Microsoft Word - pre-ISGN-prog-v8.docx
|
|
|
- くにもと にかどり
- 7 years ago
- Views:
Transcription
1 9 th May, 206 (Monday) Opening (:00-:0) 大ホール三宅秀人 ( 三重大学 ) Session I: 基調講演大ホール PL-Mo- :0-4:00 (50min) 窒化物半導体パワーデバイスの研究開発の現状と今後の展望加地徹名古屋大学未来材料 システム研究所 T-Mo- 4:00-4:45 (45min) 窒化物半導体の光物性山口敦史金沢工業大学工学部 Session II: チュートリアル講演大ホール Coffee break (4:45-5:00) 2F ラウンジ Session III: チュートリアル講演大ホール T-Mo-2 5:00-5:45 (45min) VAS 法による GaN 基板結晶とホモエピ成長および GaN 基板上成長による電子デバイス特性の向上乙木洋平株式会社サイオクス
2 5:45-6:5 (25 2min) Session IV: 一般講演 I (Short Presentation I) 大ホール Mo-. Mo-2. Mo-. Mo-4. Mo-5. Mo-6. DLTS/MCTS 法による MOCVD 成長 n-gan の電子 - 正孔トラップ評価徳田豊 高林洸太 上田聖悟愛知工業大学 N 極性 (000 )InGaN における局所発光の III 族原料供給比依存性野々田亮平 谷川智之 正直花奈子 木村健司 窪谷茂幸 片山竜二 松岡隆志東北大学金属材料研究所 自立 GaN 基板上 m 面 Al -x In x N エピタキシャル薄膜の発光特性秩父重英 小島一信 山崎芳樹 2 上殿明良 東北大学多元物質科学研究所 2 筑波大学数理物質系物理工学域 SiC 基板上 AlN 層成長における基板ステップ端へのミスフィット転位導入金子光顕 木本恒暢 須田淳京都大学大学院工学研究科 Na フラックス法によるサファイア溶解を用いた自立 GaN 基板の反り評価山田拓海 今西正幸 中村幸介 村上航介 今林弘毅 松尾大輔 本城正智 丸山美帆子 今出完 吉村政志 森勇介大阪大学大学院工学研究科 数値解析による InGaN/GaN 多重量子井戸内の圧縮歪みに対する補償効果の検討向山裕次 M.E. Rudinsky 2, K. A. Bulashevich 2, E.V. Yakovlev 2 STR Japan 株式会社 2 STR-Group Soft-Impact Ltd., Mo-7. Mo-8. Mo-9. ホモエピタキシャル成長 n 型 GaN 縦型ショットキーバリアダイオードに表面から光照射したときの光電流前田拓也 上野昌紀 2 山本喜之 2 岡田政也 2 堀田昌宏 2 須田淳 京都大学大学院工学研究科 2 住友電気工業株式会社 SiC 基板上直接 GaN 成長における基板のレーザー処理の影響宮川鈴衣奈 宮地祐太 三好実人 江川孝志 江龍修名古屋工業大学大学院工学研究科 ScAlMgO 4 (000) 基板上 InGaN 薄膜における組成引き込み効果尾崎拓也 船戸充 川上養一京都大学大学院工学研究科
3 Mo-0. Mo-. Mo-2. Mo-. Mo-4. Mo-5. Mo-6. Mo-7. Mo-8. Mo-9. レーザ散乱を用いた InGaN 結晶成長表面粗さ回復の観察山本哲也 永松謙太郎 2 出来真斗 2 新田州吾 2 本田善央 2 天野浩 名古屋大学大学院工学研究科 2 名古屋大学未来材料 システム研究所未来エレクトロニクス集積研究センター 名古屋大学赤崎記念研究センター 4 名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリー アルミナ炭素熱還元法により AlN バッファ層上に成長した AlN の結晶性向上大塚誠 藤原圭吾 三宅秀人 2 福山博之 東北大学多元物質科学研究所 2 三重大学大学院地域イノベーション学研究科 PSD 法による GaN への低濃度ドーピング技術の開発上野耕平 荒川靖章 小林篤 太田実雄,2 藤岡洋 東京大学生産技術研究所 2 JST-PRESTO JST-ACCEL Si 基板上 (-0) 高 In 組成 InGaN 結晶の緩和過程久志本真希 本田善央,2, 天野浩 名古屋大学未来材料 システム研究所未来エレクトロニクス集積研究センター 2 名古屋大学赤崎記念研究センター 名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリー フッ素プラズマを用いた InN の表面電化蓄積層の影響軽減に関する研究福島駿介 臼田知志 荒木努 名西憓之立命館大学大学院理工学研究科 β-ga 2 O 単結晶基板を用いたショットキーバリアダイオードの評価藤木嘉樹 荒木努 Y. Moon 2 A. Kim 2 立命館大学大学院理工学研究科 2 UJL HVPE 法におけるファセット成長を介した埋め込み成長の全面低転位化機構岡田成仁 行實孝太 河原慎 松原徹 只友一行山口大学大学院創成科学研究科 高温アニール処理のスパッタ AlN 層における効果袴田淳哉 岩谷素顕 上山智 竹内哲也 三宅秀人 2 赤﨑勇 名城大学大学院理工学研究科 2 三重大学大学院地域イノベーション学研究科 名古屋大学赤崎記念研究センター GaInN トンネル接合と n 型 GaNSb による低温 p 側構造の作製鈴木健太 財部覚 高須賀大貴 小出典克 竹内哲也 岩谷素顕 上山智, 2 赤﨑勇 名城大学大学院理工学研究科 2 名古屋大学赤崎記念研究センター 窒化物半導体のガラス基板上への成長と薄膜トランジスタ応用小林篤 伊藤剛輝 上野耕平, 太田実雄 2 藤岡洋,,, 2,,4
