PowerPoint プレゼンテーション

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CIGS 太陽電池の研究開発 太陽光発電研究センター 化合物薄膜チーム 柴田肇 1 太陽電池の分類 シリコン系 結晶系 薄膜系 単結晶 多結晶 太陽電池 化合物系 有機系 単結晶系 GaAs InP 系多結晶系 CIGS, CZTS, CdTe 色素増感太陽電池有機薄膜 CIGS = CuIn 1-x Ga x Se 2 CZTS = Cu 2 ZnSnS 4-x Se x 化合物薄膜太陽電池 2

Microsoft Word web掲載用キヤノンアネルバ：ニュースリリース_CIGS_

2013 年 3 月 21 日 キヤノンアネルバ株式会社独立行政法人産業技術総合研究所 スパッタリングによるバッファ層で高効率 CIGS 太陽電池を実現 - オールドライプロセスによる CIGS 太陽電池の量産化に道 - キヤノンアネルバ株式会社 ( 社長 : 酒井純朗本社 : 神奈川県川崎市麻生区栗木 2-5-1) と独立行政法人産業技術総合研究所 ( 理事長 : 野間口有本部 : 東京都千代田区霞が関

hetero

ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 製造プロセス及び研究開発 / 技術動向 ( その 1) 平成 29 年 11 月 APT 代表 村田正義 ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 あ ( 出典 )https://www.panasonic.com/jp/corporate/technology-design/technology/hit.html ヘテロ接合型太陽電池セルの歴史 1980 年に当時の三洋電機

Microsoft PowerPoint - 仁木.ppt

太陽光発電研究センター 平成 22 年 8 月 9 日第 6 回太陽光発電研究センター成果報告会 化合物薄膜チームの概要 ー CIGS 太陽電池の研究開発ー Research Activities of Thin Film Compound Semiconductor Team - R&D of CIGS Solar Cells and Modules - 発表者 : 仁木栄 Shigeru Niki

ポイント 太陽電池用の高性能な酸化チタン極薄膜の詳細な構造が解明できていなかったため 高性能化への指針が不十分であった 非常に微小な領域が観察できる顕微鏡と化学的な結合の状態を調査可能な解析手法を組み合わせることにより 太陽電池応用に有望な酸化チタンの詳細構造を明らかにした 詳細な構造の解明により

この度 名古屋大学大学院工学研究科の望月健矢大学院生 後藤和泰助教 黒川康良准教授 山本剛久教授 宇佐美徳隆教授らは 太陽電池への応用に有 望な電気的特性を示す酸化チタン注 1) 極薄膜を開発しました さらに その微小領域 の構造を明らかにすることに世界で初めて成功しました 近年 原子層堆積法注 2) を用いて製膜した酸化チタン薄膜は 結晶シリコン注 3) の太 陽電池において 光で生成した電子を収集する材料として優れた特性を示すため

Microsoft Word - 01.doc

科学技術振興機構 (JST) 理 化 学 研 究 所 京 都 大 学 有機薄膜太陽電池で飛躍的なエネルギー変換効率の向上が可能に ~ 新材料開発で光エネルギー損失低減に成功 ~ ポイント 塗布型有機薄膜太陽電池 ( 塗布型 OPV) の実用化には変換効率の向上が課題となっている 新しい半導体ポリマーの開発により 塗布型 OPV の光エネルギー損失が無機太陽電池並みまで低減に成功した 塗布型 OPV

Microsoft PowerPoint - 21.齋修正.pptx

薄膜シリコン太陽電池用光閉じ込め技術の開発 先端産業プロセス 低コスト化チーム齋均 発電効率 5%( 接合 ) J SC = 5 ma/cm c-s:h 単接合 ( 膜厚 ~ m) で30 ma/cm 光閉じ込めによる c-s:hの高電流化が必須 c-s:h で 30 ma/cm テクスチャ無しで膜厚 5 m 相当 光マネジメントで実現 a-s:h c-s:h Buffer BSR Glass TCO

化合物太陽電池の ポテンシャルと課題

第 136 回結晶工学研究会 2012 年 4 月 20 日 化合物太陽電池の ポテンシャルと課題 佐藤勝昭 科学技術振興機構 はじめに 現在実用されている太陽電池のうち最も高い変換効率を示すのは III-V 族単結晶系多接合太陽電池で 集光型で 42% に達します III-V 族単結晶系は高効率ですが 高コストのため宇宙用やソーラーカーレース用としてのみ使われています 低コスト化をめざし多結晶系の研究が進んでいますが高効率化

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太陽光発電ロードマップ (PV2030+) 概要版 2030 年に向けた太陽光発電ロードマップ (PV2030) に関する 見直し検討委員会 報告書 ( 独 ) 新エネルギー 産業技術総合開発機構新エネルギー技術開発部 2030 年に向けた太陽光発電ロードマップ (PV2030) に関する見直し検討委員会 目 次 ( ページ ) 1. 見直しの目的と背景 1 2. ロードマップ (PV2030) 策定後の環境変化

サンディア国立研究所 カリフォルニア州リバモア 提供資金:1,354,245 ドル プロジェクト概要: 本プロジェクトは 単接合型の色素増感太陽電池 (DSSC) のパフォーマンスを最大限に向上させる革新的な光吸収材と太陽電池構造の開発するもの サンディアは DSSC の主な制約に対応するための新た

(1112-5-1) 新エネルギー分野 ( 太陽光発電 ) 仮訳 次世代太陽光発電 3 SunShot Initiative の次世代太陽光発電 (PV) プロジェクトは SunShot Initiative のコ スト目標を達成する可能性のあるトランスフォーマティブな PV 技術に取り組む プロジ ェクト目標は以下のとおり : 効率向上 コスト低減 信頼性向上 より安全で持続可能なサプライチェーンの構築

図 1 太陽電池の種類と特徴 当社は1959 年に太陽電池の開発に着手し 1963 年に結晶シリコン太陽電池の生産を開始した 当初は無人灯台や人工衛星など電力線の届かない しかも過酷な条件下での特殊用途へ設置を行い 現在までにそれぞれ約 1900 箇所以上 約 160 機以上に搭載しており 当社製パ

環境技術が創る未来 太陽電池の技術開発と今後の可能性について シャープ株式会社ソーラーシステム事業本部副本部長兼次世代要素センター所長兼第一開発室長 シャープ株式会社ソーラーシステム事業本部次世代要素技術センター第一開発室 佐賀達男浅野直城 はじめに 現在 我々は主なエネルギー源として石油 天然ガス 石炭等の化石燃料を利用している ところが これら化石燃料を大量に消費し続けることで 近い将来に地球温暖化や資源枯渇問題等が顕在化し

