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のぶのすけももき
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1 装技第 7 節浄森永均洗浄 * ( 株 ) フジミインコーポレーテッド 1 洗浄と汚染低減 * 均ナノの世界で回路を形成する先端 LSIプロセスル ( 微粒子 ) 金属有機物に分類される部材の過はまさに汚染との戦いである先端デバイスでは剰なエッチングや表面マイクロラフネスの増大パ 30nmを切る配線パターンで回路が刻まれナノ粒ターン倒壊などの副作用を起こさずにこれらの汚子や分子原子オーダーの極微小汚染が問題となる染を徹底的に除去することが洗浄には求められるデバイスの全製造工程は1,000 工程以上に及ぶがそ極微小汚染の洗浄に必要な機能は [ 機能 1] 汚染の内の約 25% が洗浄である洗浄には 1 高清浄なの脱離機能 [ 機能 2] 汚染の再付着防止機能 [ 機表面を 2 副作用なしで 3 短時間かつ 4 再現能 3] 下地膜のエッチング機能の三つに集約される性良く 5 低コストで実現することが求められる ( 図 1) 1)2) 高清浄な基板表面を再現性良く得るため要求レベルはデバイスの高集積化低価格化と共にには特に液中汚染の再付着防止機能が重要である年々厳しくなっており従って洗浄技術にはそれに不溶性や難溶性のパーティクル汚染を例に取れ適合するための進化が求められる技術の進化を支ば脱離には超音波ブラシジェット洗浄などのえるのはその根底にあるメカニズムの理解である物理作用再付着防止にはアルカリや界面活性剤に本項では超精密洗浄のメカニズム先端デバイス洗よるパーティクル / 基板表面間の静電的反発作用浄の課題と考え方最新技術動向について解説する下地膜のエッチングには薬液による基板表面のエッチング作用が利用されている 1) 4) 1. 超精密洗浄のメカニズム液中におけるパーティクル汚染の付着防止には極微小汚染はその形態から主としてパーティク基板表面及びパーティクルのゼータ電位を同極性に 1) 図 1 極微小汚染の洗浄に必要な機能 [email protected] 結晶2リソグラフィ3エッチング技術4薄膜形成5イオン注入とアニール6CMP7洗浄83D実

第１章最先端ＬＳＩデバイスの動向第２章先端プロセス技術制御することが重要となる液中パーティクルが金属を溶解するための重要パラメータは溶液基板表面に付着する場合主たる推進力はvan der のpH 酸化還元電位錯化剤の有無であり中で Waals力分子間力と電気二重層による静電気力も基本となるのがpHと酸化還元電位である酸化の二つである van der

2 第１章最先端ＬＳＩデバイスの動向第２章先端プロセス技術制御することが重要となる液中パーティクルが金属を溶解するための重要パラメータは溶液基板表面に付着する場合主たる推進力はvan der のpH 酸化還元電位錯化剤の有無であり中で Waals力分子間力と電気二重層による静電気力も基本となるのがpHと酸化還元電位である酸化の二つである van der Waals力はごく近距離で強還元電位は溶液化学の分野で液の酸化性還元性く作用するのに対し静電気力は比較的遠距離でもを示す指標として広く用いられている液中におけ作用しまたパーティクルと基板の帯電の仕方にる水素イオンの酸化還元反応の電位を0Vとして基よって引力にも斥力にもなるという特徴を持つ物準としそれよりも酸化力電子を奪う力の強い質が極性溶媒水溶液などに接するとその表面ものを正電位還元力電子を与える力の強いもは帯電し液中のイオンの存在により荷電界面の周のを負電位で表している単位は通常 V vs. NHE りに電気二重層が形成される電気二重層には種々水素イオンの電位を基準とした電位という意味での電位が定義されているが実際に測定可能なのが表される phと酸化還元電位のマトリックスにおゼータ電位であり界面化学やコロイド化学の分野いて熱力学的平衡状態にあるときの金属の状態では液中粒子の分散凝集などを制御する際の重要原子イオン水酸化物酸化物等を示したいパラメータとなっているゼータ電位はパーティクわゆるpH 電位図 Potential ph Diagram あルの基板への吸着脱離を議論する上でも有効であるいは考案者の Pourbaix にちなんで Pourbaix る一般に二つの物質表面のゼータ電位が同極性 Diagram5 とも呼ばれるは液中における金属の溶で大きい値であれば両者の間に反発力斥力が働解を議論する際に有効である図２に代表的な金属き異極性片方がプラスで片方がマイナスであのpH 電位図を示す金属水溶液の２相系の場合れば引力が働くアルカリ性の洗浄液中では様々図の溶解域斜線の領域になるように溶液のpHとな部材の表面が共に負に帯電するために基板と電位をコントロールすれば金属は溶解する金属汚パーティクル間で反発力が生じパーティクルの再染の洗浄に多用されるHPM HCl/ H2 O2 /H2 O 洗付着が防止できる浄やSPM H2 SO4 /H2 O2 /H2 O 洗浄は低pH <1 可溶性の金属汚染の場合汚染の脱離は金属汚と高電位 1.5V vs. NHE以上を有しており様々染を酸や酸化剤で化学的に溶解することによって行な金属汚染を容易に溶解することができる但しわれる有機汚染の場合も同様に溶解作用によって金属汚染は液中では溶解していても基板表面と化脱離される学反応を起こして再付着する場合があるので注意第３章将来技術図２代表的な三つの金属のpH 電位図