4 東京大学生産技術研究所 2 JST さきがけ JST-ACCEL Mo-20. Mo-2. Mo-22. Mo-2. Mo-24. Mo-25. トリハライド気相成長法を用いた N 極性窒化ガリウムの高温成長竹川直 引田和弘 松田華蓮 林田直人 村上尚 熊谷義直 纐纈明伯東京農工大学大学院工学研究科応用化学部門 THz エリプソメトリーによる n 型 GaN 膜の電気的特性評価達紘平 浅上史歩, 藤井高志 荒木努 名西憓之 長島健 2 岩本敏志 佐藤幸徳 森田直 4 杉江隆一 4 上山智 立命館大学大学院理工学研究科 2 摂南大学 日邦プレシジョン 4 東レリサーチセンター 5 名城大学 微小なオフ角に由来する c 面 AlGaN/AlN ヘテロ界面における c 面すべりの可能性市川修平 船戸充 川上養一京都大学大学院工学研究科 マクロステップを利用した AlGaN 量子細線構造による温度消光の低減早川峰洋 林佑樹 市川修平 船戸充 川上養一京都大学大学院工学研究科 InN(000) 面および (000-) 面 MOVPE 成長の熱力学解析草場彰 寒川義裕 2 白石賢二 柿本浩一 2 纐纈明伯 九州大学大学院工学府 2 九州大学応用力学研究所 名古屋大学未来材料 システム研究所 4 東京農工大学大学院工学研究科 RF-MBE 法による GaN/Sapphire 上への Mg ドーピング GaN 成長藤田諒一 松田雅大 荒木努 名西憓之立命館大学大学院理工学研究科 4 5 一般講演 I (Poster Presentation I) + Exhibition (6:5-8:00) F ラウンジ 意見交換会 (8:00-9:0) 2F ラウンジ
5 0 th May, 206 (Tuesday) Session V: 特別講演 & 招待講演大ホール S-Tu- 9:00-9:45 (45min) 超高純度ダイヤモンドの成長とその物性寺地徳之物質 材料研究機構 I-Tu- 9:45-0:5 (0min) 放射光マイクロビーム X 線による InGaN 発光層の評価榊篤史, 川村朋晃, 宮野宗彦, 吉成篤史日亜化学工業株式会社 Coffee break (0:5-0:0) 2F ラウンジ 0:0-:20 (2 2min) Session VI: 一般講演 II (Short Presentation II) 大ホール Tu-. Tu-2. Tu-. Tu-4. ラマン散乱スペクトルにおけるファノ干渉を用いた窒化物半導体の正孔濃度評価モデルの検討坂本裕則 馬蓓 森田健 石谷善博千葉大学大学院工学研究科 GaN 単結晶の絶対輻射量子効率測定小島一信 大友友美, 斉藤真 2 池田宏隆 2 藤戸健史 2 秩父重英 東北大学多元物質科学研究所 2 三菱化学株式会社 OVPE 成長条件下における GaN(000) 表面状態の解析河村貴宏 北本啓 2 今出完 2 吉村政志 2 森勇介 2 森川良忠寒川義裕 柿本浩一 三重大学大学院工学研究科 2 大阪大学大学院工学研究科 九州大学応用力学研究所 ハフニウム上への GaN 薄膜成長と発光素子への応用 2
6 金惠蓮, 太田実雄 2 井上茂 小林篤 上野耕平, 藤岡洋 The Univ. of Tokyo, 2 JST-PRESTO, JST-ACCEL Tu-5. Tu-6. Tu-7. Tu-8. Tu-9. Tu-0. Tu-. Tu-2. Tu-. r 面サファイア上への a 面 AlN 成長におけるバッファ層の成長温度およびバッファ層アニール条件依存性林家弘 山下泰弘, 三宅秀人 2 平松和政 三重大学大学院工学研究科 2 三重大学大学院地域イノベーション学研究科 ESVPE 成長 AlN の厚膜化に伴う歪および転位の評価岸元克浩 Wu PeiTsen 船戸充 川上養一京都大学大学院工学研究科 光電流測定による窒化物系 LED の内部量子効率評価宇佐美茂佳, 本田善央 2, 2,, 4 天野浩 名古屋大学大学院工学研究科 2 名古屋大学未来材料 システム研究所未来エレクトロニクス集積研究センター 名古屋大学赤崎記念研究センター 4 名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリー ハイドライド気相成長法における GaN ファセット形状と転位挙動行實孝太 河原慎 岡田成仁 只友一行山口大学大学院創成科学研究科 N 極性 InGaN/GaN 量子井戸の微視的構造 光学特性谷川智之 正直花奈子 野々田亮平 窪谷茂幸 片山竜二 松岡隆志 高宮健吾 2 矢口裕之 2 秋山英文 東北大学金属材料研究所 2 埼玉大学大学院理工学研究科 東京大学物性研究所 GaN ナノコラム上 InGaN ナノコラムにおける成長機構の系統的検討大音隆男 水野祐太郎 柳原藍 宮川倫 加納達也 吉田純榊原直樹, 2 岸野克巳 上智大学理工学部機能創造理工学科 2 上智大学ナノテクリサーチセンター Nano-size concavo-convex (NCC) サファイア基板を用いた高品質 AlN 膜成長, 吉川陽 岩谷素顕 竹内哲也 上山智, 2 赤﨑勇 名城大学大学院理工学研究科 2 名古屋大学赤崎記念研究センター 旭化成 r 面サファイアの窒化による a 面 AlN 薄膜の形成と Ga-Al 液相法によるその厚膜化安達正芳 福山博之東北大学多元物質科学研究所 トリハライド気相成長法による GaN 成長の基板面方位依存性松田華蓮 磯憲司 竹川直 引田和宏 林田直人 村上尚 纐纈明伯東京農工大学大学院工学府応用化学専攻