新技術説明会　様式例

1 新材料 BaSi 2 による 薄膜太陽電池開発の現状 筑波大学数理物質系 教授末益崇 材料による分類 太陽電池の分類 シリコン系 シリコン系新材料 結晶シリコン アモルファル III-V 族 (GaAs) 単結晶シリコン多結晶シリコン微結晶シリコン多接合へテロ接合型 (HIT) 太陽電池 化合物系 CIGS 系 (CuInSe 2 ) BaSi 2 CdTe c=1.158nm 有機系 有機半導体

Microsoft PowerPoint - H30パワエレ-3回.pptx

パワーエレクトロニクス 第三回パワー半導体デバイス 平成 30 年 4 月 25 日 授業の予定 シラバスより パワーエレクトロニクス緒論 パワーエレクトロニクスにおける基礎理論 パワー半導体デバイス (2 回 ) 整流回路 (2 回 ) 整流回路の交流側特性と他励式インバータ 交流電力制御とサイクロコンバータ 直流チョッパ DC-DC コンバータと共振形コンバータ 自励式インバータ (2 回 )

Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver８青柳（最終版）

別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)

第6章 072 太陽電池はダイオードの一種 太陽電池のための半導体デバイス入門 上級編 ダイオードは二極菅という真空管だった 図1 ダイオードの起源は二極菅という真空管 プレート アノード ダイオードは もともと図1に示す 二極菅 と呼ばれる真空管のことを指しました この二極菅の特許も かのエジソン

6 太陽電池のための半導体デバイス入門 ( 上級編 ) 太陽電池は pn 接合ダイオードという半導体デバイスが基本です そのため 太陽電池をきちんと理解するには 半導体デバイスの基礎知識が必要になります ここでは 第 5 章で取り上げたバンド描像による半導体物性の基礎知識を生かして 半導体デバイスの基礎を手ほどきします 第6章 072 太陽電池はダイオードの一種 太陽電池のための半導体デバイス入門

世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功

同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功 - 高性能量子ドットデバイス実現に向けた研究がさらに加速 - 平成 24 年 6 月 4 日 独立行政法人物質 材料研究機構 概要 : 独立行政法人物質 材料研究機構 ( 理事長 : 潮田資勝 ) 先端フォトニクス材料ユニット ( ユニット長

記者発表資料

2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン

平成 25 年度新エネルギー技術フィールドテスト事業太陽光発電新技術等フィールドテスト事業に関する運転データ分析評価等業務 発電量等シミュレーター説明書 平成 26 年 2 月株式会社三菱総合研究所 目次 1. 発電量等シミュレーターの構成... 1 1.1 発電量等シミュレーターの概要... 1 1.2 発電量算出機能... 2 1.3 設置面積算出機能... 3 1.4 フィールドテスト事業実績データの表示機能...

解 説 カルコパイライト系薄膜太陽電池の開発の現状と将来展望 石塚尚吾 1 小牧弘典 1 吉山孝志 1 水越一路 1 山田昭政 1 仁木栄 1 Recent Developments in Chalcopyrite Solar Cell and Module Technologies Shogo I

解 説 カルコパイライト系薄膜太陽電池の開発の現状と将来展望 石塚尚吾 1 小牧弘典 1 吉山孝志 1 水越一路 1 山田昭政 1 仁木栄 1 Recent Developments in Chalcopyrite Solar Cell and Module Technologies Shogo ISHIZUKA 1, Hironori KOMAKI 1, Takashi YOSHIYAMA 1,

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1. 光伝導効果と光伝導素子 2. 光起電力効果と太陽電池 3. 通信用フォトダイオード 1 1. 光伝導効果と光伝導素子半導体に禁制帯幅以上のエネルギーを持つ光子が入射した場合 価電子帯の電子が伝導帯に励起される この結果 価電子帯に正孔が伝導帯に電子が一対光生成される 光生成したキャリアは 半導体の外部から電界をかけることにより移動し 電流として寄与する これを光導電効果 ( あるいは内部光電効果

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光検出器 pin-pd 数 GHzまでの高速応答する光検出器に pin-フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードがある pin-フォトダイオードは図 1に示すように n + 基板と低ドーピングi 層と 0.3μm 程度に薄くした p + 層からなる 逆バイアスを印加して 空乏層を i 層全体に広げ 接合容量を小さくしながら光吸収領域を拡大して高感度にする 表面より入射した光は光吸収係数 αによって指数関数的に減衰しながら光励起キャリアを生成する

Microsoft Word - 第９章発光デバイス＿

第 9 章発光デバイス 半導体デバイスを専門としない方たちでも EL( エレクトロルミネッセンス ) という言葉はよく耳にするのではないだろうか これは電界発光の意味で ディスプレイや LED 電球の基本的な動作原理を表す言葉でもある 半導体は我々の高度情報社会の基盤であることは言うまでもないが 情報端末と人間とのインターフェースとなるディスプレイおいても 今や半導体の技術範疇にある この章では 光を電荷注入により発することができる直接遷移半導体について学び

04.プレゼン資料（豊橋技科大_伊﨑先生）

平成 28 年度新技術説明会 2016/1/12 超高効率太陽電池 水素生成用 インタースタック酸化物構造体 豊橋技術科学大学大学院工学研究科機械工学専攻教授伊﨑昌伸 m-izaki@me.tut.ac.jp 太陽エネルギーの活用 太陽光スペクトルと擬似太陽光 pn 接合型太陽電池の動作原理と理論変換効率ー単接合太陽電池の限界ー 空乏層 伝導帯 e 伝導帯 e 変換効率 < 28% h 荷電子帯 h

037 太陽電池材料のバリエーション 太陽電池の分類 図 材料による太陽電池の分類 現 の太陽電池の 単結晶系 太陽電池を材料で分類したのが図 です 現在 太陽電池に使われている半導体材料は シリコン系と化合物半導体系に大別されます シリコン系には バルク結晶を用いる結晶シリコン系と 薄膜を用いる薄

4 さまざまな太陽電池 ( 上級編 ) ひと口に太陽電池といっても 使われる材料や製法などによって 性能やコストは大いに違います また資源の問題も重要です この章では 結晶系シリコンからさまざまな薄膜太陽電池 さらにはホットな話題を集める有機太陽電池までを わかりやすく解説します 0 8 7 037 太陽電池材料のバリエーション 太陽電池の分類 図 材料による太陽電池の分類 現 の太陽電池の 単結晶系

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学５.ppt

MO プロセスフロー ( 復習 集積デバイス工学 ( の構成要素 ( 抵抗と容量 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 6 7 センター藤野毅 MO 領域 MO 領域 MO プロセスフロー ( 復習 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 i 膜 ウエルポリシリコン + 拡散 + 拡散コンタクト

