低周波小信号増幅用 用途 パッケージ TO-92(SC-43) MINI S-MINI(SC-59) USM(SC-70) SSM ESM General Purpose 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2712 2SA1162 2SC4116 2SA1586

Size: px
Start display at page:

Download "低周波小信号増幅用 用途 パッケージ TO-92(SC-43) MINI S-MINI(SC-59) USM(SC-70) SSM ESM General Purpose 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2712 2SA1162 2SC4116 2SA1586"

Transcription

1 汎用小信号トランジスタ 低周波小信号増幅用 208 低周波増幅 スイッチング 定電流負荷 インピーダンス変換用 208 高速スイッチング用小信号 MOS-FET (S-MOS) 209 小信号トランジスタ 212 PW-MINI トランジスタ (SC-62) 212 抵抗内蔵型トランジスタ (BRT)

2 低周波小信号増幅用 用途 パッケージ TO-92(SC-43) MINI S-MINI(SC-59) USM(SC-70) SSM ESM General Purpose 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2712 2SA1162 2SC4116 2SA1586 2SC4738 2SA1832 2SC4738F 2SA1832F 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 2SC2713 2SA1163 2SC4117 2SA1587 General Purpose 2SC1815 L 2SA1015 L 2SC2458 L 2SA1048 L 2SC3324 2SA1312 (Low Noise) 2SC732TM E.Q. Amp Diff 2SC2240 2SA970 2SC3324 2SA1312 Main Amp Diff 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 2SC3324 2SA1312 Low Frequency 2SC2120 2SA950 2SC2710 2SA1150 2SC3265 2SA1298 Amplifier 2SC1959 2SA562TM 2SC2859 2SA1182 2SC4118 2SA1588 Impedance 2SK246 2SJ103 2SK330 2SJ105 2SK208 2SJ106 2SK879 2SJ144 Converter 2SK30ATM 2SK118 2SK208 2SK879 Low Noise Audio Amplifier 2SK117 2SK184 2SK209 2SK880 Muting 2SC2878 2SC3327 2SC3326 2SC4213 High β 2SC3112 2SC3113 2SC3295 2SC4666 High Speed Switch 2SC752 G TM 2SC3437 2SC4667 Low rbb' 2SC3329 2SA1316 E.Q.Amp Diff 2SK170 2SJ74 2SK370 2SJ108 2SK369 2SK371 Strobo *2SC5471 *2SC5720 低周波増幅 スイッチング 定電流負荷 インピーダンス変換用 N チャネル Pチャネル Yfs (ms) RDS(on) TO-92 MINI Super MINI USM SMV USV TO-92 MINI Super MINI USM IDSS=5mA (Ω) 2SK246 2SK330 2SK208 2SK879 2SK373 2SK367 2SK368 2SJ103 2SJ105 2SJ106 2SJ /270 2SK362 2SK365 2SK209 2SK880 2SK2145 *2SK SK364 2SK366 2SJ104 2SJ /40 2SK363 2SK : 2SK209 2( ソースコモン ) 208

3 高速スイッチング用小信号 MOS-FET (S-MOS) < スタンダードファミリー 1in1 タイプ > (50mA~400mA クラス ) 最大定格パッケージ Typ.(Max) Vth Ron S-MINI USM TO-92 MINI SSM ESM TESM (V). (Ω) (V) (V) (ma) (SC-59) (SC-70) (V) 極性 VDS VGSS Nch SK1825 2SK1826 2SK (50) 4 Pch SJ342 2SJ343 2SJ (50) 4 Nch SK1828 2SK1829 2SK (40) 2.5 Pch SJ345 2SJ346 2SJ (40) 2.5 Nch SK2823 2SK2824 2SK (40) 1.5 Nch SK2033 2SK2034 2SK (12) 2.5 Nch SSM3K03FE ** SSM3K03TE (12) 2.5 Pch * SSM3J03FE (25) 2.5 Nch SSM3K04FU SSM3K04FS SSM3K04FE (12) 2.5 Nch SK2036 2SK (6) 2.5 Nch 60 ± SK (1.0) 10 Pch 60 ± SK982 2SK1061 2SJ (2) 10 Nch 30 ± SJ148 2SJ167 2SK (2.0) 2.5 Pch 30 ± SJ (4) 2.5 Nch 30 ± * SSM3K09FU (1.2) 4 Pch 30 ± * SSM3J09FU (4.2) 4 Nch 20 ± SSM3K05FU (1.2) 2.5 Pch 20 ± SSM3J05FU (4) 2.5 : RGS=1MΩ 内蔵 **: 開発中 S-MINI 2.1 USM 0.8 SSM 0.85 ESM TESM < スタンダードファミリー 2in1 タイプ > (50mA~400mA クラス ) 最大定格パッケージ typ.(max) 内部構成 Vth Ron ESV ES6 USV US6 FET (V) (V) (V) (ma) 極性 VDSS VGSS ID Nch HN1K02FU 2SK (40) 2.5 Pch HN1J02FU 2SJ (40) 2.5 Nch HN4K03JU HN1K03FU 2SK (12) 2.5 Nch+Pch SK (40) 2.5 HN1L02FU SJ (40) 2.5 Nch+Pch SK (50) 4 HN1L03FU SJ (40) 2.5 Nch HN1K04FU 2SK (50) 4 Nch HN1K05FU 2SK (40) 1.5 Nch HN1K06FU 2SK (6) 2.5 Nch 2 20 ± * SSM5N05FU * SSM6N05FU SSM3K05FU (1.2) 2.5 Pch 2 20 ± * SSM5P05FU * SSM6P05FU SSM3J05FU (4) ± SSM3K05FU (1.2) 2.5 Nch+Pch * SSM6L05FU 20 ± SSM3J05FU (4) 2.5 Nch SSM6N04FU SSM3K04FU (12) 2.5 Nch ** SSM5N03FE SSM3K03FE (12) 2.5 Nch ** SSM6N03FE SSM3K03FE (12) 2.5 Nch 2 30 ± * SSM6N09FU SSM3K09FU (1.2) 4 Pch 2 30 ± * SSM6P09FU SSM3J09FU (4.2) 4 30 ± SSM3K09FU (1.2) 4 Nch+Pch * SSM6L09FU 30 ± SSM3J09FU (4.2) 4 : RGS=1MΩ 内蔵 **: 開発中 ESV 1.2 ES6 2.1 USV 2.1 US6 209

4 < ハイカレントファミリー > (600mA~A クラス ) パッケージ最大定格 RDS(ON) Vth ton toff 駆動極性 US6 S-MINI VDS VGSS ID (V) (V) (V) (A) Typ. Max (V) Min Max (V) (ma) Typ. Typ. (V) (A) v Nch SSM3K01F 30 ± v Nch SSM3K02F 30 ± v Nch SSM6K06FU 20 ± v Nch * SSM6K08FU 20 ±12 2.5v Nch SSM3J01F 30 ± v Nch SSM3J02F 30 ± v Nch SSM6J06FU 20 ± V Pch ** SSM6J08FU 20 ± V Nch SSM6K07FU 30 ± V Nch SSM6J07FU 30 ± US S-MINI **: 開発中 <TSM パッケージハイカレントファミリー > (500mA~3.2A クラス ) VDSS ID Vth RDS(ON) Max PD 形名極性 (V) (A) (V) (W) * SSM3K01T Nch * SSM3J01T Pch ** SSM3J13T Pch ** SSM3K11T Nch FR4 基板実装時 (tw=10s) **: 開発中 TSM 210

