9 th May, 206 (Monday) Opening (:00-:0) 大ホール三宅秀人 ( 三重大学 ) Session I: 基調講演大ホール PL-Mo- :0-4:00 (50min) 窒化物半導体パワーデバイスの研究開発の現状と今後の展望加地徹名古屋大学未来材料 システム研究所 T-Mo- 4:00-4:45 (45min) 窒化物半導体の光物性山口敦史金沢工業大学工学部 Session II: チュートリアル講演大ホール Coffee break (4:45-5:00) 2F ラウンジ Session III: チュートリアル講演大ホール T-Mo-2 5:00-5:45 (45min) VAS 法による GaN 基板結晶とホモエピ成長および GaN 基板上成長による電子デバイス特性の向上乙木洋平株式会社サイオクス
5:45-6:5 (25 2min) Session IV: 一般講演 I (Short Presentation I) 大ホール Mo-. Mo-2. Mo-. Mo-4. Mo-5. Mo-6. DLTS/MCTS 法による MOCVD 成長 n-gan の電子 - 正孔トラップ評価徳田豊 高林洸太 上田聖悟愛知工業大学 N 極性 (000 )InGaN における局所発光の III 族原料供給比依存性野々田亮平 谷川智之 正直花奈子 木村健司 窪谷茂幸 片山竜二 松岡隆志東北大学金属材料研究所 自立 GaN 基板上 m 面 Al -x In x N エピタキシャル薄膜の発光特性秩父重英 小島一信 山崎芳樹 2 上殿明良 東北大学多元物質科学研究所 2 筑波大学数理物質系物理工学域 SiC 基板上 AlN 層成長における基板ステップ端へのミスフィット転位導入金子光顕 木本恒暢 須田淳京都大学大学院工学研究科 Na フラックス法によるサファイア溶解を用いた自立 GaN 基板の反り評価山田拓海 今西正幸 中村幸介 村上航介 今林弘毅 松尾大輔 本城正智 丸山美帆子 今出完 吉村政志 森勇介大阪大学大学院工学研究科 数値解析による InGaN/GaN 多重量子井戸内の圧縮歪みに対する補償効果の検討向山裕次 M.E. Rudinsky 2, K. A. Bulashevich 2, E.V. Yakovlev 2 STR Japan 株式会社 2 STR-Group Soft-Impact Ltd., Mo-7. Mo-8. Mo-9. ホモエピタキシャル成長 n 型 GaN 縦型ショットキーバリアダイオードに表面から光照射したときの光電流前田拓也 上野昌紀 2 山本喜之 2 岡田政也 2 堀田昌宏 2 須田淳 京都大学大学院工学研究科 2 住友電気工業株式会社 SiC 基板上直接 GaN 成長における基板のレーザー処理の影響宮川鈴衣奈 宮地祐太 三好実人 江川孝志 江龍修名古屋工業大学大学院工学研究科 ScAlMgO 4 (000) 基板上 InGaN 薄膜における組成引き込み効果尾崎拓也 船戸充 川上養一京都大学大学院工学研究科
Mo-0. Mo-. Mo-2. Mo-. Mo-4. Mo-5. Mo-6. Mo-7. Mo-8. Mo-9. レーザ散乱を用いた InGaN 結晶成長表面粗さ回復の観察山本哲也 永松謙太郎 2 出来真斗 2 新田州吾 2 本田善央 2 天野浩 名古屋大学大学院工学研究科 2 名古屋大学未来材料 システム研究所未来エレクトロニクス集積研究センター 名古屋大学赤崎記念研究センター 4 名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリー アルミナ炭素熱還元法により AlN バッファ層上に成長した AlN の結晶性向上大塚誠 藤原圭吾 三宅秀人 2 福山博之 東北大学多元物質科学研究所 2 三重大学大学院地域イノベーション学研究科 PSD 法による GaN への低濃度ドーピング技術の開発上野耕平 荒川靖章 小林篤 太田実雄,2 藤岡洋 東京大学生産技術研究所 2 JST-PRESTO JST-ACCEL Si 基板上 (-0) 高 In 組成 InGaN 結晶の緩和過程久志本真希 本田善央,2, 天野浩 名古屋大学未来材料 システム研究所未来エレクトロニクス集積研究センター 2 名古屋大学赤崎記念研究センター 名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリー フッ素プラズマを用いた InN の表面電化蓄積層の影響軽減に関する研究福島駿介 臼田知志 荒木努 名西憓之立命館大学大学院理工学研究科 β-ga 2 O 単結晶基板を用いたショットキーバリアダイオードの評価藤木嘉樹 荒木努 Y. Moon 2 A. Kim 2 立命館大学大学院理工学研究科 2 UJL HVPE 法におけるファセット成長を介した埋め込み成長の全面低転位化機構岡田成仁 行實孝太 河原慎 松原徹 只友一行山口大学大学院創成科学研究科 高温アニール処理のスパッタ AlN 層における効果袴田淳哉 岩谷素顕 上山智 竹内哲也 三宅秀人 2 赤﨑勇 名城大学大学院理工学研究科 2 三重大学大学院地域イノベーション学研究科 名古屋大学赤崎記念研究センター GaInN トンネル接合と n 型 GaNSb による低温 p 側構造の作製鈴木健太 財部覚 高須賀大貴 小出典克 竹内哲也 岩谷素顕 上山智, 2 赤﨑勇 名城大学大学院理工学研究科 2 名古屋大学赤崎記念研究センター 窒化物半導体のガラス基板上への成長と薄膜トランジスタ応用小林篤 伊藤剛輝 上野耕平, 太田実雄 2 藤岡洋,,, 2,,4
