スライド 1

1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e

No. 1 1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e I X e Cs Ba F Ra Hf Ta W Re Os I Rf Db Sg Bh

03J_sources.key

Radiation Detection & Measurement (1) (2) (3) (4)1 MeV ( ) 10 9 m 10 7 m 10 10 m < 10 18 m X 10 15 m 10 15 m ......... (isotope)...... (isotone)......... (isobar) 1 1 1 0 1 2 1 2 3 99.985% 0.015% ~0% E

IS(A3) 核データ表 ( 内部転換 オージェ電子 ) No.e1 By IsoShieldJP 番号 核種核種半減期エネルギー放出割合核種番号通番数値単位 (kev) (%) 核崩壊型 娘核種 MG H β-/ce K A

IS(A3)- 284 - No.e1 核種核種半減期エネルギー放出割合核種通番数値単位 (kev) (%) 1 1 1 MG-28 20.915 H 29.08 27.0000 β-/ce K Al-28 2 1 2 MG-28 20.915 H 30.64 2.6000 β-/ce L Al-28 3 2 1 SC-44M 58.6 H 270.84 0.0828 EC/CE CA-44 4 2

1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合

1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合の実効線 務従事者 区域外の 区域外の 量係数 量係数 の呼吸す 空気中の 水中の濃 る空気中 濃度限度

H1-H4

42 S H He Li H He Li Be B C N O F Ne Be B C N O F Ne H He Li Be B H H e L i Na Mg Al Si S Cl Ar Na Mg Al Si S Cl Ar C N O F Ne Na Be B C N O F Ne Na K Sc T i V C r K Sc Ti V Cr M n F e C o N i Mn Fe Mg

36 th IChO : - 3 ( ) , G O O D L U C K final 1

36 th ICh - - 5 - - : - 3 ( ) - 169 - -, - - - - - - - G D L U C K final 1 1 1.01 2 e 4.00 3 Li 6.94 4 Be 9.01 5 B 10.81 6 C 12.01 7 N 14.01 8 16.00 9 F 19.00 10 Ne 20.18 11 Na 22.99 12 Mg 24.31 Periodic

RN201602_cs5_0122.indd

ISSN 1349-1229 No.416 February 2016 2 SPECIAL TOPIC113 SPECIAL TOPIC 113 FACE Mykinso 113 SPECIAL TOPIC IUPAC 11320151231 RI RIBFRILAC 20039Zn30 Bi83 20047113 20054201283 113 1133 Bh107 20082009 113 113

CPT2L1Z1J154.indd

要点学習化学変化と原子分子 1 1 30 分分解, 物質のしくみ CPT2L1-Z1J1-01 要点 要点を読んで重要なポイントを確認しましょう 分解 1 分解 物質そのものが 性質が異なる別の物質に変わる変化を() といいます 1 種類の物質が2 種類以上の別の物質に分かれる化学変化をといいます 加熱により起こる分解をとくにといい 電流を流すことにより起こる分解をとくに といいます 2 炭酸水素ナトリウムを熱分解する実験

RAA-05(201604)MRA対応製品ver6

M R A 対 応 製 品 ISO/IEC 17025 ISO/IEC 17025は 試験所及び校正機関が特定の試験又は 校正を実施する能力があるものとして認定を 受けようとする場合の一般要求事項を規定した国際規格 国際相互承認 MRA Mutual Recognition Arrangement 相互承認協定 とは 試験 検査を実施する試験所 検査機関を認定する国際組織として ILAC 国際試験所認定協力機構

元素分析

: このマークが付してある著作物は 第三者が有する著作物ですので 同著作物の再使用 同著作物の二次的著作物の創作等については 著作権者より直接使用許諾を得る必要があります (PET) 1 18 1 18 H 2 13 14 15 16 17 He 1 2 Li Be B C N O F Ne 3 4 5 6 7 8 9 10 Na Mg 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Al Si P

2_R_新技術説明会（佐々木）

% U: 6.58%, Np, Am:.5%, Pu:.% 5.8% Cs 6.5% Sr %.9%Mo 8.74% Tc.9% TODA C 8 H 7 C 8 H 7 N CH C CH N CH O C C 8 H 7 O N MIDOA C 8 H 7 DOODA NTA + HN(C 8 H 7 ) + H O DCC + SOCl + HN(C 8 H 7 ) + Cl TODA (TODA)

MP-AES ICP-QQQ Agilent 5100 ICP-OES Agilent 5100 (SVDV) ICP-OES (DSC) 1 5100 SVDV ICP-OES VistaChip II CCD Agilent 7900 ICP-MS 7700 / 10 7900 ICP-MS ICP-MS FTIR Agilent 7900 ICP-MS Agilent Cary 7000 (UMS)

hv (%) (nm) 2

HOLLOW CATHODE LAMPS hv 1 2 1 8 5 3 4 6 (%) 6 4 7 8 2 16 2 24 28 32 36 4 44 (nm) 2 1 328.7 346.5 Ag 47-47NB(AG) 338.28 1 2 Re 75-75NB(RE) 346.47 2 25 39.27 343.49 Al 13-13NB(AL) 396.15 1 2 Rh 45-45NB(RH)

2 1 7 - TALK ABOUT 21 μ TALK ABOUT 21 Ag As Se 2. 2. 2. Ag As Se 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 Sb Ga Te 2. Sb 2. Ga 2. Te 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4