3 結晶リソグラフィ3D実装技術1森永均 : 先端 LSI 技術大系, 第 2 章, 第 7 節, 洗浄洗浄と汚染低減, グローバルネット株式会社出版, pp , (2012). 177 表 1 液中における代表的な金属汚染の付着メカニズム 1)3)4) 吸着機構金属種吸着が起こりやすい溶液吸着しやすい基板表面状態 (1) 電気化学的吸着希フッ酸水アルカリベア Si 表面 SiO 2 表面 Cu Ag Au (Electrochemical Adsorption) 研磨剤スラリー (p-si a-si も含む ) ( 貴金属 ) 固液界面における酸化還元反応 ( 酸化剤がない場合 ) 広くは卑金属表面全般 (2) 水酸化物吸着 Al Fe Zn アルカリ (APM など ) SiO 2 表面 >ベア Si 表面 (Hydroxide Adsorption) ( 金属水酸化物 ) 水固液界面における脱水縮合反応広くは OH 終端表面全般速化に対応するために BEOLでは銅配線と疎水減が重要となっている APM 洗浄やDHF 洗浄な ( 表 1) 希フッ酸(DHF) 中でのCu 付着が重要となっている以下 FEOLとBEOLに分 APM(NH 4 OH/H 2 O 2 /H 2 O) 洗浄やアンモニア洗けて洗浄の課題を述べるが共通の課題は 1ナ浄などのアルカリ液中でのAlやFe Znの付着はノ汚染低減とナノダメージ抑制の両立 2 新材料有名である Cu 2+ などの貴金属イオンはシリコ新プロセスに由来するクロスコンタミネーション防ンとの酸化還元反応によってシリコン表面に吸着す止であるるアルカリ液中ではFe 2+ Al 3+ など様々な金属 1)FEOL 洗浄が水酸化物となりこれがSiO 2 表面のSi OH 基と FEOL 洗浄にはシリコンウェハ洗浄ゲート前洗脱水縮合反応を起こして吸着するこれらの付着は浄ゲートエッチング後洗浄コンタクトホール内その原動力となっている化学反応を妨げることで防部の洗浄などがあるパターンの微細化と共によ止できる 1)3)4) り小さなパーティクルが歩留まりに悪影響を及ぼすようになる一方で微細なパターンは超音波など 2. 先端 LSI 洗浄の課題と考え方の物理作用や薬液の化学作用に対して極めて敏感 LSIプロセスは金属配線を形成する前と後ででダメージを受けやすい先端 LSIデバイスにお FEOL(Front End Of the Line) とBEOL(Back いてはこの傾向は顕著となっている End Of the Line) に大別されるより汚染に敏感もっとも清浄度を要求される洗浄はゲート絶縁なのは半導体や極薄ゲート絶縁膜が最も微細膜を形成する前のゲート前洗浄更にその前のシリなパターンで形成されるFEOL 工程の洗浄でありコンウェハ洗浄であるこれらの工程では金属パーここでは ( 金属配線が同居しないため ) 金属溶解ティクル有機物といった汚染は勿論表面マイク能の高い RCA 洗浄 ( 前述のHPM 洗浄とAPM 洗ロラフネスも極限まで低減する必要があるベア ( 自浄の組み合わせを基本とする ) 6) が高周波の超音波然酸化膜のない ) なシリコンウェハ表面は超純水リンと併用されて用いられてきた BEOLの洗浄ではス工程でさえも荒れることが知られており 7)8) 洗浄金属配線の腐食が問題となるために RCA 洗浄はやリンス中の表面荒れ抑制は極めて重要である用いることができず超純水や薄い無機酸有機浄を要するゲートエッチング後洗浄などゲート絶縁膜形成薬液などが用いられてきた近年デバイスの高後の様々な洗浄では Siや酸化膜などの膜ロス低性の低誘電率 (Low-k) 層間絶縁膜が用いられるよどのエッチング作用を伴う洗浄では希釈化短時うになりこれらはCMP(Chemical Mechanical 間化低温化などによりエッチング量を抑制する必 Planarization) 工程によって配線形成されている要があるまた微細なパターンの倒壊にも注意が BEOLでは CMPスラリー ( 研磨剤 ) にはナノオー必要であるパーティクルの除去には従来より超音ダーのシリカや有機添加剤が用いられておりこれ波を併用した洗浄が用いられているが 100nm 以らの微小汚染を銅配線を腐食させずに除去すること下のパターンはその作用によって極めて倒壊しやす 23エッチング技術4薄膜形成5イオン注入とアニール6CMP7洗浄8

