ハロゲンフリ高 Tg 低伝送損失 低熱膨張多層材料 MCLHS1 GH1 プリプレグ ガラス布基材低誘電率熱硬化性樹脂多層材料 特長 高耐熱性を有しており ビルドアップ構造に適しています Low Dkガラスとの組合せにより 低 Dk/Dfを実現します 低熱膨張により基板の低そり特性を実現します パッ

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1 多層材料 ハロゲンフリ高 Tg 低伝送損失 低熱膨張多層材料 MCLHS1 P1 ハロゲンフリ高 Tg 高弾性 低熱膨張基板材料 MCLE795G P12 ハロゲンフリ高 Tg 低弾性 超低熱膨張多層材料 GE775G P14 ハロゲンフリ高 Tg 高弾性 超低熱膨張多層材料 MCLE77G(R) タイプ P16 ハロゲンフリ高 Tg 高弾性 低熱膨張極薄材料 GE75G(F) タイプ,GE77G(F) タイプ P18 ハロゲンフリ高 Tg 高弾性 低熱膨張多層材料 MCLE75G P2 ハロゲンフリ高 Tg 高弾性 低熱膨張多層材料 MCLE7G(R) タイプ P22 ハロゲンフリ高弾性 低熱膨張多層材料 MCLE679FG P24 高弾性 低熱膨張多層材料 MCLE679F(R) タイプ P26 ハロゲンフリ低誘電率 高 Tg 高耐熱性多層材料 MCLE78G P28 はんだクラック対策 / 低弾性材料 TD2 P3 ハロゲンフリ高 Tg 高耐熱 高信頼性多層材料 MCLE75G P32 FR4 多層材料 MCLE67 P34 プリント配線板材料 CEL614G P36 9

2 ハロゲンフリ高 Tg 低伝送損失 低熱膨張多層材料 MCLHS1 GH1 プリプレグ ガラス布基材低誘電率熱硬化性樹脂多層材料 特長 高耐熱性を有しており ビルドアップ構造に適しています Low Dkガラスとの組合せにより 低 Dk/Dfを実現します 低熱膨張により基板の低そり特性を実現します パッケジ材料と高周波材料の特徴を併せ持った材料です 用途 半導体パッケジ (FCCSP,PoP,SiP) ビルドアップ用内層コア材 薄物モジュル用基材 一般仕様 MCLHS1 (D) 標準銅箔厚さ 3μm (STD,LP,RT,HVLP) 3μm (LP,RT,HVLP) 呼び名 ( 呼称 ) M.6.1 M.1 M M.6.1 M.1 M 注 1)STD: 一般銅箔 LP: 低プロファイル箔を示す 注 2)STD 箔の銅箔厚さは です L P 箔の銅箔厚さは 3μm です R T 箔の銅箔厚さは です HVLP 箔の銅箔厚さは です 銅箔の詳細についてはお問い合わせ願います 注 3) 厚さの中間に位置する厚さ許容差は より厚い方の厚さ許容差とします 注 4) 厚さは絶縁層の厚さを示します 厚さおよび許容差.6±.2mm.1±.2mm.1±.2mm.15±.2mm.2±.2mm.4±.4mm.8±.8mm.6±.2mm.1±.2mm.1±.2mm.15±.2mm.2±.2mm.4±.4mm.8±.8mm 一般特性 多層用銅張積層板 (t.2mm) 試験項目 *3 実測値処理条件単位 MCLHS1 MCLHS1(D) タイプ ガラス転移温度 Tg TM 24~26 DM 24~26 X (3~12) 6~8 *1 Y 6~8 熱膨張係数 ppm/ (<Tg) 2~3 Z (>Tg) 13~18 はんだ耐熱性 (26) 秒 3 以上 T26( 銅なし ) 6 以上 TM 分 T288( 銅なし ) 6 以上 熱分解温度 (5% 重量減少 ) TG 43~45 銅箔引きはがし強さ.7~.9 kn/m.8~1. 表面粗さ (Ra) μm 2~3 曲げ弾性率 ( たて方向 ) GPa 23~28 3.9~ ~3.6 比誘電率 3.9~ ~3.6.3~.4.2~.3 誘電正接.5~.6.3~.4 体積抵抗率 +C96/4/9 cm ~ 表面抵抗 +C96/4/ ~ 絶縁抵抗 ~ D2/ ~ 吸水率 E24/5+D24/23 %.2~.4 *1) 昇温速度 :1/min *2) トリプレトストリップライン共振器法によります *3) 最終ペジの 処理条件の読み方 参照 試験方法 (IPCTM65) JPC TM

3 プリプレグ GH1 (D) 試験方法 (IPCTM65) (117N75) (127N71) (137N71) (178N61) (2116N55) (D127N73) (D137N73) (D178N63) (D213N6) (D2116N57) IPC スタイル ガラスクロス 織密度 ( たて よこ ) 樹脂分 75±2 71±2 71±2 61±2 55±2 63±2 6±2 57±2 *1) 成形厚さは樹脂流れを % と仮定した場合のプリプレグ 1 枚当たりの厚さです この値はプレス条件や内層パタンにより変わります プリプレグ特性 揮発分 2. 以下 成形厚さ * コアレス 5 層基板におけるそり評価結果 り量 (μm) 5 リフロ温度そ 室温 ( リフロ前 ) GH1(D) タイプ 5 層基板 TEG チップ * チップサイズ : 7.3mm 7.3mm * チップ厚み : 1 TEG 基板 * 基板サイズ : 14mm 14mm *L1,5: Cu1%, L2,3,4: 銅無し, ソルダレジスト無し * プリプレグ構成 GH1(D) タイプ :(178, R.C.: 63%)x 4ply GE7G(R) タイプ :(178, R.C.: 66%)x 4ply GE75G :(178, R.C.: 65%)x 4ply 凸型 凹型 GE7G(R) タイプ 5 層基板 室温 ( リフロ後 ) GE75G 5 層基板伝 伝送損失評価結果 MCLLW91G.4 MCLHS1(D) タイプ MCLLW9G.5.6 (db/cm).7.8 MCLE77G(LH) タイプ.9 MCLE7G(R) タイプ 周波数 (GHz) 送損失< 測定条件 > 評価基板 : ストリップライン 温度及び湿度 :25/6%RH 特性インピダンス :pprox.5 校正方法 :TRL(ThruReflectLine) P/P Core w t b 導体幅 (w):.12~.14mm 絶縁層厚み (b):.25mm 導体厚み (t):1 8μm 11

