス は 起動バイアスを V IN から得ます 出力が入力を超えたら 出力からバイアスを得ます このため 起動後は V IN から完全に独立して動作します 動作は 出力電力レベルと入力源の直列抵抗によってのみ制限されます 起動後は 低ソースインピーダンス入力の場合 入力電圧が 0.35 V まで下がっても 1 ma の出力電流で出力電圧は安定化されます DS25173A_JP - p Microchip Technology Inc.

13 4.2.6 内部補償回路 補償ネットワークが組み込まれたエラーアンプによって基準電圧と出力電圧を比較し 内部電流ループの制御入力を増幅した反転信号を供給する事で 閉ループシステムが完成します 補償ネットワークは適切な周波数で位相進みと位相遅れを与え 電源回路の過剰な位相遅れや位相進みを相殺します 補償に必要な部品とスロープ補償回路は全て内蔵しています 短絡保護 一般的な昇圧型コンバータとは異なり では通常動作時に出力を短絡してもかまいません 内蔵の電流制限および過熱保護回路が過大なストレスを制限し 短絡 過電流 過熱からデバイスを保護します 入出力バイパスモード時は 静止電流を最小限に抑えるために P チャンネル電流制限は抑止されます 低ノイズ動作 は 昇圧型コンバータを不連続インダクタ電流モードで動作させた場合にスイッチノードに生じる発振を減衰するための低ノイズのアンチリンギングスイッチを内蔵しています これにより 高周波の放射ノイズを除去します 過熱保護 は過熱保護回路を内蔵しています この回路はデバイスの接合部温度を監視し この温度が +160 o C (typ.) のしきい値を超えたら出力を遮断します このしきい値を超えた後 接合部温度が 20 o C 下がったら デバイスは自動的に再起動します サーマルシャットダウンの間 デバイスは周期的に温度を監視してダイ温度が下がったら再起動します サーマルシャットダウン状態の間 本デバイスは静止電流 I Q を抑えるために出力からバイアスを得ているため 低電圧のバンドギャップリファレンスがなく 1.4 V (Typ.) 未満の入力に対して出力が 0 より大きくなる事があります ( 注 : 温度監視部のバイアスは入力部から得ています ) 過熱状態の間 ソフトスタートがリセットされます 2013 Microchip Technology Inc. DS25173A_JP - p.13

14 5.0 アプリケーション情報 5.1 代表的なアプリケーション 同期整流昇圧型レギュレータは 幅広い入出力電圧レンジで動作します 3 桁弱 (0.1 ~ 100 ma) の負荷レンジにわたって高い電力効率を維持します 出力電流能力は入力電圧と共に大きくなり 出力電圧が大きくなると小さくなります 最大出力電流は N チャンネルのピーク電流制限に依存します 本データシートに示した代表性能曲線は 標準的な出力電流能力を示す目的で掲載しています 5.2 可変出力電圧の計算 で使う抵抗分圧器の値を求めるには 式 5-1 を使用します R TOP は V OUT に接続し R BOT は GND に接続して 両方共 V FB 入力ピンに接続します 式 5-1: 例 1: V OUT = 2.0 V 例 2: 例 3: V R TOP = R OUT BOT V FB = 1.23 V R BOT = 1 M R TOP = k 標準値 620 k の場合 V OUT = V) V OUT = 3.3 V V FB = 1.23 V R BOT = 1 M R TOP = 1.68 M 標準値 1.69 M の場合 V OUT = V) V OUT = 5.0 V V FB = 1.23 V R BOT = 1 M V FB R TOP = M 標準値 3.09 M の場合 V OUT = 5.03 V) 内蔵のエラーアンプはトランスコンダクタンスタイプで ゲインは抵抗値に関係しません 抵抗値を大きくすると いくつかの問題が生じる可能性があります 小型の表面実装抵抗器を使用した場合 環境中の不純物によってリーク経路が生じ 抵抗分圧比が大きく変化して出力電圧が変わる事があります 1 M より値が大きい抵抗器は 使用できる温度レンジが -20 ~ +85 o C に制限されるため 注意が必要です 低温時 ( 最低 -40 o C) の例 1 2 の抵抗値は 以下のように求めます 例 4: V OUT = 2.0 V V FB = 1.23 V R BOT = 309 k R TOP = k 標準値 191 k の場合 V OUT = 1.99 V) 例 5: V OUT = 3.3 V V FB = 1.23 V R BOT = 309 k R TOP = k 標準値 523 k の場合 V OUT = V) 帰還抵抗の値を小さくするとバッテリからの引き込み静止電流は数 µa 増えますが 全温度レンジで良好なレギュレーションが得られます 昇圧型コンバータでは 動作中に帰還抵抗を取り除く事は避けてください 帰還抵抗を取り除くと出力電圧が の絶対最大定格値を超え デバイスが損傷します ( 詳細はアプリケーションノート AN1337 を参照してください ) 5.3 入力コンデンサの選択 昇圧入力電流は昇圧インダクタによって平滑化されるため 入力で必要なフィルタリング量は少なくて済みます 入力源からのデカップリングのため ある程度の容量を持つコンデンサが推奨されます この用途には 低 ESR の X5R または X7R が温度係数が小さく小型であるため適しています ほとんどのアプリケーションでは 入力コンデンサの容量は 4.7 µf で十分です しかし バッテリ応用における高電力のアプリケーションでソースインピーダンスが大きい場合やリードが長い場合は バッテリを 10 µf の入力コンデンサに接続する事を推奨します 入力コンデンサの容量をさらに増やすと 入力電圧が安定します 表 5-1に 入力コンデンサの推奨値のレンジを示します DS25173A_JP - p Microchip Technology Inc.