第 2 章太陽電池の要素技術 ( 中級編 ) 18 太陽電池セルには多くの技術が使われている 図 1 太陽電池セル作製プロセスに使われるさまざまな要素技術 単結晶成長技術 太陽電池セルの作製には 図 1に示すように 多くの要素技術が使われています 太陽電池は半導体デバイスですから まず半導体材料作製

2 太陽電池の要素技術 ( 中級編 ) この章では 太陽電池の製造に使われる結晶成長 薄膜成長 pn 接合形成 反射防止 透明電極形成 モジュール化 評価技術など 多くの要素技術を取り上げます 第 2 章太陽電池の要素技術 ( 中級編 ) 18 太陽電池セルには多くの技術が使われている 図 1 太陽電池セル作製プロセスに使われるさまざまな要素技術 単結晶成長技術 太陽電池セルの作製には 図 1に示すように

Folie 1

20113 2 20111122 6890 http://www.ferrotec.co.jp/ 2010162010420109 20113220101122 201132 20113 2Q (%) 5,972 44.5 1,511 11.3 5,038 37.5 901 6.7 824 72 435 46 - - 8.6 - - 2011/3CMS2010/3 2010/3 2011/3 9

第6章 072 太陽電池はダイオードの一種 太陽電池のための半導体デバイス入門 上級編 ダイオードは二極菅という真空管だった 図1 ダイオードの起源は二極菅という真空管 プレート アノード ダイオードは もともと図1に示す 二極菅 と呼ばれる真空管のことを指しました この二極菅の特許も かのエジソン

6 太陽電池のための半導体デバイス入門 ( 上級編 ) 太陽電池は pn 接合ダイオードという半導体デバイスが基本です そのため 太陽電池をきちんと理解するには 半導体デバイスの基礎知識が必要になります ここでは 第 5 章で取り上げたバンド描像による半導体物性の基礎知識を生かして 半導体デバイスの基礎を手ほどきします 第6章 072 太陽電池はダイオードの一種 太陽電池のための半導体デバイス入門

新技術説明会　様式例

1 有機物 生体分子等の吸着に 優れた突起 / 細孔形状ナノ粒子 東京電機大学工学部電気電子工学科 教授 佐藤慶介 研究分野の概要 半導体ナノ粒子 ( 量子ドット ) の応用例 http://weblearningplaza.jst.go.jp/ maintenance.html http://www.jaist.ac.jp/ricenter/pam ph/maenosono/maenosono01.pdf

Microsoft PowerPoint - new_ NEDOフォーラムTS-9第3部（山田）r2公開用.pptx

第 3 部国民負担と発電コストの削減 NEDO の PV 発電コスト削減シナリオ (NEDO PV Challenges より ) ( 独 ) 新エネルギー 産業技術総合開発機構 (NEDO) ( 独 ) 新エネルギ 産業技術総合開発機構 (NEDO) 新エネルギー部主任研究員山田宏之 本日の内容 1. 太陽光発電開発戦略 NEDO PV Challenges 策定経緯と概要 2. 発電コスト低減目標

Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx

InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE

研究部 歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造の応力制御 研究代表者名山梨大学大学院 医学工学総合研究部 有元圭介 研究分担者名東北大学 金属材料研究所 宇佐美徳隆 1. はじめに圧縮歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造は 従来素子の 2 倍の高正孔移動度が期待される半導体薄膜構造である 移動度を

研究部 研究課題名 Cu(In,Ga)Se 2 多結晶薄膜の局所構造と太陽電池性能の相関 研究代表者名立命館大学 理工学部 峯元高志 研究分担者名東北大学 金属材料研究所 宇佐美徳隆 1. はじめに太陽電池が 21 世紀を担うクリーンエネルギーとして期待されている 現状では 結晶シリコンが太陽電池材料の主流である 一方 ガラス等の基板上に金属や半導体などの薄膜を堆積させた薄膜型太陽電池が 低コスト

新技術説明会　様式例

フレキシブル太陽電池向け微結晶シリコン薄膜の低温成長 山口大学工学部電気電子工学科技術専門職員河本直哉 背景 軽量で安価なプラスチックなどポリマー基板上の微結晶 Si 建材一体型太陽電池の実現 フレキシブル ディスプレイ プラスチック上に微結晶 Si を実現することで製品の軽量化 低価格化が実現される 現在の目標 : 軟化点 250 程度のプラスチック基板での高品質微結晶 Si 形成プロセスの開発

世界トップクラス 先端の自動生産 ライン採用 信頼されるものづくりへ 鹿児島出水市から羽ばたく エネルギーギャップのこだわり 私たちエネルギーギャップは N 型太陽電池モジュールの数少ない国内メーカーとして JAPAN QUALITY また蓄電池その他の太陽光発電事業向け機器のサプライヤーとして 高

世界トップクラス 先端の自動生産 ライン採用 信頼されるものづくりへ 鹿児島出水市から羽ばたく エネルギーギャップのこだわり 私たちエネルギーギャップは N 型太陽電池モジュールの数少ない国内メーカーとして JAPAN QUALITY また蓄電池その他の太陽光発電事業向け機器のサプライヤーとして 高性能 高品質 サービスを核とし JAPAN QUALITY にこだわり 再生可能エネルギーのさらなる普及

Microsoft PowerPoint - tft.ppt [互換モード]

薄膜トランジスター 九州大学大学院 システム情報科学研究科 服部励治 薄膜トランジスターとは? Thin Film Transistor: TFT ソース電極 ゲート電極 ドレイン電極ソース電極ゲートドレイン電極 n poly 電極 a:h n n ガラス基板 p 基板 TFT 共通点 電界効果型トランジスター nmosfet 相違点 誘電膜上に作成される スタガー型を取りうる 薄膜トランジスター

Microsoft Word - 9.編集後記12_樋口_編集.doc

環境制御 (Environment Research and Control), 34, 8-13 (2012) 総 説 新しい太陽光発電システムの現状と今後 ( 集光型太陽光発電システム ) 橋本潤独 ) 産業技術総合研究所太陽光発電工学研究センター評価 標準チーム特別研究員 305-8568 茨城県つくば市梅園 1-1-1 中央第 2 1. はじめに今後のエネルギー政策に注目が集まる中 日本では

戦略的創造研究推進事業 -CREST タイプ - 研究領域 太陽光を利用した独創的クリーン エネルギー生成技術の創出 研究領域中間評価用資料 平成 26 年 3 月 3 日 目次 1. 研究領域の概要... 1 (1) 戦略目標... 1 (2) 研究領域... 3 (3) 研究総括... 4 (4) 採択課題 研究費... 5 2. 研究総括のねらい... 5 3. 研究課題の選考について...