4 ハロゲンフリ高 Tg 高弾性 低熱膨張基板材料 MCLE795G ガラス布基材高 Tg エポキシ樹脂材料 特長 X,Y 方向の CTE(α1,α2) が小さく 弾性率が高いことから大幅なそり低減を可能にします 低熱膨張ガラスクロスとの組み合わせにより MCLE795G(LH) タイプは CTE1ppm/ 以下を実現します 用途 半導体 PKG (FCBG) ビルドアップ用内層コア材 高耐熱性を有しており ビルドアップ構造のセンタコア材に適しています 一般仕様 標準銅箔厚さ 呼び名 ( 呼称 ) 厚さおよび許容差.11.11±.2mm.21.21±.2mm.41.41±.4mm.62.62±.6mm.72.72±.6mm.82.82±.8mm ±.1mm ±.12mm MCLE795G (STD,LP) ±.14mm.11±.2mm.21.21±.2mm.42.41±.4mm.63.62±.6mm (LH).73.72±.6mm.84.82±.8mm ±.1mm ±.12mm ±.14mm 注 1)STD: 一般銅箔 LP: 低プロファイル箔を示す 注 2) 厚さは絶縁層の厚さを示します 一般特性 試験項目 *2 処理条件 単位 実測値 MCLE795G MCLE795G(LH) タイプ 試験方法 (IPCTM65) ガラス転移温度 Tg TM DM 26~29 3~36 *1 熱膨張係数 X Y 3.~5. 3.~5..5~1.5.5~1.5 曲げ弾性率 ( たて方向 ) GPa 37~39 42~ 熱分解温度 (5% 重量減少 ) TG 43~45 43~ はんだ耐熱性 (26) 秒 3 以上 3 以上 T26 T288 TM 分 6 以上 6 以上 6 以上 6 以上.1 銅箔引きはがし強さ () kn/m.7~.9.7~ *1) 昇温速度 :1/min *2) 最終ペジの 処理条件の読み方 参照 12

5 チップ アンダフィル 8 層基板におけるそり評価結果 * 基板構成 : 323 ビルドアップ厚み 2μm * パッケジサイズ : 4mm 4mm * ダイサイズ : 2mm 2mm * ダイ高さ : 77 * アンダフィル厚み : 6μm *L1,4,5,8 : 12um Cu 65%, L2,3,6,7 : 銅無し, ソルダレジスト厚み :19μm 基板 3 4 n= 凸型 室温 ( リフロ前 ) 室温 ( リフロ後 ) 凸型 室温 ( リフロ前 ) 室温 ( リフロ後 ) 15 そり1 量(μm) リフロ温度 そり 量(μm) 5 2 凹型 凹型 MCLE75G/8μm MCLE795G/8μm MCLE75G/4μm MCLE795G/4μm リフロ温度 25 2 室温 ( リフロ前 ) 室温 ( リフロ後 ) 凸型 15 1 そり量5 (μm) リフロ温度凹型 MCLE795G(t.8) MCLE795G(LH) タイプ (t.8) MCLE795G(t1.21) MCLE795G(LH) タイプ (t1.21) 13

6 ハロゲンフリ高 Tg 低弾性 超低熱膨張多層材料 GE775G プリプレグ ガラス布基材高 Tg エポキシ樹脂多層材料 特長 低熱膨張 / 低弾性を有し コアレス構造でのそりの低減に有効です 低熱膨張 高密度ガラスクロスとの組合せにより CTE3.2ppm/ 以下を実現します 優れたレザ加工性 耐デスミア性により 小径レザビア形成を可能にします 用途 半導体パッケジ (FCBG,FCCSP,PoP,SiP) 薄物モジュル用基材 プリプレグ一般仕様 ガラスクロス プリプレグ特性 IPC スタイル 織密度 ( たて よこ ) 樹脂分 揮発分 硬化時間 ( 秒 ) 成形厚さ *1.2 (L11F66) 11 66± (L11F75) 11 75± (L11F82) 11 82± (L117F72) ±2.27 GE775G (L).25 (L117F78) ±2 2. 以下 23± (L124F66) ± (L124F7) ± (L13F65) ± (L13F69) ±2.6 試験方法 (IPCTM65) *1) 成形厚さは樹脂流れを % と仮定した場合のプリプレグ 1 枚当たりの厚さです この値はプレス条件や内層パタンにより変わります 一般特性 プリプレグ硬化物特性 (L124F66,t.35mm) 試験項目 *4 処理条件 単位 実測値 GE775G(L) タイプ 試験方法 (IPCTM65) ガラス転移温度 Tg TM DM 21~24 25~28 熱膨張係数 *1 X Y (3~12) ppm/ 3.~4. 3.~4. はんだ耐熱性 (26) 秒 3 以上 T26( 銅なし ) T288( 銅なし ) TM 分 5 以上 5 以上.1.1 熱分解温度 (5% 重量減少 ) TG 38~ 銅箔引きはがし強さ 12 μm 18 μm kn/m.5~.7.6~ 曲げ弾性率 *2 ( たて方向 ) GPa 13~ 引張り弾性率 ( たて方向 ) GPa 14~16 比誘電率 1GHz *3 3.5~3.7 誘電正接 1GHz *3.7~.9 体積抵抗率表面抵抗 +C96/4/9 +C96/4/9 c m ~ ~ 絶縁抵抗 +D2/ ~ 吸水率 E24/5+D24/23 %.2~ *1) 昇温速度 :1/min *2)124F66,1ply,t.4mm *3) 空洞共振器法によります *4) 最終ペジの 処理条件の読み方 参照 14

7 貯蔵弾性率貯蔵弾性率(GPa) 高弾性 低 CTE 材 GE775G(L) タイプ 1. 評価サンプル 1)GE775G(L) タイプ :#117 樹脂分 7% 2) 高弾性 低 CTE 材 :#117 樹脂分 72% 2. 測定条件 1) 測定装置 :DM 2) 昇温速度 :5/min 3) 周波数 :1 Hz 4) サンプル方向 : 基材方向 温度 ( ) 4 層コアレス基板実装そり評価結果 チップ TEG チップ * チップサイズ : 7.3mm 7.3mm * チップ厚み : 1μm TEG 基板 * 基板構成 : 4 層コアレス (L12)4, (L23)8μm, (L34)4 * ソルダレジスト厚み : 2μm アンダフィル 基板 3 2 室温 ( リフロ前 ) 凸型 室温 ( リフロ後 ) 1 そり量(μm) リフロ温度 GE77G(L) タイプ 凹型 GE775G(L) タイプ 15