5 211

6 小信号トランジスタ Classification VCEO IC TESM ESM SSM USM(SC-70) S-MINI(SC-59) USV SMV(SC-74A) (V) (ma) NPN PNP NPN PNP NPN PNP PNP NPN PNP NPN PNP NPN PNP NPN PNP+NPN General-purpose 2SA *2SC4738FT *2SA1832FT 2SC4738F 2SA1832F 2SC4738 2SA1832 2SC4116 2SA1586 2SC2712 2SA1162 2SC4944 2SC4207 2SA1618 *HN4A56JU * HN4C06J *HN4A06J 2SC4117 2SA1587 2SC2713 2SA1163 Low noise *HN4C51J *HN4A51J **HN4B06J 2SC3324 2SA1312 General-purpose SC4118 2SA1588 2SC2859 2SA1182 *HN4B04J SC3325 2SA SC5376F 2SC5376 2SA1955 HN4C05JU SC5233 2SA1954 2SC5232 2SA SA1362 High current SC3265 2SA SC4210 2SA High voltage SC4209 2SA1620 High hfe SC4666 2SC3295 Muting SC4213 2SC3326 High-speed Switch SC4667 2SC3437 High-voltage Switch SC3138 2SA1255 High voltage High voltage SC4497 2SA1721 Darlington SC2532 Strobo PW-MINI トランジスタ (SC-62) 定格電気的特性 TO-92MOD 相当品 Pc Pc VCEO IC hfe VCE (sat) ft 現品表示 (TO-92) 備考 用途 (W) (W) (V) (A) VCE IC (V) IC IB (MHz) VCE IC NPN PNP MIN. MAX. (V) (ma) MAX. (ma) (ma) TYP. (V) (ma) NPN PNP NPN PNP 2SC2880 2SA / A B 2SC2229 2SA949 High Voltage Driver 2SC2881 2SA C D 2SC2235 2SA965 Audio Driver 2SC2882 2SA / E F (2SC1627) (2SA817) Audio Driver 2SC2883 2SA G H 2SC2236 2SA966 Audio Out 2SC2884 2SA / P R (2SC2120) (2SA950) Audio Out 2SC2873 2SA M N 2SC2655 2SA1020 SW,Power AMP. 2SC2982 2SA S T (2SC3279) (2SA1300) Low Saturation 2SC3515 2SA J I (2SC2551) (2SA1091) High Voltage Driver 2SC3803 2SA V W High Speed SW 2SC4409 2SA KA LA 2SC4408 2SA1680 SW,Power AMP. 2SC4539 2SA KB LB SW,Power AMP. 2SC4540 2SA KC LC SW,Power AMP. 2SC4541 2SA KD LD SW,Power AMP. 2SC SC A C DC/DC コンバータストロボ充放電 DC/DC コンバータストロボ充放電 2.5 DC/DC コンバータ 2SC E ストロボ充放電 2SD XN 2SD1140 Driver(Darligton) ( 注 ) 現品表示欄の 内には 下記 hfe 分類が入ります (R ランク R O ランク O Y ランク Y A ランク A B ランク B C ランク C D ランク D) : セラミック基板実装時 (250mm 2 0.8t) : t=10s 212

7 ES6 US6 SM6(SC-74) TO-92 MINI NPN PNP PNP+NPN NPN PNP PNP+NPN NPN PNP PNP+NPN NPN PNP NPN PNP *HN1C01FE *HN2C01FE *HN1A01FE *HN2A01FE *HN1B01FE *HN1B04FE HN1C01FU HN2C01FU *HN3C56FU HN1A01FU HN2A01FU HN1B01FU HN1B04FU HN3B02FU HN1C01F HN1A01F *HN3A56F HN1B01F HN3B01F 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 *HN3C51F *HN3A51F 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 2SC1959 2SA562TM **HN1A07F *HN1A02F 2SC2120 2SA950 2SA1150 2SC3279 2SA1300 2SC3266 2SA1296 2SC3267 2SA1297 2SC1627 2SA817 2SC3112 2SC3113 HN1C03FU HN1C03F 2SC2878 2SC3327 *HN3C61FU 2SC752(G)TM 2SC3333 2SA1320 2SC2551 2SA1091 2SC982TM *2SC5471 * 2SC5720 **: 開発中 213

8 抵抗内蔵型トランジスタ (BRT) 汎用タイプ 汎用タイプ 定 VCEO(V) 50 格 IC(mA) 100 外囲器 TESM ESM SSM USM(SC-70) S-MINI(SC-59) 極性 NPN PNP NPN PNP NPN PNP NPN PNP NPN PNP 内蔵抵抗 (KΩ) * RN1101FT * RN2101FT * RN1101F * RN2101F RN1101 RN2101 RN1301 RN2301 RN1401 RN * RN1102FT * RN2102FT * RN1102F * RN2102F RN1102 RN2102 RN1302 RN2302 RN1402 RN * RN1103FT * RN2103FT * RN1103F * RN2103F RN1103 RN2103 RN1303 RN2303 RN1403 RN * RN1104FT * RN2104FT * RN1104F * RN2104F RN1104 RN2104 RN1304 RN2304 RN1404 RN * RN1105FT * RN2105FT * RN1105F * RN2105F RN1105 RN2105 RN1305 RN2305 RN1405 RN * RN1106FT * RN2106FT * RN1106F * RN2106F RN1106 RN2106 RN1306 RN2306 RN1406 RN * RN1107FT * RN2107FT * RN1107F * RN2107F RN1107 RN2107 RN1307 RN2307 RN1407 RN * RN1108FT * RN2108FT * RN1108F * RN2108F RN1108 RN2108 RN1308 RN2308 RN1408 RN * RN1109FT * RN2109FT * RN1109F * RN2109F RN1109 RN2109 RN1309 RN2309 RN1409 RN * RN1110FT * RN2110FT * RN1110F * RN2110F RN1110 RN2110 RN1310 RN2310 RN1410 RN * RN1111FT * RN2111FT * RN1111F * RN2111F RN1111 RN2111 RN1311 RN2311 RN1411 RN * RN1112FT * RN2112FT * RN1112F * RN2112F RN1112 RN2112 RN1312 RN2312 RN1412 RN * RN1113FT * RN2113FT * RN1113F * RN2113F RN1113 RN2113 RN1313 RN2313 RN1413 RN * RN1114FT * RN2114FT RN1114 RN2114 RN1314 RN2314 RN1414 RN * RN1115FT * RN2115FT RN1115 RN2115 RN1315 RN2315 RN1415 RN * RN1116FT * RN2116FT RN1116 RN2116 RN1316 RN2316 RN1416 RN * RN1117FT * RN2117FT RN1117 RN2117 RN1317 RN2317 RN1417 RN * RN1118FT * RN2118FT RN1118 RN2118 RN1318 RN2318 RN1418 RN2418 汎用タイプ 定 VCEO(V) 50 格 IC(mA) 100 外囲器 ES6 US6 極性 PNP + NPN NPN + PNP NPN X 2 PNP X 2 NPN PNP NPN PNP PNP + NPN NPN + PNP 内蔵抵抗 (KΩ) ( 点対称配置 ) ( 点対称配置 ) ( 平行配置 ) ( 点対称配置 ) * RN4901FE * RN4981FE * RN1961FE * RN2961FE RN1901 RN2901 RN1961 RN2961 RN4901 RN * RN4902FE * RN4982FE * RN1962FE * RN2962FE RN1902 RN2902 RN1962 RN2962 RN4902 RN * RN4903FE * RN4983FE * RN1963FE * RN2963FE RN1903 RN2903 RN1963 RN2963 RN4903 RN * RN4904FE * RN4984FE * RN1964FE * RN2964FE RN1904 RN2904 RN1964 RN2964 RN4904 RN * RN4905FE * RN4985FE * RN1965FE * RN2965FE RN1905 RN2905 RN1965 RN2965 RN4905 RN * RN4906FE * RN4986FE * RN1966FE * RN2966FE RN1906 RN2906 RN1966 RN2966 RN4906 RN * RN4907FE * RN4987FE * RN1967FE * RN2967FE RN1907 RN2907 RN1967 RN2967 RN4907 RN * RN4908FE * RN4988FE * RN1968FE * RN2968FE RN1908 RN2908 RN1968 RN2968 RN4908 RN * RN4909FE * RN4989FE * RN1969FE * RN2969FE RN1909 RN2909 RN1969 RN2969 RN4909 RN * RN4910FE * RN4990FE * RN1970FE * RN2970FE RN1910 RN2910 RN1970 RN2970 RN4910 RN * RN4911FE * RN4991FE * RN1971FE * RN2971FE RN1911 RN2911 RN1971 RN2971 RN4911 RN * RN1973 * RN