7 Tu-4. Tu-5. Tu-6. Tu-7. Tu-8. Tu-9. Tu-20. Tu-2. Tu-22. Tu-2. 短周期配列ナノコラムの黄色領域光励起レーザ発振松井祐三 石沢峻介 本山界, 2 岸野克巳 上智大学理工学部機能創造理工学科 2 上智大学ナノテクリサーチセンター GaN キャップ層導入による低温成長 AlN 層の高品質化および水分解光電極の特性向上中村亮裕 藤井克司 2 中野義昭 杉山正和 東京大学大学院工学系研究科 2 北九州市立大学環境技術研究所 窒化物半導体 HFET 型光センサの動作に関する温度依存性牛田彩希, 吉川陽 岩谷素顕 上山智 竹内哲也 赤﨑勇 名城大学大学院理工学研究科 2 名古屋大学赤崎記念研究センター 旭化成 窒化物混晶半導体の IQB 理論による電子状態計算岸彩香 小田将人 篠塚雄三和歌山大学大学院システム工学研究科 GaN における定常状態励起子分子準位間遷移過程理論計算野町健太郎 岩堀友洋 大木健輔 馬蓓 森田健 石谷善博千葉大学大学院工学研究科 Effect of Oxygen on Surface Morphology and Crystalline Quality of AlN Films Deposited by Pulsed DC Reactive Sputtering Noorprajuda Marsetio, Makoto Ohtsuka, Hiroyuki Fukuyama Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University 非熱平衡状態における GaN 励起子ダイナミクスの実験解析及び数値計算馬蓓 竹内和真 石谷善博 三宅秀人 2 2 平松和政 千葉大学大学院工学系研究科 2 三重大学大学院工学系研究科 微小共振器による Eu 添加 GaN の発光モード制御稲葉智宏 児島貴徳 小泉淳 藤原康文大阪大学大学院工学研究科 Na フラックス法によるマルチポイントシード上への (-22)GaN 結晶成長金度勲 今西正幸 山田拓海 本城正智 村上航介 松尾大輔 今林弘毅 丸山美帆子 今出完 吉村政志 森勇介大阪大学大学院工学研究科 メタンガスを添加した Na フラックス法における GaN 成長速度の向上今出完 小川翔悟 今西正幸 村上航介 今林弘毅 松尾大輔 本城正智 丸山美帆子 吉村政志 森勇介大阪大学大学院工学研究科, 2
8 Lunch break (:20-2:0) 一般講演 II (Poster Presentation II) + Exhibition (2:0-4:00) F ラウンジ Session VII: チュートリアル講演 & 招待講演大ホール I-Tu-2 4:00-4:0 (0min) 歪補償障壁層を用いた橙色 InGaN 系 LED 飯田大輔 芦深 秋田谷健人 丹羽一将 2 上山智 2 大川和宏 東京理科大学応用物理学科 2 名城大学理工学研究科 I-Tu- 4:0-5:00 (0min) GaN と AlN の物性定数の同定と (Al,Ga)N 系半導体の物性予測石井良太 船戸充 川上養一京都大学大学院工学研究科 I-Tu-4 5:00-5:0 (0min) ナノインデンテーションを用いた InN の弾性特性の解明出浦桃子 沓掛健太朗 大野裕 米永一郎 王新強 東北大学金属材料研究所 2 北京大学 2 T-Tu- 5:0-6:5 (45min) GaN の MOVPE 成長と表面過飽和度赤坂哲也日本電信電話株式会社 NTT 物性科学基礎研究所 Closing (6:5-6:45) 大ホール藤岡洋 ( 東京大学 )
Th-0, 5:33-5:36 Technical Program Si 上 AlN ダブルバッファ層の界面反応エピタキシャル成長と RF-MBE 法成長 AlN on Si 膜 の XRD 評価 同志社大学界面反応成長研究所, 同志社大学理工学部, 3 アリオス株式会社 大鉢忠,, 佐藤祐喜, 吉
7th May, 05 Thursday 東北大学片平さくらホール F Opening (3:00-3:0) 三宅秀人 ( 三重大学 ) Session I: 基調講演座長 : 三宅秀人 ( 三重大学 ) P-, 3:0-4:00( 基調講演 ) 窒化物半導体の開発経緯とその将来東北大学金属材料研究所松岡隆志 Session II: チュートリアル講演座長 : 福山博之 ( 東北大学 ) T-Th-,
Th-P2 GaN 表面上 Ga 吸着層の構造解析 佐々木拓生 岩田卓也 2 高橋正光 2 量子科学技術研究開発機構 2 兵庫県立大学 Th-P3 GaN(000) 表面におけるステップの安定性に関する理論的検討 相可拓巳 アブドゥルムィッツプラディプト 秋山亨 中村浩次 伊藤智徳 Th-P4 Th
第 0 回ナノ構造 エピタキシャル成長講演会 平成 30 年 7 月 2 日 -3 日 名古屋大学 ES 館 ES ホール 2 th July 208 (Thursday) Opening (3:00-3:0) ES ホール 三宅秀人 ( ) Session I :(3:0-4:45)ES ホール基調講演 (3:0-4:00) PL- Transformative Electronics が築く未来社会天野浩名古屋大学
PowerPoint プレゼンテーション
加工 Si 基板上への 非極性 GaN 結晶成長 1) 名古屋大学工学研究科 赤崎記念研究センター 2) 愛知工業大学工学研究科 1) 本田善央 1) 谷川智之 1) 鈴木希幸 1) 山口雅史 2) 澤木宣彦 豊田講堂時計台 赤崎研究センター auditorium Akasaki research center 常圧 MOVPE 減圧 MOVPE (2inch) HVPE MOVPE #3 MOVPE
AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル
AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更
研究の背景有機薄膜太陽電池は フレキシブル 低コストで環境に優しいことから 次世代太陽電池として着目されています 最近では エネルギー変換効率が % を超える報告もあり 実用化が期待されています 有機薄膜太陽電池デバイスの内部では 図 に示すように (I) 励起子の生成 (II) 分子界面での電荷生
報道関係者各位 平成 6 年 8 月 日 国立大学法人筑波大学 太陽電池デバイスの電荷生成効率決定法を確立 ~ 光電エネルギー変換機構の解明と太陽電池材料のスクリーニングの有効なツール ~ 研究成果のポイント. 太陽電池デバイスの評価 理解に重要な電荷生成効率の決定方法を確立しました. これにより 有機薄膜太陽電池が低温で動作しない原因が 電荷輸送プロセスにあることが明らかになりました 3. 本方法は
Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver８青柳（最終版）