第１章最先端ＬＳＩデバイスの動向い物理力を併用する洗浄には多かれ少なかれすべいるゲート電極のWやAl ゲート絶縁膜やキャて同様の傾向があるため物理力低減下での洗浄がパシタ絶縁膜のHfなどである WやAlのようなメ必要となるタルはAPM洗浄で容易に溶解するのでパーティクコンタクトホール内部の洗浄ではホール底部ル除去にはRCA洗浄を用いることができないま

4 第１章最先端ＬＳＩデバイスの動向い物理力を併用する洗浄には多かれ少なかれすべいるゲート電極のWやAl ゲート絶縁膜やキャて同様の傾向があるため物理力低減下での洗浄がパシタ絶縁膜のHfなどである WやAlのようなメ必要となるタルはAPM洗浄で容易に溶解するのでパーティクコンタクトホール内部の洗浄ではホール底部ル除去にはRCA洗浄を用いることができないまのコンタクトの自然酸化膜を確実に除去することた Hfは液に溶解すると基板に再付着しクロスホール側壁の絶縁膜の過剰エッチングを防ぐことコンタミネーションを引き起こすメタル材料表面絶縁膜が多層の場合には個々の膜のエッチング量がのパーティクル除去には超純水と物理洗浄の併用や均一になるようにすることが重要であるベアなSi 界面活性剤技術の活用が溶解したメタルの再付着が露出する状態で洗浄を仕上げる場合には表面が防止にはキレート剤技術の活用が有効である疎水性となっているためにウォーターマークにも近年デバイスの微細化に応じるために FEOL 注意が必要であるウォーターマークは疎水面に部において液浸露光技術が多用されている液浸露光分的に残った水滴の乾燥過程で純水に溶解したでは汚染を忌み嫌うべき露光工程において基板 HSiO 3 が析出するために起こる防止には乾燥が純水等の液体に浸漬されるがこの際にエッジ部過程で純水をIPAによって置換する方法 N2 雰囲からのパーティクル発塵があると基板表面に再付気で乾燥することにより純水中にSiを溶出させない着し露光不良の原因となるこのようなクロスコ方法が用いられるンタミネーション防止にはエッジ部を事前によく第２章先端プロセス技術 FEOLで表面に露出している部材は従来はSi 洗浄することあるいはエッジ研磨によって発塵源 p S i S i O 2 S ilic id e などの S i あるいは Si 化合となるエッジ部の多層膜に由来するバリを事前物であったこれらは化学的に極めて安定な物質に研磨して除去しておくことが有効であるであり従ってRCA洗浄のようにSiや酸化物を除 2 BEOL 洗浄くあらゆる部材を溶解してしまうような強力な薬品 BEOL洗浄には膜のドライエッチング後洗浄による洗浄が可能であった一方で先端LSIでは Cu配線後のCMP後洗浄などがあるこの工程で大ゲート周辺材料にも様々な金属系材料が導入されてきな課題となるのは腐食しやすく拡散しやすい第３章将来技術図３ TSV-CMP工程におけるCuクロスコンタミ防止に対するキレート剤の効果11 とシリコン表面へのCu付着メカニズム右図