15 5.4 出力コンデンサの選択 出力コンデンサは 負荷が急激に変化した場合にも安定した出力電圧を確保し 出力電圧のリップルを抑える働きをします 入力コンデンサと同様 この用途にも X5R および X7R セラミックコンデンサが適しています ESR の大きい他の種類のコンデンサ ( アルミまたはタンタル ) を使用すると コンバータの効率 (AN1337 参照 ) および最大出力電力に影響します は内部補償されているため 出力静電容量のレンジが制限されます 出力コンデンサの推奨レンジについては 表 5-1 を参照してください 出力静電容量を 10 µf より大きくすると 特に低負荷の電流 (PFM モード ) から高負荷の電流 (PWM モード ) へ変化する際の負荷ステップ応答と高周波ノイズの減衰特性が改善します 高負荷レベルの間で出力が負荷ステップを駆動している間は 20 µf 以上の出力静電容量が必要です また 2 x 10 µf の出力コンデンサを使うと 短い過負荷後の出力回復が良好になります N チャンネルスイッチが ON の間 出力電流は出力コンデンサ C OUT から供給されます 出力コンデンサの容量と等価直列抵抗 (ESR) の値は 出力リップル電圧に大きな影響を与えます C OUT が負荷電流を供給する間 内部 ESR では電圧降下も生じ リップル電圧が発生します 式 5-2: 表 5-1 に 入出力コンデンサの推奨レンジを示します 表 5-1: dv I OUT = C OUT dt dv = リップル電圧 dt = N チャンネルスイッチの ON 時間 (D x 1/F SW D はデューティサイクル ) コンデンサ静電容量レンジ C IN C OUT 最小値 4.7 µf 10 µf 最大値 ( 制限なし ) 47 µf 5.5 インダクタの選択 は 小型の表面実装インダクタと組み合わせて使用するように設計されています インダクタンスの値は 2.2 ~ 6.8 µh のレンジで選択できます インダクタのサイズ コンバータの負荷過渡応答 ノイズの最小化を考慮すると 4.7 µh のインダクタが最もバランスに優れています 表 5-2: 製品番号 で推奨されるインダクタ 値 (µh) DCR (typ) I SAT (A) 寸法 WxLxH (mm) Coiltronics SD x3.1x1.2 SD x3.1x1.4 SD x3.8x1.2 SD x5.0x2.5 Wurth Group WE-TPC x2.8x2.8 Type Tiny WE-TPC x2.8x1.35 Type TH WE-TPC x3.8x1.65 Type S WE-TPC Type M x4.8x1.8 Sumida Corporation CMD4D x4.3x2 CDRH4D x4.6x1.5 Coilcraft XPL x2x1.0 ME x3.2x2.0 XFL x3x1.0 XFL x3x1.2 EPL x3x1.3 LPS x4x1.8 XFL x4x2.1 TDK Corporation VLS3015ET x3x1.5-4R7M B x6x3 G4472M B82462 A4472M x6x Microchip Technology Inc. DS25173A_JP - p.15

