シート / Datasheet FF3MR12KM1P

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1 62mmC-Series モジュール CoolSiC TrenchMOSFET 内蔵 と予め塗布されたサーマルインターフェース材料 62mmC-SeriesmodulewithCoolSiC TrenchMOSFETandpre-appliedThermalInterfaceMaterial / VDSS = 12V ID nom = 375A / IDRM = 75A アプリケーションの可能性 PotentialApplications DC/DCコンバーター DC/DCconverter UPSシステム UPSsystems ソーラーアプリケーション Solarapplications 高周波スイッチングアプリケーション HighFrequencySwitchingapplication 電気的特性 ElectricalFeatures 低スイッチング損失 Lowswitchinglosses 高い電流密度 Highcurrentdensity 機械的特性 MechanicalFeatures 予め塗布されたサーマルインターフェース材料 Pre-appliedThermalInterfaceMaterial ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.

2 MOSFET/MOSFET 最大定格 /MaximumRatedValues ドレイン ソース間電圧 Drain-sourcevoltage DC ドレイン電流 DCdraincurrent パルスドレイン電流 Pulseddraincurrent ゲート ソース間ピーク電圧 Gate-sourcevoltage VDSS 12 V Tvj = 175 C, VGS = 15 V TH = 6 C ID nom 375 A 設計による検証 (tp は Tvjmax により制限される ) verifiedbydesign,tplimitedbytvjmax ID pulse 75 A VGSS -1 / 2 V 電気的特性 /CharacteristicValues min. typ. max. ドレイン ソース間オン抵抗 Drain-sourceonresistance ID = 375 A VGS = 15 V RDS on 2,83 3,92 4,33 ゲートしきい値電圧 Gatethresholdvoltage 総ゲート入力電荷量 Totalgatecharge 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor 入力容量 Inputcapacitance 出力容量 Outputcapacitance 帰還容量 Reversetransfercapacitance ID=168mA,VDS=VGS,Tvj=25 C (testedafter1mspulseatvgs=+2v) mω VGS(th) 3,45 4,5 5,15 V VGS = -5 V / 15 V, VDS = 8 V QG 1, µc RGint 1, Ω f = 1 MHz, VDS = 25 V, VGS = V f = 1 MHz, VDS = 25 V, VGS = V f = 1 MHz, VDS = 25 V, VGS = V COSSstoredenergy VDS = 25 V, VGS = -5 V / 15 V Vg=V 時 ドレイン電流 Zerogatevoltagedraincurrent ゲート ソース間漏れ電流 Gate-sourceleakagecurrent ターンオン遅延時間 ( 誘導負荷 ) Turnondelaytime,inductiveload ターンオン上昇時間 ( 誘導負荷 ) Risetime,inductiveload ターンオフ遅延時間 ( 誘導負荷 ) Turnoffdelaytime,inductiveload ターンオフ下降時間 ( 誘導負荷 ) Falltime,inductiveload ターンオンスイッチング損失 / パルス Turn-onenergylossperpulse ターンオフスイッチング損失 / パルス Turn-offenergylossperpulse ジャンクション ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontoheatsink 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Ciss 29,8 nf Coss 1,65 nf Crss,227 nf Eoss 66 µj VDS = 12 V, VGS = -5 V IDSS 5,4 52 µa VDS = V ID = 375 A, VDS = 6 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 4,3 Ω ID = 375 A, VDS = 6 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 4,3 Ω ID = 375 A, VDS = 6 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 3,6 Ω ID = 375 A, VDS = 6 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 3,6 Ω ID = 375 A, VDS = 6 V, Lσ = 1 nh di/dt = 7,5 ka/µs () VGS = -5 V / 15 V, RGon = 4,3 Ω ID = 375 A, VDS = 6 V, Lσ = 1 nh du/dt = 7,67 kv/µs () VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 3,6 Ω VGS = 2 V VGS = -1 V MOSFET(1 素子当り )/permosfet validwithifxpre-appliedthermalinterfacematerial IGSS td on tr td off tf Eon Eoff RthJH 79,4 71,6 71, ,3 6,4 6,4 51,5 46,8 46,8 18,5 16, 16, 13, 13,5 13,5 4 na ns ns ns ns mj mj,14 K/W Tvj op C Bodydiode 最大定格 /MaximumRatedValues DCbodydiodeforwardcurrent Tvj = 175 C, VGS = -5 V TH = 6 C ISD 12 A 電気的特性 /CharacteristicValues min. typ. max. 順電圧 ISD = 375 A, VGS = -5 V 4,6 5,65 Forwardvoltage ISD = 375 A, VGS = -5 V ISD = 375 A, VGS = -5 V VSD 4,35 4,3 V Datasheet 2 V2.