別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)
第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発
第 1 回窒化物半導体応用研究会 平成 20 年 2 月 8 日 GaN 結晶成長技術の開発 半導体事業部 伊藤統夫 第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発 弊社社名変更について 2006
ERATO中村不均一結晶プロジェクト事後評価報告書（案）
総括責任者 : 中村修二 カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料物性工学部/ 教授 研究体制 : 不均一結晶バルクグループ ( カリフォルニア大学サンタバーバラ校 ) 不均一結晶薄膜グループ ( カリフォルニア大学サンタバーバラ校 東京理科大学 ) 不均一結晶評価グループ ( 筑波大学 ) 評価委員 ( あいうえお順 は主査 ): 纐纈明伯 東京農工大学大学院共生科学技術研究院/ 院長 名西憓之 立命館大学理工学部電子情報工学科/
Microsoft PowerPoint - H30パワエレ-3回.pptx
パワーエレクトロニクス 第三回パワー半導体デバイス 平成 30 年 4 月 25 日 授業の予定 シラバスより パワーエレクトロニクス緒論 パワーエレクトロニクスにおける基礎理論 パワー半導体デバイス (2 回 ) 整流回路 (2 回 ) 整流回路の交流側特性と他励式インバータ 交流電力制御とサイクロコンバータ 直流チョッパ DC-DC コンバータと共振形コンバータ 自励式インバータ (2 回 )
率 九州 ( 工 -エネルギー科学) 新潟 ( 工 - 力学 ) 神戸 ( 海事科学 ) 60.0 ( 工 - 化学材料 ) 岡山 ( 工 - 機械システム系 ) 北海道 ( 総合理系 - 化学重点 ) 57.5 名古屋工業 ( 工 - 電気 機械工 ) 首都大学東京
率 93 東京工業 ( 生命理工 - 生命理工 ) 67.5 東京 ( 理科一類 ) 67.5 90 九州 ( 工 - 機械航空工 ) 67.5 ( 理科二類 ) 67.5 89 九州 ( 工 - 電気情報工 ) 65.0 京都 ( 工 - 情報 ) 65.0 87 筑波 ( 理工 - 工学システム ) 九州 ( 工 - 建築 ) 65.0 86 北海道 ( 工 - 情報エレクトロニクス ) 60.0
PowerPoint プレゼンテーション
半極性バルク GaN 基板上への LED の開発 実用レベルの発光効率と面内偏光の実現 船戸充講師, 川上養一助教授, 上田雅也 (D1) 京都大学 工学研究科 電子工学専攻 成川幸男, 小杉卓生, 高橋正良, 向井孝志日亜化学工業株式会社 謝辞 : 京都ナノテク事業創造クラスター 背 景 III 族窒化物半導体 :AlN,GaN,InN 紫外域 (AlN) から可視域 (GaN) を通って赤外域
Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx
InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE
世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功
同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功 - 高性能量子ドットデバイス実現に向けた研究がさらに加速 - 平成 24 年 6 月 4 日 独立行政法人物質 材料研究機構 概要 : 独立行政法人物質 材料研究機構 ( 理事長 : 潮田資勝 ) 先端フォトニクス材料ユニット ( ユニット長
2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 I II III 11 IV 12 V 13 VI VII 14 VIII. 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 _ 33 _ 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 VII 51 52 53 54 55 56 57 58 59
untitled
i ii iii iv v 43 43 vi 43 vii T+1 T+2 1 viii 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 a) ( ) b) ( ) 51
i
14 i ii iii iv v vi 14 13 86 13 12 28 14 16 14 15 31 (1) 13 12 28 20 (2) (3) 2 (4) (5) 14 14 50 48 3 11 11 22 14 15 10 14 20 21 20 (1) 14 (2) 14 4 (3) (4) (5) 12 12 (6) 14 15 5 6 7 8 9 10 7
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 () - 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57
PowerPoint プレゼンテーション
CIGS 太陽電池の研究開発 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 1 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 2
Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx
超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.