16 最適なインダクタを選択する際に考慮すべきパラメータとしては 最大定格電流 飽和電流等価直列抵抗 (ESR) があります 昇圧型コンバータの場合 インダクタ電流が出力電流よりもはるかに大きくなる事があります インダクタの ESR が低いほどコンバータの効率は高くなるため 通常はサイズと効率がトレードオフとなります 飽和電流は通常 インダクタンスが定格値から何 % か減少した点で規定します インダクタンスの減少量は 20 ~ 40% のレンジで様々です インダクタンスが減少すると ピークスイッチ電流同様にインダクタのリップル電流も大きくなります インダクタンスが大きく減少してスイッチ電流がピーク限界値に達するのを防ぐ事が重要となります 5.6 温度の計算 には SOT-23-6 と 2 x 3 TDFN-8 の 2 種類のパッケージがあります 接合部温度は 電力損失を計算してパッケージの熱抵抗 ( JA ) を適用する事によって推定します の連続最高接合部温度は 定格で +125 o C です スイッチング昇圧型レギュレータの内部電力損失を簡単に推定するには 経験則として効率の計測値を使用して計算します 効率の計測値が与えられた場合 内部電力損失は式 5-3 で推定できます 式 5-3: V OUT I OUT Efficiency V I = P OUT OUT Dis 第 1 項が入力電力 第 2 項が出力電力で その差が の内部電力損失です これは ほとんどの電力損失が 内部で発生しており C IN C OUT インダクタでは発生していないと仮定した場合の推定値です 実際には昇圧インダクタにもいくらかの電力損失があり 入力および出力コンデンサにもわずかながら電力損失があります 内部電力損失をより正確に推定するには I INRMS 2 x L ESR の電力損失分を差し引きます 5.7 PCB のレイアウトに関する情報 どのようなスイッチング回路でも プリント基板 (PCB) のレイアウトは重要です スイッチング電源も例外ではありません 大電流のスイッチング経路は 太く短いパターンで配線するようにします 従って 入出力コンデンサはできるだけの近くに配置してループ面積を最小にする事が重要です 帰還抵抗と帰還信号は スイッチングノードとスイッチング電流ループから離れた場所に配線します 可能ならば グランドプレーンとトレースを使って帰還信号をシールドしてノイズと磁気干渉を最小化するようにします Via to GND Plane R BOT R TOP +V IN +V OUT L C IN MCP1625X C OUT 1 GND GND Via for Enable 図 5-1: の推奨レイアウト (SOT-23-6 パッケージ ) DS25173A_JP - p Microchip Technology Inc.

17 L Wired on Bottom Plane +V IN +V OUT GND C IN MCP1625X C OUT R TOP 1 Enable R BOT GND 図 5-2: の推奨レイアウト (TDFN-8 パッケージ ) 2013 Microchip Technology Inc. DS25173A_JP - p.17

18 6.0 代表的なアプリケーション回路 L µh Manganese Lithium Dioxide Button Cell SW V OUT V OUT 5 ma 2.0V to 3.2V + - C IN 4.7 µf V IN EN V FB 3.09 M C OUT 10 µf 1M From PIC MCU I/O GND Note: スタンバイモード時はバッテリ入力電圧で直接動作し 通常動作モード時にはより高い電圧が必要となるアプリケーションでは MCP16252 を使用するとコンバータ無効時に入力と出力がバイパス接続されます この図で PIC マイクロコントローラの電源は MCP16252 の出力から供給します MCP16252 の有効 / 無効を切り換えてバイアス電圧を制御するには PIC マイクロコントローラの I/O ピンを 1 本使用します シャットダウンモード時の MCP16252 の入力電流は 0.6 µa (typ.) です 図 6-1: ボタン形マンガンリチウム電池使用アプリケーションでの入出力バイパスモード利用例 DS25173A_JP - p Microchip Technology Inc.