登録プログラムの名称 登録番号 初回登録日 最新交付日 登録された事業所の名称及び所在地 問い合わせ窓口 JCSS JCSS 年 12 月 1 日 2018 年 5 月 23 日公益社団法人日本アイソトープ協会川崎技術開発センター 神奈川県川崎市川崎区殿町三丁目

登録プログラムの名称 登録番号 初回登録日 最新交付日 登録された事業所の名称及び所在地 問い合わせ窓口 JCSS JCSS0061 1995 年 12 月 1 日 2018 年 5 月 23 日公益社団法人日本アイソトープ協会川崎技術開発センター 210-0821 神奈川県川崎市川崎区殿町三丁目 25 番 20 号法人番号 7010005018674 研究開発課 Tel: 044-589-5494

PowerPoint プレゼンテーション

2004 3 3 2 3 4 5 6 7 8 9 10 T. Ito, A. Yamamoto, et al., J. Chem. Soc., Chem. Commun., 136 (1974) J. Chem. Soc., Dalton Trans., 1783 (1974) J. Chem. Soc., Dalton Trans., 1398 (1975) 11 T.Ito, A. Yamamoto,

untitled

NPO 2006( ) 11 14 ( ) (2006/12/3) 1 50% % - - (CO+H2) ( ) 6 44 1) --- 2) ( CO H2 ) 2 3 3 90 3 3 2 3 2004 ( ) 1 1 4 1 20% 5 ( ) ( ) 2 6 MAWERA ) MAWERA ( ) ( ) 7 6MW -- 175kW 8 ( ) 900 10 2 2 2 9 -- - 10

希少金属資源 -新たな段階に入った資源問題-

H 耐用 TMR 占有増大 Li 94.5 4CL 0 Na 56 0 K 800 6CA 99 Rb 0. Cs 0.0 Fr Be.5 86US 4 Mg 5500 0.07 8CN 5 Ca 0.09 7 Sr 0.5 48ES Ba 0.5 47 Ra Sc. Y 6.7 7 (Ln) 800-97CN 6 (An) Center for Strategic Material NIMS,Japan

01-表紙.ai

B 0 5 0-5 双極子核 I=1/ 2 四極子核 I 1 e Li Be B C N F Ne Na Mg 黒字はNMR 観測不可 Al Si P S Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr MnFe Co Ni Cu ZnGaGe As Se Br Kr RbSr Y Zr NbMoTc RuRhPdAgCd In Sn SbTe I Xe Cs Ba La f Ta W Res Ir Pt

2 6 8 10 12 14 18 20 22 24 26 29 32 34 36 1 40 42 44 39 47 48 50 52 54 56 58 60 62 64 68 70 72 74 76 78 80 67 83 84 86 88 90 92 94 96 97 98 100 102 103 104 106 110 112 114 116 118 120 122 124 126 128 130

2 Zn Zn + MnO 2 () 2 O 2 2 H2 O + O 2 O 2 MnO 2 2 KClO 3 2 KCl + 3 O 2 O 3 or 3 O 2 2 O 3 N 2 () NH 4 NO 2 2 O + N 2 ( ) MnO HCl Mn O + CaCl(ClO

1 [1]. Zn + 2 H + Zn 2+,. K Ca Na Mg Al Zn Fe Ni Sn Pb H Cu Hg Ag Pt Au H (H + ),,. [2] ( ) ( ) CO 2, S, SO 2, NH 3 () + () () + () FeS Fe S ( ) + ( ) ( ) + ( ) 2 NH 4 Cl + Ca(OH) 2 Ca O + 2 NH 3,.,,.,,.,.

JAJP

Agilent 7500ce ORS ICP-MS Glenn Woods Agilent Technologies Ltd. 5500 Lakeside, Cheadle Royal Business Park Stockport UK Agilent 7500ce ICP-MS 5 7500ce (ORS) 1 ORS 7500ce ORS ICP-MS ( ) 7500 ICP-MS (27.12

SIｻｲｴﾝｽ株式会社 stable isotope metal

12 マグネシウム Magnesium 24 Mg 酸化物 78.99 99.7 12 マグネシウム Magnesium 25 Mg 酸化物 10.0 97.0 12 マグネシウム Magnesium 26 Mg 酸化物 11.01 97.0 12 マグネシウム Potassium 39 K 塩化物 93.11 99.97 12 マグネシウム Potassium 40 K 塩化物 0.011 2.10

スライド 1

High-k & Selete 1 2 * * NEC * # * # # 3 4 10 Si/Diamond, Si/SiC, Si/AlOx, Si Si,,, CN SoC, 2007 2010 2013 2016 2019 Materials Selection CZ Defectengineered SOI: Bonded, SIMOX, SOI Emerging Materials Various

K 吸収端 XAFS 用標準試料 Ti Ti-foil 金属箔 縦 1.3 cm 横 1.3 cm 厚さ 3 µm TiO2 anatase ペレット φ 7 mm 厚さ 0.5 mm 作製日 TiO2 rutile ペレット φ 7 mm 厚さ 0.5 mm 作製日 2017.