9 汎用タイプ ESV USV SMV(SC-74A) ES6 NPN PNP NPN PNP NPN PNP PNP X 2 (NPN タイプ /PNP タイプ ) ( エミッタコモン ) ( 点対称配置 ) * RN1701JE * RN2701JE RN1701 RN2701 RN1501 RN2501 * RN1901FE * RN2901FE * RN1702JE * RN2702JE RN1702 RN2702 RN1502 RN2502 * RN1902FE * RN2902FE * RN1703JE * RN2703JE RN1703 RN2703 RN1503 RN2503 * RN1903FE * RN2903FE * RN1704JE * RN2704JE RN1704 RN2704 RN1504 RN2504 * RN1904FE * RN2904FE * RN1705JE * RN2705JE RN1705 RN2705 RN1505 RN2505 * RN1905FE * RN2905FE * RN1706JE * RN2706JE RN1706 RN2706 RN1506 RN2506 * RN1906FE * RN2906FE * RN1707JE * RN2707JE RN1707 RN2707 RN1507 RN2507 * RN1907FE * RN2907FE * RN1708JE * RN2708JE RN1708 RN2708 RN1508 RN2508 * RN1908FE * RN2908FE * RN1709JE * RN2709JE RN1709 RN2709 RN1509 RN2509 * RN1909FE * RN2909FE * RN1710JE * RN2710JE RN1710 RN2710 RN1510 RN2510 * RN1910FE * RN2910FE * RN1711JE * RN2711JE RN1711 RN2711 RN1511 RN2511 * RN1911FE * RN2911FE RN2714 汎用タイプ (NPN タイプ /PNP タイプ ) SM6(SC-74) TO-92 MINI NPN PNP PNP + NPN NPN PNP NPN PNP (NPN) C (PNP) C B B E E ( 平行配置 ) RN1601 RN2601 RN4601 RN1001 RN2001 RN1201 RN2201 RN1602 RN2602 RN4602 RN1002 RN2002 RN1202 RN2202 RN1603 RN2603 RN4603 RN1003 RN2003 RN1203 RN2203 RN1604 RN2604 RN4604 RN1004 RN2004 RN1204 RN2204 RN1605 RN2605 RN4605 RN1005 RN2005 RN1205 RN2205 RN1606 RN2606 RN4606 RN1006 RN2006 RN1206 RN2206 RN1607 RN2607 RN4607 RN1007 RN2007 RN1207 RN2207 RN1608 RN2608 RN4608 RN1008 RN2008 RN1208 RN2208 RN1609 RN2609 RN4609 RN1009 RN2009 RN1209 RN2209 RN1610 RN2610 RN4610 RN1010 RN2010 RN1210 RN2210 RN1611 RN2611 RN4611 RN1011 RN2011 RN1211 RN2211 RN

10 ハイカレントタイプ / ミューティングスイッチタイプ (NPN タイプ /PNP タイプ ) High Current Muting 定 VCEO(V) 格 IC(mA) 外囲器 MINI S-MINI(SC-59) MINI S-MINI(SC-59) 極性 NPN PNP NPN PNP NPN NPN (NPN) C (PNP) C (NPN) C 内蔵抵抗 (KΩ) B B B E 1 1 RN1221 RN2221 RN1421 RN RN1222 RN2222 RN1422 RN RN1223 RN2223 RN1423 RN RN1224 RN2224 RN1424 RN RN1225 RN2225 RN1425 RN RN1226 RN2226 RN1426 RN RN1227 RN2227 RN1427 RN RN1241 RN RN1242 RN RN1243 RN RN1244 RN1444 E E 216

11 混載型抵抗内蔵型トランジスタ 5 端子パッケージ (ESV,USV) ラインアップ コレクタとベース接続 NPN+PNP 内部接続 Q1 Q2 ESV パッケージ ( mm) 品名定格 USV パッケージ構成デバイス (2 2.1mm) ** RN47A1JE RN47A1 ** RN47A2JE RN47A2 ** RN47A3JE RN47A3 ** RN47A4JE RN47A4 ** RN47A5JE RN47A5 2.0 VCEO (V) ICEO (ma) k(ω) Q1 RN Q2 RN Q1 RN Q2 RN k(ω) Q1 RN / / 100 Q2 RN Q1 RN Q2 RN Q1 RN Q2 RN **: 開発中 2.1 USV 混載型抵抗内蔵型トランジスタ 6 端子パッケージ (US6,SM6) ラインアップ 点対称タイプ PNP+NPN 内部接続 Q1 Q2 US6 パッケージ (2 2.1mm) RN49A1 RN49A2 品 名 定 格 SM6 パッケージ 構成デバイス VCEO ( mm) (V) RN46A1 ICEO (ma) k(ω) Q1 RN Q2 RN k(ω) Q1 RN /50 100/ Q2 RN Q1 RN Q2 RN US6 2.8 SM6 217

12 218

The DatasheetArchive - Datasheet Search Engine

The DatasheetArchive - Datasheet Search Engine 小信号トランジスタ SMD 当社は品質 信頼性の向上に努めておりますが 一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります 当社半導体製品をご使用いただく場合は 半導体製品の誤作動や故障により 生命 身体 財産が侵害されることのないように 購入者側の責任において 機器の安全設計を行うことをお願いします なお 設計に際しては 最新の製品仕様をご確認の上 製品保証範囲内でご使用いただくと共に 考慮されるべき注意事項や条件について

More information

Microsoft Word - sp8m4-j.doc

Microsoft Word - sp8m4-j.doc 4V 駆動タイプ Nch+Pch MOS FET 構造シリコン N チャネル / P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ 外形寸法図 (Unit : mm) SOP8 5..4.75 (8) (5) 特長 ) 新ライン採用により 従来品よりオン抵抗大幅低減 2) ゲート保護ダイオード内蔵 3) 小型面実装パッケージ (SOP8) で省スペース pin mark () (4).27 3.9 6..2.4Min.

More information

TJ150F06M3L - Toshiba - Datasheet.Directory

TJ150F06M3L - Toshiba - Datasheet.Directory - SEMICONDUCTOR http://www.semicon.toshiba.co.jp/ CONTENTS...... πvii π π P n n n P π n P n n n P n P P n n n P n π πvii π π SSM K TU TPC 0 0 -H TK A J πvi IV πvii I III II VI SK SJ VDSS ID (A) 0 0 0 0

More information

バイポーラパワートランジスタ

バイポーラパワートランジスタ 0- SEMONDUCTOR & STORAGE PRODUCTS http://www.semicon.toshiba.co.jp/ Bipolar Power Transistor CONTENTS 7 7 8 9 0 7 7 8 8 9 9 0 0 O 0.... 7 SA08 SA0 TPC0 0/() 0 0 0 SC7 SC78 TPC0 TPCP SC7 (P) SA0 SA09 SA0

More information

XP231P0201TR-j.pdf

XP231P0201TR-j.pdf Pchannel MOSFET 3V,.2A JTR11381 特長オン抵抗 駆動電圧環境への配慮 : RDS(on)=5Ω@VGS =4.5V : 2.5V : EU RoHS 指令対応 鉛フリー 用途 スイッチング用 内部接続図 端子配列 SOT23(TO236) Drain Gate Source 製品名 PRODUCT NAME PACKAGE ORDER UNIT * SOT23(TO236)

More information

XP233P1501TR-j.pdf

XP233P1501TR-j.pdf P-channel MOSFET -3V, -1.5A JTR114-1 特長オン抵抗 駆動電圧環境への配慮 : RDS(on)=.19Ω@VGS =-1V : -4.5V : EU RoHS 指令対応 鉛フリー 用途 スイッチング用 内部接続図 端子配列 SOT-23(TO-236) Drain Gate Source 製品名 PRODUCT NAME PACKAGE ORDER UNIT * SOT-23(TO-236)

More information

MTM13227

MTM13227 シリコン N チャネル MOSFET スイッチング回路用 Unit: mm 特長 低ドレイン ソース間オン抵抗 :RDS(on) typ. = 85 mω (VGS = 4. V) 低電圧駆動 : 2.5 V 駆動 ハロゲンフリー 鉛フリー対応パッケージ (EU RoHS / UL-94 V- / MSL:Level 適合 ) 形名表示記号 : ET 包装仕様 エンボスタイプ ( 熱圧着方式 ) :

More information

トランジスタ回路の解析 ( 直流電源 + 交流電源 ) 交流回路 ( 小 ) 信号 直流回路 ( バイアス計算 ) 動作点 ( 増幅度の計算 ) 直流等価回路 ダイオードモデル (pnp/npn) 交流 ( 小信号 ) 等価回路 T 形等価回路 トランジスタには直流等価回路と交流等価回路がある

トランジスタ回路の解析 ( 直流電源 + 交流電源 ) 交流回路 ( 小 ) 信号 直流回路 ( バイアス計算 ) 動作点 ( 増幅度の計算 ) 直流等価回路 ダイオードモデル (pnp/npn) 交流 ( 小信号 ) 等価回路 T 形等価回路 トランジスタには直流等価回路と交流等価回路がある トランジスタ回路の解析 ( 直流電源 + 交流電源 ) 交流回路 ( 小 ) 信号 直流回路 ( バイアス計算 ) 動作点 ( 増幅度の計算 ) 直流等価回路 ダイオードモデル (pnp/npn) 交流 ( 小信号 ) 等価回路 T 形等価回路 トランジスタには直流等価回路と交流等価回路がある 2.6 トランジスタの等価回路 2.6.1 トランジスタの直流等価回路 V I I D 1 D 2 α 0