8 ハロゲンフリ高 Tg 高弾性 超低熱膨張多層材料 MCLE77G(R) タイプ GE77G プリプレグ ガラス布基材高 Tg エポキシ樹脂多層材料 特長 X,Y 方向のCTEが極めて小さく (α1,α2) 弾性率が高いことから大幅なそり低減を可能にします 低熱膨張 高密度ガラスクロスとの組合せ (LHタイプ ) により CTE2.ppm/ 以下を実現します GE77GはEPS(Embedded Passive Substrate) 構造に適しています 用途 半導体パッケジ (FCCSP,PoP,SiP) 薄物モジュル用基材 一般仕様 標準銅箔厚さ 呼び名 ( 呼称 ) 厚さおよび許容差 MCLE77G (R) (RLH) 2μm 3μm (LP,PF) 2μm 3μm (STD,LP) 2μm 3μm (STD,LP) T.5 U.3 U.4 M.6.1 HD.15.2 LHM.6 LH.1 LHD.15 LH.2 LHY.25.5±.13mm.3±.13mm.4±.13mm.6±.2mm.15±.2mm.155±.2mm.21±.4mm.6±.2mm.15±.2mm.155±.2mm.21±.3mm.255±.3mm 注 1)STD: 一般銅箔 LP: 低プロファイル箔を示す 注 2)STD 箔の銅箔厚さは,,,7μm です LP 箔の銅箔厚さは 2μm,3μm,,, です 銅箔の詳細についてはお問い合わせ願います 注 3) 厚さの中間に位置する厚さ許容差は より厚い方の厚さ許容差とします 注 4) 厚さは絶縁層の厚さを示します 一般特性 多層用銅張積層板 (t.2mm) 試験項目 処理条件 *3 単位 実測値 MCLE77G(R) タイプ MCLE77G(RLH) タイプ 試験方法 (IPCTM65) ガラス転移温度 Tg TM DM 26~28 3~33 熱膨張係数 *1 X Y Z (3~12) (<Tg) (>Tg) ppm/ 4.~6. 4.~6. 8~13 7~9 1.5~2. 1.5~2. はんだ耐熱性 (26) 秒 3 以上 T26( 銅なし ) T288( 銅なし ) TM 分 6 以上 6 以上.1 熱分解温度 (5% 重量減少 ) TG 43~ セミアディティブ工程ビルドアップ耐熱性 26 リフロ サイクル 2 以上 銅箔引きはがし強さ kn/m.7~.9.8~ 表面粗さ (Ra) μm 2~ 曲げ弾性率 ( たて方向 ) GPa 3~32 34~ 比誘電率 4.4~ ~ ~ ~ JPC TM1 誘電正接.3~.5.4~.6.3~.5.4~ JPC TM1 体積抵抗率表面抵抗 +C96/4/9 +C96/4/9 cm ~ ~ 絶縁抵抗 +D2/ ~ ~ 吸水率 E24/5+D24/23 %.2~ 耐燃性 V UL94 *1) 昇温速度 :1/min *2) トリプレトストリップライン共振器法によります *3) 最終ペジの 処理条件の読み方 参照測定項目により t.4mm の値を記載しております 16

9 プリプレグ IPC スタイル ガラスクロス 織密度 ( たて よこ ) 樹脂分 プリプレグ特性 揮発分 硬化時間 ( 秒 ).25 (117N72).25 (117N76) ±2 76± (127N72) (127N76) (137N72) ±2 76±2 72±2 27±3 *2 GE77G.25(L117N72).25(L117N76) ±2 76±2 2. 以下.3 (L127N72) ±2 (L).3 (L127N76) ±2.35(L124N68) ±2 27±3 *2.35(L124N73) (L137N72) ±2.45(L13N71) ±2 *1) 成形厚さは樹脂流れを % と仮定した場合のプリプレグ 1 枚当たりの厚さです この値はプレス条件や内層パタンにより変わります *2) 硬化時間 :IPC 法 成形厚さ * TEG4 層基板におけるそり評価結果 アンダフィル チップ 基板 TEG チップ * パッケジサイズ : 14mm 14mm * チップサイズ : 7.3mm 7.3mm * チップ厚み : 1 * アンダフィル厚み : 6μm(CELC3734) * ソルダレジスト厚み : 2μm(FZ27G) サンプル コア厚み 2μm+124(SHD)PPG MCLE75G(LH) タイプ +GE75G(L) タイプ MCLE77G(LH) タイプ +GE75G(L) タイプ MCLE77G(LH) タイプ +GE77G(L) タイプ 15 1 凸型室温 ( リフロ前 ) 室温 ( リフロ後 ) 5 そり量(μm) 5 1 リフロ温度 MCLE75G(LH) タイプ +GE75G(L) タイプ 凹型 MCLE77G(LH) タイプ +GE75G(L) タイプ MCLE77G(LH) タイプ +GE77G(L) タイプ

10 ハロゲンフリ高 Tg 高弾性 低熱膨張極薄材料 GE75G(F) タイプ,GE77G(F) タイプ プリプレグ ガラス布基材高弾性多層材料 特長 成形後のばらつきが小さいため インピダンス制御に優れます 絶縁層厚み16μm が実現できます プリプレグ表面が平滑なため 微細配線成形に適しています 寸法変化のばらつきが小さいため コアレス構造に適しています 成形後のうねりが小さいため 実装時のそり低減を実現します プリプレグ一般仕様 IPC スタイル ガラスクロス 織密度 ( たて よこ ) 樹脂分 揮発分 プリプレグ特性 硬化時間 ( 秒 ) 成形厚さ GE75G.2.25 (11F74) (11F76) (11F78) (11F8) (11F84) (117F73) (117F78) (117F83) ±2 76±2 78±2 8±2 84±2 78±2 83±2 2. 以下 2± IPC スタイル ガラスクロス 織密度 ( たて よこ ) 樹脂分 揮発分 プリプレグ特性 硬化時間 ( 秒 ) 成形厚さ GE77G (11F67) (11F69) (11F71) (11F73) (11F78) (11F82) (117F73) (117F78) (117F83) (127F73) (127F78) ±2 69±2 71±2 78±2 82±2 78±2 83±2 78±2 2. 以下 27± 試験方法 (IPCTM65) *1) 成形厚さは樹脂流れを % と仮定した場合のプリプレグ 1 枚当たりの厚さです この値はプレス条件や内層パタンにより変わります *2) 硬化時間 :IPC 法 *3) 低熱膨張ガラスクロス使用品 (LF タイプ ) も上記同様のタイプがあります お問い合わせください 一般特性 試験項目 *2 処理条件 単位 実測値 GE75G(F) タイプ GE77G(F) タイプ 試験方法 (IPCTM65) ガラス転移温度 Tg *1 熱膨張係数 はんだ耐熱性 (26) T26( 銅なし ) T288( 銅なし ) 成形後のうねり X Y TM DM (3~12) TM プレス後 ppm/ 秒分 mm 25~27 295~35 8~1 2~5 3 以上 6 以上 6 以上.~.3 26~28 3~33 6~7 2~4 3 以上 6 以上 6 以上.~.3.1 *1) 昇温速度 :1/min *2) 最終ペジの 処理条件の読み方 参照 18

11 プリプレグの表面観察結果 ( マイクロスコプ ) F タイプ 従来品 成形後の表面観察結果 ( シャドウモアレ ) F タイプ 従来品 成形後の厚みばらつき 415mm.3 < 測定方法 > GE75G11F78 x x x x 銅箔 ; 3μm.29 成形条件温度 ; 231 分昇温速度 ; 3./ 分 x x x x.28 基材方向 圧力 ; 3MPa x x x x.27 x x x x.26 基材方向成.25 51mm.24 X: 測定ポイント.23 プリプレグ成形後のうねり Fタイプ 形後厚み従来品 F タイプ 従来品 19