東京大学生産技術研究所 2 JST さきがけ JST-ACCEL Mo-20. Mo-2. Mo-22. Mo-2. Mo-24. Mo-25. トリハライド気相成長法を用いた N 極性窒化ガリウムの高温成長竹川直 引田和弘 松田華蓮 林田直人 村上尚 熊谷義直 纐纈明伯東京農工大学大学院工学研究科応用化学部門 THz エリプソメトリーによる n 型 GaN 膜の電気的特性評価達紘平 浅上史歩, 藤井高志 荒木努 名西憓之 長島健 2 岩本敏志 佐藤幸徳 森田直 4 杉江隆一 4 上山智 立命館大学大学院理工学研究科 2 摂南大学 日邦プレシジョン 4 東レリサーチセンター 5 名城大学 微小なオフ角に由来する c 面 AlGaN/AlN ヘテロ界面における c 面すべりの可能性市川修平 船戸充 川上養一京都大学大学院工学研究科 マクロステップを利用した AlGaN 量子細線構造による温度消光の低減早川峰洋 林佑樹 市川修平 船戸充 川上養一京都大学大学院工学研究科 InN(000) 面および (000-) 面 MOVPE 成長の熱力学解析草場彰 寒川義裕 2 白石賢二 柿本浩一 2 纐纈明伯 九州大学大学院工学府 2 九州大学応用力学研究所 名古屋大学未来材料 システム研究所 4 東京農工大学大学院工学研究科 RF-MBE 法による GaN/Sapphire 上への Mg ドーピング GaN 成長藤田諒一 松田雅大 荒木努 名西憓之立命館大学大学院理工学研究科 4 5 一般講演 I (Poster Presentation I) + Exhibition (6:5-8:00) F ラウンジ 意見交換会 (8:00-9:0) 2F ラウンジ
0 th May, 206 (Tuesday) Session V: 特別講演 & 招待講演大ホール S-Tu- 9:00-9:45 (45min) 超高純度ダイヤモンドの成長とその物性寺地徳之物質 材料研究機構 I-Tu- 9:45-0:5 (0min) 放射光マイクロビーム X 線による InGaN 発光層の評価榊篤史, 川村朋晃, 宮野宗彦, 吉成篤史日亜化学工業株式会社 Coffee break (0:5-0:0) 2F ラウンジ 0:0-:20 (2 2min) Session VI: 一般講演 II (Short Presentation II) 大ホール Tu-. Tu-2. Tu-. Tu-4. ラマン散乱スペクトルにおけるファノ干渉を用いた窒化物半導体の正孔濃度評価モデルの検討坂本裕則 馬蓓 森田健 石谷善博千葉大学大学院工学研究科 GaN 単結晶の絶対輻射量子効率測定小島一信 大友友美, 斉藤真 2 池田宏隆 2 藤戸健史 2 秩父重英 東北大学多元物質科学研究所 2 三菱化学株式会社 OVPE 成長条件下における GaN(000) 表面状態の解析河村貴宏 北本啓 2 今出完 2 吉村政志 2 森勇介 2 森川良忠寒川義裕 柿本浩一 三重大学大学院工学研究科 2 大阪大学大学院工学研究科 九州大学応用力学研究所 ハフニウム上への GaN 薄膜成長と発光素子への応用 2
金惠蓮, 太田実雄 2 井上茂 小林篤 上野耕平, 藤岡洋 The Univ. of Tokyo, 2 JST-PRESTO, JST-ACCEL Tu-5. Tu-6. Tu-7. Tu-8. Tu-9. Tu-0. Tu-. Tu-2. Tu-. r 面サファイア上への a 面 AlN 成長におけるバッファ層の成長温度およびバッファ層アニール条件依存性林家弘 山下泰弘, 三宅秀人 2 平松和政 三重大学大学院工学研究科 2 三重大学大学院地域イノベーション学研究科 ESVPE 成長 AlN の厚膜化に伴う歪および転位の評価岸元克浩 Wu PeiTsen 船戸充 川上養一京都大学大学院工学研究科 光電流測定による窒化物系 LED の内部量子効率評価宇佐美茂佳, 本田善央 2, 2,, 4 天野浩 名古屋大学大学院工学研究科 2 名古屋大学未来材料 システム研究所未来エレクトロニクス集積研究センター 名古屋大学赤崎記念研究センター 4 名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリー ハイドライド気相成長法における GaN ファセット形状と転位挙動行實孝太 河原慎 岡田成仁 只友一行山口大学大学院創成科学研究科 N 極性 InGaN/GaN 量子井戸の微視的構造 光学特性谷川智之 正直花奈子 野々田亮平 窪谷茂幸 片山竜二 松岡隆志 高宮健吾 2 矢口裕之 2 秋山英文 東北大学金属材料研究所 2 埼玉大学大学院理工学研究科 東京大学物性研究所 GaN ナノコラム上 InGaN ナノコラムにおける成長機構の系統的検討大音隆男 水野祐太郎 柳原藍 宮川倫 加納達也 吉田純榊原直樹, 2 岸野克巳 上智大学理工学部機能創造理工学科 2 上智大学ナノテクリサーチセンター Nano-size concavo-convex (NCC) サファイア基板を用いた高品質 AlN 膜成長, 吉川陽 岩谷素顕 竹内哲也 上山智, 2 赤﨑勇 名城大学大学院理工学研究科 2 名古屋大学赤崎記念研究センター 旭化成 r 面サファイアの窒化による a 面 AlN 薄膜の形成と Ga-Al 液相法によるその厚膜化安達正芳 福山博之東北大学多元物質科学研究所 トリハライド気相成長法による GaN 成長の基板面方位依存性松田華蓮 磯憲司 竹川直 引田和宏 林田直人 村上尚 纐纈明伯東京農工大学大学院工学府応用化学専攻
Tu-4. Tu-5. Tu-6. Tu-7. Tu-8. Tu-9. Tu-20. Tu-2. Tu-22. Tu-2. 短周期配列ナノコラムの黄色領域光励起レーザ発振松井祐三 石沢峻介 本山界, 2 岸野克巳 上智大学理工学部機能創造理工学科 2 上智大学ナノテクリサーチセンター GaN キャップ層導入による低温成長 AlN 層の高品質化および水分解光電極の特性向上中村亮裕 藤井克司 2 中野義昭 杉山正和 東京大学大学院工学系研究科 2 北九州市立大学環境技術研究所 窒化物半導体 HFET 型光センサの動作に関する温度依存性牛田彩希, 吉川陽 岩谷素顕 上山智 竹内哲也 赤﨑勇 名城大学大学院理工学研究科 2 名古屋大学赤崎記念研究センター 旭化成 窒化物混晶半導体の IQB 理論による電子状態計算岸彩香 小田将人 篠塚雄三和歌山大学大学院システム工学研究科 GaN における定常状態励起子分子準位間遷移過程理論計算野町健太郎 岩堀友洋 大木健輔 馬蓓 森田健 石谷善博千葉大学大学院工学研究科 Effect of Oxygen on Surface Morphology and Crystalline Quality of AlN Films Deposited by Pulsed DC Reactive Sputtering Noorprajuda Marsetio, Makoto Ohtsuka, Hiroyuki Fukuyama Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University 非熱平衡状態における GaN 励起子ダイナミクスの実験解析及び数値計算馬蓓 竹内和真 石谷善博 三宅秀人 2 2 平松和政 千葉大学大学院工学系研究科 2 三重大学大学院工学系研究科 微小共振器による Eu 添加 GaN の発光モード制御稲葉智宏 児島貴徳 小泉淳 藤原康文大阪大学大学院工学研究科 Na フラックス法によるマルチポイントシード上への (-22)GaN 結晶成長金度勲 今西正幸 山田拓海 本城正智 村上航介 松尾大輔 今林弘毅 丸山美帆子 今出完 吉村政志 森勇介大阪大学大学院工学研究科 メタンガスを添加した Na フラックス法における GaN 成長速度の向上今出完 小川翔悟 今西正幸 村上航介 今林弘毅 松尾大輔 本城正智 丸山美帆子 吉村政志 森勇介大阪大学大学院工学研究科, 2
Lunch break (:20-2:0) 一般講演 II (Poster Presentation II) + Exhibition (2:0-4:00) F ラウンジ Session VII: チュートリアル講演 & 招待講演大ホール I-Tu-2 4:00-4:0 (0min) 歪補償障壁層を用いた橙色 InGaN 系 LED 飯田大輔 芦深 秋田谷健人 丹羽一将 2 上山智 2 大川和宏 東京理科大学応用物理学科 2 名城大学理工学研究科 I-Tu- 4:0-5:00 (0min) GaN と AlN の物性定数の同定と (Al,Ga)N 系半導体の物性予測石井良太 船戸充 川上養一京都大学大学院工学研究科 I-Tu-4 5:00-5:0 (0min) ナノインデンテーションを用いた InN の弾性特性の解明出浦桃子 沓掛健太朗 大野裕 米永一郎 王新強 東北大学金属材料研究所 2 北京大学 2 T-Tu- 5:0-6:5 (45min) GaN の MOVPE 成長と表面過飽和度赤坂哲也日本電信電話株式会社 NTT 物性科学基礎研究所 Closing (6:5-6:45) 大ホール藤岡洋 ( 東京大学 )