NJU2103A システムリセット IC 特長 NJM2103 からダイレクトリプレイスが可能 電源電圧検出 V SA =4.2V±1.0% 検出電圧の調整が可能 V SB =1.22V±1.0% 解除時ヒステリシス特性付 V SA V SB のみ 過電圧検出が可能 V SC =1.235V±1.0

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1 システムリセット IC 特長 NJM からダイレクトリプレイスが可能 電源電圧検出 =.V±.% 検出電圧の調整が可能 V SB =.V±.% 解除時ヒステリシス特性付 V SB のみ 過電圧検出が可能 =.V±.% 広範囲動作温度 Ta=- to C 低消費電流 µa typ. 基準電圧の取り出しが可能 低リセット動作電圧.V typ. パッケージ DMP DIP TVSP 概要 は電源電圧の遮断や低下等の異常を瞬時に検出して リセット信号を発生する電源電圧監視用 IC です V 電源及び 任意に設定した電圧の 系統を監視することができます 従来製品の NJM からダイレクトリプレイスが可能であり 小型 TVSP パッケージをラインアップしています さらに 動作温度拡大や交流特性の規格化 各項目の高精度化を行い 利便性を向上させています アプリケーション 標準回路例 産業機器 住設機器 OA 機器 アミューズメント機器 ブロック図 - -

2 端子配置図 (Top View) DMP/DIP/TVSP 端子番号端子名機能 遅延時間設定用コンデンサ接続端子 コンパレータ C 入力端子 OUT C コンパレータ C 出力端子 GND グラウンド端子 電源端子 V SB /RESIN コンパレータ B 入力端子 コンパレータ A 入力端子 リセット出力端子 (Active Low) 製品名構成 M (TE) 品番 パッケージ M:DMP D: DIP RB:TVSP テーピング仕様 オーダーインフォメーション 製品名パッケージ RoHS Halogen- Free めっき組成 マーキング 製品重量 (mg) 最低発注数量 (pcs) M(TE) DMP Sn-Bi A 9 D DIP - Sn-Bi AD RB(TE) TVSP Sn-Bi A - -

3 絶対最大定格 項目記号定格単位 電源電圧 -. to V 入力電圧 -. to. (<) V V SB -. to V -. to V 端子電圧 V CT -. to. (<) V 出力電圧 V -. to. (<) V OUT C 出力電圧 V OUTC -. to V 消費電力 (Ta= C) DMP DIP TVSP P D (-layer / -layer) () / () 9 () / () () / () mw 接合部温度 T J - to C 動作温度 T opr - to C 保存温度 T stg - to C (): 基板実装時...mm( 層 FR-) で EIA/JEDEC 準拠による (): 基板実装時...mm( 層 FR-) で EIA/JEDEC 準拠による ( 層基板内箔 :.x.mm) 推奨動作条件項目 記号 値 単位 電源電圧. to V to V 入力電圧 V SB to V to V 出力電流 I to ma I OUTC to ma 出力パルス幅 t PO. to ms 容量. to µf - -

4 電気的特性 ( 直流特性 ) 指定なき場合には =V,V SB =V, =V, =.µf, T a = C 項目記号条件最小標準最大単位 電源電流 I CC V SB =V - 9 μa 電源電流 I CC - μa 検出電圧 検出電圧 L H 立下がり, V SB =... 立下がり, V SB =, Ta=- C to C. -. 立上がり, V SB =...9 立上がり, V SB =, Ta=- C to C. -. ヒステリシス幅 V HRSA mv V SB 検出電圧 V SBL V SB 立下がり... V SB 立下がり, Ta=- C to C.9 -. V SB 検出電圧電源変動 ΔV SBL =. to V - mv V SB ヒステリシス幅 V HRSB mv V SB 入力電流 I IHB V SB =V - na V SB 入力電流 I ILB - na H レベル 出力電圧 V OHR I =-μa, V SB =V..9 - V V V V 出力飽和電圧 V OLR I =ma -.. V 出力飽和電圧 V OLR I =ma -.. V 出力シンク電流 I V OLR =V - ma 充電電流 I CT V SB =V, V CT =.V 9 μa 入力電流 I IHC =V - na 入力電流 I ILC - na 検出電圧... V Ta=- C to C.9 -. 検出電圧電源変動 Δ =. to V - mv OUT C 出力リーク電流 I OHC V OHC =V - μa OUT C 出力飽和電圧 V OLC I OUTC =ma, =V -.. V OUT C 出力シンク電流 I OUTC V OLC =V, =V - ma 保証最小電源電圧 L V OLR =.V, I =μa -.. V - -