あいち SR BL5S1 硬 X 線 XAFS ビームライン Ⅰ 標準試料リスト 周期表のリンクをクリックすると 各元素の標準試料リストに飛びます 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 H He Li Be B C N O F Ne Na Mg Al Si P S Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga

理工学部無機化学ノート

2 周期表と元素の性質の周期性 電子配置 通常の長周期型周期表 非金属元素と金属元素 e Cs Ba f Ta W Re Os Ir Pt Au g Tl Pb Bi Po At Rn Fr Ra Rf Db Sg Bh s Mt Ds Rg Cn Fl Lv 元素の大半は金属元素である 14 族や 15 族は 周期が下がるにつれ 性質が大幅に変化することが分かる La Ce Pr Nd Pm Sm

42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =

3 3.1 3.1.1 kg m s J = kg m 2 s 2 MeV MeV [1] 1MeV=1 6 ev = 1.62 176 462 (63) 1 13 J (3.1) [1] 1MeV/c 2 =1.782 661 731 (7) 1 3 kg (3.2) c =1 MeV (atomic mass unit) 12 C u = 1 12 M(12 C) (3.3) 41 42 3 u

Agilent 7900 ICP-MS 1 1 Ed McCurdy 2 1 Agilent Technologies, Japan 2 Agilent Technologies, UK

Agilent 7900 ICP-MS 1 1 Ed McCurdy 2 1 Agilent Technologies, Japan 2 Agilent Technologies, UK Na P K Ca Co Cu Sr Cd Ce Cs Tl 11 [1]18 [2] (FAO) (WTO) (Codex) Pb Cd As Sn Pb 0.3 mg/kg Cd 0.4 mg/kg 0.2 mg/kg

Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver８青柳（最終版）

別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)

C el = 3 2 Nk B (2.14) c el = 3k B C el = 3 2 Nk B

I ino@hiroshima-u.ac.jp 217 11 14 4 4.1 2 2.4 C el = 3 2 Nk B (2.14) c el = 3k B 2 3 3.15 C el = 3 2 Nk B 3.15 39 2 1925 (Wolfgang Pauli) (Pauli exclusion principle) T E = p2 2m p T N 4 Pauli Sommerfeld

Microsoft PowerPoint - 基礎化学4revPart1b [互換モード]

化学結合と分 の形 なぜ原 と原 はつながるのかなぜ分 はきまった形をしているのか化学結合の本質を理解しよう 分子の形と電子状態には強い相関がある! 原子 分子 基礎化学 ( 化学結合論 構造化学 量子化学 ) 電子配置分子の形強い相関関係 ( 電子状態 ) ( 立体構造 ) 分子の性質 ( 反応性 物性 ) 先端化学 ( 分子設計 機能化学 ) 機能 分子の形と電子配置の基礎的理解 基礎 ( 簡単

物理化学I-第12回(13).ppt

I- 12-1 11 11.1 2Mg(s) + O 2 (g) 2MgO(s) [Mg 2+ O 2 ] Zn(s) + Cu 2+ (aq) Zn 2+ (aq) + Cu(s) - 2Mg(s) 2Mg 2+ (s) + 4e +) O 2 (g) + 4e 2O 2 (s) 2Mg(s) + O 2 (g) 2MgO(s) Zn(s) Zn 2+ (aq) + 2e +) Cu 2+ (aq)

リサイクルデータブック2017

AppendixEU SDGs2159EU 21512UNEPOECD2165G7 2165 214 Appendix 1 EU 2 EU EU( EU EU EU EU 3 217 i CONTENTS i 1 214 1 214 2 1 4 2 2 6 3 3 6 4 214 7 4 5 9 6 214 9 5 7 1 8 214 1 9 11 1 214 11 11 214 11 6 6.1

リサイクルデータブック2016

AppendixEU SDGs2159EU 21512UNEPOECD2165G7 2165 213 Appendix 1 EU 2 EU 3 215 i CONTENTS i 1 213 1 213 2 1 4 2 2 6 3 3 6 4 213 7 4 5 9 6 213 9 5 7 1 8 213 1 9 11 1 213 11 11 213 11 6 6.1 12 213 14 6.2 13

Basic Welding 1. welding processes and equipments

オーステナイト FCC: 面心立方格子 Face Centered Cubic = 最密 (closed pack)! α,δ- フェライト BCC : 体心立方格子 Body Centered Cubic A1 変態温度 (A1 変態線 ) A3 変態温度 (A3 変態線 ) 変形 = 転位の動き 最大せん断応力方向 刃状転位 変形 = 転位の動き 最大せん断応力方向 刃状転位 粒界 鉄鋼材料の熱処理

コロイド化学と界面化学

x 25 1 kg 1 kg = 1 l mmol dm -3 ----- 1000 mg CO 2 -------------------------------------250 mg Li + --------------------------------1 mg Sr 2+ -------------------- 10

Microsoft Word - Jmol リソースの使い方－２.doc

Moodle での Jmol リソースの 使 い 方 1. 表 示 例 分 子 構 造 データファイルを 指 定 して 分 子 の 3 次 元 構 造 と 分 子 軌 道 などを 表 示 することができます 1.1. DNA PDB 形 式 データファイル 1.2. タンパク 質 の 表 示 GFP の 一 種 1 1.3. 波 動 関 数 の 表 示 -アセトアルデヒド 2. リソースの 追 加

CRA3689A

AVIC-DRZ90 AVIC-DRZ80 2 3 4 5 66 7 88 9 10 10 10 11 12 13 14 15 1 1 0 OPEN ANGLE REMOTE WIDE SET UP AVIC-DRZ90 SOURCE OFF AV CONTROL MIC 2 16 17 1 2 0 0 1 AVIC-DRZ90 2 3 4 OPEN ANGLE REMOTE SOURCE OFF

