HN58V256Aシリーズ/HN58V257Aシリーズ データシート
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1 HN58V256A HN58V257A 256k EEPROM (32-kword 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58V257A) RJJ03C Rev HN58V256A HN58V257A EEPROM ROM MNOS CMOS 64 3V V 120ns (max) 20mW/MHz (typ) 110µW (max) OE 10 ms (max) ms (max) RDY/Busy (HN58V257A ) Data ON/OFF JEDEC Byte-wide Standard CMOS MNOS (HN58V257A ) C C Page 1 of 22
2 HN58V256AFP ns 400mil 28- SOP PRSP0028DC-A (FP-28D) HN58V256AT ns 28- TSOP PTSA0028ZB-A (TFP-28DB) HN58V257AT ns 32- TSOP PTSA0032KD-A (TFP-32DA) HN58V256AFP-12E 120ns 400mil 28- SOP PRSP0028DC-A (FP-28DV) HN58V256AT-12E 120ns 28- TSOP PTSA0028ZB-A (TFP-28DBV) HN58V257AT-12E 120ns 32- TSOP PTSA0032KD-A (TFP-32DAV) HN58V256AFP Series HN58V256AT Series A14 A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 V SS (Top view) V CC A13 A8 A9 A11 OE A10 I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 V SS I/O3 I/O4 I/O5 I/O6 I/O7 A10 A2 A1 A0 NC I/O0 I/O1 I/O2 V SS I/O3 I/O4 I/O5 I/O6 I/O7 NC A (Top view) HN58V257AT Series A3 A4 A5 A6 A7 A12 A14 V CC A13 A8 A9 A11 OE A3 A4 A5 A6 A7 A12 A14 RDY/Busy V CC RES A13 A8 A9 A11 OE (Top view) Page 2 of 22
3 A0 A14 I/O0 I/O7 OE V CC V SS RDY/Busy* 1 RES* 1 NC 1. HN58V257A 1. HN58V257A VCC VSS High voltage generator I/O0 to I/O7 RDY/Busy * 1 RES * 1 OE RES * 1 Control logic and timing I/O buffer and input latch A0 to A5 Y decoder Y gating Address buffer and A6 to A14 latch X decoder Memory array Data latch Page 3 of 22
4 OE RES* 3 RDY/Busy* 3 I/O Read V IL V IL V IH V H * 1 High-Z Dout Standby V IH * 2 High-Z High-Z Write V IL V IH V IL V H High-Z to V OL Din Deselect V IL V IH V IH V H High-Z High-Z Write inhibit V IH Write inhibit V IL Data polling V IL V IL V IH V H V OL Dout (I/O7) Program reset V IL High-Z High-Z 1. DC HN58V257A V SS V CC V V SS Vin 0.5* * 3 V * 2 Topr C Tstg C 1. 50ns 3.0V V CC + 1V DC Min Typ Max V CC V V SS V V IL 0.3* V V IH 1.9* 2 V CC + 0.3* 3 V V H * 4 V CC 0.5 V CC V Topr C 1. 50ns 1.0V 2. V CC = V 2.4V 3. 50ns V CC + 1.0V 4. HN58V257A Page 4 of 22
5 DC (Ta = C, V CC = V) Min Typ Max I LI 2* 1 µa V CC = 5.5V, Vin = 5.5V I LO 2 µa V CC = 5.5V, Vout = 5.5V/0.4V I CC1 20 µa = V CC I CC2 1 ma = V IH I CC3 8 ma Iout = 0mA,duty = 100%, cycle =1µs, V CC = 3.6V 12 ma Iout = 0mA,duty = 100%, cycle = 1µs, V CC = 5.5V 12 ma Iout = 0mA,duty = 100%, cycle =120ns, V CC = 3.6V 30 ma Iout = 0mA,duty = 100%, cycle = 120ns, V CC = 5.5V V OL 0.4 V I OL = 2.1mA V OH V CC 0.8 V I OH = 400µA 1. RES 100µA max (HN58V257A ) (Ta = +25 C, f = 1MHz) Min Typ Max * 1 Cin 6 pf Vin = 0V * 1 Cout 12 pf Vout = 0V 1. Page 5 of 22
6 AC (Ta = C, V CC = V) V (V CC 3.6V), V (V CC > 3.6V), 0V V CC (RES* 2 ) 5ns 0.8V, 1.8V 1TTL Gate + 100pF 1.5V, 1.5V HN58V256A/HN58V257A -12 Min Max t ACC 120 ns = OE = V IL, = V IH t 120 ns OE = V IL, = V IH OE t OE ns = V IL, = V IH t OH 0 ns = OE = V IL, = V IH t DF * ns = V IL, = V IH t DFR * 1, ns = OE = V IL, = V IH RES t RR * ns = OE = V IL, = V IH Page 6 of 22