More information

アプリケーションガイド LED照明編 : アプリケーション

アプリケーションガイド LED照明編 : アプリケーション A G 009 st APPLICATION GUIDE www.rohm.co.jp (mm) BW949 7.0 7.0.3 0. 0.D 3 3 4 48 37.7 3.97 SSOP-B4 VCSP0L HTSSOP-B4 HTSSOP-A44 WSOF SSOP-A SSOP-A3 VQFN0 HSON8 HVSOF TO- HRP TOS-3 TO-0FM0.0 9.0 4.mm TO-0FN0.0

More information

PS2701-1, PS2701-2, PS DS

PS2701-1, PS2701-2, PS DS Photocoupler SOP NEPOC PS2701-1, PS2701-2, PS2701-4 GaAs LED IC BV = 3 7 Vr.m.s. SOP tr = 3 µs TYP., tf = 5 µs TYP. 1 PS2701-1-E3, E4, F3, F4 UL No. E72422 (S) VDE0884 IC PS2701-1 4 SOP PS2701-2 8 SOP

More information

Microsoft PowerPoint - m54583fp_j.ppt

Microsoft PowerPoint - m54583fp_j.ppt M8FP 8-UNIT ma DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY 概要 M8FP は PNP トランジスタと NPN トランジスタで構成された 8 回路のコレクタ電流シンク形のダーリントントランジスタアレイであり 微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回路です ピン接続図 ( 上面図 ) NC IN IN NC 9 O 8 O IN O 特長 高耐圧 (BCEO ) 大電流駆動

More information

elm73xxxxxxa_jp.indd

elm73xxxxxxa_jp.indd 概要 ELM73xxxxxxAは 遅延機能付きの CMOS 電圧検出器 ICであり 遅延時間は外付けコンデンサで調整可能です また 非常に低い消費電流 (Tpy.26nA) で動作します ELM73xxxBxxAシリーズはマニュアルリセット機能付きタイプで いつでも手動でリセットすることができます 出力スタイルは N-chオープンドレイン出力と CMOS 出力の 2つがあります 電源電圧 ddは検出電圧以下に低下したとき

More information

光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE

光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LED 駆動回路 および信号処理回路などが集積化されています 外部に赤外 LEDを接続することによって 外乱光の影響の少ない光同期検出型のフォトリフレクタやフォトインタラプタが簡単に構成できます 独自の回路設計により 外乱光許容照度が10000

More information

NJU72501 チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 NJU72501はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3V 入力から 18Vppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更すること

NJU72501 チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 NJU72501はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3V 入力から 18Vppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更すること チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3 入力から 18ppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更することができます また シャットダウン機能を備えており 入力信号を検出し無信号入力時には内部回路を停止することでバッテリーの長寿命化に貢献します

More information

3.5 トランジスタ基本増幅回路 ベース接地基本増幅回路 C 1 C n n 2 R E p v V 2 v R E p 1 v EE 0 VCC 結合コンデンサ ベース接地基本増幅回路 V EE =0, V CC =0として交流分の回路 (C 1, C 2 により短絡 ) トランジスタ

3.5 トランジスタ基本増幅回路 ベース接地基本増幅回路 C 1 C n n 2 R E p v V 2 v R E p 1 v EE 0 VCC 結合コンデンサ ベース接地基本増幅回路 V EE =0, V CC =0として交流分の回路 (C 1, C 2 により短絡 ) トランジスタ 3.4 の特性を表す諸量 入力 i 2 出力 負荷抵抗 4 端子 (2 端子対 ) 回路としての の動作量 (i) 入力インピーダンス : Z i = (ii) 電圧利得 : A v = (iii) 電流利得 : A i = (iv) 電力利得 : A p = i 2 v2 i 2 i 2 =i 2 (v) 出力インピーダンス : Z o = i 2 = 0 i 2 入力 出力 出力インピーダンスの求め方

More information

MOS FET c /(17)

MOS FET c /(17) 1 -- 7 1 2008 9 MOS FT 1-1 1-2 1-3 1-4 c 2011 1/(17) 1 -- 7 -- 1 1--1 2008 9 1 1 1 1(a) VVS: Voltage ontrolled Voltage Source v in µ µ µ 1 µ 1 vin 1 + - v in 2 2 1 1 (a) VVS( ) (b) S( ) i in i in 2 2 1

More information

FC8V2215

FC8V2215 ゲート抵抗内蔵デュアル N チャネル MOSFET リチウムイオン 2 次電池保護回路用 2.9 Unit: mm 0.3 0. 特長 低ドレイン ソース間オン抵抗 :Rds(on)typ. = 9.0 m (VGS = 4. V) ゲート抵抗内蔵 ハロゲンフリー 鉛フリー対応パッケージ (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 適合 ) 2.4 2. 形名表示記号 : 3

More information

TPCA8030-H

TPCA8030-H 東芝電界効果トランジスタシリコン N チャネル MOS 形 (U-MOSⅤ-H) TPCA-H TPCA-H 高効率 DC/DC コンバータ用 ノートブック PC 用 携帯電子機器用.27. ±. 単位 : mm. M A 小型, 薄型で実装面積が小さい スイッチングスピードが速い ゲート入力電荷量が小さい : Q SW =. nc ( 標準 ) オン抵抗が低い : R DS (ON) = 7. mω

More information

パワーMOS FET π-MOS

パワーMOS FET π-MOS 7 VDSS VDSS SJ147 TO-0IS 60 1 0. SJ55 L - 30 5 0.1 P 15 SJ183 L - 60 5 0.35 SJ537 L - TO-9MOD 50 5 0.19 P 15 SJ00 180 10 0.83 SJ567 00.5.0 SJ01 00 1 0.63 SJ570 L - TO-0AB 60 30 0.038 P 15 SJ4 TO-0FL/SM

More information

フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています

フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High

More information

NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10

NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10 端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,

More information

名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET

名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET 1 1. 適用 本は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET パワーモジュール BSM180D12P2C101 に直接実装できる形状で SiC-MOSFET のゲート駆動回路と DC-DC コンバータを 1 ユニット化したものです SiC-MOSFET

More information

2SJ351,2SJ352 データシート

2SJ351,2SJ352 データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 21 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

S1F77330 シリーズ USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 S1F77330 シリーズは USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用している

S1F77330 シリーズ USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 S1F77330 シリーズは USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用している USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 は USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用しているため 高密度実装への対応が可能です 本 IC の入力にレベルシフト回路内蔵のため 外付けレベルシフト回路は不要です 特長 入力電圧範囲 :3.0V~3.6V

More information

sm1ck.eps

sm1ck.eps DATA SHEET DS0 0 ASSP, IC,,,,, (VS =. V.%) (VCC = 0. V ) (VR =. V.%) ( ) DIP, SIP, SOP, (DIP-P-M0) (SIP-P-M0) (FPT-P-M0) (FRONT VIEW) (TOP VIEW) C T C T V S V REF V CC V CC V REF V S (DIP-P-M0) (FPT-P-M0)

More information

Jan/25/2019 errata_c17m11_10 S1C17 マニュアル正誤表 項目 リセット保持時間 対象マニュアル発行 No. 項目ページ S1C17M10 テクニカルマニュアル システムリセットコントローラ (SRC) 特性 19-3 S1C17M20/M

Jan/25/2019 errata_c17m11_10 S1C17 マニュアル正誤表 項目 リセット保持時間 対象マニュアル発行 No. 項目ページ S1C17M10 テクニカルマニュアル システムリセットコントローラ (SRC) 特性 19-3 S1C17M20/M Jan/25/2019 errata_c17m11_10 S1C17 マニュアル正誤表 項目 リセット保持時間 対象マニュアル発行 No. 項目ページ S1C17M10 テクニカルマニュアル 413180100 19.4 システムリセットコントローラ (SRC) 特性 19-3 S1C17M20/M21/M22/M23/M24/M25 テクニカルマニュアル 413556900 21.4 システムリセットコントローラ

More information

[mm]

[mm] 2009 64 1....3 1.1....3 1.2. [mm]...4 1.3....22 2....23 3....24 4....24 5....25 6....26 6.1....26 6.2....26 7....29 8....30 8.1....30 8.2....30 8.3....30 8.4....30 8.5....30 9....31 10....32 11....32 11.1....32

More information

Bipolar Transistors: SEMICONDUCTOR GENERAL CATALOG

Bipolar Transistors: SEMICONDUCTOR GENERAL CATALOG SEMICONDUCTOR GENERAL CATALOG 半導体製品総覧表 2017 年 7 月版 Bipolar Transistors バイポーラトランジスタ Bipolar Small-Signal Transistors / バイポーラ小信号トランジスタ Bipolar Power Transistors / バイポーラパワートランジスタ IGBTs/ IEGTs / IGBT / IEGT