１結晶 Cu配線周辺の洗浄である Cu配線を絶縁するLow k膜には種々の膜が提過剰エッチングラフネス増大新材料の腐食等のダメージのためである SiOC CDOなどと呼ばれるなどの絶縁膜の場合く用いられている超音波は疎密波であり定点でには表面が疎水性であるために水溶液による洗は周期的に減圧加圧が繰り返されている液中の浄が著しく困難になる疎水面の親水化には界面活

5 １結晶 Cu配線周辺の洗浄である Cu配線を絶縁するLow k膜には種々の膜が提過剰エッチングラフネス増大新材料の腐食等のダメージのためである SiOC CDOなどと呼ばれるなどの絶縁膜の場合く用いられている超音波は疎密波であり定点でには表面が疎水性であるために水溶液による洗は周期的に減圧加圧が繰り返されている液中の浄が著しく困難になる疎水面の親水化には界面活減圧部で気泡が発生し同一部分が再び加圧される性剤の添加が有効である 4 9 と気泡が収縮し崩壊するキャビテーション現が始まっている Cuはシリコン表面に付着しやす同時にパターン倒壊や結晶欠陥をも引き起こすためく付着の際にピットを引き起こすほか付着しにキャビテーション強度の均一制御が重要となるたCuはシリコン内部で速やかに拡散する従ってキャビテーション強度は液中の超音波の周波数強 Cuは洗浄以前に付着させないことが重要であり度溶存ガス濃度に強く依存する特に溶存ガス濃 TSV形成時に用いられるCMP工程では Cuの付度の影響は大きく汚染除去とダメージ低減の観点着防止技術が重要となる Cuのシリコン表面へのから研究が進んでいる図４ 12 溶存ガスを脱気しクロスコンタミ防止にはキレート剤や酸化剤の添加た液体中では周波数約１メガヘルツの超音波照射が有効である図３10 11 によって基板表面のパーティクルを除去する際の除去能力が著しく低下することが知られている 13 ３最新技術動向薄膜形成クルは脱離するが激しいキャビテーション現象は４して TSV Thorough Silicon Via 工程の導入エッチング技術象このキャビテーションの威力によってパーティ３先端LSIデバイスにおいては３次元実装技術とリソグラフィ超音波は極微小パーティクルの脱離技術として広２案されているが有機化合物がドープされたSiO 2 脱気液に溶存ガスとして空気や窒素水素などを添 1 汚染脱離技術とその高性能化加すればパーティクル除去能は再び向上する 13 汚染脱離に必要な物理化学的作用は半導体微少パーティクルの除去と欠陥抑制の両立のために５洗浄に不可欠なものとして多用され続けてきたがは洗浄液中の溶存ガス濃度の制御と基板表面近傍近年のデバイスパターン微細化や新材料 Cu配線での均一化が重要であるイオン注入とアニール Low k絶縁膜 High k絶縁膜など導入によってまた近年超音波に代わる汚染脱離技術としてその使用には制限が必要となっている物理作用にマイクロナノジェットやマイクロナノバブルをよる極微細パターンの倒壊化学作用による部材の用いた洗浄技術が提案され活用が始まっている６ＣＭＰ７洗浄８３Ｄ実装技術図４超音波照射時のキャビテーション発光に及ぼす供給水中の溶存N2濃度の影響12 脱気超純水に膜ユニット LIQUI-CELL G420E を用いてN2を溶解し一定のN2濃度とした後に装置に供給装置の漕内純水中のN2濃度は気液接触部を中心にさらに高くなっていると考えられる 179