新規な金属抽出剤

新規な金属イオン抽出剤 (MIDA) 貴金属の簡便な回収法に利用 日本原子力研究開発機構 基礎工学研究センター 佐々木祐二 原子力機構では使用済み燃料中の有用金属の回収を目的として 様々な分離技術の開発を行っています 発電前発電後 (An, 含む ) せん断 溶解分離 U, Pu 精製 U 精製 再処理工場へ ウラン燃料 Pu 精製 核変換 高レベル廃液 燃料再処理 (PUREX) 中間貯蔵 U,

X線分析の進歩36 別刷

X X X-Ray Fluorescence Analysis on Environmental Standard Reference Materials with a Dry Battery X-Ray Generator Hideshi ISHII, Hiroya MIYAUCHI, Tadashi HIOKI and Jun KAWAI Copyright The Discussion Group

1.06μm帯高出力高寿命InGaAs歪量子井戸レーザ

rjtenmy@ipc.shizuoka.ac.jp ZnO RPE-MOCVD UV- ZnO MQW LED/PD & Energy harvesting LED ( ) PV & ZnO... 1970 1980 1990 2000 2010 SAW NTT ZnO LN, LT IC PbInAu/PbBi Nb PIN/FET LD/HBT 0.98-1.06m InGaAs QW-LD

日本電子News vol.44, 2012

untitled

--- = ---- 16 Z 8 0 8 8 0 Big Bang 8 8 s-process 50 r-process 8 50 N r-process s-process Hydrogen 71% Helium 8% Others 1.9% Heay 4-4% lements(>ni p-process (γ process? r-process s-process Big Bang H,He

Yuzo Nakamura, Kagoshima Univ., Dept Mech Engr. perfect crystal imperfect crystal point defect vacancy self-interstitial atom substitutional impurity

perfect crystal imperfect crystal point defect vacancy self-interstitial atom substitutional impurity atom interstitial impurity atom line defect dislocation planar defect surface grain boundary interface

Agilent AA ICP ICP-MS ICP-MS AA 55B AA LCD AA PC PC 240 AA / / AA 240FS/280FS AA AA FS 240Z/280Z AA GFAA AA Duo 1 PC AA 2 280FS AA

Agilent Agilent AA 195750 ICP ICP-MS ICP-MS AA 55B AA LCD AA PC PC 240 AA / / AA 240FS/280FS AA AA FS 240Z/280Z AA GFAA AA Duo 1 PC AA 2 280FS AA 1938 HP 1965 HP 1976 GC/MS HP 5992A 1983 GC GC HP 5890A

無電解析出

無電解めっきの析出機構 無電解めっきは広い意味では外部電源を用いずに金属めっき膜を成膜する技術と定義される 大別すると 1 素地金属の溶解に伴って遊離する電子によって溶液中の金属イオンが還元されて電極上に析出する置換めっき 2 不均化反応に基づく金属析出 3 溶液中に含まれる還元剤が電極上で酸化される際に遊離する電子によって溶液中の金属イオンが金属皮膜として析出する自己触媒的な無電解めっき がある

<4D F736F F F696E74202D2091E F BB95A894BC93B191CC899E97708CA48B8689EF E9197BF>

1 豊田合成の GaN 系 LED の開発と製品化 豊田合成株式会社オプト E 事業部柴田直樹 Outline 2 A. TG LED チップの歴史と特性の紹介 PC タブレット向けチップ 照明向けチップ B. TG の結晶成長技術について AlN バッファ層上 GaN 層成長メカニズム C. TG の最新 LED チップの紹介 GaN 基板上 LED 非極性 m 面 GaN LED A-1. 省エネ

CuSO POINT S 2 Ni Sn Hg Cu Ag Zn 2 Cu Cu Cu OH 2 Cu NH CuSO 4 5H 2O Ag Ag 2O Ag 2CrO4 Zn ZnS ZnO 2+ Fe Fe OH 2 Fe 3+ Fe OH 3 2 Cu Cu OH 2 Ag Ag

CuSO POINT S 2 Ni Sn Hg Cu Ag Zn 2 CuCu Cu OH 2 Cu NH 3 4 2 CuSO 4 5H 2O AgAg 2O Ag 2CrO4 ZnZnS ZnO 2+ Fe Fe OH 2 Fe 3+ Fe OH 3 2 Cu Cu OH 2 Ag Ag 2O Cl Cl AgCl PbCl 2 Ag Cl AgCl Pb 2 2Cl PbCl2 Cl Hg22

hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに

Microsoft PowerPoint プレゼン資料（基礎）Rev.1.ppt [互換モード]

プレゼン資料 腐食と電気防食 本資料は当社独自の技術情報を含みますが 公開できる範囲としています より詳細な内容をご希望される場合は お問い合わせ よりご連絡願います 腐食とは何か? 金属材料は金や白金などの一部の貴金属を除き, 自然界にそのままの状態で存在するものではありません 多くは酸化物や硫化物の形で存在する鉱石から製造して得られるものです 鉄の場合は鉄鉱石を原料として精錬することにより製造されます

あいち SR 硬 X 線 XAFS ビームライン参照試料リスト 周期表のリンクをクリックすると 各元素の参照試料リストに飛びます H He Li Be B C N O F Ne Na Mg Al Si P S

あいち SR 硬 X 線 XAFS ビームライン参照試料リスト 周期表のリンクをクリックすると 各元素の参照試料リストに飛びます 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 H He Li Be B C N O F Ne Na Mg Al Si P S Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se