More information

(Microsoft Word - E0-0299Z BID-40D18N \203f\201[\203^\203V\201[\203g_ doc)

(Microsoft Word - E0-0299Z BID-40D18N \203f\201[\203^\203V\201[\203g_ doc) 本製品は ショットキ ダイオードに代わる低損失の OR 接続デバイスです 内蔵の MOS-FET の端子間電圧を検出することで ダイオードの様に順方向電圧に対しては ON 逆方向電圧に対しては OFF となるよう動作します 電圧降下が低いため ダイオードで構成した場合に比べて 大幅に損失を低減することができます 特徴 ショットキ ダイオードに代わる 高信頼性 高性能 低損失 OR 接続デバイス 動作温度

More information

elm1117hh_jp.indd

elm1117hh_jp.indd 概要 ELM7HH は低ドロップアウト正電圧 (LDO) レギュレータで 固定出力電圧型 (ELM7HH-xx) と可変出力型 (ELM7HH) があります この IC は 過電流保護回路とサーマルシャットダウンを内蔵し 負荷電流が.0A 時のドロップアウト電圧は.V です 出力電圧は固定出力電圧型が.V.8V.5V.V 可変出力電圧型が.5V ~ 4.6V となります 特長 出力電圧 ( 固定 )

More information

2SJ160,2SJ161,2SJ162 データシート

2SJ160,2SJ161,2SJ162 データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

Microsoft PowerPoint pptx

Microsoft PowerPoint pptx 3.2 スイッチングの方法 1 電源の回路図表記 電源ラインの記号 GND ラインの記号 シミュレーションしない場合は 省略してよい ポイント : 実際には V CC と GND 配線が必要だが 線を描かないですっきりした表記にする 複数の電源電圧を使用する回路もあるので 電源ラインには V CC などのラベルを付ける 2 LED のスイッチング回路 LED の明るさを MCU( マイコン ) で制御する回路

More information

2SK1056,2SK1057,2SK1058 データシート

2SK1056,2SK1057,2SK1058 データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 年 4 月 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

LM7171 高速、高出力電流、電圧帰還型オペアンプ

LM7171 高速、高出力電流、電圧帰還型オペアンプ Very High Speed, High Output Current, Voltage Feedback Amplifier Literature Number: JAJS842 2 1 6.5mA 4100V/ s 200MHz HDSL 100mA 15V S/N ADC/DAC SFDR THD 5V VIP III (Vertically integrated PNP) 19850223

More information

Microsoft Word - f203f5da7f8dcb79bcf8f7b2efb0390d406bccf30303b doc

Microsoft Word - f203f5da7f8dcb79bcf8f7b2efb0390d406bccf30303b doc 東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA,,5,3,33,5F/S TAF, TAF, TA5F, TA3F, TA33F, TA5F, TAS, TAS, TA5S, TA3S, TA33S, TA5S.,,.5, 3, 3.3, 5 A 三端子正出力ロードロップアウトレギュレータ TA**F/S シリーズは 出力段に -PNP トランジスタを使用した出力電流 A ( 最大 ) の固定正出力ロードロップアウトレギュレータです

More information

電子回路I_4.ppt

電子回路I_4.ppt 電子回路 Ⅰ 第 4 回 電子回路 Ⅰ 5 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 電界効果トランジスタ (FET) 基本構造 基本動作動作原理 静特性 電子回路 Ⅰ 5 2 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) ダイオード (2 端子素子 ) トランジスタ (3 端子素子 ) バイポーラトランジスタ (Biolar) 電界効果トランジスタ

More information

反転型チャージポンプ IC Monolithic IC MM3631 反転型チャージポンプ IC MM3631 概要 MM3631XN は反転型のチャージポンプ IC です 入力電圧範囲の 1.8V ~ 3.3V を 2 個の外付けコンデンサを使用して負電圧を生成します パッケージは 6 ピンの S

反転型チャージポンプ IC Monolithic IC MM3631 反転型チャージポンプ IC MM3631 概要 MM3631XN は反転型のチャージポンプ IC です 入力電圧範囲の 1.8V ~ 3.3V を 2 個の外付けコンデンサを使用して負電圧を生成します パッケージは 6 ピンの S 反転型チャージポンプ IC Monolithic IC MM3631 概要 MM3631X は反転型のチャージポンプ IC です 入力電圧範囲の 1.8V ~ 3.3V を 2 個の外付けコンデンサを使用して負電圧を生成します パッケージは 6 ピンの SOT-26B (2.9 2.8 1.15mm) の小型パッケージを採用しています CE 端子を内蔵しており スタンバイ時は 1 μ A 以下と待機時電流を低減しています

More information

PS5042 Through-hole Phototransistor/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感

PS5042 Through-hole Phototransistor/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 880nm 76 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください 2kV (HBM

More information

uPC2711TB,uPC2712TB DS

uPC2711TB,uPC2712TB  DS 5 VIC Bipolar Analog Integrated Circuits µpc2711tb, µpc2712tbbsic 20122915 µpc2711tb, µpc2712tb µpc2711t, µpc2712t NESAT TM ft = 20 GHz IC fu = 2.9 GHz TYP.µPC2711TB fu = 2.6 GHz TYP.µPC2712TB GP = 13

More information

elm185xb_jp.indd

elm185xb_jp.indd 概要 レーザー ダイオード ドライバー は 基準電圧源と誤差アンプからなる APC 回路を内蔵したバイポーラ構造のレーザーダイオード ドライバー IC です レーザー出力を IC 内の基準電圧源により 電源電圧変化と温度変化に対し安定化します ドライバー出力は最大 400mA までのレーザー電流駆動が可能です パッケージは小型である SOT-26 と VSON6-2x2 を用いているため 最小面積での実装が可能です

More information

untitled

untitled NJU7704/05 C-MOS ( ) ±1.00.9µA DSP SOT-23-5 SC88A 2 DSP NJU7704/05F NJU7704/05F3 ±1.0 0.9µA typ ( ) 1.5 6.0(0.1 step) ( C ) ( ) Active "L" : NJU770****A Active "H" : NJU770****B Nch : NJU7704 C-MOS : C-MOS

More information

General Purpose, Low Voltage, Rail-to-Rail Output Operational Amplifiers 324 V LM LMV321( )/LMV358( )/LMV324( ) General Purpose, Low Voltage, Rail-to-

General Purpose, Low Voltage, Rail-to-Rail Output Operational Amplifiers 324 V LM LMV321( )/LMV358( )/LMV324( ) General Purpose, Low Voltage, Rail-to- General Purpose, Low Voltage, Rail-to-Rail Output Operational Amplifiers 324 V LM LMV321( )/LMV358( )/LMV324( ) General Purpose, Low Voltage, Rail-to-Rail Output Operational Amplifiers 358 LMV358/324 LM358/324

More information

CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C10808 シリーズ 蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 C10808 シリーズは 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です セン

CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C10808 シリーズ 蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 C10808 シリーズは 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です セン 蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 は 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です センサの駆動に必要な各種タイミング信号を供給し センサからのアナログビデオ信号 を低ノイズで信号処理します 2 種類の外部制御信号 ( スタート クロック ) と 2 種類の電源 (±15 )

More information

CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C CMOS リニアイメージセンサ S 等用 C は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C と PCを接続

CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C CMOS リニアイメージセンサ S 等用 C は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C と PCを接続 CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C13015-01 CMOS リニアイメージセンサ S11639-01 等用 C13015-01は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S11639-01 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C13015-01と PCを接続することにより PCからC13015-01 を制御して センサのアナログビデオ信号を 16-bitデジタル出力に変換した数値データを

More information

untitled

untitled Fuji Electric has a lineup of power MOSFETs ranging from medium to high-voltage types with features such as low power loss, low noise, and low on-resistance. The Super J-MOS Series uses superjunction technology,

More information

pc725v0nszxf_j

pc725v0nszxf_j PC725NSZXF PC725NSZXF PC725NSZXF PC725 DE file PC725 Date Jun. 3. 25 SHARP Corporation PC725NSZXF 2 6 5 2 3 4 Anode Cathode NC Emitter 3 4 5 Collector 6 Base PC725NSZXF PC725YSZXF.6 ±.2.2 ±.3 SHARP "S"

More information

HA17458シリーズ データシート

HA17458シリーズ データシート お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

More information

R3111x NO.JA R3111x CMOS IC IC Nch CMOS 2 Rx5VL TO-92 SOT-89 SOT-23-3 SOT-23-5 SC-82AB SON TYP. 0.8µA (VDD=1.5V) 0.7V 10.0V (Topt=2