5 電気的特性 ( 交流特性 ) 指定なき場合には =V, V SB =V, =V, =.μf, T a = C 項目記号条件最小標準最大単位 入力パルス幅 t PIA - - μs V SB 入力パルス幅 t PIB - - μs 出力パルス幅 t PO V SB =... ms 立上がり時間 立下がり時間 出力遅延時間 t r t f V SB =, R L =.kω, C L =pf =% to 9% -.. μs V SB =, R L =.kω, C L =pf =9% to % -.. μs t PD V SB 立下がり - μs t PHL 立上がり, R L =.kω, C L =pf -. - μs t PLH 立下がり, R L =.kω, C L =pf -. - μs - -

6 熱特性 項目記号値単位 () DMP () 接合部 - 周囲雰囲気間 接合部 - ケース表面間 θja ψjt DIP TVSP DMP DIP TVSP () 9 () () () () () () () () () C/W C/W (): 基板実装時...mm( 層 FR-) で EIA/JEDEC 準拠による (): 基板実装時...mm( 層 FR-) で EIA/JEDEC 準拠による ( 層基板内箔 :.x.mm) 消費電力 - 周囲温度特性例 M (DMP) Power Dissipation (Topr = -ºC to ºC, Tj=ºC) D (DIP) Power Dissipation (Topr = -ºC to ºC, Tj=ºC) Power Dissipation: P D (mw) on layers board () on layers board () Power Dissipation: P D (mw) on layers board () on layers board () - - Temperature: (ºC) - - Temperature: (ºC) Power Dissipation: P D (mw) RB (TVSP) Power Dissipation (Topr = -ºC to ºC, Tj=ºC) on layers board () on layers board () - - Temperature: (ºC) - -

7 特性例 Operating Current vs Supply Voltage Operating Current vs Supply Voltage Operating Current I CC (μa) V SB =V - C C C Operating Current I CC (μa) V SB = =V - C C C Supply Voltage (V) Supply Voltage (V) Detecting voltage (V) V SB =V Detecting Voltage vs Temperature V Sweep up V Sweep down V SB Detecting Voltage V SB (V) V SB Detecting Voltage vs Temperature VSB Sweep up VSB Sweep down Temperature (ºC). - - Temperature (ºC) Hysteresis Width vs Temperature V SB Hysteresis Width vs Temperature Hysteresis Width V HRSA (mv) V SB Hysteresis Width V HRSB (mv) Temperature (ºC) Temperature (ºC) - -

8 Detecting Voltage (V) Detecting Voltage vs Temperature Sweep down. - - Temperature Ta (ºC) Minimum Operating Voltage L (V) Minimum Operating Voltage vs Temparature V OLR =.V I =µa - - Temparature (ºC) Output Voltage V (V) V SB = =V Output Voltage vs Supply Voltage Pull up resistor.kω - C sweep up C sweep up C sweep up - C sweep down C sweep down C sweep down Supply Voltage (V) Output Saturation Voltage V OLR (V) Output Saturation Voltage vs Output Sink Current V SB = =V C C C Output Sink Current I (ma) Output Saturation Voltage V OLR (V) Output Saturation Voltage vs Temperature I =ma V=.V V=V V=V - - Temperature (ºC) Output Saturation Voltage V OLR (V) Output Saturation Voltage vs Temperature I =ma V=.V V=V V=V - - Temparature (ºC) - -