12 ハロゲンフリ高 Tg 高弾性 低熱膨張多層材料 MCLE75G GE75G プリプレグ ガラス布基材高 Tg エポキシ樹脂多層材料 特長 X,Y 方向の CTE が小さく (α1,α2) 弾性率が高いことから大幅なそり低減を可能にします 低熱膨張ガラスクロスとの組合せにより MCLE75G(L) タイプは CTE5ppm/ 以下を実現します MCLE75G(LH) タイプは CTE3ppm/ 以下を実現します 用途 半導体パッケジ (FCBG,FCCSP,PoP,SiP) ビルドアップ用内層コア材 高耐熱性を有しており ビルドアップ構造に適しています 薄物モジュル用基材 一般仕様 標準銅箔厚さ 呼び名 ( 呼称 ) 厚さおよび許容差 2μm U.3.3±.13mm 3μm U.4.4±.13mm (LP,PF) T.6.6±.13mm 2μm M.6.6±.2mm 3μm.1.11±.2mm M.11.1±.2mm M.15.15±.2mm (STD,LP,PF) M.22.21±.3mm (L) 2μm.2.21±.3mm 3μm.31.31±.3mm MCLE75G.41.41±.4mm.51.52±.5mm.61.62±.6mm 7μm.71.72±.7mm (STD,LP,PF).81.82±.8mm 2μm M.6.6±.2mm 3μm.1.11±.2mm (LH) D.15.15±.2mm.2.21±.3mm (STD,LP,PF).26.26±.3mm 注 1)STD: 一般銅箔 LP: 低プロファイル箔 PF: プロファイルフリ箔を示す 注 2)STD 箔の銅箔厚さは,,,7μm です LP 箔の銅箔厚さは 2μm,3μm,,, です PF 箔の銅箔厚さは 2μm,3μm,, です 銅箔の詳細についてはお問い合わせ願います 注 3) 厚み ( 呼び名 ) の頭文字 U は 1ply T は 2plyを示します 注 4) 厚さの中間に位置する厚さ許容差は より厚い方の厚さ許容差とします 注 5) 厚さは絶縁層の厚さを示します 一般特性 多層用銅張積層板 試験項目 TM ガラス転移温度 Tg DM X (3~12) *1 Y 熱膨張係数 (<Tg) Z (>Tg) はんだ耐熱性 (26) T26( 銅なし ) T288( 銅なし ) 熱分解温度 (5% 重量減少 ) セミアディティブ工程ビルドアップ耐熱性 TM TG 26 リフロ 銅箔引きはがし強さ表面粗さ (Ra) 曲げ弾性率 ( たて方向 ) 比誘電率 誘電正接 体積抵抗率表面抵抗 絶縁抵抗 吸水率 処理条件 *3 +C96/4/9 +C96/4/9 +D2/1 E24/5+D24/23 単位 *1) 昇温速度 :1/min *2) トリプレトストリップライン共振器法によります *3) 最終ペジの 処理条件の読み方 参照測定項目により t.4mm の値を記載しております ppm/ 秒 分 サイクル kn/m μm GPa cm % (t.1mm) 実測値 試験方法 MCLE75G MCLE75G(L) タイプ MCLE75G(LH) タイプ (IPCTM65) 25~27 295~35 5~7 3~4 2.5~3.5 5~7 3~4 2.5~3.5 1~15 7~9 3 以上 6 以上 6 以上.1 43~ 以上.8~1..9~ ~ ~34 34~36 37~ ~ ~ ~ ~4.4 4.~4.2 4.~4.2 JPC TM1.6~.8.6~.8.6~ ~.9.7~.9.7~.9 JPC TM ~ ~ ~ ~ ~

13 りり プリプレグ (117N73) (127N73) (137N73) (178N65) GE75G.1 (2116N58).25 (L117N73) (L) (L127N73) (L137N73) (L178N65) (L2116N58) 試験方法 (IPCTM65) IPC スタイル ガラスクロス 織密度 ( たて よこ ) 樹脂分 65±2 58±2 65±2 58±2 *1) 成形厚さは樹脂流れを % と仮定した場合のプリプレグ 1 枚当たりの厚さです この値はプレス条件や内層パタンにより変わります プリプレグ特性 揮発分 2. 以下 硬化時間 ( 秒 ) 16±3 18±3 2±3 16±3 18±3 2± 成形厚さ * FCBG におけるそり評価結果 TEG チップ * チップサイズ : 2mm 2mm * チップ厚み :.725mm * バンプ径 : 8μm * バンプピッチ : 2μm TEG 基板 * 基板サイズ : 35mm 35mm * 基板厚み :.4mm * ビルドアップ厚み : 3μm 2stack * ソルダレジスト厚み : 2μm 実パッケジそり評価結果 パッケジ基板仕様 * サイズ : 14mm 14mm * トタル厚み : 2 * ソルダレジスト厚み : 2 μm (SR72G:Hitachi Chemical) * プリプレグ厚み : 4μm * コア基材厚み : 11μm 2 15 凸型 15 凸型 2 そ1 そ5 量(μm) 量(μm) 高 Tg ハロゲンフリ FR4 凹型 MCLE7G (R) タイプ MCLE75G 15 MCLE7G (R) タイプ 凹型 MCLE75G MCLE75G (L) タイプ

14 ハロゲンフリ高 Tg 高弾性 低熱膨張多層材料 MCLE7G(R) タイプ GE7G プリプレグ ガラス布基材高 Tg エポキシ樹脂多層材料 特長 X,Y 方向のCTEが小さく (α1,α2) 弾性率が高いことから大幅なそり低減を可能にします 高耐熱性を有しており ビルドアップ構造に適しています ドリル加工性に優れ プロセスコスト低減が可能です 一般仕様 標準銅箔厚さ 2μm 3μm (R) (LP,PF) 2μm 3μm MCLE7G (STD,LP,PF) (R) 2μm (RL) 3μm 7μm (STD,LP,PF) 一般特性 多層用銅張積層板 用途 半導体パッケジ (FCBG,FCCSP,PoP,SiP) ビルドアップ用内層コア材 薄物モジュル用基材 呼び名 ( 呼称 ) U.3 U.4 T.4 U.5 T.6 M.6.1 M.11 M.15 M 厚さおよび許容差.3±.13mm.4±.13mm.4±.13mm.5±.13mm.6±.13mm.6±.2mm.11±.2mm.1±.2mm.15±.2mm.21±.3mm.2±.3mm.3±.3mm.4±.4mm.5±.5mm.6±.6mm.7±.7mm.8±.8mm 注 1)STD: 一般銅箔 LP: 低プロファイル箔 PF: プロファイルフリ箔を示す 注 2)STD 箔の銅箔厚さは,,,7μm です LP 箔の銅箔厚さは 2μm,3μm,,, です PF 箔の銅箔厚さは 2μm,3μm,, です 銅箔の詳細についてはお問い合わせ願います 注 3) 厚み ( 呼び名 ) の頭文字 U は 1ply T は 2ply を示します 注 4) 厚さの中間に位置する厚さ許容差は より厚い方の厚さ許容差とします 注 5) 厚さは絶縁層の厚さを示します (t.1mm) 試験項目 処理条件 *3 単位 実測値試験方法 MCLE7G(R) タイプ MCLE7G(RL) タイプ (IPCTM65) ガラス転移温度 Tg TM 25~27 DM 295~35 X (3~12) 7~9 5~7 *1 Y 7~9 5~7 熱膨張係数 ppm/ (<Tg) 15~25 Z (>Tg) 9~12 はんだ耐熱性 (26) 秒 3 以上 T26( 銅なし ) 6 以上 TM 分 T288( 銅なし ) 6 以上.1 熱分解温度 (5% 重量減少 ) セミアディティブ工程ビルドアップ耐熱性 TG 26 リフロ サイクル 43~45 2 以上 銅箔引きはがし強さ.9~1.1 kn/m 1.~ 表面粗さ (Ra) μm 2~ 曲げ弾性率 ( たて方向 ) GPa 32~34 34~ 比誘電率誘電正接 4.8~5. 4.6~ ~ ~4.4 JPC TM1.8~.1.8~ ~.11.1~.12 JPC TM1 体積抵抗率 +C96/4/9 cm ~ 表面抵抗 +C96/4/ ~ 絶縁抵抗 ~ D2/ ~ 吸水率耐燃性 E24/5+D24/23 %.4~.6 V UL94 *1) 昇温速度 :1/min *2) トリプレトストリップライン共振器法によります *3) 最終ペジの 処理条件の読み方 参照 測定項目により t.4mmの値を記載しております 22