これからのソーラーパネルの選び方 1. 重要なのは いつ元がとれるのか? ということ 太陽光発電システムは 決して安い商品ではありません そのとき一番気になるのは投資した費用の回収期間 つまり投資を回収するというゴールにいつ達することができるのかということではないでしょうか? 2. 回収期間を決める

これからのソーラーパネルの選び方 サングリーン エコ 西都１ ８.メガ太陽光発電所 平成２５年３月完成 これからのソーラーパネルの選び方 1. 重要なのは いつ元がとれるのか? ということ 太陽光発電システムは 決して安い商品ではありません そのとき一番気になるのは投資した費用の回収期間 つまり投資を回収するというゴールにいつ達することができるのかということではないでしょうか? 2. 回収期間を決めるのは

Microsoft Word - 第７章太陽電池＿

第 7 章太陽電池 半導体テクノロジーは これまでの私たちの暮らしを豊かにしてきた高度情報化社会の基盤である しかし 豊かな暮らしとは裏腹に 地球温暖化 異常気象 資源枯渇の問題が顕在化してきており クリーンエネルギーへの期待は切羽詰まったものになっている 筆者もかつてはパワー半導体や LSI 技術の開発に従事してきたが 残りの研究者人生をローコスト太陽電池の開発にささげるつもりである 半導体の将来を考えるときに

研究の背景有機薄膜太陽電池は フレキシブル 低コストで環境に優しいことから 次世代太陽電池として着目されています 最近では エネルギー変換効率が % を超える報告もあり 実用化が期待されています 有機薄膜太陽電池デバイスの内部では 図 に示すように (I) 励起子の生成 (II) 分子界面での電荷生

報道関係者各位 平成 6 年 8 月 日 国立大学法人筑波大学 太陽電池デバイスの電荷生成効率決定法を確立 ~ 光電エネルギー変換機構の解明と太陽電池材料のスクリーニングの有効なツール ~ 研究成果のポイント. 太陽電池デバイスの評価 理解に重要な電荷生成効率の決定方法を確立しました. これにより 有機薄膜太陽電池が低温で動作しない原因が 電荷輸送プロセスにあることが明らかになりました 3. 本方法は

化合物多接合太陽電池の高効率化と応用 High Efficiency Technology and Application of Multi-Junction Compound Semiconductor Solar Cells 鷲尾英俊 * 十楚 Hidetoshi Washio 博行 * Hir

High Efficiency Technology and Application of Multi-Junction Compound Semiconductor Solar Cells 鷲尾英俊 * 十楚 Hidetoshi Washio 博行 * Hiroyuki Juso 化合物太陽電池とは, 現在の主流であるシリコンを材料として用いた太陽電池と異なり, インジウムやガリウムなど,2 種類以上の元素からなる化合物半導体を材料とした光吸収層を持つ変換効率の高い太陽電池で,

Microsoft Word 後藤佑介.doc

課題アプローチ技法 Ⅲ 73070310 後藤佑介テーマ 住宅用太陽光発電システムの利用効果 1. はじめに近年 地球温暖化問題に関心が集まっている その要因である二酸化炭素は私たちの生活を支える電力利用から排出される 二酸化炭素の排出を削減するためには再生可能エネルギー利用の技術が必要である その技術の一つである太陽光発電システム (PV システム ) はクリーンで無公害なエネルギーとして大きな期待が寄せられている

資料1

平成 24 年度実施方針 新エネルギー部 1. 件名 : プログラム名エネルギーイノベーションプログラム ( 大項目 ) 太陽エネルギー技術研究開発 2. 根拠法 1 革新的太陽光発電技術研究開発 ( 革新型太陽電池国際研究拠点整備事業 ) 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構法第 15 条第 1 項第 1 号イ 2 太陽光発電システム次世代高性能技術の開発 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構法第

副材料の添加高効率太陽電池 課題 解決手段対応の出願人 変換効率や信頼性 耐久性の向上が課題 高効率太陽電池の技術開発は 変換効率 信頼性 耐久性の向上に関するものが多い 材料技術に関する特許は 化学 精密機器 電機メーカーによる出願が多い 色素増感型太陽電池の課題と材料技術による解決手段の出願件数 解決手段 課題性能改良製造法向変向信向耐向利能向歩向生改製そ換留造の頼久便改産効ま方他上率上性上性上性良上り上性良法の低コスト化その他の性半導体材料積層化

e - カーボンブラック Pt 触媒 プロトン導電膜 H 2 厚さ = 数 10μm H + O 2 H 2 O 拡散層 触媒層 高分子 電解質 触媒層 拡散層 マイクロポーラス層 マイクロポーラス層 ガス拡散電極バイポーラープレート ガス拡散電極バイポーラープレート 1 1~ 50nm 0.1~1

Development History and Future Design of Reduction of Pt in Catalyst Layer and Improvement of Reliability for Polymer Electrolyte Fuel Cells 6-43 400-0021 Abstract 1 2008-2008 2015 2 1 1 2 2 10 50 1 5

2013 1 9 1 2 1.1.................................... 2 1.2................................. 4 1.3.............................. 6 1.4...................................... 8 1.5 n p................................

diode_revise

2.3 pn 接合の整流作用 c 大豆生田利章 2015 1 2.3 pn 接合の整流作用 2.2 節では外部から電圧を加えないときの pn 接合について述べた. ここでは, 外部か らバイアス電圧を加えるとどのようにして電流が流れるかを電子の移動を中心に説明す る. 2.2 節では熱エネルギーの存在を考慮していなかったが, 実際には半導体のキャリアは 周囲から熱エネルギーを受け取る その結果 半導体のキャリヤのエネルギーは一定でな

Microsoft Word - Ｈ20全テキスト（起案後 ）

Ⅵ 太陽電池の基礎実験 1 目的近年の環境問題やエネルギー問題に対する意識の向上から 太陽電池への注目が高まっている ここでは 太陽電池の持つ特性について実験を行い 太陽電池の接続法 種類 発電量 各種特性について確認するとともに 光源や光の強さ 温度による発電量の違いについて理解する 2 関係知識 (1) 測光光の明るさを表す量には幾つかあり 光度 光束 光度エネルギー 輝度 照度などがある ア光度光源からある方向に放射された光が単位立体角

Microsoft PowerPoint - 今栄一郎.ppt [互換モード]

37 1 高性能分子デババイスを志向した配向性単分子膜の新規製造方法 広島大学大学院工学研学研究院物質化学工学部門学部門准教授今栄一郎郎 教授播磨裕 2 有機電子デバイスの発展 プラスチックフィルム上での有機 TFT 駆動 EL ディスプレイを実現 (2007 年 5 月 ) http://www.sony.co.jp/sonyinfo/news/press /200705/07-053/index.html

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Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt

半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

利点を併せ持つからである バックコンタクト構造では受光面に電極が無く電極の陰によるロス ( シャドーロス ) が無いことによって高い J sc が得られ 3), また, ヘテロ接合技術では, アモルファスシリコンと結晶シリコンのヘテロ接合界面が界面でのキャリア再結合を低減できるため, 高い不活性化

Development of Next-Generation High Efficiency Crystalline Si Solar Cells 中村淳一 * 浅野直城 * 稗田健 * 岡本親扶 * 片山博之 * Junichi Nakamura Naoki Asano Takeshi Hieda Chikao Okamoto Hiroyuki Katayama 既に商品化している太陽電池モジュール

資料2　小長井委員　説明資料

文部科学省 革新的エネルギー研究開発拠点形成事業 FUTURE-PV Innovation 研究課題 : ナノワイヤー太陽電池 資料 2 H28.6.14 環境エネルギー科学技術委員会 研究総括 東京都市大学総合研究所 教授小長井誠 OUTLINE 1. 事業の概要 2. 研究成果 3. 今後の方向性 事業計画概要 実施期間 : 平成 24 年度 ~ 平成 28 年度 (5 ヵ年度 ) 研究テーマ

研究成果報告書(基金分)

様式 C-19 F-19 Z-19( 共通 ) 1. 研究開始当初の背景国内外のエネルギー問題に対応するため, 革新的な省 創エネルギーデバイス ( 低消費電力の単電子デバイスや超高効率太陽電池など ) の実現が求められている. そのためには, 機能上重要なビルディングブロックである低次元半導体ナノ材料 ( 量子ドット, 量子細線, 量子井戸など ) の規則配列構造を構築する必要がある. 低次元半導体ナノ材料を決められたサイズ

Microsoft PowerPoint プレゼン資料（基礎）Rev.1.ppt [互換モード]

プレゼン資料 腐食と電気防食 本資料は当社独自の技術情報を含みますが 公開できる範囲としています より詳細な内容をご希望される場合は お問い合わせ よりご連絡願います 腐食とは何か? 金属材料は金や白金などの一部の貴金属を除き, 自然界にそのままの状態で存在するものではありません 多くは酸化物や硫化物の形で存在する鉱石から製造して得られるものです 鉄の場合は鉄鉱石を原料として精錬することにより製造されます

03 カルコパイライト系材料を適用した低電圧増倍型光電変換膜の開発 菊地健司為村成亨宮川和典大竹浩久保田節 Development on Low-voltage Carrier Multiplication Film using Chalcopyrite Based Materials Kenji

03 カルコパイライト系材料を適用した低電圧増倍型光電変換膜の開発 菊地健司為村成亨宮川和典大竹浩久保田節 Development on Low-voltage Carrier Multiplication Film using Chalcopyrite Based Materials Kenji KIKUCHI, Shigeyuki IMURA, Kazunori MIYAKAWA, Hiroshi

資料1

P15003 平成 30 年度実施方針 新エネルギー部 1. 件名 : 高性能 高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発 2. 根拠法 国立研究開発法人新エネルギー 産業技術総合開発機構法第 15 条第 1 号イ及び第 3 号 3. 背景及び目的 目標 2014 年 4 月に閣議決定されたエネルギー基本計画では 再生可能エネルギーを 現時点では 安定供給面 コスト面で様々な課題が存在するが 温室効果ガスを排出せず

電子部品の試料加工と観察 分析 解析 ~ 真の姿を求めて ~ セミナー A 電子部品の試料加工と観察 分析 解析 ~ 真の姿を求めて ~ セミナー 第 9 回 品質技術兼原龍二 前回の第 8 回目では FIB(Focused Ion Beam:FIB) のデメリットの一つであるGaイ

第 9 回 品質技術兼原龍二 前回の第 8 回目では FIB(Focused Ion Beam:FIB) のデメリットの一つであるGaイオンの打ち込み ( 図 19. 第 6 回参照 ) により 試料の側壁に形成されるダメージ層への対処について事例などを交えながら説明させていただきました 今回は 試料の表面に形成されるダメージ層について その対処法を事例を示してお話しをさせていただきます Gaイオンの試料への打ち込みですが

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日本企業と中国企業の競争 : 太陽電池の場合 日中関係の多面的な相貌 2010 年 7 月 2 日丸川知雄 はじめに 2100 年に一次エネルギーの 64% を担う太陽パワー ( 出所 )WBGU 2030 年に太陽光発電は原発なみの発電コストに ( 出所 )NEDO 1. はじめに : 中国の産業の特徴を反映する太陽電池産業 2007 年まで日本は世界の太陽電池生産のトップを走ってきた だが 中国が毎年生産を倍増する勢いで急成長し

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

モジュール 造技術 ( ラ ネート 配線技術など ) 結晶 S 系太陽電池 ( 単結晶 多結晶 ) 住 用民生用公 用メ ソーラー 薄膜 S 系太陽電池 ( 非晶 結晶 ) ( 半導体材料 属電極材料 明電極 材料 ) 化合物結晶系太陽電池 (Ⅲ- GaI P ) 化合物薄膜系太陽電池 (CIS/C

TECHNO TREND 太陽電池 平成 24 年度特許出願技術動向調査の紹介 特許庁特許審査第一部調整課審査調査室安藤達哉 抄録 太陽電池を用いた太陽光発電は 従来の化石燃料によるエネルギー利用から再生可能エネルギーへの移行の中でも特に注目されており 近年 急速に身近なものとなってきている 同時に 太陽電池をめぐる技術開発動向や市場環境は 日ごとに大きく変化しており 今後 国家間 企業間の競争が激化していくと考えられる

平成 28 年 12 月 27 日 科学技術振興機構 ( J S T ) 有機 EL ディスプレイの電子注入層と輸送層用の新物質を開発 ~ 有機 EL ディスプレイの製造への活用に期待 ~ ポイント 金属リチウムと同じくらい電子を放出しやすく安定な物質と 従来の有機輸送層よりも 3 桁以上電子が動き

平成 28 年 12 月 27 日 科学技術振興機構 ( J S T ) 有機 EL ディスプレイの電子注入層と輸送層用の新物質を開発 ~ 有機 EL ディスプレイの製造への活用に期待 ~ ポイント 金属リチウムと同じくらい電子を放出しやすく安定な物質と 従来の有機輸送層よりも 3 桁以上電子が動きやすい物質を 透明アモルファス酸化物半導体で実現 これらを電子注入層と輸送層に用い 逆積みで順積みよりも優れた特性の有機

新技術説明会　様式例

高い p 形電気伝導性を有する 透明電極材料 龍谷大学理工学部物質化学科助教山添誠司教授和田隆博 1 P 形透明導電性酸化物 (TCO) 薄膜開発の背景 高効率薄膜フルスペクトル太陽電池 地球温暖化対策として温室効果ガスの大幅削減に寄与するために 太陽光発電の性能を飛躍的に向上させることを目的とする 2050 年までに 変換効率が40% 超 かつ 発電コストが汎用電力料金並み の太陽電池を実用化することを目指した研究開発の中で