19 NOTES: 2013 Microchip Technology Inc. DS25173A_JP - p.19

20 7.0 パッケージ情報 7.1 パッケージのマーキング情報 6-Lead SOT-23 Example: Part Number Code MCP16251T-I/CH MBNN MCP16252T-I/CH MCNN MB25 8-Lead TDFN (2x3x0.75) Example: Part Number MCP16251T-I/MNY MCP16252T-I/MNY Code ABP ABQ ABP 凡例 : XX...X お客様固有情報 Y 年コード ( 西暦の下 1 桁 ) YY 年コード ( 西暦の下 2 桁 ) WW 週コード (1 月の第 1 週が 01 NNN 英数字のトレーサビリティコード e3 つや消し錫 (Sn) の使用を示す鉛フリーの JEDEC マーク * 本パッケージは鉛フリーです 鉛フリー JEDEC マーク ( e3) は外箱に表記しています Note: マイクロチップ社の製品番号が 1 行に収まりきらない場合は複数行を使います この場合お客様固有情報に使える文字数が制限されます DS25173A_JP - p Microchip Technology Inc.

21 6 ピンプラスチックスモールアウトライントランジスタ (CH) [SOT-23] Note: 最新のパッケージ図面については 以下のウェブサイトにある Microchip Packaging Specification ( マイクロチップ社パッケージ仕様 ) を参照してください b N 4 E1 E PIN1IDBY LASER MARK e e1 D A A2 c φ A1 L L1 Notes: 単位 ミリメートル 寸法 MIN NOM MAX ピン数 N 6 ピッチ e 0.95 BSC 外側ピンピッチ e BSC 全高 A モールドパッケージ厚 A スタンドオフ A 全幅 E モールドパッケージ幅 E 全長 D 足長 L フットプリント L 足角 0-30 ピン厚 c ピン幅 b D と E1 の寸法はバリを含みません バリは側面から mm を超えません 2. 寸法と許容誤差は ASME Y14.5M に準拠しています BSC: 基本寸法 理論的に正確な値 許容誤差なしで表示 Microchip Technology Drawing C04-028B 2013 Microchip Technology Inc. DS25173A_JP - p.21

22 6 ピンプラスチックスモールアウトライントランジスタ (CH) [SOT-23] Note: 最新のパッケージ図面については 以下のウェブサイトにある Microchip Packaging Specification ( マイクロチップ社パッケージ仕様 ) を参照してください 単位 ミリメートル 寸法 MIN NOM MAX コンタクトピッチ E 0.95 BSC コンタクトパッド間隔 C 2.80 コンタクトパッド幅 (X6) X 0.60 コンタクトパッド長 (X6) Y 1.10 パッド間距離 G 1.70 パッド間距離 GX 0.35 全幅 Z 3.90 Notes: 1. 寸法と許容誤差は ASME Y14.5M に準拠しています BSC: 基本寸法 理論的に正確な値 許容誤差なしで表示 Microchip Technology Drawing C A DS25173A_JP - p Microchip Technology Inc.

23 6 ピンプラスチックスモールアウトライントランジスタ (CHY) [SOT-23] Note: 最新のパッケージ図面については 以下のウェブサイトにある Microchip Packaging Specification ( マイクロチップ社パッケージ仕様 ) を参照してください b N 4 E1 E PIN1IDBY LASER MARK e e1 D A A2 c φ A1 L L1 Notes: 単位 ミリメートル 寸法 MIN NOM MAX ピン数 N 6 ピッチ e 0.95 BSC 外側ピンピッチ e BSC 全高 A モールドパッケージ厚 A スタンドオフ A 全幅 E モールドパッケージ幅 E 全長 D 足長 L フットプリント L 足角 0-30 ピン厚 c ピン幅 b D と E1 の寸法はバリを含みません バリは側面から mm を超えません 3. 寸法と許容誤差は ASME Y14.5M に準拠しています BSC: 基本寸法 理論的に正確な値 許容誤差なしで表示 Microchip Technology Drawing C04-028B 2013 Microchip Technology Inc. DS25173A_JP - p.23