6 第１章最先端ＬＳＩデバイスの動向 2 汚染の再付着防止技術とその高性能化作り可溶化する性質を持つ化合物であるしかし物理化学作用低減下で高清浄な表面を達成す半導体洗浄に従来の添加剤を用いようとすると残るためには表面からほんのわずかに引き離された留泡立ちなどの副作用があるあるいはごく限微小汚染を確実に捕らえる高度な再付着防止技術られた汚染種にしか効果を示さないなどの問題点を有した洗浄が必須となるパーティクル汚染の再がありこれが半導体洗浄へのこれらの導入を阻ん付着にはゼータ電位が寄与しておりその制御のたできた近年半導体デバイス洗浄に適した活性剤めに従来の半導体洗浄 RCA洗浄などではpH キレート剤技術の研究開発が進められ先端半導体制御すなわち酸アルカリの活用のみを行ってデバイスプロセスへの導入が進んでいるきたアルカリ性の洗浄液中では様々な部材の表先端半導体デバイスでは新材料の導入により Cu 面が共に負に帯電するために基板とパーティクルやCo Ni Hfなどがシリコン表面にクロスコンタミ間で反発力が生じパーティクルの再付着が防止でする可能性が増大しているがキレート剤の活用にきるしかしより高度なゼータ電位制御には界面よりその防止は可能となっている界面活性活性剤などの微量添加剤の活用が有効である図５剤は極微小パーティクルの再付着防止に効果を発第２章先端プロセス技術界面活性剤やキレート剤などの微量添加剤は衣揮する常に基板表面に新液を供給できる枚葉スピ類や金属部品などの洗浄分野や化学工業においてはン洗浄においても液の下流側で汚染再付着は起こ広く用いられているキレートとはギリシャ語でカりうるが界面活性剤技術によってその抑制は可能ニのはさみを意味する言葉でカニが獲物をはさみとなる図６ウェハ上に形成される種々の新材こむように金属イオンを取り込んで金属錯体を料表面間のゼータ電位差に由来するパーティクル再図５様々な物質表面のゼータ電位に対するpHならびに界面活性剤の効果2 3 ゼータ電位はpHに依存するが界面活性剤の添加による制御も可能である第３章将来技術図６枚葉スピン洗浄超音波併用によるパーティクル除去における汚染再付着防止の重要性 3 9 超純水ではパーティクル再付着防止能がないために脱離したパーティクルが下流側で再付着するゼータ電位による反発作用が大きいアルカリ液ではそれが防止でき界面活性剤を添加したアルカリ液ではさらにその効果が大きくなる 180

１結晶付着問題にも界面活性剤技術は有効である 2 4 9 素やクリーンルーム内の蛍光灯が悪影響を及ぼしてラフネス増大や意図せぬ酸化などの半導体表面の用するとナノあるいはサブナノサイズの酸化物がナノ構造劣化はデバイスの電気的性能に悪影響を表面に局所的にでき図７これがトリガーとなっ及ぼすためその抑制が重要となっている特に先

ベアシリコムを示す図中には個々の反応の酸化還元電位とそン表面マイクロラフネス増大には純水中の溶存酸れから換算した電子のエネルギー準位を列記したエッチング技術図８に水溶液中におけるシリコンの酸化メカニズ３シリコン表面のマイクロラフネスはウェットプロリソグラフィいることがわかったシリコン表面に酸素や光が作２ 3

7 １結晶付着問題にも界面活性剤技術は有効である素やクリーンルーム内の蛍光灯が悪影響を及ぼしてラフネス増大や意図せぬ酸化などの半導体表面の用するとナノあるいはサブナノサイズの酸化物がナノ構造劣化はデバイスの電気的性能に悪影響を表面に局所的にでき図７これがトリガーとなっ及ぼすためその抑制が重要となっている特に先て突起シリコンの方が酸化物より溶けやすい純水端デバイスにおけるゲート絶縁膜シリコン界面中やアルカリ液中の場合やピット酸化物の方がの表面マイクロラフネスはキャリアの移動度を低下シリコンより溶けやすいフッ酸含有薬液中の場合させるために好ましくないができてラフネスが増大する 7 8 セス中に増大する最近の研究の結果ベアシリコムを示す図中には個々の反応の酸化還元電位とそン表面マイクロラフネス増大には純水中の溶存酸れから換算した電子のエネルギー準位を列記したエッチング技術図８に水溶液中におけるシリコンの酸化メカニズ３シリコン表面のマイクロラフネスはウェットプロリソグラフィいることがわかったシリコン表面に酸素や光が作２ 3 表面ラフネスの低減技術４薄膜形成５イオン注入とアニール図７局所酸化に起因するシリコン表面荒れのメカニズム7 ６ＣＭＰ７洗浄８３Ｄ実装技術図８水溶液中でのシリコン表面酸化のメカニズム光と酸素の影響 7 8 E0 標準電極電位 EpH7 ph7における酸化還元電位 αe/ph7 電子のエネルギ準位エネルギ準位差ΔE 181

第１章最先端ＬＳＩデバイスの動向図９超純水リンス時のシリコン表面荒れに対する光と溶存酸素の影響 Arアニール基板使用 11 光の遮断左図と溶存酸素の排除右図により表面荒れは低減できる第２章先端プロセス技術図10 酸化膜パッシベーションによるラフネスの抑制 APM洗浄の例 Arアニール基板使用 8 APM NH4OH/H2O2/H2O