35thIEEEPVSC Report

第 37 回 IEEE 光起電力専門家会議 (37 th IEEE Photovoltaic Specialists Conference) 報告 2011.6.25 山口真史 ( 豊田工大 ) 1. 開催月日 :2010 年 6 月 19 日 ~24 日 2. 開催場所 :Washington State Convention Center( シアトル 米国 ) 3. 本会議の概要 : 米国電気電子学会

はじめに 本書は NEDO 技術委員 技術委員会等規程第 32 条に基づき研究評価委員会において設置された 高性能 高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発 ( 中間評価 ) の研究評価委員会分科会 ( 第 1 回平成 29 年 10 月 5 日 第 2 回平成 29 年 10 月 6 日 ) 及

第 54 回研究評価委員会資料 3-3 高性能 高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発 中間評価報告書 ( 案 ) 概要 目 次 分科会委員名簿 1 評価概要 ( 案 ) 2 評点結果 4 はじめに 本書は NEDO 技術委員 技術委員会等規程第 32 条に基づき研究評価委員会において設置された 高性能 高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発 ( 中間評価 ) の研究評価委員会分科会 ( 第

<4D F736F F D206190B35F E312D315F91BE977A B5A8F708A4A94AD89DB91E888EA C205F325F2E646F63>

付録 - 太陽電池製造技術開発課題一覧表 付録 -- 開発課題 ( 結晶シリコン ) ( 課題区分 :: 短期 : 中期 : 長期 4: 超長期 ) 分類分野開発課題内容備考 開発課題 低コスト SOG-Si 製造技術 リボンなどのインゴット製造に対応した形状の原料供給技術 ( 粒状 球状シリコンなど ) VLD 法 亜鉛還元法 NEDO 溶融精製法などの実用化技術 シーメンス法の低コスト化技術改善

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部 電気電子工学科 12/08/'10 半導体電子工学 Ⅱ 1 全体の内容 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 6 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 11/24/'10 2 10 月 13 日 pn 接合ダイオード (1) 3 10 月 20 日 4 10 月 27 日 5 11 月 10 日 pn 接合ダイオード (2) pn 接合ダイオード (3)

資料1

平成 25 年度実施方針 新エネルギー部 1. 件名 : 太陽エネルギー技術研究開発 2. 根拠法 1 革新的太陽光発電技術研究開発 ( 革新型太陽電池国際研究拠点整備事業 ) 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構法第 15 条第 1 項第 1 号イ 2 太陽光発電システム次世代高性能技術の開発 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構法第 15 条第 1 項第 1 号イ 3 有機系太陽電池実用化先導技術開発

開発の社会的背景 パワーデバイスは 電気機器の電力制御に不可欠な半導体デバイスであり インバーターの普及に伴い省エネルギー技術の基盤となっている 最近では高電圧 大電流動作が技術的に可能になり ハイブリッド自動車のモーター駆動にも使われるなど急速に普及し 市場規模は 2 兆円に及ぶといわれる パワー

ダイヤモンドパワーデバイスの高速 高温動作を実証 - 次世代半導体材料としての優位性を確認 - 平成 22 年 9 月 8 日独立行政法人産業技術総合研究所国立大学法人大阪大学 ポイント ダイヤモンドダイオードを用いたパワーデバイス用整流素子の動作を世界で初めて確認 高速かつ低損失の動作を確認でき 将来の実用化に期待 将来のパワーデバイスとして省エネルギー効果に期待 概要 独立行政法人産業技術総合研究所

平成 22 年度 平成 23 年度 平成 23 年度第 3 次補正予算 金属チタンを基板とする色素増感太陽電池の開発 研究開発成果等報告書 委託者近畿経済産業局 委託先株式会社昭和 1

平成 22 年度 平成 23 年度 平成 23 年度第 3 次補正予算 金属チタンを基板とする色素増感太陽電池の開発 研究開発成果等報告書 委託者近畿経済産業局 委託先株式会社昭和 1 目次 第 1 章研究開発の概要 1-1 研究開発の背景 研究目的及び目標 1-1-1 研究開発の背景 1-1-2 研究目的及び目標 1-2 研究体制 1-3 成果概要 1-4 当該プロジェクト連絡窓口 第 2 章本論

資料1-2 コンビナトリアルテクノロジーとマテリアルズインフォマティクスの融合によるラボ改革

コンビナトリアルテクノロジーとマテリアルズ インフォマティックスの融合によるラボ改革 国立研究開発法人物質 材料研究機構エネルギー 環境材料研究拠点 後藤真宏 高速な材料開発の必要性 高性能なエネルギー変換材料の創製が急務 自然エネルギー生成 エネルギー有効利用 Web. JAXA 地球環境の悪化が進行 省エネルギー 摩擦力低減など 非常に過酷な制約がある 短期間で! ユビキタス 無害な元素 原子から材料まで

テーマ名

17. 汎用原料を使用した CZTS 光吸収層による新型薄膜太陽電池の研究開発 独立行政法人国立高等専門学校機構長岡工業高等専門学校独立大学法人長岡技術科学大学 Ⅰ. 目的 Cu 2 ZnSnS 4 (CZTS) は 地殻中に豊富に存在し広く人類に使用されている元素から構成される化合物半導体である CZTS は 1 4 cm -1 台の大きな光吸収係数と 1.4 1.5eV の禁制帯幅を併せ持つことから

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1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

日本の太陽電池出荷量 ( 国内 ) 2005 年太陽光発電の設置補助金が終了したことで 出荷量が減少 2009 年度より補助金が復活したことで 出荷量が急増 2010 年度も前年を大幅に上回る勢いで出荷数量が延びている また 出荷量のうち住宅用途が大半を占めていることがわかる しかしながら 住宅用の

マンション向け太陽光発電の基礎知識 日本の太陽電池出荷量 ( 国内 ) 2005 年太陽光発電の設置補助金が終了したことで 出荷量が減少 2009 年度より補助金が復活したことで 出荷量が急増 2010 年度も前年を大幅に上回る勢いで出荷数量が延びている また 出荷量のうち住宅用途が大半を占めていることがわかる しかしながら 住宅用の大半は戸建住宅において設置されており 共同住宅での設置は微量と思われる

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報道発表資料 2000 年 2 月 17 日 独立行政法人理化学研究所 北海道大学 新しい結晶成長プロセスによる 低欠陥 高品質の GaN 結晶薄膜基板作製に成功 理化学研究所 ( 小林俊一理事長 ) は 北海道大学との共同研究により 従来よりも低欠陥 高品質の窒化ガリウム (GaN) 結晶薄膜基板