様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に
様式 20 先端研究助成基金助成金 ( 最先端 次世代研究開発支援プログラム ) 実績報告書 本様式の内容は一般に公表されます 研究課題名 TB-ⅡF-S 1 615,300 615,300 2011/7/25 4N Ga 10kg 1 724,500 724,500 2011/9/22 D2 Phaser- BS 1 5,775,000 5,775,000 2011/11/22 ( 株 ) 第一機電製
A1 大町 G9 本間 S22 山崎 45 19% C22 武田 K0 渡辺 ( 祐 ) G15 伊敷 S22 山崎 C8 三ツ石 E11 川崎 G19 石井 46 18%
1.510 K4 岡里 1.179 S4 柏木 1.412 C20 友寄 1 140% B4 徳田 1.000 K4 岡里 1.296 B6 濱田 1.550 K4 岡里 2.450 E7 佐久間 2.114 G15 伊敷 2.400 E1 中嶋 2 125% M6 西川 2.020 A12 中村 2.256 C9 丸山 2.543 F23 荻原 3.448 C20 友寄 3.113 K0 渡辺 (
PowerPoint プレゼンテーション
研究分野紹介 化合物薄膜太陽電池 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 化合物薄膜太陽電池とは何か?
hetero
ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 製造プロセス及び研究開発 / 技術動向 ( その 1) 平成 29 年 11 月 APT 代表 村田正義 ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 あ ( 出典 )https://www.panasonic.com/jp/corporate/technology-design/technology/hit.html ヘテロ接合型太陽電池セルの歴史 1980 年に当時の三洋電機
入門ガイド
ii iii iv NEC Corporation 1998 v P A R 1 P A R 2 P A R 3 T T T vi P A R T 4 P A R T 5 P A R T 6 P A R T 7 vii 1P A R T 1 2 2 1 3 1 4 1 1 5 2 3 6 4 1 7 1 2 3 8 1 1 2 3 9 1 2 10 1 1 2 11 3 12 1 2 1 3 4 13
<4D6963726F736F667420506F776572506F696E74202D208376838C835B83938365815B835683878393312E707074205B8CDD8AB78382815B83685D>
i i vi ii iii iv v vi vii viii ix 2 3 4 5 6 7 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60
SC-85X2取説
I II III IV V VI .................. VII VIII IX X 1-1 1-2 1-3 1-4 ( ) 1-5 1-6 2-1 2-2 3-1 3-2 3-3 8 3-4 3-5 3-6 3-7 ) ) - - 3-8 3-9 4-1 4-2 4-3 4-4 4-5 4-6 5-1 5-2 5-3 5-4 5-5 5-6 5-7 5-8 5-9 5-10 5-11
QOBU1011_40.pdf
印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)
この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスであ
この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスである 量子効果 ナノデバイスとその応用について学ぶ 2 年 量子力学 1,2 電子物性工学 1 半導体デバイス
Microsoft PowerPoint - 天野教授講演PPT
2014 年 12 月 28 日 ( 日 )10:35-11:00 第 8 回日中省エネルギー 環境総合フォーラム GaN を用いた新しいエレクトロニクスと 省 創エネルギーへの貢献 名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻教授名古屋大学赤﨑記念研究センター長天野浩 1/22 なぜ研究テーマとして青色 LED を選んだか? 1970 1980 1990 1967 気相成長 AlN 松下技研 赤﨑
untitled
1 日目 10 月 27 日 木 第 1 会場 国際会議室 開会の辞 12 15 12 20 ランチョンセミナー 1 12 20 13 10 共催 大鵬薬品工業株式会社 LS- 1 座長 齊藤 博昭 鳥取大学医学部 病態制御外科学分野 今度どうなる 胃癌の術後補助化学療法 小寺 泰弘 名古屋大学大学院医学系研究科 消化器外科学 主題 1 高齢者進行胃癌に対する治療戦略 定型か縮小か 13 20 14
untitled
インクジェットを利用した微小液滴形成における粘度及び表面張力が与える影響 色染化学チーム 向井俊博 要旨インクジェットとは微小な液滴を吐出し, メディアに対して着滴させる印刷方式の総称である 現在では, 家庭用のプリンターをはじめとした印刷分野以外にも, 多岐にわたる産業分野において使用されている技術である 本報では, 多価アルコールや界面活性剤から成る様々な物性値のインクを吐出し, マイクロ秒オーダーにおける液滴形成を観察することで,
これわかWord2010_第1部_100710.indd
i 1 1 2 3 6 6 7 8 10 10 11 12 12 12 13 2 15 15 16 17 17 18 19 20 20 21 ii CONTENTS 25 26 26 28 28 29 30 30 31 32 35 35 35 36 37 40 42 44 44 45 46 49 50 50 51 iii 52 52 52 53 55 56 56 57 58 58 60 60 iv
パワポカバー入稿用.indd
i 1 1 2 2 3 3 4 4 4 5 7 8 8 9 9 10 11 13 14 15 16 17 19 ii CONTENTS 2 21 21 22 25 26 32 37 38 39 39 41 41 43 43 43 44 45 46 47 47 49 52 54 56 56 iii 57 59 62 64 64 66 67 68 71 72 72 73 74 74 77 79 81 84
これでわかるAccess2010
i 1 1 1 2 2 2 3 4 4 5 6 7 7 9 10 11 12 13 14 15 17 ii CONTENTS 2 19 19 20 23 24 25 25 26 29 29 31 31 33 35 36 36 39 39 41 44 45 46 48 iii 50 50 52 54 55 57 57 59 61 63 64 66 66 67 70 70 73 74 74 77 77
Microsoft PowerPoint 修論発表_細田.ppt
0.0.0 ( 月 ) 修士論文発表 Carrier trasort modelig i diamods ( ダイヤモンドにおけるキャリヤ輸送モデリング ) 物理電子システム創造専攻岩井研究室 M688 細田倫央 Tokyo Istitute of Techology パワーデバイス基板としてのダイヤモンド Proerty (relative to Si) Si GaAs SiC Ga Diamod
マスコミへの訃報送信における注意事項
原子層レベルの厚さの超伝導体における量子状態を解明 乱れのない 2 次元超伝導体の本質理解とナノエレクトロニクス開発の礎 1. 発表者 : 斎藤優 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻博士課程 1 年 ) 笠原裕一 ( 京都大学大学院理学研究科物理学 宇宙物理学専攻准教授 ) 叶劍挺 (Groningen 大学 Zernike 先端物質科学研究所准教授 ) 岩佐義宏 ( 東京大学大学院工学系研究科附属量子相エレクトロニクス研究センター
44 4 I (1) ( ) (10 15 ) ( 17 ) ( 3 1 ) (2)
(1) I 44 II 45 III 47 IV 52 44 4 I (1) ( ) 1945 8 9 (10 15 ) ( 17 ) ( 3 1 ) (2) 45 II 1 (3) 511 ( 451 1 ) ( ) 365 1 2 512 1 2 365 1 2 363 2 ( ) 3 ( ) ( 451 2 ( 314 1 ) ( 339 1 4 ) 337 2 3 ) 363 (4) 46
i ii i iii iv 1 3 3 10 14 17 17 18 22 23 28 29 31 36 37 39 40 43 48 59 70 75 75 77 90 95 102 107 109 110 118 125 128 130 132 134 48 43 43 51 52 61 61 64 62 124 70 58 3 10 17 29 78 82 85 102 95 109 iii
262014 3 1 1 6 3 2 198810 2/ 198810 2 1 3 4 http://www.pref.hiroshima.lg.jp/site/monjokan/ 1... 1... 1... 2... 2... 4... 5... 9... 9... 10... 10... 10... 10... 13 2... 13 3... 15... 15... 15... 16 4...