8 第１章最先端ＬＳＩデバイスの動向図９超純水リンス時のシリコン表面荒れに対する光と溶存酸素の影響 Arアニール基板使用 11 光の遮断左図と溶存酸素の排除右図により表面荒れは低減できる第２章先端プロセス技術図10 酸化膜パッシベーションによるラフネスの抑制 APM洗浄の例 Arアニール基板使用 8 APM NH4OH/H2O2/H2O 洗浄では過酸化水素の酸化作用によってシリコン表面が均一に酸化されているために表面荒れは抑制されるシリコンにバンドギャップエネルギー 1.1eV 以カル酸化膜で覆うこと図10 で洗浄リンス時上の光 λ<1,100nm が当たるとシリコンの価のラフネス増大は大幅に抑制できる第３章将来技術電子帯の電子は伝導帯に励起されエネルギー準位が1.1eVだけ高くなるすなわち光励起によってさらに1.1V分だけ電子を奪われやすくなる表よりナノ加工時代に突入した先端LSIデバイスでは個々の反応のエネルギー準位差ΔEを求めると液ナノ汚染低減とナノダメージ抑制の両立が重要課題中に溶存酸素があって光が照射された場合がもっとなっている新材料新プロセスの導入によりクとも大きくすなわちシリコンが酸化されやすくロスコンタミの機会が増大しておりその撲滅も重溶存酸素がなく遮光された状態ではもっとも酸化大な課題である課題解決には汚染やダメージのされにくいことがわかる発生機構を理解し粒子から分子電子光子に光を遮断すること図９左液中の溶存酸素を取り除くこと図９右あるいは表面を安定なケミ 182 至る様々な汚染要因を制御することが重要である

9 結晶3D実装技術森永均 : 先端 LSI 技術大系, 第 2 章, 第 7 節, 洗浄洗浄と汚染低減, グローバルネット株式会社出版, pp , (2012). 1) 森永均 : ウェット洗浄の物理化学, 応用物理,69-5, pp , (2000). 2) 森永均 : 新材料対応洗浄技術, 応用物理,70-9, pp , (2001). 3) 森永均 : エレクトロニクス洗浄技術, 第 3 章, 洗浄のメカニズム, 第 7 章, 洗浄技術の高性能化,pp.30-70, pp , 技術情報協会,(2007). 4)H.Morinaga: Scientific Wet Process Technology for Innovative LSI/FPD Manufacturing (Edited by T Ohmi), Chapter 2. Principles of Semiconductor Device Wet Cleaning, Chapter 3-7. Surfactant and Chelating Agents Technologies for Innovating Semiconductor Cleaning, Taylor and Francis/CRC Press, pp.35-59, pp , (2005). 5)M.Pourbaix: Atlas of Electrochemical Equilibria in Aqueous Solutions. London: Pergamon Press, (1966). 6)W.Kern, D.A.Puotinen: RCA Rev 31: pp , (1970). 7)H.Morinaga, K.Shimaoka and T.Ohmi: 153(7), pp.g626-g631, (2006). 8)H.Morinaga, K.Shimaoka and T.Ohmi: Solid State Phenomena, 134 (UCPSS VIII), pp.45-48, (2007). 9)H.Morinaga, A.Itou, H.Mochiduki and M.Ikemoto: Electrochemical Society Proceedings Series PV , pp , (2004). 10)H Morinaga, M Suyama and T Ohmi: J Electrochem Soc 141: pp , (1994). 11)H.Morinaga and K.Tamai: ECS Transactions, 34 (1) pp , (2011). 12)S.Hirayama, H.Morinaga, T.Ohmi and J.Soejima: Acoustical Science and Technology, 29(6), pp , (2008). 13)H.Kanetaka, T.Kujime, H.Yazaki, T.Kezuka, T.Ohmi: Proceedings of UCPSS 98, 1999, pp 浄参考文献リソグラフィ3エッチング技術4薄膜形成5イオン注入とアニール6CMP7洗浄8

半導体製造CMP工程後の洗浄技術

半導体製造CMP工程後の洗浄技術特集電子デバイス製造技術半導体製造 CMP 工程後の洗浄技術 Cleaning Technology of Post Semiconductor Production CMP Process 株式会社荏原製作所精密電子カンパニー CMP 事業部 CMP プロセス部プロセスソリューション課参事今井正芳 Masayoshi Imai (Senior Manager) Process Solution