15 そり プリプレグ ガラスクロス プリプレグ特性 IPC スタイル 織密度 ( たて よこ ) 樹脂分 揮発分 硬化時間 ( 秒 ) 成形厚さ *1.25(117N74) ± (127N74) ±2 16±3.4.4 (137N74) ±2.48 GE7G.6 (178N66) ±2 13± 以下.1 (2116N59) ±2 125± (L127N74) ±2.4 16±3 (L).4 (L137N74) ± (L178N66) ±2 13±3.72 試験方法 (IPCTM65) *1) 成形厚さは樹脂流れを % と仮定した場合のプリプレグ 1 枚当たりの厚さです この値はプレス条件や内層パタンにより変わります 粘弾性特性 (Elastic Modulus) 1.4 穴あけによるたわみ量変化 16 実 PKG での開口率 弾1 性率(GPa) 高 Tg ハロゲンフリ FR4 MCLE7G (R) タイプ 測定温度 () tan δ たわ1 み量 高 Tg ハロゲンフリ FR4 開口率 MCLE7G (R) タイプ FCBG におけるそり評価結果 15 1 TEG チップ * チップサイズ : 2mm 2mm * チップ厚み :.725mm * バンプ径 : 8μm * バンプピッチ : 2μm TEG 基板 * 基板サイズ : 35mm 35mm * 基板厚み :.7mm * ビルドアップ厚み : 3μm 2 * ソルダレジスト厚み : 2μm 凸型 量(μm) 高 Tg ハロゲンフリ FR 凹型 MCLE7G (R) タイプ MCLE7G (RL) タイプ 23

16 ハロゲンフリ高弾性 低熱膨張多層材料 MCLE679FG ガラス布基材高 Tg エポキシ樹脂多層材料 (FR4) MCLE679FGB ブラックタイプ GE679FG プリプレグ 特長 ハロゲン系難燃剤 アンチモンおよび赤リンを使用せずに難燃性 UL94Vを達成している環境対応材料です 熱膨張係数が一般 FR4より Z 方向で約 5% 小さくなっています ( 当社比 ) 弾性率が一般 FR4より約 2% 高く ( 当社比 ) 薄物多層材でのそり たわみも小さくなります はんだ耐熱性に優れています ( 鉛フリプロセスへの対応が可能です ) 表面粗さが一般 FR4 の約 1/4 程度であり ( 当社比 ) 微細パタン形成が可能です 用途 半導体パッケジ (FCBG,BG,CSP) ビルドアップ用内層コア材 一般仕様 MCLE679FG MCLE679FGB (S) (R) (S) 標準銅箔厚さ 2μm 3μm (LP,PF) 2,3,5,12, (STD,LP,PF) 2μm,3μm 7μm (STD,LP,PF) 呼び名 ( 呼称 ) U.3 U.4 U.5 T.4 T.6 T.7 M 厚さおよび許容差.3±.13mm.4±.13mm.5±.13mm.4±.13mm.6±.13mm.7±.13mm.7±.2mm.11±.2mm.16±.3mm.21±.4mm.4±.5mm.6±.6mm.8±.8mm 注 1)STD: 一般銅箔 LP: 低プロファイル箔 PF: プロファイルフリ箔を示す 注 2)STD 箔の銅箔厚さは,,,7μm です LP 箔の銅箔厚さは 2μm,3μm,,, です PF 箔の銅箔厚さは 2μm,3μm,, です 銅箔の詳細についてはお問い合わせ願います 注 3) 厚み ( 呼び名 ) の頭文字 U は 1ply T は 2ply を示します 注 4) 厚さの中間に位置する厚さ許容差は より厚い方の厚さ許容差とします 注 5) 厚さは絶縁層の厚さを示します 24 一般特性 多層用銅張積層板 試験項目 ガラス転移温度 Tg *1 熱膨張係数 X Y はんだ耐熱性 (26) T26( 銅なし ) T288( 銅なし ) 熱分解温度 (5% 重量減少 ) セミアデイティブ工法ビルドアップ耐熱性 銅箔引きはがし強さ 表面粗さ (Ra) 曲げ弾性率 ( たて方向 ) 比誘電率 誘電正接 体積抵抗率表面抵抗絶縁抵抗 吸水率耐燃性 Z TM DM 処理条件 *3 (3~12) (<Tg) (>Tg) TM TG 26 リフロ +C96/4/9 +C96/4/9 +D2/1 E24/5+D24/23 *1) 昇温速度 :1/min *2) トリプレトストリップライン共振器法によります *3) 最終ペジの 処理条件の読み方 参照測定項目により t.8mm の値を記載しております 単 ppm/ 秒分 サイクル kn/m μm GPa cm % 位 実測値 MCLE679FG (R) タイプ 165~175 2~22 13~15 13~15 23~33 14~17 3 以上 6 以上 6 以上 34~36 1 以上.9~ ~1.2 2~3 23~28 5.2~5.4 MCLE679FG (S) タイプ 175~185 21~23 12~14 12~14 2~3 13~16 1.1~ ~1.3 24~29 5.~ ~4.8.8~.1.16~ ~ ~ ~ ~ ~.6.3~.5 V (t.4mm) 試験方法 (IPCTM65) JPC TM JPC TM UL94

17 導通抵抗変化1 たわみ U.4 T.4 U.5 T.6 T.7 プリプレグ GE679FG (R) (S) (GBPE) (GRZPE) (GRROE) (GRSKE) (GSPE) (GSBPE) (GSBSE) (GSZPE) (GSROE) (GSSKE) IPC スタイル ガラスクロス 織密度 ( たて よこ ) 樹脂分 68±2 58±2 78±2 78±2 68±2 58±2 プリプレグ特性揮発分 1.5 以下 1. 以下 1.5 以下 1. 以下 硬化時間 ( 秒 ) 175±3 165±3 155±3 175±3 165±3 成形厚さ * 試験方法 (IPCTM65) ) 成形厚さは樹脂流れを % と仮定した場合のプリプレグ 1 枚当たりの厚さです この値はプレス条件や内層パタンにより変わります スルホル接続信頼性冷熱サイクル条件 : 55 3 分 15 3 分パタン : 壁間.3mm 基材厚 :t.8mm 前処理 :26 リフロ 2 回 はんだ浸漬 (261 秒 ) たわみ特性 率5 :MCLE679FG(S) タイプ :MCLE679FG(R) タイプ 量4 荷量 ( 1 g) スパン たわみ サイクル プリプレグ層間厚さ ( 内層銅箔厚さ :1) 厚さ区分 Span : 1mm Span : 15mm Span : 2mm Span : 25mm Span : 3mm Span : 35mm Span : 4mm 6 5 GSBSE 層間4 厚み(μm) 層間厚み 残銅率 GSBPE GSPE 25