4_Laser.dvi

1 1905 A.Einstein 1917 A.Einstein 1954 C.H.Townes MASER Microwave Amplification by Stimulated Emission of Radiation 23.9 GHz 1.26 cm 1960 T.H.Maiman LASER Light Amplification by Stimulated Emissin of Radiation

電子配置と価電子 P H 2He 第 4 回化学概論 3Li 4Be 5B 6C 7N 8O 9F 10Ne 周期表と元素イオン 11Na 12Mg 13Al 14Si 15P 16S 17Cl 18Ar 価電子数 陽

電子配置と価電子 P11 1 2 13 14 15 16 17 18 1H 2He 第 4 回化学概論 3Li 4Be 5B 6C 7N 8O 9F 10Ne 周期表と元素イオン 11Na 12Mg 13Al 14Si 15P 16S 17Cl 18Ar 1 2 3 4 5 6 7 0 陽性元素陰性元素安定電子を失いやすい電子を受け取りやすい 原子番号と価電子の数 P16 元素の周期表 P17 最外殻の電子配置と周期表

apple ｦ0 09 apple ｦ apple0309apple076 56ｦ fl 0603apple6ｦ

1305ｨｬ00010204ｨｦ00ｨｦ07ｨ ｨｹ ｨ 0500090502ｨｦ00ｨｦ07ｨ ｨｹ, 2009, 6ｧ8 6, 06. 1ｨC18 ｨｬ0501 551.23/21;558.42 07ｨ 05ｨｺｨｦ0700ｨｦ07ｨ 02ｨ ｨｹ ｨｪ00ｨｺ020200ｨｲ040107 ｨ 05ｨｪｨｦｨｮ04ｨ 01ｨｦ05 05ｨｬ0001020402 02ｨｬｨｪ04ｨｦ050501ｨ

4 1 Ampère 4 2 Ampere 31

4. 2 2 Coulomb 2 2 2 ( ) electricity 2 30 4 1 Ampère 4 2 Ampere 31 NS 2 Fleming 4 3 B I r 4 1 0 1.257 10-2 Gm/A µ 0I B = 2πr 4 1 32 4 4 A A A A 4 4 10 9 1 2 12 13 14 4 1 16 4 1 CH 2 =CH 2 28.0313 28 2

PowerPoint Presentation

材料科学基礎 Ⅰ 材料科学の枠組み 元素の結晶構造 いろいろな金属間化合物, 合金の結晶 いろいろなセラミックスの結晶とイオン結晶 格子, 晶系, 点群 X 線と結晶 物質の性質と対称性 結晶の欠陥と組織 1 hcp (hexagonal close packed structure) 2 fcc (face centered cubic structure) 3 hcp の軸比 (c/a) について

第 11 回化学概論 酸化と還元 P63 酸化還元反応 酸化数 酸化剤 還元剤 金属のイオン化傾向 酸化される = 酸素と化合する = 水素を奪われる = 電子を失う = 酸化数が増加する 還元される = 水素と化合する = 酸素を奪われる = 電子を得る = 酸化数が減少する 銅の酸化酸化銅の還元

第 11 回化学概論 酸化と還元 P63 酸化還元反応 酸化数 酸化剤 還元剤 金属のイオン化傾向 酸化される = 酸素と化合する = 水素を奪われる = 電子を失う = 酸化数が増加する 還元される = 水素と化合する = 酸素を奪われる = 電子を得る = 酸化数が減少する 銅の酸化酸化銅の還元 2Cu + O 2 2CuO CuO + H 2 Cu + H 2 O Cu Cu 2+ + 2e

23 1 Section ( ) ( ) ( 46 ) , 238( 235,238 U) 232( 232 Th) 40( 40 K, % ) (Rn) (Ra). 7( 7 Be) 14( 14 C) 22( 22 Na) (1 ) (2 ) 1 µ 2 4

23 1 Section 1.1 1 ( ) ( ) ( 46 ) 2 3 235, 238( 235,238 U) 232( 232 Th) 40( 40 K, 0.0118% ) (Rn) (Ra). 7( 7 Be) 14( 14 C) 22( 22 Na) (1 ) (2 ) 1 µ 2 4 2 ( )2 4( 4 He) 12 3 16 12 56( 56 Fe) 4 56( 56 Ni)

2 A B A B A A B Ea 1 51 Ea 1 A B A B B A B B A Ea 2 A B Ea 1 ( )k 1 Ea 1 Ea 2 Arrhenius 53 Ea R T k 1 = χe 1 Ea RT k 2 = χe 2 Ea RT 53 A B A B

5. A B B A B A B B A A B A B 2 A [A] B [B] 51 v = k[a][b] 51 A B 3 0 273.16 A B A B A B A A [A] 52 v= k[a] 52 A B 55 2 A B A B A A B Ea 1 51 Ea 1 A B A B B A B B A Ea 2 A B Ea 1 ( )k 1 Ea 1 Ea 2 Arrhenius

Microsoft PowerPoint - H25環境研修所(精度管理）貴田（藤森修正）

測定技術における課題 1 元素の機器分析 藤森 英治 ( 環境調査研修所 ) 1 まとめと課題 5 ろ液の保存 改正告示法では 溶出液の保存方法は規定していない 測定方法は基本的に JISK0102 工場排水試験法を引用する場合が多く 溶出液の保存についてはそれに準ずる 今回の共同分析では 溶出液の保存について指示していなかった そのため 六価クロムのブラインド標準では六価クロムが三価クロムに一部還元される現象がみられた