7 Min* 3 Typ Max t AS 0 ns t AH 50 ns t CS 0 ns t CH 0 ns t WS 0 ns t WH 0 ns OE t OES 0 ns OE t OEH 0 ns t DS 70 ns t DH 0 ns t WP 200 ns t CW 200 ns t DL 100 ns t BLC µs t BL 100 µs t WC 10* 4 ms RDY/Busy t DB 120 ns t DW 0* 5 ns * 2 t RP 100 µs * 2, 6 t RES 1.0 µs 1. t DF, t DFR 2. HN58V257A 3. Min 4. RDY/Busy (HN58V257A ) 10ms 10ms 5. RDY/Busy (HN58V257A ) t DW A6 A14 8. A6 A14 9. Page 7 of 22
8 Address t ACC t OH t OE t OE t DF High Data Out t RR Data out valid t DFR RES * 2 Page 8 of 22
9 -1 t WC Address t CS t AH t CH t AS t WP t BL t OES t OEH OE t DS t DH Din t DW RDY/Busy * 2 High-Z t DB High-Z t RP t RES RES * 2 V CC Page 9 of 22
10 -2 Address t WS tah t BL t WC t CW t AS t WH t OES t OEH OE t DS t DH Din t DW RDY/Busy * 2 High-Z t DB High-Z t RP t RES RES * 2 V CC Page 10 of 22
11 -1 *7 Address A0 to A14 t t AS AH t BL t WP tdl tblc t CS t CH t WC t OES t OEH OE t DS t DH Din RDY/Busy * 2 High-Z t DB t DW High-Z t RP RES * 2 t RES V CC Page 11 of 22
12 -2 *8 Address A0 to A14 t t AS AH t BL t CW tdl tblc t WS t WH t WC t OEH t OES OE t DS t DH Din t DW RDY/Busy * 2 High-Z t DB High-Z t RP RES * 2 t RES V CC Page 12 of 22
13 (Data polling) Address An An An t OEH t *9 t OES OE t *9 OE t DW I/O7 Din X Dout X t WC Dout X Page 13 of 22
14 EEPROM I/O6 "1" "0" I/O6 2 t DW 1. I/O6 High 2. I/O *4 Next mode Address *3 t OE t OEH *3 t OE t OES *1 *2 *2 I/O6 Din Dout Dout Dout Dout t WC t DW Page 14 of 22
15 -1 VCC t BLC twc Address Data 5555 AA 2AAA A0 Write address Write data -2 VCC t WC Normal active mode Address Data 5555 AA 2AAA AA 2AAA Page 15 of 22
16 (A0-A5) µs 30µs 1 30µs 100µs High Data polling EEPROM I/O7 EEPROM EEPROM RDY/Busy (HN58V257A ) RDY/Busy EEPROM Low High-Z RDY/Busy EEPROM RES (HN58V257A ) RES = Low V CC RES = Low RES High VCC Read inhibit Read inhibit RES Program inhibit Program inhibit, I/O % Page 16 of 22
17 1. (, OE, ) 20ns 20ns VIH 0 V OE VIH 0 V 20 ns max Page 17 of 22
18 2. V CC V CC CPU EEPROM V CC EEPROM CPU EEPROM V CC CPU RESET * Unprogrammable * Unprogrammable 2.1, OE,, OE, V CC OE V SS V CC : V CC : V CC V SS : V SS 2.2 RES (HN58V257A ) CPU RES EEPROM RES Low RES Low 10ms RES Low V CC RES Program inhibit Program inhibit or 1 µs min 100 µs min 10 ms min Page 18 of 22
19 Address Data AAA 5555 Write address AA 55 A0 Write data } Normal data input 6 Address AAA AAA 5555 Data AA AA / Page 19 of 22
20 HN58V256AFP (PRSP0028DC-A / Previous Code: FP-28D, FP-28DV) F *1 E D E H 1 c 1 c JEITA Package Code RENESAS Code Previous Code MASS[Typ.] P-SOP28-8.4x PRSP0028DC-A FP-28D 0.7g NOTE) 1. DIMENSION"*1" DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH. 2. DIMENSION"*2"DOES NOT INCLUDE TRIM OFFSET. bp b1 Index mark Terminal cross section Z 1 e *2 b p x 14 M A y A Detail F L 1 L θ Dimension in Millimeters Reference Symbol Min Nom Max D E A 2 A 1 A b p b 1 c c 1 θ H E e x y Z L L Page 20 of 22