3 モジュール /Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage ベースプレート材質 Materialofmodulebaseplate 内部絶縁 Internalisolation 沿面距離 Creepagedistance 空間距離 Clearance 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex 相対温度指数 ( 電気 ) RTIElec. 内部インダクタンス Strayinductancemodule パワーターミナル チップ間抵抗 Moduleleadresistance,terminals-chip 保存温度 Storagetemperature 最大ベース プレート動作温度 Maximumbaseplateoperationtemperature 取り付けネジ締め付けトルク Mountingtorqueformodulmounting 主端子ネジ締め付けトルク Terminalconnectiontorque 質量 Weight RMS, f = 5 Hz, t = 1 min. VISOL 4, kv 基礎絶縁 ( クラス 1,IEC6114) basicinsulation(class1,iec6114) 連絡方法 - ヒートシンク /terminaltoheatsink 連絡方法 - 連絡方法 /terminaltoterminal 連絡方法 - ヒートシンク /terminaltoheatsink 連絡方法 - 連絡方法 /terminaltoterminal 住宅 housing Cu Al2O3 29, 23, 23, 11, CTI > 4 mm mm RTI 14 C min. typ. max. LsCE 2 nh TH=25 C,/ スイッチ /perswitch RCC'+EE',475 mω 取り付けネジ M6 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote 取り付けネジ M6 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote Tstg C TBPmax 125 C M 3, 6, Nm M 2,5-5, Nm G 34 g Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design guidelines described in Application Note AN must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime. Storage and shipment of modules with TIM => see AN212-7 Datasheet 3 V2.

4 出力特性 MOSFET(Typical) outputcharacteristicmosfet(typical) ID=f(VDS) VGS=15V 出力特性 MOSFET(Typical) outputcharacteristicmosfet(typical) ID=f(VDS) Tvj=15 C VGS = 19 V VGS = 17 V VGS = 15 V VGS = 13 V VGS = 11 V VGS = 9 V VGS = 7 V ,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, VDS [V],,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, VDS [V] 伝達特性 MOSFET(Typical) transfercharacteristicmosfet(typical) ID=f(VGS) VDS=2V ゲート充電特性 MOSFET( 典型 ) gatechargecharacteristicmosfet(typical) VGS=f(QG) VDS=8V,ID=375A,Tvj=25 C VGS [V] VGS [V] QG [nc] Datasheet 4 V2.

5 容量特性 MOSFET(Typical) capacitycharacteristicmosfet(typical) C=f(VDS) VGS=V,Tvj=25 C,f=1MHz スイッチング損失 MOSFET(Typical) switchinglossesmosfet(typical) Eon=f(ID),Eoff=f(ID) VGS=-5V/+15V,RGon=4,3Ω,RGoff=3,6Ω,VDS=6V 1 Ciss Coss 35 Eon:, Eoff:, Crss C [nf] E [mj] ,1, VDS [V] スイッチング損失 MOSFET(Typical) switchinglossesmosfet(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=-5V/+15V,ID=375A,VDS=6V 逆バイアス安全動作領域 MOSFET(RBSOA) reversebiassafeoperatingareamosfet(rbsoa) ID=f(VDS) VGS=-5V/+15V,RGoff=3,6Ω,TVj=15 C Eon:, Eoff:, ID: Modul ID: Chip E [mj] RG [Ω] VDS [V] Datasheet 5 V2.

6 過渡熱インピーダンス MOSFET transientthermalimpedancemosfet ZthJH=f(t) 1,1 ZthJH [K/W],1 i: ri[k/w]: τi[s]: 1,118,395 2,671,339 3,457,165 4,154 1,32,1,1,1,1 1 1 t [s] Datasheet 6 V2.

7 回路図 /Circuitdiagram パッケージ概要 /Packageoutlines In fin e o n Datasheet 7 V2.

8 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. Edition Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany 22InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? 重要事項 本文書に記載された情報は いかなる場合も 条件または特性の保証とみなされるものではありません ( 品質の保証 ) 本文に記された一切の事例 手引き もしくは一般的価値 および / または本製品の用途に関する一切の情報に関し インフィニオンテクノロジーズ ( 以下 インフィニオン ) はここに 第三者の知的所有権の不侵害の保証を含むがこれに限らず あらゆる種類の一切の保証および責任を否定いたします さらに 本文書に記載された一切の情報は お客様の用途におけるお客様の製品およびインフィニオン製品の一切の使用に関し 本文書に記載された義務ならびに一切の関連する法的要件 規範 および基準をお客様が遵守することを条件としています 本文書に含まれるデータは 技術的訓練を受けた従業員のみを対象としています 本製品の対象用途への適合性 およびこれら用途に関連して本文書に記載された製品情報の完全性についての評価は お客様の技術部門の責任にて実施してください 本製品 技術 納品条件 および価格についての詳しい情報は インフィニオンの最寄りの営業所までお問い合わせください ( 警告事項 技術的要件に伴い 製品には危険物質が含まれる可能性があります 当該種別の詳細については インフィニオンの最寄りの営業所までお問い合わせください インフィニオンの正式代表者が署名した書面を通じ インフィニオンによる明示の承認が存在する場合を除き インフィニオンの製品は 当該製品の障害またはその使用に関する一切の結果が 合理的に人的傷害を招く恐れのある一切の用途に使用することはできないこと予めご了承ください IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics ( Beschaffenheitsgarantie ).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,infineontechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer sproductsandanyuseoftheproductofinfineontechnologies incustomer sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice( WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestinfineontechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.