2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している

1 磁化方向の電圧制御とそのメモリ センサ 光デバイスへの応用 秋田大学大学院工学資源学研究科 附属理工学研究センター 准教授 吉村哲 2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している 3 従来技術とその問題点 エネルギーロスの大きい電流磁界により磁化反転を行っており 消費電力が高い 発生可能な磁界に限界があり(

1-x x µ (+) +z µ ( ) Co 2p 3d µ = µ (+) µ ( ) W. Grange et al., PRB 58, 6298 (1998). 1.0 0.5 0.0 2 1 XMCD 0-1 -2-3x10-3 7.1 7.2 7.7 7.8 8.3 8.4 up E down ρ + (E) ρ (E) H, M µ f + f E F f + f f + f X L

資料４　小型電気電子機器リサイクル制度及び使用済製品中の有用金属の再生利用について

資料 4 小型電気電子機器リサイクル制度及び使用済製品中の有用金属の再生利用について 環境省大臣官房廃棄物 リサイクル対策部 小型電気電子機器 審議会の検討対象としては 基本的には 家電リサイクル法の対象品目以外の全ての電気電子機器を想定 このうち 基板等有用金属を高濃度で含む部品を有していること 比較的小型で他品目と同時に一括での回収が可能なこと 3 現時点でリサイクルされていないもの を条件として検討対象となる具体的な品目を特定していく予定

2008/02/18 08:40-10:10, 12:50-14:20 14:30-16:00, 16:10-17:40,

008/0/18 08:40-10:10, 1:50-14:0 14:30-16:00, 16:10-17:40, 1pt A 1911 Leiden Heike Kammelingh-Onnes H.Kammelingh Onnes 1907 He 1 4. K H H c T c T H c Hg:40 mt, Pb:80 mt, Sn:30 mt 100 mt I c H c H c H

000..\..

Bull. Nagoya Univ. Museum No. 20, 79 91, 2004 Quantitative chemical analysis of rocks with X-ray fluorescence analyzer XRF-1800 NAKAZAKI Mineko TSUBOI Motohiro KANAGAWA Kazuyo KATO Takenori SUZUKI Kazuhiro

positron 1930 Dirac 1933 Anderson m 22Na(hl=2.6years), 58Co(hl=71days), 64Cu(hl=12hour) 68Ge(hl=288days) MeV : thermalization m psec 100

positron 1930 Dirac 1933 Anderson m 22Na(hl=2.6years), 58Co(hl=71days), 64Cu(hl=12hour) 68Ge(hl=288days) 0.5 1.5MeV : thermalization 10 100 m psec 100psec nsec E total = 2mc 2 + E e + + E e Ee+ Ee-c mc

Al アルミニウム Cu 銅 Fe 鉄 Ni ニ

Al アルミニウム 30000 30000 30000 26000 26000 26000 28000 Cu 銅 140000 140000 140000 110000 110000 110000 130000 Fe 鉄 86000 87000 88000 140000 140000 140000 110000 Ni ニッケル 13000 13000 14000 23000 23000 23000

Microsoft PowerPoint - ①-3_データ集(タンク推定・実測)r6

参考資料 -3 ALPS 処理水データ集 ( タンク群毎 ) 1. タンク群毎の放射能濃度推定値 1 1. タンク群毎の放射能濃度推定値 G3 エリア 以上は橙色 部分 62 核種告示比 ( 限度比総和 ) 推定 1 未満は水色 部分 Gr 9.00E+01 6.00E+01 2.00E+02 8.00E+02 1.00E+02 3.00E+01 9.00E+00 6.00E+04 62 核種告示比推定

1 平成 27 年度環境研究総合推進費研究成果発表会 平成 27 年 10 月 23 日 廃自動車の行方を考える - 資源と環境の視点から見た使用済み自動車 - 京都大学環境科学センター酒井伸一

1 平成 27 年度環境研究総合推進費研究成果発表会 平成 27 年 10 月 23 日 廃自動車の行方を考える - 資源と環境の視点から見た使用済み自動車 - 京都大学環境科学センター酒井伸一 平成 24~26 年度環境研究総合推進費研究 使用済み自動車 (ELV) の資源ポテンシャルと環境負荷に関するシステム分析 研究代表者酒井伸一 ( 京都大学 ) 研究分担者滝上英孝 梶原夏子 ( 国立環境研究所

untitled

213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい

untitled

254nm UV TiO 2 20nm :Sr 5 Ta 4 O 15 3 4 KEY-1 KEY-2 (Ti,Nb,Ta) 5 KEY-1 KEY-2 6 7 NiO/ Sr 2 Ta 2 O 7 mmol h -1 g -1 20 15 10 5 H 2 O 2 H 2 O 2 0 0 2 4 6 8 10 12 NiO/Sr 2 Ta 2 O 7 The synthesis of photocatalysts

untitled

2008-11/13 12 4 12 5 401 501 702 401 501 A-1 9:00-10:30 B-1 9:15-10:30 C-1 9:00-10:30 A-5 9:00-10:30 B-5 9:15-10:30 A A-2 10:45-12:15 B-2 10:45-12:15 C-2 10:45-12:15 A-6 10:45-12:15 B-6 10:45-12:15 A B

リサイクルデータブック2015

EUEconomy-wide Material Flow AccountsEW-MFA Domestic Extraction UsedDEU Direct Material InputDMI Domestic Material ConsumptionDMC A resource-effi cient Europe Flagship initiative under the Europe 22 Strategy