18 高弾性 低熱膨張多層材料 MCLE679F(R) タイプ ガラス布基材高 Tg エポキシ樹脂多層材料 (FR4) 特長 熱膨張係数が一般 FR4より X,Y 方向で約 2% Z 方向で約 5% 小さくなっています ( 当社比 ) 弾性率が一般 FR4 より約 3% 高く ( 当社比 ) 薄物多層材でのそり たわみも小さくなります 吸湿耐熱性が優れています 表面粗さが一般 FR4の約 1/4 程度であり ( 当社比 ) 微細パタン形成が可能です 一般仕様 MCLE679F (R) 標準銅箔厚さ 3,5,12,(STD,LP,PF) 2μm 3μm 7μm (STD,LP,PF) GE679F(R) タイプ プリプレグ 用途 半導体パッケジ (FCBG,BG,CSP) ビルドアップ用内層コア材 呼び名 ( 呼称 ) M 厚さおよび許容差.7±.2mm.11±.2mm.16±.3mm.21±.4mm.32±.5mm.42±.5mm.63±.6mm.84±.9mm 注 1)STD: 一般銅箔 LP: 低プロファイル箔 PF: プロファイルフリ箔を示す 注 2)STD 箔の銅箔厚さは,,,7μm です LP 箔の銅箔厚さは 3μm,,, です PF 箔の銅箔厚さは 2μm,3μm,, です 銅箔の詳細についてはお問い合わせ願います 注 3) 厚さの中間に位置する厚さ許容差は より厚い方の厚さ許容差とします 注 4) 厚さは絶縁層の厚さを示します 一般特性 多層用銅張積層板 試験項目 処理条件 *3 単 位 実測値 MCLE679F(R) タイプ ガラス転移温度 Tg TM 16~17 DM 19~2 X 12~14 (3~12) *1 Y 12~14 熱膨張係数 ppm/ (<Tg) 2~3 Z (>Tg) 13~16 はんだ耐熱性 (26) 秒 3 以上 T26( 銅なし ) 6 以上 TM 分 T288( 銅なし ) 3 以上 熱分解温度 (5% 重量減少 ) TG 34~36 セミアディティブ工法ビルドアップ耐熱性 26 リフロ サイクル 1 以上 銅箔引きはがし強さ 1.1~1.2 kn/m 1.2~1.3 表面粗さ (Ra) μm 2~3 曲げ弾性率 ( たて方向 ) GPa 27~33 比誘電率 4.8~5. 4.5~4.7 誘電正接.8~.1.13~.15 体積抵抗率 +C96/4/9 cm ~ 表面抵抗 +C96/4/ ~ 絶縁抵抗 ~ D2/ ~ 吸水率 E24/5+D24/23 %.3~.5 耐燃性 V *1) 昇温速度 :1/min *2) トリプレトストリップライン共振器法によります *3) 最終ペジの 処理条件の読み方 参照 測定項目により t.8mmの値を記載しております (t.4mm) 試験方法 (IPCTM65) JPC TM JPC TM UL94 26

19 バコル硬 わみたわみ量た吸水 げ弾性 プリプレグ ガラスクロス プリプレグ特性 IPC 織密度 樹脂分 揮発分 硬化時間 ( たて よこ ) ( 秒 ).4 (FRZPE) ±25 (FRUOE) ±2 1. 以下.6 GE679F (R) (FRROE) ±2.1 (FRSKE) ±2.75 以下.15 (FREGE) ±2 スタイル曲11±25 試験方法 (IPCTM65) *1) 成形厚さは樹脂流れを % と仮定した場合のプリプレグ 1 枚当たりの厚さです この値はプレス条件や内層パタンにより変わります 成形厚さ * 曲げ弾性率 バコル硬度 MCLE679F (R) タイプ MCLE679F (R) タイプ 2 率15 (GPa) 1 5 一般 FR4 MCLE679 (W) タイプ 5 4 MCLE679 (W) タイプ度3 一般 FR4 2 1 温度 ( ) 温度 ( ) たわみ特性 %RH 処理による吸水率 1. (t.4mm) 量1 MCLE679 (W) タイプ一般 FR4 率.8.6 MCLE679 (W) タイプ MCLE679F (R) タイプ.4.2 MCLE679F (R) タイプ 板厚 処理時間 (hr) たわみ測定方法 基材 荷重 (2g) スパン (1mm) 試験片サイズ 22mm 1mm( 基材方向 ) 27

20 ハロゲンフリ低誘電率 高 Tg 高耐熱性多層材料 MCLE78G GE78G プリプレグ ガラス布基材低誘電率エポキシ樹脂多層材料 (FR4) 特長 ハロゲンフリで優れた誘電特性を有しています (Dk 3.5 樹脂分 7%)) 高 Tg 且つ 高温領域で一般 FR4 材と比較して高弾性な特性を有しております はんだ耐熱性に優れています ( 鉛フリリフロ対応 ) 用途 スマトフォン タブレット P C 一般仕様 MCLE78G 標準銅箔厚さ 7μm 注 1) 呼び名の中間に位置する厚さ許容差は より厚い方の許容差によります 注 2) 厚さは絶縁層の厚さを示します 12,18, 呼び名 ( 呼称 ) 厚さおよび許容差.4±.2mm.5±.2mm.6±.2mm.7±.2mm.8±.2mm.9±.2mm.1±.2mm.15±.3mm 一般特性 多層用銅張積層板 試験項目 ガラス転移温度 Tg *1 熱膨張係数 X Y はんだ耐熱性 (26) T26( 銅なし ) T288( 銅なし ) 熱分解温度 (5% 重量減少 ) 銅箔引きはがし強さ 曲げ弾性率 ( たて方向 ) *2 比誘電率 1GHz ( 樹脂分 7%) 1GHz *2 誘電正接 1GHz ( 樹脂分 7%) 1GHz 体積抵抗率表面抵抗 Z 絶縁抵抗 +D2/1 吸水率 E24/5+D24/23 耐燃性 *1) 昇温速度 :1/min *2) トリプレトストリップライン共振器法によります *3) 最終ペジの 処理条件の読み方 参照 *3 実測値処理条件単位 MCLE78G TM 16~17 DM 2~22 13~15 (3~12) 15~17 ppm/ (<Tg) 35~45 (>Tg) 18~23 秒 3 以上 TM TG +C96/4/9 +C96/4/9 分 kn/m GPa cm % 6 以上 38~4 1.~ ~1.3 25~29 3.4~ ~3.5.9~.11.12~ ~ ~ ~ ~ ~.3 V (t.8mm) 試験方法 (IPCTM65) JPC TM UL94 28