報道発表資料 2000 年 2 月 17 日 独立行政法人理化学研究所 北海道大学 新しい結晶成長プロセスによる 低欠陥 高品質の GaN 結晶薄膜基板作製に成功 理化学研究所 ( 小林俊一理事長 ) は 北海道大学との共同研究により 従来よりも低欠陥 高品質の窒化ガリウム (GaN) 結晶薄膜基板を製作することに成功しました 新しい手法は 当研究所半導体工学研究室の青柳克信主任研究員と 北大電子科学研究所の田中悟助教授らのグループで開発

2θχ/φ scan λ= å Al 2 (11-20) Intensity (a. u.) ZnO(<1nm)/MgO(0.8nm)/Al 2 MgO(0.8nm)/Al 2 WZ-MgO(10-10) a=3.085å MgZnO(10-10) a=3.101å

MgO/c-Al 2 界面構造解析 課題番号 2005B0434 利用ビームライン BL13XU 東北大学金属材料研究所博士課程後期 3 年の過程 2 年嶺岸耕 1. 背景 ZnO は直接遷移型のワイドギャップ半導体で バンドギャップは室温で 3.37eV 光の波長に換算すると 368nm と紫外域にあることから貸し領域で透明である この性質を利用して紫外域での発光素子としての応用に関する研究 [1-3]

詳細な説明 研究の背景 フラッシュメモリの限界を凌駕する 次世代不揮発性メモリ注 1 として 相変化メモリ (PCRAM) 注 2 が注目されています PCRAM の記録層には 相変化材料 と呼ばれる アモルファス相と結晶相の可逆的な変化が可能な材料が用いられます 通常 アモルファス相は高い電気抵抗

平成 30 年 1 月 12 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 次世代相変化メモリーの新材料を開発 超低消費電力でのデータ書き込みが可能に 発表のポイント 従来材料とは逆の電気特性を持つ次世代不揮発性メモリ用の新材料開発に成功 今回開発した新材料を用いることで データ書換え時の消費電力を大幅に低減できることを確認 概要 東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻の畑山祥吾博士後期課程学生

問題 バイポーラ電源がないと 正と負の電圧や電流を瞬断なくテスト機器に供給することが困難になります 極性反転リレーやスイッチ マトリクスを持つ 1 象限または 2 象限電源では V またはその近傍に不連続が生じ これが問題になる場合があります ソリューション 2 象限電圧のペアを逆直列に接続すれば

太陽電池セル / モジュール向けテスト ソリューション Agilent 663XB 電源を逆接続して 太陽電池セル / モジュール テスト用の 4 象限動作を実現 Application Note 概要 電源を使って太陽電池セル / モジュールの性能を完全に特性評価するには 電圧を正方向と逆方向で印加する必要があります ソーラ デバイスが明状態 ( 光が照射された状態 ) のときは 電源は可変電圧負荷として動作し

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SPring-83 22(2010)730 MBE PLD MBE 0.002% PLD p Π n p n PF PF = S 2 S =V/ΔT V: [V] ΔT: [K] S[V/K], T[K], σ[s/m] TeBi 2 Te 3 (Bi,Se) 2 Te 3 (n-type) Ar KrF Ar gas 2. A. 3. c-si a-si InP GaAs 1g (μm) PV(W/g

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高効率 MEMS 融合製造技術 - 話題提供 : 低ダメージ接合技術 - 独立行政法人産業技術総合研究所 高木秀樹 Youn Sung-Won 栗原一真 松本壮平 高橋正春 2010/05/14 マイクロシステム融合研究会 @ 東北大学 1 融合 MEMS デバイスを効率良く作る 異種デバイス融合プロセスの高効率化 サイズフリー集積化技術 接合技術 高精度 高速 一括アセンブリ技術 デバイスごとの最適化

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研究評価委員会 太陽光発電技術研究開発( 先進太陽電池技術研究開発 ) ( 事後評価 ) 分科会議事要旨 日時 : 平成 18 年 12 月 25 日 ( 月 ) 13:00-17:50 場所 : 東京商工会議所 4 階 401~403 会議室 出席者 ( 敬称略 順不同 ) < 分科会委員 > 分科会長 丸山瑛一 理化学研究所知的財産戦略センターセンター長 分科会長代理西尾光弘 佐賀大学理工学部電気電子工学科教授

2E18 太陽電池産業のアーキテクチャ - と競争力 : 半導体 液晶との比較研究 中田行彦 ( 立命館アジア太平洋大学 ) 1. はじめに環境を維持するには 温室効果ガスの削減が必要である この 1 つの方法が太陽電池である このため 太陽電池産業は世界の生産量を急激に増加させ 近年競争パラダイム

JAIST Reposi https://dspace.j Title 太陽電池産業のアーキテクチャ - と競争力 : 半導体 液晶との比較研究 Author(s) 中田, 行彦 Citation 年次学術大会講演要旨集, 25: 694-697 Issue Date 2010-10-09 Type Conference Paper Text version publisher URL Rights

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アナログ電 回路 3-1 電気回路で考える素 ( 能動素 ) 抵抗 コイル コンデンサ v v v 3-2 理 学部 材料機能 学科岩 素顕 iwaya@meijo-u.ac.jp トランジスタ トランジスタとは? トランジスタの基本的な動作は? バイポーラトランジスタ JFET MOFET ( エンハンスメント型 デプレッション型 ) i R i L i C v Ri di v L dt i C

平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華

平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華 ( 同専攻博士課程学生 ) の研究グループは 幅広い波長の光を含む太陽光を 太陽電池に最適な波長の熱ふく射

第 7 章 これからの 太 陽 電 池 ( 上 級 編 ) 79 低 コストな 太 陽 電 池 を 目 指 して 材 料 ウェハー 化 コストを 下 げるには 図 は 7 年 における 住 宅 用 太 陽 光 発 電 システム 価 格 (6 円 /kwh)のコスト 内 訳 を 示 したものです この

7 これからの 太 陽 電 池 ( 上 級 編 ) 太 陽 電 池 は 今 後 どのような 方 向 に 技 術 開 発 が 向 いていくのでしょうか この 章 では トピックスをいくつか 例 示 して これからの 太 陽 電 池 の 動 向 をイメージしていただきたいと 思 います 第 7 章 これからの 太 陽 電 池 ( 上 級 編 ) 79 低 コストな 太 陽 電 池 を 目 指 して 材

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太陽光発電の LCA による 導入需要の変化分析 Analysis of Changes in demand for adoption by Life cycle assessment of photovoltaic electricity 平成 25 年 3 月 1 日 ( 金 ) 平成 24 年度事例研究成果報告会東京都市大学横浜キャンパス 31A 教室 伊坪徳宏研究室学部 3 年エネルギー班遠藤一樹乗松義弥松山湧