平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形
平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形成直後に固体電解質から電極へのリチウムイオンが自発的に移動 概要 東京工業大学の一杉太郎教授らは 東北大学の河底秀幸助教
178 5 I 1 ( ) ( ) 10 3 13 3 1 8891 8 3023 6317 ( 10 1914 7152 ) 16 5 1 ( ) 6 13 3 13 3 8575 3896 8 1715 779 6 (1) 2 7 4 ( 2 ) 13 11 26 12 21 14 11 21
I 178 II 180 III ( ) 181 IV 183 V 185 VI 186 178 5 I 1 ( ) ( ) 10 3 13 3 1 8891 8 3023 6317 ( 10 1914 7152 ) 16 5 1 ( ) 6 13 3 13 3 8575 3896 8 1715 779 6 (1) 2 7 4 ( 2 ) 13 11 26 12 21 14 11 21 4 10 (
University of Tsukuba Graduate School Cooperative Graduate School System 1 2 3 4 8 17 33 35 University of Tsukuba Graduate School Cooperative Graduate School System 1 2 University of Tsukuba Graduate School
マスコミへの訃報送信における注意事項
磁性体が乱れによって量子スピン液体に生まれ変わる 1. 発表者 : 古川哲也 ( 東京理科大学理学部第一部応用物理学科助教 / 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻学術支援専門職員 : 研究当時 ) 宮川和也 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻助教 ) 伊藤哲明 ( 東京理科大学理学部第一部応用物理学科准教授 ) 伊藤美穂 ( 埼玉大学大学院理工学研究科物質科学部門大学院生 : 研究当時
平成18年版 男女共同参画白書
i ii iii iv v vi vii viii ix 3 4 5 6 7 8 9 Column 10 11 12 13 14 15 Column 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 Column 27 28 29 30 Column 31 32 33 34 35 36 Column 37 Column 38 39 40 Column 41 42 43 44 45
Title
SIMS のアーティファクトについて ナノサイエンス株式会社 永山進 1 artifact( アーティファクト ) とは? 辞書を調べると Artifact ( 考古学 ), 人工品 人工遺物 ( 先史時代の単純な器物 宝石 武器など ) 出土品 Artifact ( 技術的なエラー ), 技術的な側面から入り込むデーターにおける望ましくない変化 ( 測定や解析の段階で発生したデータのエラーや解析のゆがみ
低転位GaN 基板上の低抵抗・高耐圧GaNダイオード
エレクトロニクス 低転位 G a N 基板上の低抵抗 高耐圧 G a N ダイオード 住 吉 和 英 * 岡 田 政 也 上 野 昌 紀 木 山 誠 中 村 孝 夫 Low On-Resistance and High Breakdown Voltage GaN SBD on Low Dislocation Density GaN Substrates by Kazuhide Sumiyoshi,
1... 1... 1... 3 2... 4... 4... 4... 4... 4... 6... 10... 11... 15... 30
1 2420128 1 6 3 2 199103 189/1 1991031891 3 4 5 JISJIS X 0208, 1997 1 http://www.pref.hiroshima.lg.jp/site/monjokan/ 1... 1... 1... 3 2... 4... 4... 4... 4... 4... 6... 10... 11... 15... 30 1 3 5 7 6 7
SP8WS
GIXS でみる 液晶ディスプレイ用配向膜 日産化学工業株式会社 電子材料研究所 酒井隆宏 石津谷正英 石井秀則 遠藤秀幸 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門 Ⅰ 小金澤智之 広沢一郎 背景 Ⅰ ~ LCD の表示品質 ~ 液晶ディスプレイ (LCD) 一方向に揃った ( 配向した ) 液晶分子を電圧により動かすことで表示 FF 液晶分子 液晶配向と表示品質 C 電極 液晶分子の配向が乱れると表示品質が悪化
理学研究科 ( 生命理学専攻の大学院生には開放科目の対象外 ) 生命理学特別講義 0 大学院開講科目 生命理学特別講義 大学院開講科目 生命理学特別講義 大学院開講科目 生命理学特別講義 3 大学院開講科目 生命理学特別講義 4 大学院開講科目 生命理学特別講義 5 大学院開講科目 生命理学特別講義
< 共通科目 >( すべての専攻を対象とします ) 自然科学連携講義 3( 豊田理研 ) 大学院開講科目 : 未定豊田理化学研究所日程調整中別途通知 理学研究科物質理学専攻 ( 化学系 ) での開講講義 < 他専攻科目 > 理学研究科 ( 物質理学専攻 ( 化学系 ) 所属の大学院生には開放科目の対象外 ) 量子化学 Ⅱ 学部開講科目 コア有機化学大学院開講科目 コア無機化学大学院開講科目 コア物理化学大学院開講科目
(215) 121 MBE 法による GaN 単結晶基板上への Ⅲ 族窒化物半導体のホモエピタキシャル成長 田邉智之 ( 電気電子工学専攻 ) 渡邉肇之 ( 電気電子工学科 ) 小野基 ( 電気電子工学科 ) 南場康成 ( 電気電子工学専攻 ) 倉井聡 ( 電気電子工学科 ) 田口常正 ( 電気電子