21 誘電正接誘電率弾性 プリプレグ GE78G 試験方法 (IPCTM65).3 (127N72).4 (16N7).4 (16N72).4 (137N7).4 (137N74).5 (167N69).5 (167N72).6 (18N62).6 (178N62) IPC スタイル ガラスクロス 織密度 ( たて よこ ) 樹脂分 72±2 7±2 72±2 7±2 74±2 69±2 72±2 62±2 62±2 揮発分 *1) 成形厚さは樹脂流れを % と仮定した場合のプリプレグ 1 枚当たりの厚さです この値はプレス条件や内層パタンにより変わります プリプレグ特性 硬化時間 ( 秒 ) 3. 以下 28±4 成形厚さ * 比誘電率の周波数依存性 誘電正接の周波数依存性 比4. MCLE75G.25.2 MCLE75G MCLE78G.1 MCLE78G 周波数 (GHz) 周波数 (GHz) 注 ) 比誘電率および誘電正接はトリプレトストリップライン共振器法により測定しています 粘弾性特性 MCLE78G tan δ 率(GPa) MCLE75G 測定温度 () 29

22 はんだクラック対策 / 低弾性材料 TD2 プリプレグ ガラス布基材低弾性率多層材料 特長 一般材の表層への適用により はんだ応力を吸収 はんだクラックを抑制します 弾性率が一般 FR4 材の1/4となる低弾性材料です 高機能材を使わず 一般材との組み合わせで はんだクラック低減が可能です 用途 自動車用電子機器 エンジンルム搭載基板 部品実装基板全般 プリプレグ一般仕様 TD (137N77) (178N66) (3313N58) (151N54) IPC スタイル ガラスクロス織密度 ( たて よこ ) 樹脂分 77±2 66±2 58±2 54±2 プリプレグ特性揮発分 2. 以下 成形厚さ * 試験方法 (IPCTM65) *1) 成形厚さは樹脂流れを % と仮定した場合のプリプレグ 1 枚当たりの厚さです この値はプレス条件や内層パタンにより変わります 一般特性 (3313N58,t.4mm) 試験項目 処理条件 *3 単位 実測値 TD2 試験方法 (IPCTM65) ガラス転移温度 Tg TM 155~17 *1 熱膨張係数 X Y Z (3~12) (<Tg) (>Tg) ppm/ 6~9 6~9 8~13 2~3 はんだ耐熱性 (26) 秒 3 以上 T26( 銅なし ) T288( 銅なし ) TM 分 5 以上 5 以上.1 熱分解温度 (5% 重量減少 ) TG 345~ 銅箔引きはがし強さ kn/m.8~.9.9~ 曲げ弾性率 ( たて方向 ) GPa 5~ 引張り弾性率 ( たて方向 ) GPa 7~1 比誘電率 3.6~3.8 誘電正接体積抵抗率表面抵抗絶縁抵抗 +C96/4/9 +C96/4/9 +D2/1 c m.11~ ~ ~ ~ 吸水率 E24/5+D24/23 %.1~ 耐燃性 V UL94 *1) 昇温速度 :1/min *2) 空洞共振器法によります 測定項目により t.1mm の値を記載しております *3) 最終ペジの 処理条件の読み方 参照 3

23 ラック 部品実装信頼性評価結果 [4(3 分 ) 125(3 分 )] ク1 8 6 率4 1 サイクル 2 サイクル 3 サイクル 仕様 :4 層板 (t1.6mm) 構成 : コア材 t1.4mm/ 表層材 t.1mm はんだ : 鉛フリはんだ FR4+TD2 使用基板のはんだクラック ( 断面,3 サイクル後 ) クラック率 6% 2125R 3226R クラック率 1% R 3226R 6332R 2125R 3226R 6332R FR4+ 表層 TD2 使用基板 FR4 基板 弾性率比較 弾性率(MPa) 一般 FR4 TD2 温度 ( ) 樹脂板 ドリル加工性 3 穴加工後 5 4 内壁3 粗さ(μm) 仕様 :4 層板 (t1.6mm) 構成 : コア材 t1.2mm/ 表層材 t.2mm 平均最大 2 1 TD2+MCLE75G TD2+CEL323 MCLE75G TD2+ MCLE75G CEL323 TD2+ CEL323 ドリル加工条件 重ね枚数:3 枚 E/B:lt.15mm 回転数:12krpm 送り速度:2.4m/ 分 ドリルビット :φ. 3mm 31

24 ハロゲンフリ高 Tg 高耐熱 高信頼性多層材料 MCLE75G GE75G プリプレグ ガラス布基材高 Tg エポキシ樹脂多層材料 (FR4) 特長 ハロゲン系難燃剤 アンチモンおよび赤リンを使用せずに 難燃性 UL94V を達成している環境対応材料です 耐熱性に優れています ( 鉛フリはんだ工程対応 ) Z 方向の熱膨張係数が一般 FR4 より約 4% 低く スルホル信頼性に優れています はんだ耐熱性に優れています ( 鉛フリリフロ対応 ) 用途 自動車用電子機器 パソコン 高密度電子機器 電子交換機 携帯端末機器など 大型コンピュタ 32 一般仕様 *1) 昇温速度 :1/min *2) トリプレトストリップライン共振器法によります *3) 最終ペジの 処理条件の読み方 参照 標準銅箔厚さ 7μm 注 1) 呼び名の中間に位置する厚さ許容差は より厚い方の許容差によります 注 2) 厚さは絶縁層の厚さを示します ただし 厚さ.8 以上は銅箔を含む厚さを示します 一般特性 多層用銅張積層板 試験項目 ガラス転移温度 Tg *1 熱膨張係数 X Y はんだ耐熱性 (26) T26( 銅なし ) T28( 銅なし ) 熱分解温度 (5% 重量減少 ) 銅箔引きはがし強さ 曲げ弾性率 ( たて方向 ) 比誘電率 誘電正接 体積抵抗率表面抵抗 絶縁抵抗 吸水率耐燃性 MCLE75G Z 呼び名 ( 呼称 ) V.2.3 V.4.5 V *3 実測値処理条件単位 MCLE75G TM 155~17 DM 195~215 (3~12) 12~15 (3~12) 14~17 ppm/ (<Tg) 3~4 (>Tg) 秒 18~24 3 以上 TM 6 以上分 TM 6 以上 TG +C96/4/9 +C96/4/9 kn/m GPa cm 38~39 1.2~ ~1.8 25~29 5.~ ~4.6.9~.11.14~ ~ ~ ~ D2/ ~ E24/5+D24/23 %.8~.12 V 厚さおよび許容差.6±.3mm.1±.3mm.15±.4mm.2±.4mm.3±.5mm.4±.6mm.5±.7mm.6±.8mm.8±.9mm 1.±.1mm 1.2±.11mm 1.6±.19mm (t.8mm) 試験方法 (IPCTM65) JPC TM JPC TM UL94