報道機関各位 平成 29 年 7 月 10 日 東北大学金属材料研究所 鉄と窒素からなる磁性材料熱を加える方向によって熱電変換効率が変化 特殊な結晶構造 型 Fe4N による熱電変換デバイスの高効率化実現へ道筋 発表のポイント 鉄と窒素という身近な元素から作製した磁性材料で 熱を加える方向によって熱

報道機関各位 平成 29 年 7 月 10 日 東北大学金属材料研究所 鉄と窒素からなる磁性材料熱を加える方向によって熱電変換効率が変化 特殊な結晶構造 型 Fe4N による熱電変換デバイスの高効率化実現へ道筋 発表のポイント 鉄と窒素という身近な元素から作製した磁性材料で 熱を加える方向によって熱電気変換効率が大きく変化することを新発見した 鉄と窒素の組み合わせに限らず 身のまわりにあふれた元素の組み合わせで同様の特性を持つ材料が作れることを示唆

平成 28 年 12 月 1 日 報道機関各位 国立大学法人東北大学大学院工学研究科 マンガンケイ化物系熱電変換材料で従来比約 2 倍の出力因子を実現 300~700 の未利用熱エネルギー有効利用に期待 概要 東北大学大学院工学研究科の宮﨑讓 ( 応用物理学専攻教授 ) 濱田陽紀 ( 同専攻博士前期

平成 28 年 12 月 1 日 報道機関各位 国立大学法人東北大学大学院工学研究科 マンガンケイ化物系熱電変換材料で従来比約 2 倍の出力因子を実現 300~700 の未利用熱エネルギー有効利用に期待 概要 東北大学大学院工学研究科の宮﨑讓 ( 応用物理学専攻教授 ) 濱田陽紀 ( 同専攻博士前期課程学生 ) 佐藤美嘉 ( 同専攻博士前期課程学生 ) および林慶 ( 同専攻准教授 ) の研究グループは

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 09/01/21 半導体電子工学 II 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 1 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 2 10 月 8 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 3 10 月 15 日 pn 接合ダイオード (1) 4 10 月 22 日 pn 接合ダイオード (2) 5 10 月 29 日 pn 接合ダイオード

1 事業全体の成果 2

Ⅲ 研究開発成果について 1 1 事業全体の成果 2 開発スケジュール H12FY H13FY H14FY H15FY H16FY 高積層スタック技術の開発 高積層製造技術の確立 :250 セルスタック (300kW 級 ) 加圧ショートスタック試験加圧小型発電システムの開発 長寿命化 (10kW 級 ) モジュール構造の確立 (300 300kW 級 ) 1 万時間運転 MCFC+GT システムの実証劣化率

報道発表資料 2008 年 1 月 31 日 独立行政法人理化学研究所 酸化物半導体の謎 伝導電子が伝導しない? 機構を解明 - 金属の原子軌道と酸素の原子軌道の結合が そのメカニズムだった - ポイント チタン酸ストロンチウムに存在する 伝導しない伝導電子 の謎が明らかに 高精度の軟 X 線共鳴光

60 秒でわかるプレスリリース 2008 年 1 月 31 日 独立行政法人理化学研究所 酸化物半導体の謎 伝導電子が伝導しない? 機構を解明 - 金属の原子軌道と酸素の原子軌道の結合が そのメカニズムだった - ダイヤモンドに近い光の屈折率を持つため 人造宝石として用いられ 高い誘電率を持つため セラミックコンデンサに広く活用されている ありふれた酸化物 チタン酸ストロンチウム は 近年 新たな性質が次々と発見され

23EU-PVSECReport

第 23 回太陽光発電欧州会議 (23 rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition) 報告 2008.9 山口真史 ( 豊田工大 ) 1. 開催月日 :2008 年 9 月 1 日 ~5 日 2. 開催場所 :Feria Valencia( バレンシア スペイン ) 3. 本会議の概要 : 毎年開催される太陽光発電に関する欧州会議である

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次世代太陽電池創製に向けたマルチスケールシリコン系結晶 Multiscale silicon-based materials for advanced solar cells 宇佐美徳隆 太野垣健 * 星裕介 高橋勲 Supawan Joonwichien Noritaka Usami, Takeshi Tayagaki*, Yusuke Hoshi, Isao Takahashi, Supawan

<4D F736F F F696E74202D208E968CE3955D89BF90E096BE8E9197BF2D8BA492CA8AEE94D55F E707074>

成 Ⅲ. 研究開発成果について開発項目毎 果 資料 6-3 第 1 回 太陽光発電システム共通基盤技術研究開発 ( 事後評価 ) 分科会 71/123 (1) 太陽電池評価技術の研究開発 ( 独 ) 産業技術総合研究所,( 財 ) 電気安全環境研究所 (2) 太陽光発電システム評価技術の研究開発 ( 独 ) 産業技術総合研究所,( 財 ) 電気安全環境研究所 (3) 太陽光発電システムのリサイクル

酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御

同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御 - 新規炭素系材料を用いた高性能ナノスケール素子に向けて - 配布日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 14 時解禁日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 20 時独立行政法人物質 材料研究機構概要 1. 独立行政法人物質

スライド 1

1 2017/8/3 GaN とほぼ格子整合する 新しい ITO 膜の形成技術 京都工芸繊維大学電気電子工学系 助教 西中浩之 2 発明の概要 ビックスバイト構造 (bcc-ito) 安定相 菱面体晶構造 (rh-ito) 準安定相 現在利用されている ITO は全て ビックスバイト構造もしくは非晶質 菱面体晶構造 (rh-ito) は合成に高圧が必要なため 作製例がほとんどなかった 新技術では この

QOBU1011_40.pdf

印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)

プレスリリース 2017 年 4 月 14 日 報道関係者各位 慶應義塾大学 有機単層結晶薄膜の電子物性の評価に成功 - 太陽電池や電子デバイスへの応用に期待 - 慶應義塾基礎科学 基盤工学インスティテュートの渋田昌弘研究員 ( 慶應義塾大学大学院理工学研究科専任講師 ) および中嶋敦主任研究員 (

プレスリリース 2017 年 4 月 14 日 報道関係者各位 慶應義塾大学 有機単層結晶薄膜の電子物性の評価に成功 - 太陽電池や電子デバイスへの応用に期待 - 慶應義塾基礎科学 基盤工学インスティテュートの渋田昌弘研究員 ( 慶應義塾大学大学院理工学研究科専任講師 ) および中嶋敦主任研究員 ( 慶應義塾大学理工学部教授 ) らは 有機薄膜デバイスの構成要素であるアントラセン分子の単層結晶薄膜