24 6 ピンプラスチックスモールアウトライントランジスタ (CHY) [SOT-23] Note: 最新のパッケージ図面については 以下のウェブサイトにある Microchip Packaging Specification ( マイクロチップ社パッケージ仕様 ) を参照してください 単位 ミリメートル 寸法 MIN NOM MAX コンタクトピッチ E 0.95 BSC コンタクトパッド間隔 C 2.80 コンタクトパッド幅 (X6) X 0.60 コンタクトパッド長 (X6) Y 1.10 パッド間距離 G 1.70 パッド間距離 GX 0.35 全幅 Z 3.90 Notes: 1. 寸法と許容誤差は ASME Y14.5M に準拠しています BSC: 基本寸法 理論的に正確な値 許容誤差なしで表示 Microchip Technology Drawing C A DS25173A_JP - p Microchip Technology Inc.

25 8 ピンプラスチックデュアルフラット リードレスパッケージ (MN) - 2x3x0.75 mm ボディ [TDFN] Note: 最新のパッケージ図面については 以下のウェブサイトにある Microchip Packaging Specification ( マイクロチップ社パッケージ仕様 ) を参照してください Microchip Technology Drawing C04-129C Sheet 1 of Microchip Technology Inc. DS25173A_JP - p.25

26 8 ピンプラスチックデュアルフラット リードレスパッケージ (MN) - 2x3x0.75 mm ボディ [TDFN] Note: 最新のパッケージ図面については 以下のウェブサイトにある Microchip Packaging Specification ( マイクロチップ社パッケージ仕様 ) を参照してください 単位 ミリメートル 寸法 MIN NOM MAX ピン数 N 8 ピッチ e 0.50 BSC 全高 A スタンドオフ A コンタクト厚 A REF 全長 D 2.00 BSC 全幅 E 3.00 BSC 露出パッド長 D 露出パッド幅 E コンタクト幅 b コンタクト長 L コンタクト - 露出パッド間距離 K Notes: 1. ピン 1 のビジュアルインデックスの場所にはばらつきがありますが 必ず斜線部分内にあります 2. パッケージの端部には 1 つまたは複数の露出タイバーがあります 3. パッケージは切削切り出しされています 4. 寸法と許容誤差は ASME Y14.5M に準拠しています BSC: 基本寸法 理論的に正確な値 許容誤差なしで表示 REF: 参考寸法 通常は許容誤差を含まない 情報としてのみ使われる値 Microchip Technology Drawing C04-129C Sheet 2 of 2 DS25173A_JP - p Microchip Technology Inc.

27 8 ピンプラスチックデュアルフラット リードレスパッケージ (MN) - 2x3x0.75 mm ボディ [TDFN] Note: 最新のパッケージ図面については 以下のウェブサイトにある Microchip Packaging Specification ( マイクロチップ社パッケージ仕様 ) を参照してください 単位 ミリメートル 寸法 MIN NOM MAX コンタクトピッチ E 0.50 BSC オプションのセンターパッド幅 W オプションのセンターパッド長 T コンタクトパッド間隔 C コンタクトパッド幅 (X8) X コンタクトパッド長 (X8) Y パッド間距離 G 0.20 Notes: 1. 寸法と許容誤差は ASME Y14.5M に準拠しています BSC: 基本寸法 理論的に正確な値 許容誤差なしで表示 Microchip Technology Drawing C A 2013 Microchip Technology Inc. DS25173A_JP - p.27

28 NOTES: DS25173A_JP - p Microchip Technology Inc.

29 補遺 A: 改版履歴 リビジョン A (2013 年 3 月 ) 本書の初版 2013 Microchip Technology Inc. DS25173A_JP - p.29

30 NOTES: DS25173A_JP - p Microchip Technology Inc.

31 製品識別システム ご注文または製品の価格や納期等に関するお問い合わせは 弊社または販売代理店までお問い合わせください PART NO. X -X /XX 例 : Device: Device Tape and Reel Temperature Range Package MCP16251T: Low Quiescent Current, PFM/PWM Synchronous Boost Regulator, True Disconnect Output Shutdown Option (Tape and Reel) MCP16252T: Low Quiescent Current, PFM/PWM Synchronous Boost Regulator, Input-to-Output Bypass Shutdown Option (Tape and Reel) Temperature Range: I = -40 C to+85 C(Industrial) a) MCP16251T-I/CH: テープ & リール Industrial Temperature, 6LD SOT-23 package b) MCP16251T-I/MNY: テープ & リール Industrial Temperature, 8LD 2x3 TDFN package a) MCP16252T-I/CH: テープ & リール Industrial Temperature, 6LD SOT-23 package b) MCP16252T-I/MNY: テープ & リール Industrial Temperature, 8LD 2x3 TDFN package Package: CH = Plastic Small Outline Transistor (SOT-23), 6-lead MNY= Lead Plastic Dual Flat, No Lead Package (2x3x0.75 mm TDFN), 8-lead *Y = Nickel palladium gold manufacturing designator Microchip Technology Inc. DS25173A_JP - p.31

32 NOTES: DS25173A_JP - p Microchip Technology Inc.

33 マイクロチップ社製デバイスのコード保護機能に関して以下の点にご注意ください マイクロチップ社製品は 該当するマイクロチップ社データシートに記載の仕様を満たしています マイクロチップ社では 通常の条件ならびに仕様に従って使用した場合 マイクロチップ社製品のセキュリティレベルは 現在市場に流通している同種製品の中でも最も高度であると考えています しかし コード保護機能を解除するための不正かつ違法な方法が存在する事もまた事実です 弊社の理解では こうした手法はマイクロチップ社データシートにある動作仕様書以外の方法でマイクロチップ社製品を使用する事になります このような行為は知的所有権の侵害に該当する可能性が非常に高いと言えます マイクロチップ社は コードの保全性に懸念を抱いているお客様と連携し 対応策に取り組んでいきます マイクロチップ社を含む全ての半導体メーカーで 自社のコードのセキュリティを完全に保証できる企業はありません コード保護機能とは マイクロチップ社が製品を 解読不能 として保証するものではありません コード保護機能は常に進歩しています マイクロチップ社では 常に製品のコード保護機能の改善に取り組んでいます マイクロチップ社のコード保護機能の侵害は デジタルミレニアム著作権法に違反します そのような行為によってソフトウェアまたはその他の著作物に不正なアクセスを受けた場合 デジタルミレニアム著作権法の定めるところにより損害賠償訴訟を起こす権利があります 本書に記載されているデバイスアプリケーション等に関する情報は ユーザの便宜のためにのみ提供されているものであり 更新によって無効とされる事があります お客様のアプリケーションが仕様を満たす事を保証する責任は お客様にあります マイクロチップ社は 明示的 暗黙的 書面 口頭 法定のいずれであるかを問わず 本書に記載されている情報に関して 状態 品質 性能 商品性 特定目的への適合性をはじめとする いかなる類の表明も保証も行いません マイクロチップ社は 本書の情報およびその使用に起因する一切の責任を否認します 生命維持装置あるいは生命安全用途にマイクロチップ社の製品を使用する事は全て購入者のリスクとし また購入者はこれによって発生したあらゆる損害 クレーム 訴訟 費用に関して マイクロチップ社は擁護され 免責され 損害を受けない事に同意するものとします 暗黙的あるいは明示的を問わず マイクロチップ社が知的財産権を保有しているライセンスは一切譲渡されません 商標マイクロチップ社の名称とロゴ Microchip ロゴ dspic FlashFlex KEELOQ KEELOQ ロゴ MPLAB PIC PICmicro PICSTART PIC 32 ロゴ rfpic SST SST ロゴ SuperFlash および UNI/O は 米国およびその他の国におけるマイクロチップ テクノロジー社の登録商標です FilterLab Hampshire HI-TECH C Linear Active Thermistor MTP SEEVAL Embedded Control Solutions Company は 米国におけるマイクロチップ テクノロジー社の登録商標です Silicon Storage Technology は 他の国におけるマイクロチップ テクノロジー社の登録商標です Analog-for-the-Digital Age Application Maestro BodyCom chipkit chipkit ロゴ CodeGuard dspicdem dspicdem.net dspicworks dsspeak ECAN ECONOMONITOR FanSense HI-TIDE In-Circuit Serial Programming ICSP Mindi MiWi MPASM MPF MPLAB Certified ロゴ MPLIB MPLINK mtouch Omniscient Code Generation PICC PICC-18 PICDEM PICDEM.net PICkit PICtail REAL ICE rflab Select Mode SQI Serial Quad I/O Total Endurance TSHARC UniWinDriver WiperLock ZENA および Z-Scale は 米国およびその他の国におけるマイクロチップ テクノロジー社の商標です SQTP は 米国におけるマイクロチップ テクノロジー社のサービスマークです GestIC および ULPP は マイクロチップ テクノロジー社の子会社である Microchip Technology Germany II GmbH & Co. & KG 社の他の国における登録商標です その他 本書に記載されている商標は各社に帰属します 2013, Microchip Technology Incorporated, All Rights Reserved. ISBN: マイクロチップ社では Chandler および Tempe ( アリゾナ州 ) Gresham ( オレゴン州 ) の本部 設計部およびウェハー製造工場そしてカリフォルニア州とインドのデザインセンターが ISO/TS-16949: 2009 認証を取得しています マイクロチップ社の品質システムプロセスおよび手順は PIC MCU および dspic DSC KEELOQ コードホッピングデバイス シリアル EEPROM マイクロペリフェラル 不揮発性メモリ アナログ製品に採用されています さらに 開発システムの設計と製造に関するマイクロチップ社の品質システムは ISO 9001:2000 認証を取得しています 2013 Microchip Technology Inc. DS25173A_JP - p.33