R3111x NO.JA R3111x CMOS IC IC Nch CMOS 2 Rx5VL TO-92 SOT-89 SOT-23-3 SOT-23-5 SC-82AB SON TYP. 0.8µA (VDD=1.5V) 0.7V 10.0V (Topt=2 NO.JA-71-6112 CMOS IC IC Nch CMOS 2 Rx5VL TO-92 SOT-89 SOT-23-3 SOT-23-5 SC-82AB SON1612-6 6 TYP..8µA (=1.5V).7V 1.V ().9V 6.V.1V ±2.% TYP. ±1ppm/ C Nch CMOS 2 6 TO-92 SOT-89 SOT-23-3 SOT-23-5 SC-82AB

More information

S1F77330 シリーズテクニカルマニュアル Rev.2.1

S1F77330 シリーズテクニカルマニュアル Rev.2.1 シリーズテクニカルマニュアル Rev.2.1 本資料のご使用につきましては 次の点にご留意願います 本資料の内容については 予告無く変更することがあります 1. 本資料の一部 または全部を弊社に無断で転載 または 複製など他の目的に使用することは堅くお断りいたします 2. 本資料に掲載される応用回路 プログラム 使用方法等はあくまでも参考情報であり これらに起因する第三者の知的財産権およびその他の権利侵害あるいは損害の発生に対し

More information

AD8212: 高電圧の電流シャント・モニタ

AD8212: 高電圧の電流シャント・モニタ 7 V typ 7 0 V MSOP : 40 V+ V SENSE DC/DC BIAS CIRCUIT CURRENT COMPENSATION I OUT COM BIAS ALPHA 094-00 V PNP 0 7 V typ PNP PNP REV. A REVISION 007 Analog Devices, Inc. All rights reserved. 0-9 -- 0 40

More information

DC 1030V10% 35mA ON/ON NPNPNP 100mA30V1V100mA 50mA30V1V50mA 500 s 50 s70 s 500 s LED LED / 40ms/ 5,000lx20,000lx 2060 C2050 C 4070 C 3585%RH 20M DC 50

DC 1030V10% 35mA ON/ON NPNPNP 100mA30V1V100mA 50mA30V1V50mA 500 s 50 s70 s 500 s LED LED / 40ms/ 5,000lx20,000lx 2060 C2050 C 4070 C 3585%RH 20M DC 50 6 CP-PC-2118 UL/CE 800mm / 50 s DIN10mm / DC 1030V NPN 1 PNP 2 NPN 1 PNP / 2 NPN 1 PNP 2 NPN 1 PNP 2 UL, DC 1030V10% 35mA ON/ON NPNPNP 100mA30V1V100mA 50mA30V1V50mA 500 s 50 s70 s 500 s LED LED / 40ms/

More information

Microsoft PowerPoint - TLP184,185_TLP290,291 比較表 ppt

Microsoft PowerPoint - TLP184,185_TLP290,291 比較表 ppt TLP180/181 vs. TLP184/185 TLP280/281/284/285 vs. TLP290/291 比較表 フォトカプラ新 PKG SO6 内部構造 受光 IC( 出力 ) 2011 年 12 月東芝ディスクリートテクノロジー株式会社ディスクリート営業技術推進部 発光タ イオート ( 入力 ) Copyright 2011, Toshiba Corporation. 1 TLP180/181

More information

Keysight Technologies CMOSイメージセンサのランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)評価

Keysight Technologies CMOSイメージセンサのランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)評価 Keysight Technologies CMOS (RTN) RTS noise measurement using the B1500A' s WGFMU Module Application Note Random Telegraph Noise, RTN MOS-FET RTN 22 nm CMOS RTN CMOS CMOS RTN RTN - IV RTN B1530A Waveform

More information

LT 低コスト、シャットダウン機能付き デュアルおよびトリプル300MHz 電流帰還アンプ

LT 低コスト、シャットダウン機能付き デュアルおよびトリプル300MHz 電流帰還アンプ µ µ LT1398/LT1399 V IN A R G 00Ω CHANNEL A SELECT EN A R F 3Ω B C 97.6Ω CABLE V IN B R G 00Ω EN B R F 3Ω 97.6Ω V OUT OUTPUT (00mV/DIV) EN C V IN C 97.6Ω R G 00Ω R F 3Ω 1399 TA01 R F = R G = 30Ω f = 30MHz

More information

製åfi†æ¡‹åƒ–.xlsx

製åfi†æ¡‹åƒ–.xlsx [ 部品表 ] 名称 USB I/Oボード基板リレードライブボード基板 PIC8F2550-I/SP ICソケット 28P 抵抗 0KΩ 330Ω 電解コンデンサ 0μF セラミックコンデンサ 0.μF セラミック発振子 20MHz チョークコイル 00μH タクトスイッチ L 型ヘッダーピン 6P ヘッダーピン 5P XHコネクタ 2P( メス ) XHコネクタ 4P( メス ) XHコネクタ 8P(

More information

Microsoft PowerPoint - m54562fp_j.ppt

Microsoft PowerPoint - m54562fp_j.ppt 8-UNIT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE 概要 は PNP トランジスタと NPN トランジスタで構成された 8 回路の出力ソース形ダーリントントランジスタアレイであり 微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回路です ピン接続図 ( 上面図 ) NC IN NC 9 O IN 8 O 特長 高耐圧 (BCEO ) 大電流駆動 (IO(max)=

More information

RH5RH 1A/ 2B/ 3B

RH5RH 1A/ 2B/ 3B 1A/2B/3B 1A/2B/3B 1A/2B/3BCMOSPWMDC/DCIC 1APWMLx Lx 3DC/DC PWM ICPWMVFMDC/DC TYP. 15µA31A TYP. 2µA PWMDC/DC 2B/3B1AEXT ON 1mA 3B MAX..5µA... 1A... TYP. 15µA31A 1mA... MAX..9V... 2.5... TYP. 85... TYP.

More information

Part Number List: MOSFETs / 製品品番一覧表: MOSFET

Part Number List: MOSFETs / 製品品番一覧表: MOSFET Semiconductor Catalog Mar. 06 List: MOSFETs : MOSFET SEMICONDUCTOR & STORAGE PRODUCTS SEMICONDUCTOR & STORAGE PRODUCTS http://toshiba.semicon-storage.com/ Contents MOSFETs Low Voltage MOSFETs MOSFET (VDSS

More information

等価回路図 絶対最大定格 (T a = 25ºC) 項目記号定格単位 入力電圧 1 V IN 15 V 入力電圧 2 V STB GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電圧 V GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電流 I 120 ma 許容損失 P D 200 mw 動作温度範囲 T o

等価回路図 絶対最大定格 (T a = 25ºC) 項目記号定格単位 入力電圧 1 V IN 15 V 入力電圧 2 V STB GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電圧 V GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電流 I 120 ma 許容損失 P D 200 mw 動作温度範囲 T o 小型スタンバイ機能付高精度正電圧レギュレータ 概要 NJU7241 シリーズは, 出力電圧精度 ±2% を実現したスタンバイ機能付の低消費電流正電圧レギュレータ IC で, 高精度基準電圧源, 誤差増幅器, 制御トランジスタ, 出力電圧設定用抵抗及び短絡保護回路等で構成されています 出力電圧は内部で固定されており, 下記バージョンがあります また, 小型パッケージに搭載され, 高出力でありながらリップル除去比が高く,

More information

mbed祭りMar2016_プルアップ.key

mbed祭りMar2016_プルアップ.key 1 2 4 5 Table 16. Static characteristics (LPC1100, LPC1100L series) continued T amb = 40 C to +85 C, unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ [1] Max Unit Standard port pins, RESET

More information

p ss_kpic1094j03.indd

p ss_kpic1094j03.indd DC~1 Mbps 光リンク用送受信フォト IC は 光ファイバ通信用トランシーバ (FOT) として プラスチック光ファイバ (POF)1 本で半 2 重通信が可能な送受信フォト ICです POFを用いた光ファイバ通信は ノイズの影響を受けない 高いセキュリティをもつ 軽量といった特長があります は送信部と受信部の光軸が同一なため 1 本のPOFで光信号の送信 受信が可能です POF 通信に最適な500