(215) 121 MBE 法による GaN 単結晶基板上への Ⅲ 族窒化物半導体のホモエピタキシャル成長 田邉智之 ( 電気電子工学専攻 ) 渡邉肇之 ( 電気電子工学科 ) 小野基 ( 電気電子工学科 ) 南場康成 ( 電気電子工学専攻 ) 倉井聡 ( 電気電子工学科 ) 田口常正 ( 電気電子工学科 ) 井上孝行 ( ジャパンエナジー精製技術センター ) 栗田博 ( ジャパンエナジー精製技術センター
スライド 1
1 2017/8/3 GaN とほぼ格子整合する 新しい ITO 膜の形成技術 京都工芸繊維大学電気電子工学系 助教 西中浩之 2 発明の概要 ビックスバイト構造 (bcc-ito) 安定相 菱面体晶構造 (rh-ito) 準安定相 現在利用されている ITO は全て ビックスバイト構造もしくは非晶質 菱面体晶構造 (rh-ito) は合成に高圧が必要なため 作製例がほとんどなかった 新技術では この
PowerPoint Presentation
半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 11//'11 1 1. 復習 : 基本方程式 キャリア密度の式フェルミレベルの位置の計算ポアソン方程式電流密度の式 連続の式 ( 再結合 ). 接合. 接合の形成 b. 接合中のキャリア密度分布 c. 拡散電位. 空乏層幅 e. 電流 - 電圧特性 本日の内容 11//'11 基本方程式 ポアソン方程式 x x x 電子 正孔 キャリア密度の式
GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術 大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作 伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Inject
高耐圧 GaN パワーデバイス開発 松下電器産業 ( 株 ) 半導体社半導体デバイス研究センター 上田哲三 GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術 大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作 伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Injection
1 マイクロワット閾値を持つ シリコンラマンレーザー 大阪府立大学大学院 工学研究科 電子物理工学分野准教授 高橋 和
1 マイクロワット閾値を持つ シリコンラマンレーザー 大阪府立大学大学院 工学研究科 電子物理工学分野准教授 高橋 和 発明の概要 世界最高 Q 値を達成しているヘテロ構造ナノ共振器を用いて マイクロワット閾値をもつシリコンラマンレーザーを作製した レーザー素子は シリコン (001) 基板に穴をあけるだけで作製でき 素子サイズは 10 ミクロン程度である 従来の結晶方向から 45 度傾けてデバイスを作製
Microsystem Integration & Packaging Laboratory
2015/01/26 MemsONE 技術交流会 解析事例紹介 東京大学実装工学分野研究室奥村拳 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 1 事例紹介 1. 解析の背景高出力半導体レーザの高放熱構造 2. 熱伝導解析解析モデルの概要 3. チップサイズの熱抵抗への影響 4. 接合材料の熱抵抗への影響 5. ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 Microsystem
ポイント 太陽電池用の高性能な酸化チタン極薄膜の詳細な構造が解明できていなかったため 高性能化への指針が不十分であった 非常に微小な領域が観察できる顕微鏡と化学的な結合の状態を調査可能な解析手法を組み合わせることにより 太陽電池応用に有望な酸化チタンの詳細構造を明らかにした 詳細な構造の解明により
この度 名古屋大学大学院工学研究科の望月健矢大学院生 後藤和泰助教 黒川康良准教授 山本剛久教授 宇佐美徳隆教授らは 太陽電池への応用に有 望な電気的特性を示す酸化チタン注 1) 極薄膜を開発しました さらに その微小領域 の構造を明らかにすることに世界で初めて成功しました 近年 原子層堆積法注 2) を用いて製膜した酸化チタン薄膜は 結晶シリコン注 3) の太 陽電池において 光で生成した電子を収集する材料として優れた特性を示すため
エクセルカバー入稿用.indd
i 1 1 2 3 5 5 6 7 7 8 9 9 10 11 11 11 12 2 13 13 14 15 15 16 17 17 ii CONTENTS 18 18 21 22 22 24 25 26 27 27 28 29 30 31 32 36 37 40 40 42 43 44 44 46 47 48 iii 48 50 51 52 54 55 59 61 62 64 65 66 67 68
記者発表資料
2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン
学位論文題目 Title 氏名 Author 専攻分野 Degree 学位授与の日付 Date of Degree Resource Type 報告番号 Report Number URL Kobe University Repository : Thesis 有機強誘電体薄膜の構造 配向制御および焦電デバイス応用に関する研究 黒田, 雄介 博士 ( 工学 ) 2013-03-25 Thesis or
第 38 回連盟会長杯混合ダブルス卓球大会 2 位トーナメント高槻市総合体育館 一般入賞 1 位 : 準優勝 2 位 : 優勝 3 位 : 優勝 4 位 : 優勝 コート 組 白木 幡司宮川 遠藤妹藤 青木浅田 井上 パナクラブ GBZ 金星クラブ ユ