21 HN58V256AT (PTSA0028ZB-A / Previous Code: TFP-28DB, TFP-28DBV) NOTE) 1. DIMENSION"*1"AND"*2(Nom)" DO NOT INCLUDE MOLD FLASH. 2. DIMENSION"*3"DOES NOT INCLUDE TRIM OFFSET. HD A *1 x 1 1 JEITA Package Code RENESAS Code Previous Code MASS[Typ.] P-TSOP(1)28-8x PTSA0028ZB-A TFP-28DB/TFP-28DBV 0.23g y Index mark D M 28 p1 E * *3 Z b F e A bp b1 Terminal cross section Detail F L1 L c θ c Dimension in Millimeters Reference Symbol Min Nom Max D E A 2 A A 1.20 b p b c c θ 0 5 H D e x 0.10 y 0.10 Z 0.45 L L Page 21 of 22
22 p HN58V257AT (PTSA0032KD-A / Previous Code: TFP-32DA, TFP-32DAV) HD A y Index mark *1 D x M 1 32 b *2 bp E b1 c 1 c e 1 JEITA Package Code RENESAS Code Previous Code MASS[Typ.] P-TSOP(1)32-8x PTSA0032KD-A TFP-32DA/TFP-32DAV 0.26g NOTE) 1. DIMENSION"*1"DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH. 2. DIMENSION"*2"DOES NOT INCLUDE TRIM OFFSET Z F A Terminal cross section Detail F L1 L θ Reference Symbol D E A 2 A 1 A b p b 1 c c 1 θ H D e x y Z L L 1 Dimension in Millimeters Min Nom Max Page 22 of 22
23 HN58V256A/HN58V257A Rev. 0.0 H H H HN58V256AT TFP-28DB HN58V256AP-12/15 HN58V256AFPI-12/15 HN58V256AT-12SR/15SR HN58V257AT-12SR/15SR C, C DC 20/ /85 C, 40/ /85 C 4 HN58V256A-15 and HN58V257A DC V IH (min) 2.4 V 1.9 V 4 DC I CC3 (max): 8/12/20/30 ma 8/12/15/30 ma AC 0 V 3.0 V 0.4 V 2.4 V(V CC 3.6 V), 0.4 V 3.0 V(V CC > 3.6V) 2
24 Rev. 1.0 H Write Cycle: t DS (min) 50ns 70ns 4 5-1, 21-1, H H H HN58V256AFP-12E HN58V256AT-12E HN58V257AT-12E FP-28D FP-28D FP-28DV TFP-28DB TFP-28DB TFP-28DBV TFP-32DA TFP-32DA TFP-32DAV
25 () ( ) ( 2F) ( 13F) 4-9 ( ) ( 1F) (3F) (7F) ( ) ( ) ( 8F) 5-25 ( 8F) ( ) (5F) (03) (044) (042) (022) (0246) (029) (025) (0263) (052) (06) (076) (082) (0857) (092) csc@renesas.com Renesas Technology Corp., All rights reserved. Printed in Japan. Colophon 8.0
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27 OA AV RoHS
HN58C256A シリーズ/HN58C257A シリーズ データシート
HN58C256A HN58C257A 256k EEPROM (32-kword 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58C257A) RJJ03C0133-0600Z Rev. 6.00 2006. 10. 26 HN58C256A HN58C257A 32768 8 EEPROM ROM MNOS CMOS 64 5V±10% 85ns/100ns (max)
More informationR1EV5801MBシリーズ データシート
1M EEPROM (128-kword 8-bit) Ready/Busy and function R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 131072 8 EEPROM ROM MONOS CMOS 128 2.7V 5.5V 150ns (max) @ Vcc=4.5V 5.5V 250ns(max) @ Vcc=2.7V 5.5V 20mW/MHz (typ) 110µW (max)
More informationM54640P データシート
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More informationR1RW0408D シリーズ
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More informationM51953A,B/M51954A,B データシート
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More informationM51132L/FP データシート
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More informationR1LV0416Dシリーズ データシート
Wide Temperature Range Version 4M SRAM (256-kword 16-bit) RJJ03C0237-0100 Rev. 1.00 2007.05.24 262,144 16 4M RAM TFT 44 TSOP II 48 CSP 0.75mm 3.0V 2.7V 3.6V 55/70ns max 3µW typ V CC =3.0V 2CS 40 +85 C
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More informationR1EV58256BxxN Series/R1EV58256BxxR Series Datasheet
R1EV58256BxxN シリーズ R1EV58256BxxR シリーズ 256k EEPROM (32-kword 8-bit) Ready/Busy and RES function (R1EV58256BxxR) データシート R10DS0208JJ0200 Rev.2.00 概要 R1EV58256BxxN シリーズと R1EV58256BxxR シリーズは,32768 ワード 8 ビット