34 各国の営業所とサービス 北米本社 2355 West Chandler Blvd. Chandler, AZ Tel: Fax: 技術サポート : support URL: アトランタ Duluth, GA Tel: Fax: ボストン Westborough, MA Tel: Fax: シカゴ Itasca, IL Tel: Fax: クリーブランド Independence, OH Tel: Fax: ダラス Addison, TX Tel: Fax: デトロイト Farmington Hills, MI Tel: Fax: インディアナポリス Noblesville, IN Tel: Fax: ロサンゼルス Mission Viejo, CA Tel: Fax: サンタクララ Santa Clara, CA Tel: Fax: トロント Mississauga, Ontario, Canada Tel: Fax: アジア / 太平洋アジア太平洋支社 Suites , 37th Floor Tower 6, The Gateway Harbour City, Kowloon Hong Kong Tel: Fax: オーストラリア - シドニー Tel: Fax: 中国 - 北京 Tel: Fax: 中国 - 成都 Tel: Fax: 中国 - 重慶 Tel: Fax: 中国 - 杭州 Tel: Fax: 中国 - 香港 SAR Tel: Fax: 中国 - 南京 Tel: Fax: 中国 - 青島 Tel: Fax: 中国 - 上海 Tel: Fax: 中国 - 瀋陽 Tel: Fax: 中国 - 深圳 Tel: Fax: 中国 - 武漢 Tel: Fax: 中国 - 西安 Tel: Fax: 中国 - 厦門 Tel: Fax: 中国 - 珠海 Tel: Fax: アジア / 太平洋インド - バンガロール Tel: Fax: インド - ニューデリー Tel: Fax: インド - プネ Tel: Fax: 日本 - 大阪 Tel: Fax: 日本 - 東京 Tel: Fax: 韓国 - 大邱 Tel: Fax: 韓国 - ソウル Tel: Fax: または マレーシア - クアラルンプール Tel: Fax: マレーシア - ペナン Tel: Fax: フィリピン - マニラ Tel: Fax: シンガポール Tel: Fax: 台湾 - 新竹 Tel: Fax: 台湾 - 高雄 Tel: Fax: 台湾 - 台北 Tel: Fax: タイ - バンコク Tel: Fax: ヨーロッパ オーストリア - ヴェルス Tel: Fax: デンマーク - コペンハーゲン Tel: Fax: フランス - パリ Tel: Fax: ドイツ - ミュンヘン Tel: Fax: イタリア - ミラノ Tel: Fax: オランダ - ドリューネン Tel: Fax: スペイン - マドリッド Tel: Fax: イギリス - ウォーキンガム Tel: Fax: /29/12 DS25173A_JP - p Microchip Technology Inc.