More information

PS2501-1,-2,-4,PS2501L-1,-2,-4 DS

PS2501-1,-2,-4,PS2501L-1,-2,-4  DS Photocoupler PS2501-1,-2,-4,PS2501L-1,-2,-4 NEPOC PS2501-1, -2, -4, PS2501L-1, -2, -4 GaAs LED PS2501L-1, -2, -4 PS2501-1, -2, -4 PS2501-1, -2, -4, PS2501L-1, -2, -4 BV = 5 000 Vr.m.s. VCEO = 80 V tr =

More information

OPA134/2134/4134('98.03)

OPA134/2134/4134('98.03) OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA TM µ Ω ± ± ± ± + OPA OPA OPA Offset Trim Offset Trim Out A V+ Out A Out D In +In V+ Output In A +In A A B Out B In B In A +In A A D In D +In D V NC V +In B V+ V +In

More information

LM2831 高周波数動作 1.5A 負荷 降圧型DC/DCレギュレータ

LM2831 高周波数動作 1.5A 負荷 降圧型DC/DCレギュレータ High Frequency 1.5A Load - Step-Down DC-DC Regulator Literature Number: JAJSAH7 1.5A DC/DC 5 SOT23 6 LLP PWM DC/DC DC/DC PCB 0.5 m BiCMOS 1.5A 130m PMOS 30ns 3V 5.5V 0.6V 550 khz 1.6MHz 3.0MHz 93% 30nA

More information

2SJ668

2SJ668 東芝電界効果トランジスタシリコン P チャネル MOS 形 (U-MOSIII) SJ668 リレー駆動 DC DC コンバータ用 モータドライブ用 4V 駆動です オン抵抗が低い : R DS (ON) =. Ω ( 標準 ) 順方向伝達アドミタンスが高い : Y fs = 5. S ( 標準 ) 漏れ電流が低い : I DSS = μa ( 最大 ) (V DS = V) 取り扱いが簡単な エンハンスメントタイプです

More information

( ) : 1997

( ) : 1997 ( ) 2008 2 17 : 1997 CMOS FET AD-DA All Rights Reserved (c) Yoichi OKABE 2000-present. [ HTML ] [ PDF ] [ ] [ Web ] [ ] [ HTML ] [ PDF ] 1 1 4 1.1..................................... 4 1.2..................................

More information

ELM604PA_JP.indd

ELM604PA_JP.indd ELM6PA.MHz, 8mA PWM 降圧デュアル DC/DC コンバータ 概要 ELM6PA は電流モード制御と.MH z 固定周波数で動作する高効率のデュアル同期式降圧 PWM 型 DC/DC コンバータです 同期整流方式のため外部ダイオードは不要です 単一セルのリチウムイオン (Li +) バッテリを持つため 携帯用電子機器の応用に最適です 各コンバータは 入力電圧.5V から 6V で動作し

More information

LM6172 デュアル高速低消費電力、低歪み電圧帰還アンプ

LM6172 デュアル高速低消費電力、低歪み電圧帰還アンプ Dual High Speed, Low Power, Low Distortion, Voltage Feedback Amplifiers Literature Number: JAJS854 100MHz 3000V/ s 50mA 2.3mA/ 15V ADSL 5V VIP III (Vertically Integrated PNP) LM6171 Dual High Speed, Low

More information

LM150/LM350A/LM350 3A 可変型レギュレータ

LM150/LM350A/LM350 3A 可変型レギュレータ LM150,LM350,LM350A LM150/LM350A/LM350 3-Amp Adjustable Regulators Literature Number: JAJSBC0 LM350A/LM350 3A LM350 1.2V 33V 3A 3 IC 2 & IC ADJ 6 ADJ LM350 100V ADJ LM350 ADJ 1.2V 3A LM350A 3A LM350 3A

More information

LM837 Low Noise Quad Operational Amplifier (jp)

LM837 Low Noise Quad Operational Amplifier (jp) Low Noise Quad Operational Amplifier Literature Number: JAJSBB7 600 Low Noise Quad Operational Amplifier 2000 8 Converted to nat2000 DTD ds009047tl/h/9047 33020 19860602 10 V/ s ( ); 8 V/ s ( ) 25 MHz

More information

NJG1660HA8 SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 NJG1660HA8 は WiMAX やデータ通信カードをはじめとする通信機器の高周波信号切り替え等の用途に最適な大電力 SPDT スイッチです 8GHz までの広周波数帯域をカバーし 高パワーハンドリング 低損失 高アイソレーショ

NJG1660HA8 SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 NJG1660HA8 は WiMAX やデータ通信カードをはじめとする通信機器の高周波信号切り替え等の用途に最適な大電力 SPDT スイッチです 8GHz までの広周波数帯域をカバーし 高パワーハンドリング 低損失 高アイソレーショ SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 は WiMAX やデータ通信カードをはじめとする通信機器の高周波信号切り替え等の用途に最適な大電力 SPDT スイッチです 8GHz までの広周波数帯域をカバーし 高パワーハンドリング 低損失 高アイソレーションを特徴とします また 保護素子を内蔵する事により高い ESD 耐圧を有しています USB-A8 パッケージを採用する事で小型 薄型化を実現し 低背化や高密度表面実装が必要な小型通信機器などへの応用が可能です

More information

devicemondai

devicemondai c 2019 i 3 (1) q V I T ε 0 k h c n p (2) T 300 K (3) A ii c 2019 i 1 1 2 13 3 30 4 53 5 78 6 89 7 101 8 112 9 116 A 131 B 132 c 2019 1 1 300 K 1.1 1.5 V 1.1 qv = 1.60 10 19 C 1.5 V = 2.4 10 19 J (1.1)

More information

MPPC 用電源 C 高精度温度補償機能を内蔵した MPPC 用バイアス電源 C は MPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を駆動するために最適化された高電圧電源です 最大で90 Vを出力することができます 温度変化を伴う環境においても M

MPPC 用電源 C 高精度温度補償機能を内蔵した MPPC 用バイアス電源 C は MPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を駆動するために最適化された高電圧電源です 最大で90 Vを出力することができます 温度変化を伴う環境においても M MPPC 用電源 C1104-0 高精度温度補償機能を内蔵した MPPC 用バイアス電源 C1104-0は MPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を駆動するために最適化された高電圧電源です 最大で90 Vを出力することができます 温度変化を伴う環境においても MPPCを常に最適動作させるために温度補償機能を内蔵しています ( アナログ温度センサの外付けが必要 ) また

More information

LM358

LM358 LM358 2 DC LM358 5V DC 15V DC micro SMD (8 micro SMD) LM358 LM2904 LM258 LM158 20000801 19870224 33020 23900 11800 2002 3 ds007787 Converted to nat2000 DTD added avo -23 to the first page Edited for 2001

More information

AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん

AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください

More information

TA7805,057,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F

TA7805,057,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F 東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA7805F,TA78057F,TA7806F,TA7807F,TA7808F,TA7809F, TA7810F,TA7812F,TA7815F,TA7818F,TA7820F,TA7824F 5 V, 5.7 V, 6 V, 7 V, 8 V, 9 V, 10 V, 12 V, 18 V, 20 V, 24 V 三端子正出力固定レギュレータ 特長

More information

AN15880A

AN15880A DATA SHEET 品種名 パッケージコード QFH064-P-1414H 発行年月 : 2008 年 12 月 1 目次 概要.. 3 特長.. 3 用途.. 3 外形.. 3 構造...... 3 応用回路例.. 4 ブロック図.... 5 端子.. 6 絶対最大定格.. 8 動作電源電圧範囲.. 8 電気的特性. 9 電気的特性 ( 設計参考値 )... 10 技術資料.. 11 入出力部の回路図および端子機能の

More information

pc817xj0000f_j

pc817xj0000f_j PC87XJF PC87XJF PC87XJF PC87XJF PC87 Date Jun.. 5 SHRP Corporation PC87XJF node Cathode Emitter Collector PC87XJF PC87XIJF node mark. ±..6 ±. Rank mark Factory identification mark Date code PC87.58 ±.5

More information

PS2561D-1,PS2561DL-1,PS2561DL1-1,PS2561DL2-1 DS

PS2561D-1,PS2561DL-1,PS2561DL1-1,PS2561DL2-1  DS Photocoupler PS2561D-1,PS2561DL-1 PS2561DL1-1,PS2561DL2-1 110 C DIP NEPOC PS2561D-1 GaAs LED PS2561DL-1 PS2561D-1 PS2561DL1-1 PS2561D-1 PS2561DL2-1 PS2561D-1 110 C BV = 5 000 Vr.m.s. VCEO = 80 V CTR =

More information

LMC6022 Low Power CMOS Dual Operational Amplifier (jp)

LMC6022 Low Power CMOS Dual Operational Amplifier (jp) Low Power CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS754 CMOS CMOS (100k 5k ) 0.5mW CMOS CMOS LMC6024 100k 5k 120dB 2.5 V/ 40fA Low Power CMOS Dual Operational Amplifier 19910530 33020 23900

More information

elm600xb_jp.indd

elm600xb_jp.indd 概要 ELM600xB は電流モード制御 1.5MHz 固定周波数で動作する高効率の同期整流降圧 PWM 型 DC/DC コンバータです 同期整流方式のため外部ダイオードは不要です 内部消費電流は 100μAで動作し シャットダウン電流は1μA 以下です 入力 2.5V から 5.5V で動作し 1A の出力電流を 0.6V までの設定電圧にレギュレーションします スイッチング周波数は 1.5MHz

More information

pc123xnnsz_j

pc123xnnsz_j PC2XNNSZF PC2XNNSZF = UL577 2 fi le No. E68 PC2 BSI BS-EN665 fi le No. 787 BS-EN695 fi le No. 79 PC2 SEMKO EN665 EN695 PC2 DEMKO EN665 EN695 PC2 NEMKO EN665 EN695 PC2 FIMKO EN665 EN695 PC2 CSAfile No.CA952

More information

Microsoft Word - TC74HCT245AP_AF_J_P8_060201_.doc

Microsoft Word - TC74HCT245AP_AF_J_P8_060201_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HCT245AP,TC74HCT245AF Octal Bus Transceiver TC74HCT245A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 8 回路入り双方向性バスバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レべルですので TTL レベルのバスに直結可能です

More information

Microsoft PowerPoint - ch3

Microsoft PowerPoint - ch3 第 3 章トランジスタと応用 トランジスタは基本的には電流を増幅することができる部品である. アナログ回路では非常に多くの種類のトランジスタが使われる. 1 トランジスタの発明 トランジスタは,1948 年 6 月 30 日に AT&T ベル研究所のウォルター ブラッテン ジョン バーディーン ウィリアム ショックレーらのグループによりその発明が報告され, この功績により 1956 年にノーベル物理学賞受賞.

More information

PowerPoint プレゼンテーション

PowerPoint プレゼンテーション () 増幅回路の周波数特性 Frequency characteristic of amplifier circuit (2) 増幅回路の周波数特性 Frequency characteristic of amplifier circuit MOS トランジスタの高周波モデル High-frequency model for MOS FET ゲート酸化膜は薄いので G-S, G-D 間に静電容量が生じる

More information

2STB240AA(AM-2S-H-006)_01

2STB240AA(AM-2S-H-006)_01 項目記号定格単位 電源 1 印加電圧電源 2 印加電圧入力電圧 (A1 A2) 出力電圧 ( ) 出力電流 ( ) 許容損失動作周囲温度保存周囲温度 S CC I o Io Pd Topr Tstg 24.0.0 0.3 S+0.3 0.3 CC+0.3 10 0. 20 + 4 +12 (1)S=12 系項目 記号 定格 単位 電源 1(I/F 入力側 ) 電源 2(I/F 出力側 ) I/F 入力負荷抵抗

More information

(4.15a) Hurwitz (4.15a) {a j } (s ) {a j } n n Hurwitz a n 1 a n 3 a n 5 a n a n 2 a n 4 a n 1 a n 3 H = a n a n 2. (4.16)..... a Hurwitz H i H i i H

(4.15a) Hurwitz (4.15a) {a j } (s ) {a j } n n Hurwitz a n 1 a n 3 a n 5 a n a n 2 a n 4 a n 1 a n 3 H = a n a n 2. (4.16)..... a Hurwitz H i H i i H 6 ( ) 218 1 28 4.2.6 4.1 u(t) w(t) K w(t) = Ku(t τ) (4.1) τ Ξ(iω) = exp[ α(ω) iβ(ω)] (4.11) (4.1) exp[ α(ω) iβ(ω)] = K exp( iωτ) (4.12) α(ω) = ln(k), β(ω) = ωτ (4.13) dϕ/dω f T 4.3 ( ) OP-amp Nyquist Hurwitz

More information

MOSFET 6-2 CMOS 6-2 TTL Transistor Transistor Logic ECL Emitter Coupled Logic I2L Integrated

MOSFET 6-2 CMOS 6-2 TTL Transistor Transistor Logic ECL Emitter Coupled Logic I2L Integrated 1 -- 7 6 2011 11 1 6-1 MOSFET 6-2 CMOS 6-2 TTL Transistor Transistor Logic ECL Emitter Coupled Logic I2L Integrated Injection Logic 6-3 CMOS CMOS NAND NOR CMOS 6-4 6-5 6-1 6-2 CMOS 6-3 6-4 6-5 c 2011 1/(33)

More information

Plastic Package (Note 12) Note 1: ( ) Top View Order Number T or TF See NS Package Number TA11B for Staggered Lead Non-Isolated Package or TF11B for S

Plastic Package (Note 12) Note 1: ( ) Top View Order Number T or TF See NS Package Number TA11B for Staggered Lead Non-Isolated Package or TF11B for S Overture 68W ( ) 0.1 (THD N) 20Hz 20kHz 4 68W 8 38W SPiKe (Self Peak Instantaneous Temperature ( Ke)) SOA (Safe Operating Area) SPiKe 2.0 V ( ) 92dB (min) SN 0.03 THD N IMD (SMTPE) 0.004 V CC 28V 4 68W

More information

TPD1032F_J_P10_030110

TPD1032F_J_P10_030110 東芝インテリジェントパワーデバイスシリコンモノリシックパワー MOS 型集積回路 TPD32F TPD32F モータ ソレノイド ランプドライブ用 2in ローサイドパワースイッチ TPD32F は縦型パワー MOSFET 出力の 2in ローサイドスイッチで CMOS TTL ロジック回路 (MPU など ) から直接ドライブができ 各種保護機能を内蔵しています 特長 コントロール部と縦型出力パワー

More information

FK4B0110

FK4B0110 Single N-channel For oad switching circuits 0.80 4 3 Unit: mm Features Low Drain-source ON resistance:rds(on) typ. = 27 m (VGS = 2.5 V) CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level compliant)

More information

LM5021 AC-DC Current Mode PWM Controller (jp)

LM5021 AC-DC Current Mode PWM Controller (jp) LM5021 LM5021 AC-DC Current Mode PWM Controller Literature Number: JAJSAC6 LM5021 AC-DC PWM LM5021 (PWM) LM5021 (25 A) 1 ( ENERGY STAR CECP ) Hiccup (Hiccup ) 8 LM5021 100ns 1MHz AC-DC PWM 5021 LM Steve

More information

デジタルカメラソリューション

デジタルカメラソリューション 1...1 2...2 3 3-1 ( Maicovicon MN34070 )...3 3-2 ASIC...4 4 4-1 H CH...4 5 5-1LED...5 6 AV 6-1...5 6-2 SW...6 6-3HDMI -Tx...6 7...7 8 MOSFET...7 9...8 10...8 1 2 LED (AN30253A) Maicovicon (MN34070) IrDA

More information

TJAM3 電気的特性 (Ta = 5 C) 項 目 記 号 測 定 条 件 最小 標準 最大 単位 ゲ ー ト 漏 れ 電 流 I GSS V GS = ± V, V DS = V ± na ド レ イ ン し ゃ 断 電 流 I DSS V DS = V, V GS = V μa V (BR)

TJAM3 電気的特性 (Ta = 5 C) 項 目 記 号 測 定 条 件 最小 標準 最大 単位 ゲ ー ト 漏 れ 電 流 I GSS V GS = ± V, V DS = V ± na ド レ イ ン し ゃ 断 電 流 I DSS V DS = V, V GS = V μa V (BR) 東芝電界効果トランジスタシリコン P チャネル MOS 形 (U-MOSⅥ) TJAM3 TJAM3 スイッチングレギュレータ用 オン抵抗が低い : R DS (ON) = 63 mω ( 標準 ) 順方向伝達アドミタンスが高い : Y fs = 5 S ( 標準 ) 漏れ電流が低い : I DSS = μa ( 最大 ) (V DS = V) 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです : V th

More information

FK4B0112

FK4B0112 Single N-channel For Load switching circuits.0 4 3 Unit: mm Features Low Drain-source ON resistance:rds(on) typ. = 7m (VGS = 2.5 V) CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level compliant)

More information

FK4B0111

FK4B0111 Established : 204-03-24 Doc No. TT4-EA-4955 Revision. Single N-channel For Load switching circuits 0.60 Unit: mm 4 3 Features Low Drain-source ON resistance:rds(on) typ. = 57m (VGS = 2.5 V) CSP (Chip Size

More information