名称未設定-2

Contents 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 11 12 13 14 15 16 17 18 19 2 21 22 i 23 24 25 26 27 28 29 3 31 32 33 34 35 36 37 38 39 4 41 42 43 44 45 46 47 48 49 5 51 52 53 54 55 56 57 ii 58 59 6 61 62 63 64 65 66 67 68

E-2 A, B, C A, A, B, A, C m-cresol (NEAT) Rh S m-cresol m-cresol m-cresol x x x ,Rh N N N N H H n Polyaniline emeraldine base E-3 II

E 7, 8, 9 E-1 A, B B A, A, A,, [Novoselov, et al., Science 306, 666, (2004)].,,,.,,,.,. (t a, t b, t c ), [PRB.74, 033413, (2006)],.,, t b /t a t c /t a 0.5., [Ni, etal., ACS, Nano2, 2301, (2008)],, [Zhou

text_0821.dvi

Team DIANA 2007 8 21 2 ( ) ( ) Team DIANA 1 2 1 1 1 1 1 1 1 1 2 1 1 1 1 1 Janosfalvi Zsuzsa 1 1 3 1 5 1.1.................................. 5 1.2................................. 5 1.3.....................................

e - カーボンブラック Pt 触媒 プロトン導電膜 H 2 厚さ = 数 10μm H + O 2 H 2 O 拡散層 触媒層 高分子 電解質 触媒層 拡散層 マイクロポーラス層 マイクロポーラス層 ガス拡散電極バイポーラープレート ガス拡散電極バイポーラープレート 1 1~ 50nm 0.1~1

Development History and Future Design of Reduction of Pt in Catalyst Layer and Improvement of Reliability for Polymer Electrolyte Fuel Cells 6-43 400-0021 Abstract 1 2008-2008 2015 2 1 1 2 2 10 50 1 5

untitled

1 / 37 5-4 6.1 1 2 / 37 1 (1) FePt AuAg (2) CdSe ZnSXY 2 O 3 X X : ZnO (3) SiO 2 (4) (5) 2 1 3 / 37 1 (1) FePt AuAg (2) CdSe ZnSXY 2 O 3 X X : ZnO (3) SiO 2 (4) (5) 3 4 / 37 1Tbits/cm 2 HD FePt FePt 110nm

第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発

第 1 回窒化物半導体応用研究会 平成 20 年 2 月 8 日 GaN 結晶成長技術の開発 半導体事業部 伊藤統夫 第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発 弊社社名変更について 2006

<576F F202D F94BD899E8EAE82CC8DEC82E895FB5F31325F352E6C7770>

1 ( 問 ) 金属が溶けて H 2 を発生する場合 ( 例 ) 1. 金属と H で考える Na H 2O H 2 Fe H 2 H 2 2Na 2H 2Na H 2 Fe 2H Fe 2 H 2 2. 水の場合は OH を両辺に加える 2'. 酸の場合は 酸の陰イオンを両辺に加える 3. たし算をする Na H 2O K H 2O Ca H 2O Mg H 2O Zn H 2 Fe H 2 Al

C 3 C-1 Cu 2 (OH) 3 Cl A, B A, A, A, B, B Cu 2 (OH) 3 Cl clinoatacamite S=1/2 Heisenberg Cu 2+ T N 1 =18K T N 2 =6.5K SR T N 2 T N 1 T N 1 0T 1T 2T 3T

C 3 C-1 Cu 2 (OH) 3 Cl A, B A, A, A, B, B Cu 2 (OH) 3 Cl clinoatacamite S=1/2 Heisenberg Cu 2+ T N 1 =18K T N 2 =6.5K SR T N 2 T N 1 T N 1 0T 1T 2T 3T 4T 5T 6T C (J/K mol) 20 18 16 14 12 10 8 6 0 0 5 10

現場での微量分析に最適 シリーズ Spectroquant 試薬キットシリーズ 専用装置シリーズ 主な測定項目 下水 / 廃水 アンモニア 亜硝酸 硝酸 リン酸 TNP COD Cr 重金属 揮発性有機酸 陰イオン / 陽イオン界面活性剤 等 上水 / 簡易水道 残留塩素 アンモニア 鉄 マンガン

現場での微量分析に最適 シリーズ Spectroquant 試薬キットシリーズ 専用装置シリーズ 主な測定項目 下水 / 廃水 アンモニア 亜硝酸 硝酸 リン酸 TNP COD Cr 重金属 揮発性有機酸 陰イオン / 陽イオン界面活性剤 等 上水 / 簡易水道 残留塩素 アンモニア 鉄 マンガン カドミウム 鉛 六価クロム シアン化物等 飲料 用水管理 残留塩素 鉄 マンガン 等 ボイラー シリカ

<4D F736F F F696E74202D E096BE8E9197BF2893E F8E9197BF92F18F6F816A>

1 透明 鏡 黒ならびに発光状態を有する スイッチャブルスマートウィンドウ Switchable smart window with a light-emitting state and mirror transparent black 東京工芸大学工学部メディア画像学科教授内田孝幸 2 研究の背景 地球温暖化やエネルギー供給の問題から エネルギーを特に多く消費する 冷暖房負荷の軽減に関する技術開発の期待が高まっている.