25 2 導通抵抗変化率(%比誘電率 スルホル接続信頼性電正接 プリプレグ GE75G (18N65) (178N65) (2116N56) (151N52) (7628N5) IPC スタイル ガラスクロス 織密度 ( たて よこ ) 樹脂分 65±2 65±2 56±2 52±2 5±2 揮発分 1. 以下 *1) 成形厚さは樹脂流れを % と仮定した場合のプリプレグ 1 枚当たりの厚さです この値はプレス条件や内層パタンにより変わります プリプレグ特性 硬化時間 ( 秒 ) 145±3 145±3 145±3 135±3 135±3 成形厚さ * 試験方法 (IPCTM65) 分 153 分 (t1.6mm 両面板 ) 一般 FR4 15 高 Tg FR4 1 5 )MCLE75G サイクル 誘電特性の樹脂分依存性 誘 誘電正接の樹脂分依存性 GHz 3.8 2GHz 5GHz GHz.16 2GHz 5GHz 樹脂分 樹脂分 注 ) 比誘電率および誘電正接はトリプレトストリップライン共振器法により測定しています 33

26 FR4 多層材料 MCLE67 GE67N プリプレグ ガラス布基材エポキシ樹脂多層材料 (FR4) UV 不透過タイプ [ MCLE67 (W) タイプ] 特長 電気特性 機械特性に優れています プリプレグの品種 積層条件により二次積層成形時間の短縮化も図れます ただし短時間成形条件専用のプリプレグではありません 用途 パソコン 高密度電子機器 中 ~ 小型コンピュタおよびその周辺機器 電子交換機 携帯端末機器など 一般仕様 MCLE67 (W) 標準銅箔厚さ 7μm (1) 注 1) 厚さの中間に位置する厚さ許容差は より厚い方の厚さ許容差とします 注 2) 厚さ.8mm 未満は絶縁層の厚さを示します 厚さ.8mm 以上は全体厚さ ( 銅箔厚さ含む ) を示します 注 3)1 銅箔については 事前にお問合せ願います 一般特性 多層用銅張積層板 試験項目 ガラス転移温度 Tg *1 熱膨張係数 はんだ耐熱性 (26) T26( 銅なし ) T288( 銅なし ) 熱分解温度 (5% 重量減少 ) 銅箔引きはがし強さ 曲げ弾性率 ( たて方向 ) 比誘電率 誘電正接 X Y Z TM DM 処理条件 *3 (3~11) (<Tg) (>Tg) TM TG 体積抵抗率 +C96/4/9 表面抵抗 +C96/4/9 絶縁抵抗 +D2/1 吸水率 E24/5+D24/23 耐燃性 *1) 昇温速度 :1/min *2) トリプレトストリップライン共振器法によります *3) 最終ペジの 処理条件の読み方 参照 単位 ppm/ 秒 分 kn/m GPa cm % 呼び名 ( 呼称 ) V.2.3 V.4.5 V 実測値 MCLE67 12~13 15~16 13~16 14~17 5~7 2~3 12 以上 1 以上 3~32 1.4~ ~2.1 23~25 4.7~ ~4.2.13~.17.18~ ~ ~ ~ ~ ~.14 V 厚さおよび許容差.6±.3mm.1±.3mm.15±.4mm.2±.5mm.3±.5mm.4±.8mm.5±.8mm.6±.9mm.8±.1mm 1.±.12mm 1.2±.12mm (t.8mm) 試験方法 (IPCTM65) JPC TM JPC TM UL94 34

27 誘電正接 プリプレグ GE67N 一般タイプ UV 不透過タイプ (KLN) (WKLN) (LPN) (VGN) (WGN) (VJN) (VEFP) (VEGJ) (WEGJ) (VHDN) (WHDN) (VHGQ) IPC スタイル ガラスクロス 織密度 ( たて よこ ) 樹脂分 62±2 68±2 52±2 55±2 48±2 51±2 45±2 52±2 揮発分.5 以下 注 ) 一般特性試験は JIS C 6521( 成形厚さを除く ) によります *1) 成形厚さは 樹脂流れを % と仮定した場合のプリプレグ 1 枚当たりの厚さです この値はプレス条件や内層パタンにより変わります プリプレグ特性 硬化時間 ( 秒 ) 125±25 115±25 125±25 115±25 成形厚さ * 試験方法 (IPCTM65) 耐電 圧(kV) 2 ショトタイムで ( 約 4kV) ( MCLE67の各厚みに対する耐電圧試験結果 5 cuあり ( ) cuなし ( ) φ5mm ( 両面 cu) 全面エッチング c u はく 1 1 板厚 φ5mm 電極 ショトタイム 5V/secで一定電圧 ( 上昇し破壊電圧を求めた ) 板厚 板厚 推定 ステップバイステップ 1 15V/secの速度で電圧上昇させ破壊電圧を求める ( ショトタイム法 ) 2 得られた破壊電圧値の5% から 1 分間保持 /1kV の要領で電圧を上昇させ 1 分間保持できる最大電圧を求めた ) 比誘電率4.5 比誘電率 基材の樹脂分と比誘電率の関係 () 比誘電率の周波数依存性 樹脂分 周波数 (GHz) 誘電正接の周波数依存性 周波数 (GHz) 注 ) 比誘電率および誘電正接はトリプレトストリップライン共振器法により測定しています 35

28 プリント配線板材料 CEL614G E471 プリプレグ ガラス布基材エポキシ樹脂銅張積層板 (FR4) 特長 スルホル信頼性に優れています 寸法安定性に優れています そり ねじれが小さく表面実装に適しています 用途 高信頼性配線板 車載用各種制御機器 一般仕様 CEL614G (UVT) 寸法 ( たて よこ ) 標準銅箔厚さ 18mm 35mm 厚さ 生産対応については事前にご相談下さい 一般特性 試験項目ガラス転移温度 Tg 熱膨張係数 *1 はんだ耐熱性 (26) 銅箔引きはがし強さ比誘電率誘電正接体積抵抗値表面抵抗絶縁抵抗吸水率耐燃性 X Y Z 処理条件 TM (3~12) (<Tg) +D2/1 E24/5+D24/23 単位 ppm/ 秒 kn/m cm % 実測値 CEL614G 12~13 13~16 14~17 5~7 12 以上 1.4~ ~ ~4.8.13~ ~ ~ ~ ~ ~.8(1.6mm) V 試験方法 (IPCTM65) UL94 *1) 昇温速度 :1/min 36

29 熱間曲げ強さ 曲げ強さ曲げ弾性75 5 CEL614G( たて方向 ) (N/mm2) 25 CEL614G( よこ方向 ) 測定温度 () ( 1 4 ) CEL614G( たて方向 ) 率(N/mm 2 ) CEL614G( よこ方向 ) 測定温度 () 寸法変化 ( 試料寸法 : 51mm 34mm 測定スパン : 45mm 287mm) 寸法変化.2.2 率 絶縁抵抗 ( 処理条件 :.2MPa,121) 絶1 縁16 抵抗1 14 () 1 12 CEL614G たて方向 CEL614G よこ方向 穴開け後スルホルめっき後 エッチング後ソルダレジスト印刷乾燥機 8 3 分 分 処理時間 (hr) 板厚 : t1.6mm はんだレベラ後 秒 37