9 Output Sink Current I (ma) Output Sink Current vs Supply Voltage V OLR =V - C C C Output Sink Current I (ma) Output Sink Current vs Temparature V OLR =V V=.V V=V V=V - - Suppy Voltage (V) Temparature (ºC) High Level Output Voltage V OHR (V) High Level Output Voltage vs Output Source Current.... =V SB =V =V - C C C Output Source Current I OH (μa) OUT C Output Saturation Voltage V OLC (V) OUT C Output Saturation Voltage vs OUT C Output Sink Current. =V C. C C. OUT C Output Sink Current I OUTC (ma) OUT C Output Sink Current I OUTC (ma) OUT C Output Sink Current vs Supply Voltage =V V OLC =V - C C C Supply Voltage (V) OUT C Output Saturation Voltage V OLC (V) OUT C Output Saturation Voltage vs Temparature =V I OUTC =ma V=.V V=V V=V - - Temparature (ºC) - 9 -

10 Input Pulse Width vs Temparature V SB Input Pulse Width vs Temparature Input Pulse Width t PIA (μs) V SB Input Pulse Width t PIB (μs) Temparature (ºC) Temparature (ºC) Output Pulse Width vs Temparature Rise Time vs Temparature Output Pulse Width t PO (ms).... =.µf Rise Time t r (μs).. =V SB =V R L =.kω C L =pf V =% to 9% - - Temparature (ºC) - - Temparature (ºC) Fall Time vs Temparature Output Delay Time(t PD ) vs Temparature =V SB =V V V SB Sweep down R L =.kω Fall Time t f (μs).... C L =pf =9% to % Output Delay Time t PD (μs) - - Temparature (ºC) - - Temparature (ºC) - -

11 Output Delay Time(t PHL ) vs Temparature Output Delay time(t PLH ) vs Temparature Output Delay Time t PHL (μs)... Sweep up R L =.kω C L =pf Output Delay Time t PLH (μs)... Sweep down R L =.kω C L =pf - - Temparature (ºC) - - Temparature (ºC) Output Pulse Width t PO (ms). Output Pulse Width vs capacitor - C C C Output Pulse Width t PO (ms).... Output Pulse Width vs Supply Voltage =.µf - C C C.... Capacitor (µf) Supply Voltage (V) - -

12 機能説明 Technical Information COMP_A および COMP_B は 検出電圧にヒステリシスを持つコンパレータで 端子電圧または V SB 端子電圧が約.V 以下になると 出力が Low になります VSA.V VSA COMP_A OR. V VSB VSB/RESIN COMP_B.V. V COMP_B は任意電圧の検出 ( 応用回路例 任意電源電圧監視 ) や TTL 入力による強制リセット端子 ( リセットホールド時間付き ) として使用可能です ( 応用回路例 強制リセット使用時 ) 電源の瞬断 瞬低時 は約 µs 幅の時間で異常を検出することができます µs 幅程度の瞬断 瞬低を検出したくない場合 V SB 端子に容量を接続することによりディレイド トリガ機能を持たせることができます ( 応用回路例 9 ディレイド トリガによる電源電圧監視 ) 出力は IC 内部で にプルアップされているため 負荷が CMOS 論理 IC のようにハイインピーダンスの場合 外付けのプルアップ抵抗を省くことができます CMOS Logic COMP_C はヒステリシスのないオープンドレイン出力の反転型コンパレータです COMP_C VSC VSC.V OUTc OUTc. V そのため 過電圧検出 ( 応用回路例 低電圧 過電圧検出 ) や正論理で を出力する場合 ( 応用回路例 非反転リセッ ト出力 ) および基準電圧源をつくる場合 ( 応用回路例 - 基準電圧出力と電圧低下監視 ) などに利用できます なお 不使用の端子は 下表の通り処理してください 端子番号 端子名 未使用時の処理 GND 接続 OUT C OPEN V SB/RESIN 接続 OPEN OPEN - -

13 基本動作説明 Technical Information H L.V Time OUT C V SB /RESIN Time GND t PO t PO () () () () () () () () Time () が約.V に上昇すると は Low になります () が H に上昇すると コンデンサ : の充電が始まります このとき は Low のままです () が充電を始めてから 出力パルス幅 t PO 後に が Low から High に切り替わります 特性例の Output Pulse Width vs capacitor を参照してください なお t PO は次の式で求められます 出力パルス幅 [ms] [μf] Output Pulse Width t PO (ms). Output Pulse Width vs capacitor - C C C.... Capacitor (µf) () が High になった後 が L 以下に低下すると は Low になり を放電します () が L 以下に低下した後 が H に上昇すると の充電を始めます が瞬低の場合 が L 以下に低下してから H に上昇するまでの時間が 入力パルス幅 t PIA 以上であれば の電荷を放電した後に充電を始めます () が H 以上になってから t PO 後にが Low から High に切り替わります () が L 以下になると ()~() を繰り返します () が V に低下するときは が約.V になるまで は Low を保持します - -

14 応用回路例. V 電源電圧監視 Technical Information (COMP_A) を用いて V 電源を監視します 検出電圧は 電気的特性の 検出電圧 : L ( 約.V) 検出電圧 : H ( 約.V) です =V OUT C V SB /RESIN Logic Circuit GND Fig. V 電源電圧監視. 電源電圧監視 ( 外部微調整型 ) の検出電圧は外部抵抗で調整可能です IC 内部の分圧抵抗 R R (kω kω) よりも外付け分圧抵抗 R R を十分小さな値に選ぶことにより 検出電圧は R R の抵抗比により設定することができます Tab. を参照してください 検出電圧算出式 (R << kω R << kω 時 ) ( ) ( ) 検出電圧 ( 立下がり ) = ( ) ( ) 検出電圧 ( 立上がり ) =. [V]. [V] 外付け抵抗 R [kω] Tab. 外部微調整設定例 外付け抵抗 R [kω] 検出電圧 ( 立下がり ) [V] 検出電圧 ( 立上がり ) [V] =V OUT C GND V SB /RESIN R R Logic Circuit COMP_A.V /.V R' kω R'' kω R R Fig. 電源電圧監視 ( 外部微調整型 ) - -

15 . 任意電源電圧監視 ( V の監視 ) Technical Information V SB (COMP_B) と分圧抵抗 R R を用いて V の電源を監視します 抵抗 R R により検出電圧を設定できます Tab. を参照してください 検出電圧 ( 立下がり ) =. [V] 検出電圧 ( 立上がり ) = ( ). [V] が.V 以下のときは ( ピン ) を に接続して COMP_A を無効にしてください が.V より大きいときは ( ピン ) を開放で使用できます ( ピン ) が開放のときは消費電流が小さくなります ( 低減量 :. [µa] ) 外付け抵抗 R [kω] Tab. 任意電源電圧監視設定例 外付け抵抗 R [kω] 検出電圧 ( 立下がり ) [V] 検出電圧 ( 立上がり ) [V].... V R OUT C V SB /RESIN GND R Fig. 任意電源電圧監視 ( V の監視 ) - -

16 . 任意電源電圧監視 ( >V の監視 ) Technical Information V SB (COMP_B) と分圧抵抗 R R を用いて >V の電源を監視します 本 IC の電源 ( 約 V) は (COMP_C) と帰還抵 抗 R R を用いて生成します 抵抗 R R により検出電圧を設定してください 検出電圧 ( 立下がり ) =. [V] 検出電圧 ( 立上がり ) = ( ). [V] 出力は V( ローレベル ) と V( ハイレベル ) です の電圧は出力されません は にプルアップしないでください R R の抵抗比を変えれば 定電圧出力 V OUT の電圧が変わり がハイレベルのときの電圧が変わります 但し 定電圧が V を超えないようにしてください 定電圧出力 =. [V] V 出力は消費電流の小さな制御回路の電源として使用できます R の値は抵抗の消費電力に注意して決めてください >V R V OUT V (Stablized) R kω R R kω.μf OUT C GND V SB /RESIN R Fig. 任意電源電圧監視 ( >V の監視 ) - -

17 Technical Information. V V 電源電圧監視 ( 系統の電源電圧監視 = V = V) (COMP_A) を用いて V 電源を監視します また V SB (COMP_B) と分圧抵抗 R R を用いて V 電源を監視します V 電源 の検出電圧 ( 立下がり ) は約.V 検出電圧 ( 立上がり ) は約.V です V 電源 の検出電圧は R R により設定してください Fig. の抵抗値の場合 検出電圧 ( 立下がり ) は約 9.V 検出電圧 ( 立上がり ) は約 9.V です 検出電圧 ( 立下がり ) = 検出電圧 ( 立上がり ) =. [V] ( ). [V] =V =V OUT C V SB /RESIN R kω Logic Circuit GND R kω Fig. V V 電源電圧監視 ( 系統の電源電圧監視 =V =V) - -

18 . V V 電源電圧監視 ( 系統の電源電圧監視 信号は V のみ = V = V) (COMP_A) を用いて V 電源を監視し から出力します また (COMP_C) と分圧抵抗 R R R R と NPN トランジスタ ベース電流制限抵抗 R を用いて V 電源を監視し OUT C から出力します V 電源 の検出電圧 ( 立下がり ) は約.V 検出電圧 ( 立上がり ) は約.V です V 電源 の検出電圧とヒステリシス幅は次式より求められます Fig. の抵抗値の場合 検出電圧 ( 立下がり ) は約 9.V ヒステリシス幅は約.V です 検出電圧 ( 立下がり ) =. [V] ( ) ヒステリシス幅 = ( )( ) ( ). [V] ( )( ) Technical Information =V =V R L kω R kω R kω R kω R kω R kω OUT C GND V SB /RESIN Logic Circuit IRQ or Port 分圧およびヒステリシス電圧生成 Fig. V V 電源電圧監視 ( 系統の電源電圧監視 信号は V のみ =V =V). 強制リセット使用時 ( = V) V SB /RESIN に TTL 信号を入力することで の状態に関わらず任意にリセット信号を出力することができます RESIN =V OUT C V SB /RESIN Logic Circuit GND Fig. 強制リセット使用時 ( =V) - -

19 . 非反転リセット出力 Technical Information リセットに正出力が必要な場合 COMP_C を用いて 出力を反転し OUT C から出力します OUT C はオープンドレ イン出力のため プルアップ抵抗が必要です (Fig. の R L ) R L kω OUT C V SB /RESIN GND Fig. 非反転リセット出力 9. ディレイド トリガによる電源電圧監視 GND 端子間に容量 C を接続することで COMP_A の動作に任意の遅延を付加します に Fig. 9 のような電圧を 加えた場合 入力パルス幅の最小値が µs(c =pf 時 ) と長くなります 入力パルス幅最小値算出式 [μs] ( ) ln [pf]. [pf] V V t PI OUT C GND V SB /RESIN C V V R' V COMP_A kω SA R'' kω C Fig. 9 ディレイド トリガによる電源電圧監視 - 9 -

20 . 正負 電源電圧監視 ( = V V - = 負電源 ) Technical Information (COMP_A) を用いて正電源を監視し V SB (COMP_B) を用いて負電圧を監視します (COMP_C) は 負電圧を正電圧にシフトするために使用します R R R は同じ抵抗値にしてください V 電源の検出電圧 ( 立下がり ) は約.V 検出電圧 ( 立上がり ) は約.V です 負電源の検出電圧は次式より求められます Fig. の抵抗値で R =9kΩ の場合 検出電圧 ( 立下がり ) は約.V 検出電圧 ( 立上がり ) は約.V です 検出電圧 ( 立下がり ) =. [V] 検出電圧 ( 立上がり ) = ( ). [V] が出力されていないときにが出力される電源を使用する場合 本 IC に負電圧が印加されるのを防ぐために GND 端子間にショットキーバリアダイオード (SBD) を接続してください R.kΩ V - R R kω OUT C V SB /RESIN R kω.μf SBD GND R kω Fig. 正負 電源電圧監視 ( = V V - = 負電源 ) - -

21 . 基準電圧出力と電圧低下監視 (9V 出力 V 9V 監視 ) Technical Information (COMP_A) で V 電源を監視します また (COMP_C) と帰還抵抗 R R と NPN トランジスタで 9V 電源を生成し その電源を V SB (COMP_B) と分圧抵抗 R R で監視します V 電源 の検出電圧 ( 立下がり ) は約.V 検出電圧 ( 立上がり ) は約.V です 基準電圧 V OUT 及び基準電圧に対する検出電圧は次式より求められます Fig. の抵抗値の場合 基準電圧は約 9.V 検出電圧 (V OUT 立下がり ) は約.V 検出電圧 (V OUT 立上がり ) は約.V です 基準電圧 =. [V] 検出電圧 ( 立下がり ) =. [V] 検出電圧 ( 立上がり ) = ( ). [V] V =V R kω.μf OUT C GND V SB /RESIN R.kΩ R kω V OUT 9V( ma) R.kΩ R kω Fig. 基準電圧出力と電圧低下監視 (9V 出力 V 9V 監視 ) - -

22 -. 基準電圧出力と電圧低下監視 (V 出力 V 監視 ) Technical Information (COMP_C) と帰還抵抗 R R と NPN トランジスタと駆動抵抗 R で V 電源を生成し その電源を ( COMP_A) で監 視します 基準電圧 V OUT は次式より求められます Fig. - の抵抗値の場合 約.V です 基準電圧 =. [V] 基準電圧に対する検出電圧 ( 立下がり ) は約.V 検出電圧 ( 立上がり ) は約.V です V R kω.μf OUT C GND V SB /RESIN R.kΩ V OUT V( ma) R.kΩ Fig. - 基準電圧出力と電圧低下監視 (V 出力 V 監視 ) - -

23 -. 基準電圧出力と電圧低下監視 (V 出力 V 監視 ) Technical Information (COMP_C) と帰還抵抗 R R で V 電源を生成し その電源を (COMP_A) で監視します 応用回路 - と異なり V 電源から大きな電流は引けません 基準電圧 V OUT は次式より求められます Fig. - の抵抗値の場合 約.V です 基準電圧 =. [V] 基準電圧に対する検出電圧 ( 立下がり ) は約.V 検出電圧 ( 立上がり ) は約.V です R の値は の消費電流 R R を流れる電流 V 出力電流から計算してください R V OUT V R kω R kω.μf OUT C GND V SB /RESIN Fig.- 基準電圧出力と電圧低下監視 (V 出力 V 監視 ). 基準電圧出力と電圧低下監視 (.V 出力 V 監視 ) (COMP_C) をバッファ接続し COMP_C の基準電圧を出力します 基準電圧出力の出力電流は R で制限されます R に.kΩ を使えば約 ma 出力できます R.kΩ OUT C V SB /RESIN.μF GND Reference Voltage.V Typ Fig. 基準電圧出力と電圧低下監視 (.V 出力 V 監視 ) - -

24 . 低電圧 過電圧検出 ( = V) Technical Information V SB (COMP_B) を低電圧検出に (COMP_C) を過電圧検出に使用します OUT C を に接続することにより 低電圧 過電圧検出を論理合成し から出力します 低電圧 過電圧検出は次式より求められます 低電圧検出 ( 立下がり ) = 低電圧検出 ( 立上がり ) = 過電圧検出 =. [V] ( ). [V]. [V] 過電圧検出にはヒステリシス特性はありません 過電圧検出のときも 出力パルス幅 t PO は有効です =V R R OUT C V SB /RESIN V SL V SL V SH R GND R Fig. 低電圧 過電圧検出 ( = V) - -

25 外形寸法図 DMP Unit: mm. ±. ~. ±.. ±..max.. ±.. ± ±... M. ±. フットパターン

26 外形寸法図 DIP Unit: mm. ±.. ±.. ±..max. ±.. ±..9 ±...min.. ±.. ±. ~

27 外形寸法図.9 ±. TVSP(MSOP) MEET JEDEC MO--DA/THIN TYPE ~ Unit: mm. ±.. ±.... M. ±.. ±..max. ± ±. フットパターン

28 包装仕様 DMP Unit: mm テーピング寸法 W B P A P Feed direction φd P F E W φd T T SYMBOL A B D D E F P P P T T W W DIMENSION...±..±..±..±..±..±..±..±...±.. REMARKS BOTTOM DIMENSION BOTTOM DIMENSION THICKNESS.max リール寸法 W C E D B A SYMBOL A B C D E W W DIMENSION φ± φ ± φ ±. φ ±. ±..±. ±. W テーピング状態 Insert direction Sealing with covering tape (TE) Empty tape Devices Empty tape Covering tape Feed direction more than pitch pcs/reel more than pitch reel more than round 梱包状態 Label Label Put a reel into a box - -