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni

M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3

untitled

, Kaoru ARIYAMA 10 17N, Na, Mg,Al,Si,P,S,Cl,K,Ca,Fe,Cu,Zn,Se,Br,Rb Sr 14r2 0.9617 Tricholoma matsutake,,, JAS ICP-OESICP-MS 2ICP-OES ICP-MS,, Tricholoma matsutake -24- 1 7 2006 70 13 8 5 2,, 2007,, 10

[Ver. 0.2] 1 2 3 4 5 6 7 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1 1.1 1 1.2 1. (elasticity) 2. (plasticity) 3. (strength) 4. 5. (toughness) 6. 1 1.2 1. (elasticity) } 1 1.2 2. (plasticity), 1 1.2 3. (strength) a < b F

税関分析25 年の進歩

25 1 25 40 27 25 27 32 25 CeEDTA 10) 11 1) Fe Al Zn EDTA 2) 12) n IR400 2N BT EDTA 14) e 15) 16) 17) 18) 3) Zn Cu 4) Mn 5) 6) 7) 8) 9 13) 2 24) X 56),57) 58) 25) 59) 60) X 61) X X 26) X 27),28),29) 62)

Microsoft Word web掲載用キヤノンアネルバ：ニュースリリース_CIGS_

2013 年 3 月 21 日 キヤノンアネルバ株式会社独立行政法人産業技術総合研究所 スパッタリングによるバッファ層で高効率 CIGS 太陽電池を実現 - オールドライプロセスによる CIGS 太陽電池の量産化に道 - キヤノンアネルバ株式会社 ( 社長 : 酒井純朗本社 : 神奈川県川崎市麻生区栗木 2-5-1) と独立行政法人産業技術総合研究所 ( 理事長 : 野間口有本部 : 東京都千代田区霞が関

Microsoft PowerPoint - 今栄一郎.ppt [互換モード]

37 1 高性能分子デババイスを志向した配向性単分子膜の新規製造方法 広島大学大学院工学研学研究院物質化学工学部門学部門准教授今栄一郎郎 教授播磨裕 2 有機電子デバイスの発展 プラスチックフィルム上での有機 TFT 駆動 EL ディスプレイを実現 (2007 年 5 月 ) http://www.sony.co.jp/sonyinfo/news/press /200705/07-053/index.html

金属元素製錬・精製における環境負荷基礎データ

15 3 13 14 14 6 CO 2 LCA CO 2 LCA 15 3 ...1...1...1...1...4...6...14...16...17...18...20...28...32...36...40...44...48...52...56...60...64...68...72...76...84...88...92...96...100...104...108... 112...

C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1) 0.3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P = ) S.Mizutani, S.Ishid

C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1).3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P =.52 1) S.Mizutani, S.Ishida, S.Fujii and S.Asano, Mater. Tran. 47(26)25. 2) M.Hiroi,

QOBU1011_40.pdf

印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)

Microsoft PowerPoint EopslagFOM_GRIESSEN.ppt

An example of high-throughput materials research Ronald Griessen, Nov., Hydrogenography works also for metallic hydrides Bulk, nanocrystals and thin films The electrical cycle How to find new hydrogen

Agilent 5100 ICP-OES ICP-OES Agilent 5100 (SVDV) ICP-OES ICP-OES (DSC) ICP-OES 1 1 Vista Chip II (DSC) (CCI) RF Agilent ICP Expert DSC Agilent

Agilent 5100 ICP-OES ICP-OES Agilent 5100 ICP-OES ICP-OES Agilent 5100 (SVDV) ICP-OES ICP-OES (DSC) ICP-OES 1 1 Vista Chip II (DSC) (CCI) RF Agilent ICP Expert DSC Agilent 5100 3 (SVDV) : (VDV) : SVDV

INDEX 貴金属めっき液 表面処理薬品 関連製品 Au 金めっきプロセス / シアン系純金タイプ 2 金めっきプロセス / シアン系ストライク 金めっきプロセス / シアン系合金タイプ Au Ag 金めっきプロセス / ノンシアン純金及び合金タイプ 3 金めっきプロセス / 無電解タイプ 銀めっき

総合カタログ 貴金属めっき液 表面処理薬品 不溶性電極 INDEX 貴金属めっき液 表面処理薬品 関連製品 Au 金めっきプロセス / シアン系純金タイプ 2 金めっきプロセス / シアン系ストライク 金めっきプロセス / シアン系合金タイプ Au Ag 金めっきプロセス / ノンシアン純金及び合金タイプ 3 金めっきプロセス / 無電解タイプ 銀めっき液プロセス / シアン系純銀タイプ 銀めっき液プロセス

新技術説明会　様式例

1 最もポピュラーなセラミックス原料 α- 酸化アルミニウムの ありそうでなかったナノ粒子 岐阜大学大学院自然科学技術研究科物質 ものづくり工学専攻助教吉田道之 遷移アルミナ a-al 2 O 3 O 2- Al 3+ O 2- Al 3+ 欠陥スピネル構造 O 2- : 面心立方格子 Al 3+ : 6 配位および4 配位 ナノ粒子 高比表面積 コランダム構造 O 2- : 六方最密充填 Al 3+

ICP-OES ICP-MS

ICP-OES ICP-MS AGILENT CROSSLAB Agilent CrossLab Agilent CrossLab Agilent CrossLab ICP-OES ICP-MS ICP-OES ICP-MS 24 48 (www.agilent.com/chem/jp) AGILENT CROSSLAB Agilent CrossLab Agilent CrossLab Agilent

Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx

InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE