HA17458シリーズ データシート

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1 お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ ( 1 年 月 1 日ルネサスエレクトロニクス株式会社 発行 ルネサスエレクトロニクス株式会社 ( 問い合わせ先

2 OA AV RoHS

3 デュアルオペアンプ RJJ3D67- (Previous: ADJ--A) Rev 概要 HA175 は内部位相補償型, 高性能のデュアル演算増幅器で, 計測制御用の分野に広範囲な応用が可能です 特長 電圧利得が高い : 1dB (Typ) 出力振幅が広い : ±13V (Typ) [at R L 2kΩ] 出力短絡に対して保護されている 内部位相補償型 製品ラインアップ 通信工業用 一般用 区分 型名 パッケージコード ( 旧パッケージコード ) HA175PS PRDPAF-A (DP-B) HA175FP PRSPDE-B (FP-DGV) HA175 PRDPAF-A (DP-B) HA175F PRSPDE-B (FP-DGV) Rev page 1 of

4 ピン配置 Vout1 1 V CC Vin( )1 Vin(+) Vout2 Vin( )2 V EE 5 Vin(+)2 (Top View) 回路構成 (1/2) V CC Vin(+) Vin( ) Vout to V EE to V CC to V CC V EE Rev page 2 of

5 絶対最大定格 (Ta = 25 C) 定格値項目記号 HA175 HA175PS HA175F HA175FP 単位 電源電圧 V CC V V EE V 入力電圧 V IN * 3 ±15 ±15 ±15 ±15 V 差動入力電圧 V IN (diff) ±3 ±3 ±3 ±3 V 許容損失 P T 67* 1 67* 1 35* 2 35* 2 mw 動作温度 Topr ~+75 ~+75 ~+75 ~+75 C 保存温度 Tstg 55~ ~ ~ ~+125 C 注 1. HA175/PS は,Ta = 5 C までの許容値であり, それ以上は.3mW/ C でディレーティングしてください 2. HA175F/FP を配線密度 3% のガラスエポキシ基板に実装した場合は,Ta = 31 C までは P T 67mW です これ以上は 7.1mW/ C でディレーティングしてください 3. 電源電圧が ±15V に満たない場合は, 入力電圧は電源電圧までです 電気的特性 電気的特性 1 (V CC = V EE = 15V, Ta = 25 C) 項目 記号 Min Typ Max 単位 測定条件 入力オフセット電圧 V IO mv R S 1kΩ 入力オフセット電流 I IO 6 na 入力バイアス電流 I IB 3 5 na 電源安定度 V IO / V CC 3 15 µv/v R S 1kΩ V IO / V EE 3 15 µv/v R S 1kΩ 電圧利得 A VD 6 1 db R L 2kΩ, V OUT = ±1V 同相弁別比 CMR 7 9 db R S 1kΩ 同相入力電圧範囲 V CM ±12 ±13 V 最大出力電圧振幅 V OP-P ±12 ±1 V R L = 1kΩ 消費電力 Pd 9 mw 無負荷,2 チャネル スルーレイト SR.6 V/µs A VD = 1 入力抵抗 R IN.3 1. MΩ 入力容量 C IN 6. pf 出力抵抗 R OUT 75 Ω 電気的特性 2 (V CC = V EE = 15V, Ta = ~+75 C) 項目記号 Min Typ Max 単位測定条件 入力オフセット電圧 V IO 9. mv R S 1kΩ 入力オフセット電流 I IO na 入力バイアス電流 I IB 11 na 電圧利得 A VD db R L 2kΩ, V OUT = ±1V 最大出力電圧振幅 V OP-P ±1 ±13 V R L = 2kΩ Rev page 3 of

6 主特性 Input Offset Voltage V IO (mv) Input Offset Voltage R < S = 1 kω Input Bias Current I IB (na) 1 6 Input Bias Current 6 6 Input Offset Current I IO (na) Input Offset Current Power Dissipation Pd (mw) 1 Power Dissipation No Load Both Amplifiers 6 6 Rev page of

7 Voltage Gain A VD (db) Voltage Gain R L = 2 kω Output Short Current I OS (ma) Output Short Current Source Sink V OP-P = V Power Dissipation Pd (mw) Power Dissipation vs. Supply Voltage No Load Both Amplifiers ±3 ±6 ±9 ±12 ±15 ±1 Supply Voltage V CC, V EE (V) Maximum Output Voltage Swing V OP-P (V) Maximum Output Voltage Swing vs. Supply Voltage +V OP-P V OP-P R L = 2 kω ±3 ±6 ±9 ±12 ±15 ±1 Supply Voltage V CC, V EE (V) Rev page 5 of

8 1 1 Voltage Gain vs. Frequency V CC = +15 V R L = 2 kω Voltage Gain A VD (db) k 3 k 1 k 3 k 1 k 3 k 1M Frequency (Hz) Phase Angle vs. Frequency Phase Angle (deg) 1 V CC = +15 V R L = 2 kω k 3 k 1 k 3 k 1 k 3 k 1 M 3 M Frequency (Hz) Rev page 6 of

9 Maximum Output Voltage Swing Vop-p (V) Maximum Output Voltage Swing vs. Frequency V CC = +15 V R L = 1 kω 1 5 1k 5k 1k 5k 1k 5k Frequency f (Hz) Maximum Output Voltage Swing Vop-p (V) Maximum Output Voltage Swing vs. Load Resistance V CC = +15 V k 5k 1k Load Resistance R L (Ω) Input and Output Voltage (V) 1 Voltage Follower Large Signal Pulse Response Output Input V CC = +15 V R L = 2 kω C L = 1 pf 1 6 Time (µs) Rev page 7 of

10 1 外形寸法図 JEITA Package Code P-DIP-6.3x RENESAS Code PRDPAF-A Previous Code DP-B MASS[Typ.].51g D 5 E.9 1 b 3 Z Reference Symbol Dimension in Millimeters Min Nom Max e A L A D E A A b p.3..5 b e b p θ e 1 c c θ e Z 1.27 L 2.5 JEITA Package Code P-SOP-.x RENESAS Code PRSPDE-B Previous Code FP-DGV MASS[Typ.].1g *1 5 F *2 E D b p c E H 1 NOTE) 1. DIMENSIONS"*1 (Nom)"AND"*2" DO NOT INCLUDE MOLD FLASH. 2. DIMENSION"*3"DOES NOT INCLUDE TRIM OFFSET. Index mark Z 1 e *3 b p x M Terminal cross section ( Ni/Pd/Au plating ) Reference Symbol D E A 2 A 1 A Dimension in Millimeters Min Nom Max L1 b p b 1 c c 1 A θ H E θ e 1.27 A L x.12 y Detail F y Z L L Rev page of

11 ( ( ) 9-12 ( ) ( 2F) 1-1- ( 13F) -9 ( ) 32-2 ( 1F) 1--2 ( 3F) ( 7F) ( ) -1-1 ( ) ( F) 5-25 ( F) ( ) ( 5F) (3) () (2) (22) (26) (29) (25) (263) (52) (6) (76) (2) (57) (92) csc@renesas.com 5. Renesas Technology Corp., All rights reserved. Printed in Japan. Colophon 5.5

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M51953A,B/M51954A,B データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2 年 4 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

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NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10 端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,

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