29 包装仕様 DIP Unit: mm スティック仕様 Cross section Stick (Max.pcs) Material: PVC Stopper: Stick pin Direction of pin. 梱包状態 Label - 9 -

30 包装仕様 TVSP(MSOP) MEET JEDEC MO--DA/THIN TYPE Unit: mm テーピング寸法 W B A P P Feed direction φd F E W P φd T T SYMBOL A B D D E F P P P T T W W DIMENSION ±..±..±..±..±..±.. (MAX.).±. 9. REMARKS BOTTOM DIMENSION BOTTOM DIMENSION THICKNESS.max リール寸法 W C E D B A SYMBOL A B C D E W W DIMENSION φ± φ± φ ±. φ ±. ±..±..±. W テーピング状態 Insert direction Sealing with covering tape (TE) Empty tape Devices Empty tape Covering tape Feed direction more than pitch pcs/reel more than pitch reel more than round 梱包状態 Label Label Put a reel into a box - -

31 推奨実装方法 リフローはんだ法 * リフロー温度プロファイル f e d a: 温度上昇勾配 : ~ /s b: 予備加熱温度時間 : ~ : ~s c: 温度上昇勾配 : ~ /s d: 実装領域 A 温度 : 時間 : s 以内 e: 実装領域 B 温度 : 時間 : s 以内 常温 a b c g f: ピーク温度 : 以下 g: 冷却温度勾配 : ~ /s 温度測定点 : パッケージ表面 フローはんだ法 * フロー温度プロファイル a: 温度上昇勾配 : ~ /s b: 予備加熱温度時間 c: ピーク温度時間 : ~ : ~s : 以下 : s 以内 d: 冷却温度勾配 : ~ /s 温度測定点 : リード部 常温 a b c d - -

32 改定履歴 日付改訂変更内容... 新規リリース... Technical information を追加 ( 機能説明 基本動作説明 応用回路例 ) 9... 誤記訂正 - -

33 注意事項. 当社は 製品の品質 信頼性の向上に努めておりますが 半導体製品はある確率で故障が発生することがありますので 当社半導体製品の故障により結果として 人身事故 火災事故 社会的な損害等を生じさせることのないように お客様の責任においてフェールセーフ設計 冗長設計 延焼対策設計 誤動作防止設計等の安全設計を行い 機器の安全性の確保に十分留意されますようお願いします. このデータシートの掲載内容の正確さには万全を期しておりますが 掲載内容について何らかの法的な保証を行うものではありません とくに応用回路については 製品の代表的な応用例を説明するためのものです また 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴うものではなく 第三者の権利を侵害しないことを保証するものでもありません このデータシートに記載されている商標は 各社に帰属します. このデータシートに掲載されている製品を 特に高度の信頼性が要求される下記の機器にご使用になる場合は 必ず事前に当社営業窓口までご相談願います 航空宇宙機器 海底機器 発電制御機器 ( 原子力 火力 水力等 ) 生命維持に関する医療装置 防災 / 防犯装置 輸送機器 ( 飛行機 鉄道 船舶等 ) 各種安全装置. このデータシートに掲載されている製品の仕様を逸脱した条件でご使用になりますと 製品の劣化 破壊等を招くことがありますので なさらないように願います 仕様を逸脱した条件でご使用になられた結果 人身事故 火災事故 社会的な損害等を生じた場合 当社は一切その責任を負いません. ガリウムヒ素 (GaAs) の安全性について対象製品 :GaAs MMIC フォトリフレクタガリウムヒ素 (GaAs) 製品取り扱い上の注意事項この製品は 法令で指定された有害物のガリウムヒ素 (GaAs) を使用しております 危険防止のため 製品を焼いたり 砕いたり 化学処理を行い気体や粉末にしないでください 廃棄する場合は関連法規に従い 一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください. このデータシートに掲載されている製品の仕様等は 予告なく変更することがあります ご使用にあたっては 納入仕様書の取り交わしが必要です - -