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R1EX24256BSAS0I R1EX24256BTAS0I Two-wire serial interface 256k EEPROM (32-kword 8-bit) R10DS0003JJ0400 Rev.4.00 R1EX24xxx 2 EEPROM ROM MONOS CMOS 64 1.8V 5.5V 2 (I 2 C ) 400kHz 2.0μA (max) 1.0mA (max)
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R1LV0816ASB 5SI, 7SI 8Mb Advanced LPSRAM (512k word x 16bit) RJJ03C0292-0100 Rev.1.00 2009.11.30 概 要 R1LV0816ASB は シリコンゲート 0.15µm CMOS プロセス 技 術 を 用 いた 524,288 語 16 ビット 構 成 を 持 ち 単 一 電 源 で 動 作 する 非 同 期
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64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit) 概要 RJJ03C0287-0100 Rev.1.00 2009.05.07 は シリコンゲート 0.15µm CMOS プロセス技術を用いた 4,194,304 語 16 ビット構成を持ち 単一電源で動作する非同期式のスタティク RAM です メモリセルに新規 TFT 技術を用い 高密度かつ低消費電力を実現したデバイスです
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ご注意 安全設計に関するお願い 1. 弊社は品質 信頼性の向上に努めておりますが 半導体製品は故障が発生したり 誤動作する場合があります 弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として 人身事故 火災事故 社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した冗長設計 延焼対策設計 誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください 本資料ご利用に際しての留意事項 1. 本資料は お客様が用途に応じた適切なルネサステクノロジ製品をご購入いただくための参考資料であり
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R1LV0816ABG -5SI, 7SI 8Mb Advanced LPSRAM (512k word x 16bit) RJJ03C0295-0100 Rev.1.00 2009.12.14 R1LV0816ABG 0.15µm CMOS 524,288 16 RAM TFT R1LV0816ABG R1LV0816ABG 7.5mm 8.5mm BGA (f-bga [0.75mm, 48 ])
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8Mbit 低 消 費 電 力 SRAM (512k word 16bit) R10DS0229JJ0200 Rev.2.00 概 要 RMLV0816BGBG は 524,288 ワード 16 ビット 構 成 の 8M ビットスタティック RAM です Advanced LPSRAM 技 術 を 採 用 し 高 密 度 高 性 能 低 消 費 電 力 を 実 現 しております したがって RMLV0816BGBG
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4Mbit 低消費電力 SRAM (256-kword 16-bit) R10DS0205JJ0100 Rev.1.00 概要 は 262,144 ワード 16 ビット構成の 4M ビットスタティック RAM です Advanced LPSRAM 技術を採用し 高密度 高性能 低消費電力を実現しております したがって RMLV0416E シリーズは バッテリバックアップシステムに最適です パッケージの種類は
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RNxx CMOS system RESET IC R0DS0090JJ000 Rev..00 0.0.0 RNxx. V,.6 V,.7 V,.8 V,.9 V,.0 V,. V,. V,. V,.6 V,.0 V, ±% CMOS, (0.7 μ),, ( MΩ) (RNxx) CMOS (RNBxx). V,.6 V,.7 V,.8 V,.9 V,.0 V,. V,. V,. V,.6 V,.0
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1 1,08,576-Word x -BiYNAMIC RAM : 2001 1 CMOS 1,08,576 2 CMOS 26/20 SOJ 26/20 TSOP L!"1,08,576!"5V 10%!" : TTL!" : TTL!" : 1,02 16ms 1,02 128ms L-!"!"CAS RAS RAS!"!" : 26/20 300mil SOJ (SOJ26/20-P-300-1.27)
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IC : = 2 MHz Max 2 : : TSSOP-20 RJJ03D0873-0200 Rev.2.00 2008.07.01 VIN Vout + DC 5 V DC 5 V DC 5 V DC 5 V DC 5 V Vbias (DC 12 V) VCC OUT -A GND OUT -B CS RAMP R2A20121 RT SYNC SS FB (+) OUT -C DELAY -1
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1/3 1/4 LCD NJU6535 LCD 1/3 1/4 LCD key(scan 6 Scan 5) CPU 3 4 42 41 1/3 126 1/4 164 LED NJU6535FH1 LCD 42 126 164 30 Scan 6 Scan 5 1/2, 1/3 LED 4 (,,, CS) (8 ) 4.5 ~ 5.5V 5.5V QFP64-H1 CMOS ( :P) -1-
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