第 38 回連盟会長杯混合ダブルス卓球大会 1 位トーナメント高槻市総合体育館 一般入賞 1 位 : 準優勝 2 位 : 優勝 3 位 : 優勝 4 位 : 優勝 コート組 1 1 2 2 3 3 4 4 5 5 6 6 白木 幡司宮川 遠藤妹藤 青木浅田 井上 パナクラブ GBZ 金星クラブ ユアサアグリゲーション高野 TC 0 阿部 宮崎橋本 前田上田 入江杦岡 長谷川 3 きゃのん 千里金蘭大学
指定大学院一覧（差替）.xlsx
指定大学院臨床心理学専攻 ( コース ) 一覧第 1 種指定大学院 (159 校 / 修了後 直近の審査の受験可 ) 平成 29 年 (2017) 年 4 月 1 日現在 所在県名種別大学院名研究科名専攻名領域 ( コース ) 名 1 北海道 国 北海道大学大学院 教育学院 教育学専攻 臨床心理学講座 2 北海道 私 札幌学院大学大学院 臨床心理学研究科 臨床心理学専攻 3 北海道 私 札幌国際大学大学院
<4D F736F F D D91208D918CF697A791E58A7795CE8DB7926C C F2E646F63>
全国国公立大学偏差値ランキング 東京大学 [ 理 3 国 東京 ]79 京都大学 [ 医医 国 京都 ]78 東京大学 [ 文 1 国 東京 ]77 大阪大学 [ 医医 国 大阪 ]77 東京大学 [ 文 2 国 東京 ]76 東京大学 [ 文 3 国 東京 ]75 東京医科歯科大学 [ 医医 国 東京 ]74 名古屋大学 [ 医医 国 愛知 ]74 東北大学 [ 医医 国 宮城 ]73 千葉大学
窒化アルミニウムによる 高効率フィールドエミッションを実現 ディスプレイパネル実用レベルのフィールドエミッション特性
Copyright NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation. All rights reserved. ダイヤモンド 高周波電力デバイスの開発とマイクロ波 ミリ波帯電力増幅器への応用 (614314) 研究代表者嘉数誠 (1) NTT 物性科学基礎研究所 研究分担者植田研二 (2) 小林康之 中川匡夫 NTT 物性科学基礎研究所 NTT 未来ねっと研究所
Microsoft PowerPoint - crystal1-1 [互換モード]
![Microsoft PowerPoint - crystal1-1 [互換モード]](/thumbs/93/113065212.jpg "Microsoft PowerPoint - crystal1-1 [互換モード]")
結晶工学特論 part I 鍋谷暢一 化合物半導体とエピタキシー Light Emitting Diode(LED) Laser Diode(LD) Photo Diode(PD) Solar Cell 化合物半導体デバイス Metal-Semiconductor Field Effect Transistor(MESFET) Hetero Bipolar Transistor(HBT) High
第 回平成 年度日本男子ソフトボール東日本リーグ 記録 号 第 日 05 年 05 月 08 日 第 節 試合時間 : 0 時間 5 分 試合番号 5 通算成績 勝 敗 0 分 ホンダエンジニアリング ( 投手 ) 岡﨑建斗 x 勝 0 敗 0 分 ( 投手
第 回平成 年度日本男子ソフトボール東日本リーグ 記録 号 第 日 05 年 05 月 08 日第 節試合時間 : 0 時間 50 分試合番号 通算成績埼玉県庁クラブ 0 0 0 0 0 0 0 勝 敗 0 分ホンダエンジニアリング 0 0 0 0 x 勝 0 敗 0 分 ( 投手 ) 吉形太佑, 矢野崇史 ( 投手 ) 永吉孝臣, 吉田大祐 ( 捕手 ) 石谷彰浩 北澤慶介 床井優介 第 日 05
01_.g.r..
I II III IV V VI VII VIII IX X XI I II III IV V I I I II II II I I YS-1 I YS-2 I YS-3 I YS-4 I YS-5 I YS-6 I YS-7 II II YS-1 II YS-2 II YS-3 II YS-4 II YS-5 II YS-6 II YS-7 III III YS-1 III YS-2
<6D31335F819A A8817A89C896DA93C782DD91D682A6955C816991E58A A CF8D588CE3817A C8B8F82B382F1817A7
電気電子工学専攻 54001 電磁波特論 2-0-0 電気電子コース EEE.S401 電気電子工学専攻 54002 無線通信工学 2-0-0 電気電子コース EEE.S451 Advanced Electromagnetic Waves ( 電磁波特論 ) Wireless Communication Engineering ( 無線通信工学 ) 旧電磁波特論あるいは旧 Advanced Electromagnetic
ii iii iv CON T E N T S iii iv v Chapter1 Chapter2 Chapter 1 002 1.1 004 1.2 004 1.2.1 007 1.2.2 009 1.3 009 1.3.1 010 1.3.2 012 1.4 012 1.4.1 014 1.4.2 015 1.5 Chapter3 Chapter4 Chapter5 Chapter6 Chapter7
研究成果報告書
様式 C-19 科学研究費補助金研究成果報告書 平成 21 年 6 月 1 日現在 研究種目 : 若手研究 ( スタートアップ ) 研究期間 :27~28 課題番号 :198624 研究課題名 ( 和文 ) InAlAs 酸化膜による III-V-OIMOS 構造の作製および界面準位に関する研究研究課題名 ( 英文 ) III-V-OIMOSstructurebyusingselectivewetoxidationofInAlAs
熱電変換の紹介とその応用について.ppt
熱電変換の紹介と その応用について 埼玉大学 大学院理工学研究科 長谷川 靖洋 [email protected] http://www.env.gse.saitama-u.ac.jp/hasegawa/ Tel&Fax:048-858-3757 熱電変換研究の歴史 7/24 1821年 ゼーベックによるゼーベック効果の発見 1834年 ペルチェによるペルチェ効果の発見